JPH047833A - 薄膜パターンの形成方法 - Google Patents
薄膜パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH047833A JPH047833A JP2109700A JP10970090A JPH047833A JP H047833 A JPH047833 A JP H047833A JP 2109700 A JP2109700 A JP 2109700A JP 10970090 A JP10970090 A JP 10970090A JP H047833 A JPH047833 A JP H047833A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- concentration
- pattern
- alkali
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置あるいはプリント基板等の金属薄
膜配線の形成に関する。
膜配線の形成に関する。
アルカリ現像可能なマスク材（フォトレジスト等）を用
いて、アルカリ液にて薄膜を選択的にエツチングしパタ
ーンを形成する方法において、前記マスク材に忠実なパ
ターンを形成する方法を提供するものである。
いて、アルカリ液にて薄膜を選択的にエツチングしパタ
ーンを形成する方法において、前記マスク材に忠実なパ
ターンを形成する方法を提供するものである。
フォトレジストを露光、アルカリ現像し、前記フォトレ
ジストをマスク材として、そのまま同一のアルカリ現像
液にて薄膜をエツチングする方法が一般に用いられてい
た。
ジストをマスク材として、そのまま同一のアルカリ現像
液にて薄膜をエツチングする方法が一般に用いられてい
た。
前記、従来用いられていた方法では、現像液でそのまま
エツチングするために、マスク材であるフォトレジスト
はエツチング中に更に現像と同一の処理を受けることに
なり、過現像によるマスク材パターンの細りゃ膜減りが
発生し、最終的なエツチング後の薄膜パターンが現像直
後のマスク材パターンと大きく異なってしまうという問
題があった。このため微細なパターンを精度良く形成す
ることは困難であった。
エツチングするために、マスク材であるフォトレジスト
はエツチング中に更に現像と同一の処理を受けることに
なり、過現像によるマスク材パターンの細りゃ膜減りが
発生し、最終的なエツチング後の薄膜パターンが現像直
後のマスク材パターンと大きく異なってしまうという問
題があった。このため微細なパターンを精度良く形成す
ることは困難であった。
本発明では、前記問題点を解決するために、現検液のア
ルカリ濃度に比べ、エツチング液のアルカリ濃度を薄く
することにより、エツチング中の前記マスク材の劣化を
極力抑える。
ルカリ濃度に比べ、エツチング液のアルカリ濃度を薄く
することにより、エツチング中の前記マスク材の劣化を
極力抑える。
−ａにフォトレジストにパターンを形成させるために必
要とされる、現像時間は露光量を一定とした時に、現像
液濃度変化に対して指数関数的に変化する。これに反し
てエツチング速度はアルカリ濃度にほぼ比例する。これ
らの変化の差を利用し、エツチング液のアルカリ濃度を
現像液のアルカリ濃度より低くしてやることで、エツチ
ング速度をあまり下げずに、現像速度を大きく下げるこ
とが可能となる。
要とされる、現像時間は露光量を一定とした時に、現像
液濃度変化に対して指数関数的に変化する。これに反し
てエツチング速度はアルカリ濃度にほぼ比例する。これ
らの変化の差を利用し、エツチング液のアルカリ濃度を
現像液のアルカリ濃度より低くしてやることで、エツチ
ング速度をあまり下げずに、現像速度を大きく下げるこ
とが可能となる。
ウェハ上にＡｌ＠膜パターンを形成することを例にとっ
て以下に本発明の実施例を記す。
て以下に本発明の実施例を記す。
（１１ウェハ上にＡ１膜をスパッタ装置等を用いて形成
する。
する。
（２）前記ＡＩ膜付ウェハに１ボラソ系ポジ型フオトレ
ジスト（例えば、ハント製ＨＰＲ２０４）をスピンコー
ドし、ソフトヘーク処理を行った後に、所定のマスクに
て、マスクアライナ−を用いノぐターンを焼き付ける。
ジスト（例えば、ハント製ＨＰＲ２０４）をスピンコー
ドし、ソフトヘーク処理を行った後に、所定のマスクに
て、マスクアライナ−を用いノぐターンを焼き付ける。
（３）前記焼き付は済つエノ＼を現像装置にて、ＴＭＡ
Ｈ濃度２．４９％の現像液（例えば）＼ント製ＨＲＲＤ
４０２）で現像、リンスを行う。
Ｈ濃度２．４９％の現像液（例えば）＼ント製ＨＲＲＤ
４０２）で現像、リンスを行う。
（４）続いて同一現像装置内にて連続してＴＭＡＲ濃度
２．３８％の現像液（例えば東京応化工業製ＮＭＤ３）
でＡｌｍＭをエツチングする。
２．３８％の現像液（例えば東京応化工業製ＮＭＤ３）
でＡｌｍＭをエツチングする。
（５） 不要となったフォトレジストをアッシングや
剥離液を用いて除去する。以上をもってＡ６ｉ膜パター
ンを精度良く形成することが出来る。
剥離液を用いて除去する。以上をもってＡ６ｉ膜パター
ンを精度良く形成することが出来る。
前記（３）の現像時間は、Ａｆ膜があまり侵食されない
時間、Ａ１表面の自然酸化膜をすべてエツチングしてし
まわない時間である２〜３分以内でできるだけ長い時間
とした方が良い。ここでは１分とした。
時間、Ａ１表面の自然酸化膜をすべてエツチングしてし
まわない時間である２〜３分以内でできるだけ長い時間
とした方が良い。ここでは１分とした。
前記（４）のエツチング時間はＡ１膜厚が０．１ρ以下
である場合５〜１０分の間が適当である。
である場合５〜１０分の間が適当である。
本発明により一つの装置（現像装置）で精度良く現像か
らエツチングまで連続して可能となった。
らエツチングまで連続して可能となった。
このことにより、従来量等の加工精度を要する工程は、
現像装置とエツチング装置２つ装置が必要であり、又複
数工程必要であったものが、単純化され、一つの装置、
一つの工程でできる様になるという効果がある。
現像装置とエツチング装置２つ装置が必要であり、又複
数工程必要であったものが、単純化され、一つの装置、
一つの工程でできる様になるという効果がある。
以上
出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- アルカリ可溶な薄膜をエツチングしパターンを形成する
方法において、アルカリ現像可能なフオトレジストを用
いる第１の工程と前記薄膜をアルカリ液で選択エツチン
グし所望のパターンを得る第２の工程とを有し、前記第
１の工程のアルカリ濃度に比べ前記第２の工程のアルカ
リ濃度が薄いことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109700A JPH047833A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 薄膜パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2109700A JPH047833A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 薄膜パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047833A true JPH047833A (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=14516995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2109700A Pending JPH047833A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 薄膜パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH047833A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298202A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP2109700A patent/JPH047833A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298202A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
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