JPS58157181A - 超電導回路用コンタクト - Google Patents
超電導回路用コンタクトInfo
- Publication number
- JPS58157181A JPS58157181A JP57039243A JP3924382A JPS58157181A JP S58157181 A JPS58157181 A JP S58157181A JP 57039243 A JP57039243 A JP 57039243A JP 3924382 A JP3924382 A JP 3924382A JP S58157181 A JPS58157181 A JP S58157181A
- Authority
- JP
- Japan
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- contact
- metal
- superconductive
- thin film
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ジ曹セ７ソン論運集穢回路等において、多層
配線を行う揚台に、多層配線の接続を１安定かつ高密度
超電導電流を得られるようにする層電導祠踏用コンタク
トに関するものである。
配線を行う揚台に、多層配線の接続を１安定かつ高密度
超電導電流を得られるようにする層電導祠踏用コンタク
トに関するものである。
近年、履軍導現象を利用した１１１ｍ路は低消費電力で
高速の動作が期待されることから注目されている。とり
わけ、超電導現象を利用した輪部素子としてジョセフソ
ン素子は、超高速コンビエータ−への応用を目ざして研
究が進められている。
高速の動作が期待されることから注目されている。とり
わけ、超電導現象を利用した輪部素子としてジョセフソ
ン素子は、超高速コンビエータ−への応用を目ざして研
究が進められている。
従来、このような超電導現象を利用した論理−路を形成
する材料として、加工性、超電導転移温度（２コ０Ｋ）
、ジョセフソン接合の形成のし易さ等の置市から、Ｐｂ
合金が多く使用されている。しかし、このような材料を
使用して囲路形成【行う場合、作成プ誼セス中の酸化、
あるいは、ジ冒セ７ソン接合形成時の酸化プルセスによ
って麦面が酸化され、上層の薄膜と絶縁あるいはジョセ
フソン接合となってしまい、安定なコンタクシを得るこ
とは困難であった。このため超電導輪ｌＩ回路では、一
般的に、広い面積のジョセフソン素子を形成してコンタ
クトを得る方法が用いられている。しかしながら、ジョ
セフソン素子をコンタクトに使用するには、大きな面積
を必要とするため、高集積化の障害となっている。また
、ジョセフソン素子は、他のジョセフソン素子との干渉
を起し易く安定性という面でも問題があった。
する材料として、加工性、超電導転移温度（２コ０Ｋ）
、ジョセフソン接合の形成のし易さ等の置市から、Ｐｂ
合金が多く使用されている。しかし、このような材料を
使用して囲路形成【行う場合、作成プ誼セス中の酸化、
あるいは、ジ冒セ７ソン接合形成時の酸化プルセスによ
って麦面が酸化され、上層の薄膜と絶縁あるいはジョセ
フソン接合となってしまい、安定なコンタクシを得るこ
とは困難であった。このため超電導輪ｌＩ回路では、一
般的に、広い面積のジョセフソン素子を形成してコンタ
クトを得る方法が用いられている。しかしながら、ジョ
セフソン素子をコンタクトに使用するには、大きな面積
を必要とするため、高集積化の障害となっている。また
、ジョセフソン素子は、他のジョセフソン素子との干渉
を起し易く安定性という面でも問題があった。
本発明は、以上に１み、従来のコンタクトの欠点を解消
し覧安定で高書度趨電導電流が得られる超電導回路用コ
ンタクシを提供することを目的としてなされたものであ
る。
し覧安定で高書度趨電導電流が得られる超電導回路用コ
ンタクシを提供することを目的としてなされたものであ
る。
本発明を概説すれば、肺金属薄膜上にムＵ金属薄膜を蒸
着した二層構造を持つコンタクトであるということがで
きる。
着した二層構造を持つコンタクトであるということがで
きる。
る。このコンタクトを用いて異なるブレセスで作成され
る超電導Ｐｂ合金線路暴、６を超電導線路との接触１ｉ
１８．４を通じて接続を行っているものである。
る超電導Ｐｂ合金線路暴、６を超電導線路との接触１ｉ
１８．４を通じて接続を行っているものである。
本発明では、機械的強度は強く、良好な超電導性を示す
が、鎌化に弱い卯金属の責画を、酸化に対しては良い耐
性を示す１田金属を柿金属の保護膜として使用し、かつ
ム聾金属を極めて薄くすることによって接合を形成する
Ｐｂ合金が、拡散でム田金属を吸収して真好な超電導コ
ンタク）−う − ても超電導性を失わない・このため、Ｐｂ会金超電導義
＠ｉ、ａは事実上柿金ＪＩ薄膜と接続されることになる
。励金属はＰｂ合金より高い超電導臨界温度と、良好な
超電導性とを持つ金属であるため、この接続も良好な超
電導コンタクトとなる。
が、鎌化に弱い卯金属の責画を、酸化に対しては良い耐
性を示す１田金属を柿金属の保護膜として使用し、かつ
ム聾金属を極めて薄くすることによって接合を形成する
Ｐｂ合金が、拡散でム田金属を吸収して真好な超電導コ
ンタク）−う − ても超電導性を失わない・このため、Ｐｂ会金超電導義
＠ｉ、ａは事実上柿金ＪＩ薄膜と接続されることになる
。励金属はＰｂ合金より高い超電導臨界温度と、良好な
超電導性とを持つ金属であるため、この接続も良好な超
電導コンタクトとなる。
本発明の超電導回路用コンタクトの構造が、罰金属薄膜
１とムー金属−Ｈａとの二層構造から成るのは以下の理
由による。すなわち、励金属は良好な超電導金属である
が、その表面は酸化に対して不安定であるため肋金属の
みでは、酸化膜が障壁となり良好なコンタクトは墓むこ
とができないためである。従って、ゆ金属薄膜１上に蒸
着したムＵ金属薄ｌ［ｓは、この柿金属薄膜１の酸化防
止膜となっている。
１とムー金属−Ｈａとの二層構造から成るのは以下の理
由による。すなわち、励金属は良好な超電導金属である
が、その表面は酸化に対して不安定であるため肋金属の
みでは、酸化膜が障壁となり良好なコンタクトは墓むこ
とができないためである。従って、ゆ金属薄膜１上に蒸
着したムＵ金属薄ｌ［ｓは、この柿金属薄膜１の酸化防
止膜となっている。
次に、本発明の実施ブ冑セスについて説明する。
１１本
発明の超電導コンタクトは、従来のものより高電流密度
が得られることから、十分な微細細工が１１Ｈされなけ
れば、超電導集積回路への応用は期待できない。
１１本
発明の超電導コンタクトは、従来のものより高電流密度
が得られることから、十分な微細細工が１１Ｈされなけ
れば、超電導集積回路への応用は期待できない。
本発明のコンタクトを構成する詐金属薄ｌｌ１１及びム
Ｕ金属薄ＩＩ！はｘｌｉ着によって得られることから１
フオトリゾダラアイによって得ることができる。フォト
レジスト上に＃１ＩＩｊＸ下の加工精度でコンタクトパ
ターンを形成し、励金属薄Ｉｌｌ及びムｎ金属薄膜２を
所定の厚みに蒸着し１リフトオフ法によって本発明のコ
ンタクトを得ることができる。また、基板面全域に、励
金属薄膜ｌ及びムＵ金属薄膜３を所定の厚みに蒸着し・
フォトリゾグラフィによって、コンタクシのパターンを
形成し１．ドライエツチングによっても微細なコンタク
トを得ることができる。
Ｕ金属薄ＩＩ！はｘｌｉ着によって得られることから１
フオトリゾダラアイによって得ることができる。フォト
レジスト上に＃１ＩＩｊＸ下の加工精度でコンタクトパ
ターンを形成し、励金属薄Ｉｌｌ及びムｎ金属薄膜２を
所定の厚みに蒸着し１リフトオフ法によって本発明のコ
ンタクトを得ることができる。また、基板面全域に、励
金属薄膜ｌ及びムＵ金属薄膜３を所定の厚みに蒸着し・
フォトリゾグラフィによって、コンタクシのパターンを
形成し１．ドライエツチングによっても微細なコンタク
トを得ることができる。
本発明のコンタクトは、島金属＊＊及びム田金属薄膜の
厚みが、両方共数百オンダス）田−ムでもｓ ／ ”ｋ
Ａｌ声１８以上の超電導電流密度が得られる。
厚みが、両方共数百オンダス）田−ムでもｓ ／ ”ｋ
Ａｌ声１８以上の超電導電流密度が得られる。
以上説明したように、本発明は励金属薄膜上３−
一ダー
従来のコンタクトが要した広い面積を微細なものとする
ことかで＊、ｍ電導集積！１ｉｊＩＩの高集積化を可能
とし、しかも安定性が高く、高密度超電導電流が得られ
るコンタクトを提供できるので、超電導集積回路の技術
に貢献すること大な： るものがある。
ことかで＊、ｍ電導集積！１ｉｊＩＩの高集積化を可能
とし、しかも安定性が高く、高密度超電導電流が得られ
るコンタクトを提供できるので、超電導集積回路の技術
に貢献すること大な： るものがある。
＠／Ｉｔは本発明のコンタクシを用いて二つの異なる層
の超電導線路を接続した構成図である。 図中、１は画金属薄膜、２はムＵ金属薄膜、８鳴は夫々
超電導線路との接触面、ｂ、６は夫々員なる層の超電導
線路である。 ６一
の超電導線路を接続した構成図である。 図中、１は画金属薄膜、２はムＵ金属薄膜、８鳴は夫々
超電導線路との接触面、ｂ、６は夫々員なる層の超電導
線路である。 ６一
Claims (1)
- ジ曹セ７ソン論ｍ集穂−路等の超電導ｍｌ＆における多
層配線の＊＊において１基板表面に励金属薄属を設け、
前記ぬ金属薄膜上にム亀金属薄展を堆−した二層榔造か
ら威ることな曹徽とすル庵電導−路用コンタクト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57039243A JPS603796B2 (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 超電導回路用コンタクト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57039243A JPS603796B2 (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 超電導回路用コンタクト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157181A true JPS58157181A (ja) | 1983-09-19 |
| JPS603796B2 JPS603796B2 (ja) | 1985-01-30 |
Family
ID=12547682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57039243A Expired JPS603796B2 (ja) | 1982-03-12 | 1982-03-12 | 超電導回路用コンタクト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603796B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128481A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | ジョセフソン接合素子 |
| US5232905A (en) * | 1987-01-30 | 1993-08-03 | Hitachi, Ltd. | High Tc superconducting device with weak link between two superconducting electrodes |
| JPH06318741A (ja) * | 1992-03-09 | 1994-11-15 | Kyocera Corp | 配線基板 |
| US5949131A (en) * | 1991-02-25 | 1999-09-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Junction between wires employing oxide superconductors and joining method therefor |
-
1982
- 1982-03-12 JP JP57039243A patent/JPS603796B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232905A (en) * | 1987-01-30 | 1993-08-03 | Hitachi, Ltd. | High Tc superconducting device with weak link between two superconducting electrodes |
| JPH01128481A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | ジョセフソン接合素子 |
| US5949131A (en) * | 1991-02-25 | 1999-09-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Junction between wires employing oxide superconductors and joining method therefor |
| JPH06318741A (ja) * | 1992-03-09 | 1994-11-15 | Kyocera Corp | 配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS603796B2 (ja) | 1985-01-30 |
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