JPS5814520B2 - Prめっき法 - Google Patents

Prめっき法

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Publication number
JPS5814520B2
JPS5814520B2 JP6553076A JP6553076A JPS5814520B2 JP S5814520 B2 JPS5814520 B2 JP S5814520B2 JP 6553076 A JP6553076 A JP 6553076A JP 6553076 A JP6553076 A JP 6553076A JP S5814520 B2 JPS5814520 B2 JP S5814520B2
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JP
Japan
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plating
rhodium
plating method
contact
electrolytic
Prior art date
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Expired
Application number
JP6553076A
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English (en)
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JPS52148438A (en
Inventor
斉藤茂
富岡宏
林佑二
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はPRめっき法の改良、特にロジウム等の高硬度
の金属めっきに有効なPRめっき法に関する。
従来のPRめっき法は、陰極のめつき下地に第1図に示
す如き負電位が陽電位より絶対値的に大きな矩形波の電
圧パルスを繰返し印加することにより電解めっきする方
法である。
このPRめっき法によれば、陰極側でめっき作用とエッ
チング作用が繰返され、上述のようにめっき用電位がエ
ッチング用電位より絶対値において大きいので、順次パ
ルスを繰返すことにより電着層が増加する。
本来不純物の多い電解液からのめつき層には不純物が混
入し易いが、このめっき過程でエッチング作用を交互に
与えることにより、不純物が多分に除去され、結果とし
て高純度めっきが得られる。
又この方法により緻密なめつき層を成長させることがで
きる。
このような利点のあるPRめっき法は、例えば、リード
スイッチのリード片接点にロジウム(Rh)をめっきす
る場合に特に有効である。
それは、この種接点に不純物があれば、接触不良、そこ
まで至らすとも接点の接触電圧の変動による接点機能の
不安定がもたらされ、接点特性上好ましくないためであ
る。
しかし、このPRめっき法によれば、前述のようにめっ
きとエッチング作用が交互に繰返されることから、必然
的にめっきは積層形態で成長することになる。
このめっき積層は、ロジウム等ノストレスの大きな一般
に高硬度のめつき金属の場合には、めっき積層の層間剥
離を起こし易い。
従って、ロジウムの接点めっき法としてPRめっき法を
適用することは、層間剥離による接点寿命の劣化や接点
特性の不安定をもたらすので、好ましくない。
本発明者は従来のPRめっき法をリード片のロジウム接
点めっきに適用した実験を行った。
この実験は第1図に示す矩形波パルス条件で行われ、得
られたロジウムめっきの表面は第3図の顕微鏡写真に見
られるように明白に層間剥離が起きていた。
然るに本発明の目的は、高硬度の金属であっても第3図
のような層間剥離を起こすことなく高純度で緻密なめっ
きが可能となるPRめっき法を実現することにある。
第4図の写真は本発明のPRめっき法により、リード片
の接点めっきとしてロジウムめっきを施こした実験で得
られた第3図の写真に対応しためつき表面の顕微鏡写真
である。
この本発明法の実験は、第2図に示すパルス条件で行わ
れた。
第1図と第2図を比較して明らかなように、従来のパル
スは立上り並びに立下り勾配が90°である、即ち時間
軸に対し垂直に立上り且つ立下っている矩形波であるの
に対し、本発明の場合にはパルスの立上りと立下りの勾
配が傾斜している梯形波である。
本発明の実験例ではその勾配は12V/minであった
この勾配の違いの他は両実験とも同じ条件で行われた。
即ち、■側の最大電位が+2■、■側の最大電位が−6
■、パルス幅が■波形も○波形も共に3分(min)で
あった。
第3図と第4図の写真を較べて見て明らかなように、従
来の矩形波のPR法では、ロジウムめっきの層間剥離が
起きているのに本発明の梯形波のPR法ではロジウムめ
っきの層間剥離は起きていない。
この両実験から上記層間剥離の因子がパルスの波形、具
体的には矩形が梯形かにあることが判る。
この実験から更に研究した結果、層間剥離はPR法のパ
ルスを実質的に傾斜した立上り、立下りにすれば実質的
に回避され、好ましい傾斜勾配は、めっき金属、電解め
っき条件等によって好ましい値の範囲があることが判っ
た。
ロジウムめっきの場合には、パルス勾配は第4図に示す
t,t’
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のPRめっき法に係る実験例における電解
パルス条件を示すグラフ、第2図は本発明のPRめっき
法に係る実験例における電解パルス条件を示すグラフ、
第3図は第1図の条件によるロジウムめっきの表面を示
す顕微鏡写真及び第4図は第2図の条件によるロジウム
めっきの表面を示す顕微鏡写真である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 繰返しパルス波形の電解電圧を印加してめっき作用
    とエッチング作用を交互に繰返しながら電解めっきする
    PRめっき法において、立上り、立下りの勾配が実質的
    に傾斜したパルス波形の電解電圧を印加するようにした
    ことを特徴とするロジウムめっきのためのPRめっキ法
JP6553076A 1976-06-07 1976-06-07 Prめっき法 Expired JPS5814520B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP6553076A JPS5814520B2 (ja) 1976-06-07 1976-06-07 Prめっき法

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JP6553076A JPS5814520B2 (ja) 1976-06-07 1976-06-07 Prめっき法

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JPS52148438A JPS52148438A (en) 1977-12-09
JPS5814520B2 true JPS5814520B2 (ja) 1983-03-19

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60218494A (ja) * 1984-04-13 1985-11-01 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd パルスめつき方法
JPS61266595A (ja) * 1985-05-21 1986-11-26 Hirotaro Suganuma 精密メツキ方法
JPS63179094A (ja) * 1987-01-20 1988-07-23 Tosoh Corp Prめつき法
GB2285494B (en) * 1994-01-05 1998-04-22 Ckd Corp Control apparatus for an electroviscous fluid

Also Published As

Publication number Publication date
JPS52148438A (en) 1977-12-09

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