JPS58158917A - 半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法Info
- Publication number
- JPS58158917A JPS58158917A JP57043571A JP4357182A JPS58158917A JP S58158917 A JPS58158917 A JP S58158917A JP 57043571 A JP57043571 A JP 57043571A JP 4357182 A JP4357182 A JP 4357182A JP S58158917 A JPS58158917 A JP S58158917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- electrode
- semiconductor substrate
- paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明に簡単な印刷および＃＠成方法で電極を形成す
る半導体装置の電極形成方法に関するものである。
る半導体装置の電極形成方法に関するものである。
第１囚乃至第４図に従来の太陽電池の電極形成方法を示
す工程図であり、以下に製造工程に従って説明する。第
１図ｒＬ電極が形成される前の状態？示す図で、ＰＭ半
導体基板ｉｌｌの一方の主面側にｎ型半導体層（３）が
形成されており、このｎ型半導体層（３）の上に反射防
止膜（４１が形成されている。電極の形成はこの後行な
われる０まず第２図に示すように、Ｐ型半導体基板１１
）の他方の主面上にＡｌ−Ａｇペース）１−印刷して半
導体基板用のｗ１極となる第１の導電層（６）を形成し
た彼、１５０℃前後のホットプレート上で１〜２分間プ
リベークを行ない、ペースト中の溶媒を蒸発させる。次
に１１！３図に示すように反射防止膜（４）上にＡｇペ
ーストを印刷してｎ型半導体層用の電極となる導電層（
７）ｔ−形成した後、裏面のＡ／ −Ａ ｇペーストと
同様にプリベ−り１行ない、ペースト中の溶媒を蒸発さ
せる。最後に、Ｐ型半導体基板（１）を並べたホートラ
数１００℃の空気雰囲気の焼成炉に所定時間式れて、Ａ
／−ＡｇペーストおよびＡｇペース）ｔ−焼成させる。
す工程図であり、以下に製造工程に従って説明する。第
１図ｒＬ電極が形成される前の状態？示す図で、ＰＭ半
導体基板ｉｌｌの一方の主面側にｎ型半導体層（３）が
形成されており、このｎ型半導体層（３）の上に反射防
止膜（４１が形成されている。電極の形成はこの後行な
われる０まず第２図に示すように、Ｐ型半導体基板１１
）の他方の主面上にＡｌ−Ａｇペース）１−印刷して半
導体基板用のｗ１極となる第１の導電層（６）を形成し
た彼、１５０℃前後のホットプレート上で１〜２分間プ
リベークを行ない、ペースト中の溶媒を蒸発させる。次
に１１！３図に示すように反射防止膜（４）上にＡｇペ
ーストを印刷してｎ型半導体層用の電極となる導電層（
７）ｔ−形成した後、裏面のＡ／ −Ａ ｇペーストと
同様にプリベ−り１行ない、ペースト中の溶媒を蒸発さ
せる。最後に、Ｐ型半導体基板（１）を並べたホートラ
数１００℃の空気雰囲気の焼成炉に所定時間式れて、Ａ
／−ＡｇペーストおよびＡｇペース）ｔ−焼成させる。
このとき、反射防止Ｍ（４）に薄く被着されているので
、第４図に示すようにＡｇペース）Ｈ反射防止膜（４）
を突き抜けてｎ型中導体層＋３１１と接続される。この
ようにして形成された太陽電池は、第５図に示すように
、電極にリード＃ （８１’ｅハンダ付けし、複数個の
太陽電池を直列に接続した太陽・電池パネルとして利用
する場合がある。
、第４図に示すようにＡｇペース）Ｈ反射防止膜（４）
を突き抜けてｎ型中導体層＋３１１と接続される。この
ようにして形成された太陽電池は、第５図に示すように
、電極にリード＃ （８１’ｅハンダ付けし、複数個の
太陽電池を直列に接続した太陽・電池パネルとして利用
する場合がある。
ところが、従来の太陽電池の電極形成方法によると＠に
、後工程である太陽電池パネル等の組立において、第１
の導電層（５）すなわち電極にリードｍ ｔｓ＋ ｔ−
ハンダ付けする際、電極の焼成工程でその電極の表面に
絶縁性Ａ４酸化物が形成されているため、そのままでに
ハンダ付は性が悪く、酸化物をブラシでこすって除去し
た後ハンダ付けを行なっていたが作業性が悪く、シかも
酸化物を完全に除去することに困難であり、酸化物が残
っている等のためにｇｔの導電層ｉｉｌとハンダとの接
着の機−３独酌強鼓か弱く、また電気的な直列抵抗が増
加して電流が流れにく（なり、太陽電池パネル等の規格
を満足させることができないという欠点があった０ この発明に上記のような従来の方法の欠点を除くために
なされたもので、半導体基板とオーミック接触する第１
の導電層と、この第１の導電層上にこれに比べて酸化し
にくい第２の導電層を印刷および焼成によって形成する
ことにより、従来と一様な簡単な方法を用いながら）１
ンダ付は性の良い電極を形成することができる方法を提
供することを目的としている０ 以下、この発明の一実施例を第６図〜第１２図の工程１
．１ｉｌ−用いて説明する。ｂσ工程としてｌ１ｇ６図
に示すように、Ｐ型ｓｔ半導体基板ｆｌ＋の破砕層を酸
エツチング液ぴ硝酸：弗酸：酢１ｇ＝３：１：２）でエ
ツチングし、片面で５０μｍ程度除去した後、王水で氷
化前処理を行なう。次にＰ型半導体基板１１１を１１０
０℃前後の電気炉の中に置いて第７図に示すように、全
体に数千オングストローム程度の厚みのＳｉＯ□膜（２
）全成長させる。次いでＰ型半導体基板（１）の一方の
主面のＳｉＯ□膜（２）ｔ−写真製版技術を用いて除、
去し、さらにレジスト膜（図示せず）全熱濃硫酸で除去
した後、王水でリン拡散前処理を行ない、次に９００℃
前後でリン拡散を行ない、第８図に示すｎ型半導体層（
３）全形成する０この後ｐｍ半導体基板（１）會弗酸系
の液に数分間浸漬してＳｌｙ、ＩＩＩ（２１およびリン
ガラス（図示せず）除去し、第９図に示すように、ｎｆ
ｆ１半導体層（３）上に反射防止膜（４）を形成する０
次に第１０図に示すように、Ｐ型反導体基板＋１１上に
Ａ／−Ａｇペーストを印刷してＰ型半導体基板用第１の
導電層（６）を形成した後、１５０℃前後のホットプレ
ート上でｌＮｚ分間プリベークを行ない、ペースト中の
溶媒を蒸発させ、さらにＰ型半導体基板（ｌｌｔ−ボー
トに並べ、このボー）ｆａ１００℃の空気雰囲気の焼成
炉に所足時間入れてＡ４−Ａｇペース）を焼成させる０
この後第１１因に示すように、Ａ４−Ａｇペーストを焼
成させて得たｗｉｌの導電層（６）の上にＡｇペース）
ｔ−印刷してＰ型半導体基板用第２の導電層（６）を形
成した後、ＡＪ’−Ａｇペーストと同様にプリベークを
行なってペースト中の溶媒を蒸発させ、次いで反射防止
Ｊ［ｔ＋＋上にもＡｇペース）１印刷してｎ型半導体層
用導電層（７）ｔ−形成した後、Ａ／−Ａｇペーストド
同様にプリベークを行ない、ペースト中の溶媒を蒸発さ
せる０最後に、Ｐ型半導体基板（１）を並べたボートを
数１００℃の空気雰囲気の焼成炉に所定時間式れてＡｇ
ペース）’ｔｆｉｇさせる０反射防止膜（４１に薄く被
着されているので、第１０図に示すよう［、Ａｇペース
ト焼成のとき反射防止膜（４）上のＡｇペーストに反射
防止膜（４）ヲ突き抜けてｎｆｆ１半導体層（３］と接
続することに従来と同じである。
、後工程である太陽電池パネル等の組立において、第１
の導電層（５）すなわち電極にリードｍ ｔｓ＋ ｔ−
ハンダ付けする際、電極の焼成工程でその電極の表面に
絶縁性Ａ４酸化物が形成されているため、そのままでに
ハンダ付は性が悪く、酸化物をブラシでこすって除去し
た後ハンダ付けを行なっていたが作業性が悪く、シかも
酸化物を完全に除去することに困難であり、酸化物が残
っている等のためにｇｔの導電層ｉｉｌとハンダとの接
着の機−３独酌強鼓か弱く、また電気的な直列抵抗が増
加して電流が流れにく（なり、太陽電池パネル等の規格
を満足させることができないという欠点があった０ この発明に上記のような従来の方法の欠点を除くために
なされたもので、半導体基板とオーミック接触する第１
の導電層と、この第１の導電層上にこれに比べて酸化し
にくい第２の導電層を印刷および焼成によって形成する
ことにより、従来と一様な簡単な方法を用いながら）１
ンダ付は性の良い電極を形成することができる方法を提
供することを目的としている０ 以下、この発明の一実施例を第６図〜第１２図の工程１
．１ｉｌ−用いて説明する。ｂσ工程としてｌ１ｇ６図
に示すように、Ｐ型ｓｔ半導体基板ｆｌ＋の破砕層を酸
エツチング液ぴ硝酸：弗酸：酢１ｇ＝３：１：２）でエ
ツチングし、片面で５０μｍ程度除去した後、王水で氷
化前処理を行なう。次にＰ型半導体基板１１１を１１０
０℃前後の電気炉の中に置いて第７図に示すように、全
体に数千オングストローム程度の厚みのＳｉＯ□膜（２
）全成長させる。次いでＰ型半導体基板（１）の一方の
主面のＳｉＯ□膜（２）ｔ−写真製版技術を用いて除、
去し、さらにレジスト膜（図示せず）全熱濃硫酸で除去
した後、王水でリン拡散前処理を行ない、次に９００℃
前後でリン拡散を行ない、第８図に示すｎ型半導体層（
３）全形成する０この後ｐｍ半導体基板（１）會弗酸系
の液に数分間浸漬してＳｌｙ、ＩＩＩ（２１およびリン
ガラス（図示せず）除去し、第９図に示すように、ｎｆ
ｆ１半導体層（３）上に反射防止膜（４）を形成する０
次に第１０図に示すように、Ｐ型反導体基板＋１１上に
Ａ／−Ａｇペーストを印刷してＰ型半導体基板用第１の
導電層（６）を形成した後、１５０℃前後のホットプレ
ート上でｌＮｚ分間プリベークを行ない、ペースト中の
溶媒を蒸発させ、さらにＰ型半導体基板（ｌｌｔ−ボー
トに並べ、このボー）ｆａ１００℃の空気雰囲気の焼成
炉に所足時間入れてＡ４−Ａｇペース）を焼成させる０
この後第１１因に示すように、Ａ４−Ａｇペーストを焼
成させて得たｗｉｌの導電層（６）の上にＡｇペース）
ｔ−印刷してＰ型半導体基板用第２の導電層（６）を形
成した後、ＡＪ’−Ａｇペーストと同様にプリベークを
行なってペースト中の溶媒を蒸発させ、次いで反射防止
Ｊ［ｔ＋＋上にもＡｇペース）１印刷してｎ型半導体層
用導電層（７）ｔ−形成した後、Ａ／−Ａｇペーストド
同様にプリベークを行ない、ペースト中の溶媒を蒸発さ
せる０最後に、Ｐ型半導体基板（１）を並べたボートを
数１００℃の空気雰囲気の焼成炉に所定時間式れてＡｇ
ペース）’ｔｆｉｇさせる０反射防止膜（４１に薄く被
着されているので、第１０図に示すよう［、Ａｇペース
ト焼成のとき反射防止膜（４）上のＡｇペーストに反射
防止膜（４）ヲ突き抜けてｎｆｆ１半導体層（３］と接
続することに従来と同じである。
ここでＩＩＩＨＰ型Ｓｌ牛導体基板、Ｍｌの導電層（６
）の材料にＡ／−Ａｉｒペースト、＠２の導電層＋６１
の材料ニＡｇペーストと組み合わせて説明したが、この
組み合わせに限るものでなく、要するに（１）ｒｒＬｌ
つの導電型の半導体基板、第１の導電層（６）に焼成に
よって前記半導体基板＋１１との間でオーミック接触す
る材料、第２の導電層（４１１ｒ［Ｇ１の導電Ｎ（６）
と比へて酸化しにくい材料の組み合わせであればよい。
）の材料にＡ／−Ａｉｒペースト、＠２の導電層＋６１
の材料ニＡｇペーストと組み合わせて説明したが、この
組み合わせに限るものでなく、要するに（１）ｒｒＬｌ
つの導電型の半導体基板、第１の導電層（６）に焼成に
よって前記半導体基板＋１１との間でオーミック接触す
る材料、第２の導電層（４１１ｒ［Ｇ１の導電Ｎ（６）
と比へて酸化しにくい材料の組み合わせであればよい。
以上述べたように、この発ＢＡが従来と異なるところに
、１つの導電型の半導体基板ｆｌ＋の表向に形成された
第１の導電層（５）の上に、第１の導電層（５）が有す
る欠点を補なう第２の導電、鳴（６）を形成する工程を
追加した点である。
、１つの導電型の半導体基板ｆｌ＋の表向に形成された
第１の導電層（５）の上に、第１の導電層（５）が有す
る欠点を補なう第２の導電、鳴（６）を形成する工程を
追加した点である。
なお、１つの４電娶の半導体基板ｉｌｌをＰ型ＧａＡ。
半導体基板、第１の導電層（６）の材料’ｔＺｎ−Ａｇ
ペースト、第２の導電層（θ）の材料ＹｒＡｇペースト
と組み合わせてもよく、所期の目的を達成し得ることに
ｉ５までもない。
ペースト、第２の導電層（θ）の材料ＹｒＡｇペースト
と組み合わせてもよく、所期の目的を達成し得ることに
ｉ５までもない。
また、上記実施例でに、第１の導電層（５）の材料を焼
成した後、第゛２の導電、層（６）の材料を焼成させた
が、両者を同時に焼成させてもよく、この場合焼成工程
を一回省略することができ、作業性を向上させることが
できる。
成した後、第゛２の導電、層（６）の材料を焼成させた
が、両者を同時に焼成させてもよく、この場合焼成工程
を一回省略することができ、作業性を向上させることが
できる。
第１および第２の導電層の印刷に、半導体基板の表面の
全体であっても部分的でろってもよい。
全体であっても部分的でろってもよい。
また、上記実施例でに、ペーストを印刷した後、ペース
）ｔ−蒸発させる乾燥工程が入れてあったが、粘度の高
いペーストであれば乾燥工程に入れなくてもよい。
）ｔ−蒸発させる乾燥工程が入れてあったが、粘度の高
いペーストであれば乾燥工程に入れなくてもよい。
以上、太陽電池の電極形成方法について説明し友が、こ
の発明に他の半導体装置の電極形成にも適用でき不こと
ばいうまでもない。
の発明に他の半導体装置の電極形成にも適用でき不こと
ばいうまでもない。
以上のようにこの発明゛によれば、半導体基板上に、そ
れと、オーミ・リフ接触する第１の導電層と、この第１
の導電層上にこれより酸化しにくい第２の導電層を印刷
および焼成して電極を形成するようにしたので、従来と
同様の簡単な方法を採用しながら、後工程である組立に
おいて従来のような電体表面のＡ／酸化膜除去工程を経
ずと％電極へのり−ド耐等のハンダ付けが容易な電極を
形成できるという効果がめる。
れと、オーミ・リフ接触する第１の導電層と、この第１
の導電層上にこれより酸化しにくい第２の導電層を印刷
および焼成して電極を形成するようにしたので、従来と
同様の簡単な方法を採用しながら、後工程である組立に
おいて従来のような電体表面のＡ／酸化膜除去工程を経
ずと％電極へのり−ド耐等のハンダ付けが容易な電極を
形成できるという効果がめる。
講１図乃至ｇ４図ａ従来の太陽電池等の半導体装置の電
極形成方法を示す工程′図、ＩｉｉｇＩＳ図に太陽電池
パネルの組立図、ａ！６図〜［１２図にこの発明の一実
施例を示す工程図である。 図において、ｉｌｌに半導体基板、（５）に第１の導電
層、（６）に第２の導電層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示すものと
する０ 代理人 葛野信− 第１図 Δ 第２図 第３図 第４図 第５図 手続補正書（自発） 昭和５７．７月１６日゛ １、事件の表示 特願昭♂７．４．１（ｌｆ２、
発明の名称 半導体装置の電極形成方法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第６頁第６行目の「熱濃硫酸」を「熱濃硫酸」と
訂正する。 以 上
極形成方法を示す工程′図、ＩｉｉｇＩＳ図に太陽電池
パネルの組立図、ａ！６図〜［１２図にこの発明の一実
施例を示す工程図である。 図において、ｉｌｌに半導体基板、（５）に第１の導電
層、（６）に第２の導電層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示すものと
する０ 代理人 葛野信− 第１図 Δ 第２図 第３図 第４図 第５図 手続補正書（自発） 昭和５７．７月１６日゛ １、事件の表示 特願昭♂７．４．１（ｌｆ２、
発明の名称 半導体装置の電極形成方法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
名 称（６０１） 三菱電機株式会社代表者片山仁
八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号
６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第６頁第６行目の「熱濃硫酸」を「熱濃硫酸」と
訂正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体基板の主面上に、それとオーミック接触す
るＩＩＩの導電層を印刷する工程、前記第１の導電層上
に前記第１の導電層より酸化しにくいＩＩＩＥ！の導電
層を印刷する工程、前記第ｌおよび第３導電層を焼成す
る工程を含む半導体装置の電極形成方法。 （り半導体基板をＰＷ８１半導体基板、纂ｌの導電層の
材料ｔ−Ａ／−Ａｇベース）、ｇ２の導電層の材料ｔＡ
ｇペーストとした特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置の電極形成方法。 （３）半導体基板ｋ Ｐ Ｍｌ ＧａＡｓ半導体基板、
ｇｘの導電層の材料ｔＺｎ−Ａｇペース）、ｊ１２の導
電層の材料をＡｇペーストとした特許請求の範１１１！
１項記載の半導体装置の電極形成方法。 （４） 第１および１ｌＥ２の導電層の焼成を同時と
した特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の電極形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043571A JPS58158917A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57043571A JPS58158917A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158917A true JPS58158917A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12667430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57043571A Pending JPS58158917A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 半導体装置の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158917A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119274A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Sharp Corp | 太陽電池素子 |
| JPH03250673A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | Ｓｉ基板上化合物半導体光電変換素子 |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57043571A patent/JPS58158917A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119274A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Sharp Corp | 太陽電池素子 |
| JPH03250673A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | Ｓｉ基板上化合物半導体光電変換素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3050064B2 (ja) | 導電性ペースト、この導電性ペーストからなるグリッド電極が形成された太陽電池及びその製造方法 | |
| WO2005109524A1 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2011529276A (ja) | 低温精密エッチ・バック及び不動態化プロセスで製造された選択エミッタを有する結晶シリコンｐｖ電池 | |
| CN104992988B (zh) | 一种具有良好导电性能的晶体硅太阳电池表面钝化层及钝化方法 | |
| JPS59104182A (ja) | 太陽電池のフインガ−電極構造製造方法 | |
| JPH0446468B2 (ja) | ||
| JP2645953B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2983746B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS58158917A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JPH07326784A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2928433B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH0693517B2 (ja) | 非晶質半導体太陽電池 | |
| JPH06204512A (ja) | 半導体基板用電極ペースト | |
| JPS5823489A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPH03101170A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH04251986A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH0233980A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH03283472A (ja) | 太陽電池 | |
| JPS62237765A (ja) | 太陽電池 | |
| JP3218514B2 (ja) | 回路装置とその製造方法 | |
| JP2003303980A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPS5975681A (ja) | 太陽電池の電極形成法 | |
| JP2001189473A (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
| TW201818567A (zh) | 高效率太陽電池之製造方法 | |
| JPS5885574A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 |