JPS58165358A - 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置の製造方法およびそれに用いるリ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JPS58165358A
JPS58165358A JP57047383A JP4738382A JPS58165358A JP S58165358 A JPS58165358 A JP S58165358A JP 57047383 A JP57047383 A JP 57047383A JP 4738382 A JP4738382 A JP 4738382A JP S58165358 A JPS58165358 A JP S58165358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
lead frame
resin
frame
supporting plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP57047383A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0554264B2 (ja
Inventor
Takashi Nakagawa
隆 中川
Kazuo Shimizu
一男 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57047383A priority Critical patent/JPS58165358A/ja
Publication of JPS58165358A publication Critical patent/JPS58165358A/ja
Publication of JPH0554264B2 publication Critical patent/JPH0554264B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレジンパッケージ型半導体装置の製造方法およ
びそれに用いるリードフレームKMする。
レジンパッケージ1141導体装置は、第1ail11
mlK示すように、リードフレームlの中央のタブ2上
にチップ3を11定したIl、タブ2の周辺に内端を臨
ます多数のリード4の内端とチップ3の電極となワイヤ
5で接続し、その後、同図16)に示すよ5に所望mt
−レジンモールドしてレジンパッケージ6で被い、不要
なリードフレーム部分を切断除去するととによって製造
している。
ところで、中導体装置における外部端子(リード)敵の
増大化、小塵化によって、リードは平面XY方向の4方
向VC*出しかつリード間隔も狭くナル、このため、レ
ジンモールドによる封止(おいては、第2@IK示すよ
うに、レジンを注入するゲー)7(注入レジンの硬化状
lIKよって示す、)はリードフレームlの一隅11に
設けられるととになる。また、リード4およびダム8を
支持する支持板9もリードフレームlの4隅に位置する
ことから、ゲート7はこの一つの支持板9に重なってし
まう、このため、ms図で示すよ5に、ゲート7の壷中
Kまで支持板9が延在し、レジ/モールド後のゲートブ
レイク時にゲート7内で硬化したレジン部分とレジンパ
ッケージ6との境界部分で確実に破断が行なわれなくな
り、第411ta1〜(C1で示すようなゲート残りと
称する不良が生じてしまう。モールド復においては、ゲ
ート7の先端部分のレジン硬化部分が最も薄くなるよう
に設計され、ゲートブレイク時にこの薄い境界部分で応
力集中によって破断が生じるようになっている。しかし
、支持板9の端面ば打ち抜きによって形成されるため、
粗面となっていたりしてレジンとの密着性が高かったり
することから、ゲートブレイクは支持板9の内側(同図
111参照)%支持板9の端部(同図1bl参照)、境
界にクラック10が入るがブレイクは同図talと同様
に支持板9の内側(同図10I参照)で行なわれること
もある。このようにゲート残りがあると、*道中の振動
等によってゲート残り部分が脱落し、搬送テーブルとレ
ジンパッケージ6やリードフレーム1との関に挾まった
りしてレジンパッケージ6に傷を付けたり、リードフレ
ームが11形したりする。このためリード切断成形機に
おける製品詰り等の故障の原因となる。そこで。
従来はゲート残りや脱落レジン片を除責する作業も必要
となり、レジンモールド作業の作業性が低下する。
したがって1本発明の目的はゲートブレイク時にゲート
レジ7部分がレジンパッケージの縁で破断するようにし
て、生部体装置の生産性、歩留の向上を図ることにある
以下、実施例により本発明なI!明する。
第sgは本発明の一実施例によるレジンモールド11亭
導体装置の製造方法、特にレジンモールド状態を示す平
lIt図である。この実施例のリードフレームlでは、
略四角形枠状に延在するダム8によってリード4が支持
されている。また、矩形棒状ダム8の四−は支持板9に
よ〜てリード7レー□、・1.1.′。
ム1の棒11に′支持されている。また、レジンモール
ド時のゲートランナー2は一隅の支持板9に沿って設け
られている。この支持板9はレジンの流出が円滑に行な
われるように一枚板となっている。また、第6図および
第7図に示すようにグートラ/す12から続く先細とな
るゲート7に対応する部分には支持板9は位置しないよ
5に、グートラ/す12の先端部に対応する部分から支
持板いる。この鋏片片13はそれ ぞれゲート7の両側に沿って1て延在して、それぞれダ
ム8の一端に接続している。したがって。
グー)7に対応するダム部分は相互に直w!綾触するど
となく、一方の分妓片13.支持板9.他方の分絃片1
3を経由してそれ、それ連結する*造となっている。
このため、第7図でも示すよ5に、支持板9の縁はゲー
ト7から外れ、幅広でかつ厚いゲートランナ12内に位
置するようになり、レジ/モールレイク時には第8図で
示すよ5K。
レジンパッケージ6との境界であるゲート7の先端が最
も応力集中が大きいことから、この境界で破断し、i来
          ジンとの密着状況に関与されなく
なり、ゲートブレイク不良は発生しな(なる。なお8本
発明のリードフレーム]はレジ/モールド後の強度を低
下させないために、レジン強度の強いゲートランチ12
に支持板90分鋏片13Ik一部分釣に重なるよ5Kし
てある。
このような実施例によれば、レジンモールド後のランナ
プレイタ作業が確実となり、モールド型等の清浄化も容
易となることから、モールド作業が1.4倍程度向上す
る。また、ランチブレイク時にリードフレームの変形が
起きないため、リード切断成形ニーでの自動−の製品−
りがなくなり、不良鈍生な防止できるようKなる。
なお1本発明は前記実施例KiI電されない。
以上のように%亭尭−によれば、リードフレームはレジ
/モールド後のゲートブレイク時にゲートレジン部分が
レジ7パツケージの縁で確実に破断するようなパターン
になっていることから、ゲートブレイク不良は侮生しな
くなる。この結*。
ゲート^りの除★作業、ゲート^り片の脱落による脱落
レジ7片の除未作業が不要となり、レジンモールドの作
業性が向上し、かつ脱落レジ7片による不良発生が防止
できることによる歩留の向上tl−図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図圏、(b)は生部体装置の製造方法を示す断面図
、第2図は従来の生部体装置の製造方法を示す平I[t
v!J、第3図は同じ(一部の断面図、第4図1ml〜
ICIは同じくゲートブレイク時の不良ブレイク状Sな
示す断面図、第5図は本発明の一実施例による生部体装
置の製造方法な示す平面図、第6図は同じ(一部の平面
図、第7図は第6tI!Jの■−■1[K沿う断面図、
第8v7!Jは同じくゲートブレイク後の状馨を示す一
部の断lft1111である。 1・・・リードフレーム、2・・・タブ、4・・・リー
ド。 6・・・レジンパッケージ、7・・・ゲー)、8−・・
ダム、9・・・支持板、10・・・クラック、12・・
・ゲートランナ、13・・・鋏片片0..。 第  1TI!J 第  2 図 第  4  図 第  6  図 第  7 図 /l 第  8 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 リードフレームのリード支持部#に対応するゲー
    トな介してレジンを流すことKよってレジンモールドを
    行なうことを特徴とする生部体装置の製造方法において
    、あらかじめリードフレームのリード支持部分はゲート
    と重ならないように途中で二股に別かれてゲートの両側
    に沿って離れて延在するように形成しておき、その後、
    レジンモールドを行なうことを特徴とする生部体装置の
    製造方法。 2、モールド抛のゲートに対面するリード支持部を有す
    るリードフレームは、ゲートにリード支持部が富ならな
    いように途中で二股に別かど、てゲートの両側に離れて
    延在するように形成されていることを特徴とするリード
    フレ・−ム。
JP57047383A 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリ−ドフレ−ム Granted JPS58165358A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57047383A JPS58165358A (ja) 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57047383A JPS58165358A (ja) 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリ−ドフレ−ム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58165358A true JPS58165358A (ja) 1983-09-30
JPH0554264B2 JPH0554264B2 (ja) 1993-08-12

Family

ID=12773573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57047383A Granted JPS58165358A (ja) 1982-03-26 1982-03-26 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリ−ドフレ−ム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58165358A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100572393B1 (ko) * 1998-12-30 2006-08-30 삼성전자주식회사 비지에이 패키지용 인쇄회로기판_

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5521128A (en) * 1978-08-02 1980-02-15 Hitachi Ltd Lead frame used for semiconductor device and its assembling
JPS57128148U (ja) * 1981-02-04 1982-08-10

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5521128A (en) * 1978-08-02 1980-02-15 Hitachi Ltd Lead frame used for semiconductor device and its assembling
JPS57128148U (ja) * 1981-02-04 1982-08-10

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100572393B1 (ko) * 1998-12-30 2006-08-30 삼성전자주식회사 비지에이 패키지용 인쇄회로기판_

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0554264B2 (ja) 1993-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5517056A (en) Molded carrier ring leadframe having a particular resin injecting area design for gate removal and semiconductor device employing the same
JPS62114254A (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
EP0452903B1 (en) Lead frame for semiconductor device
JPS58165358A (ja) 半導体装置の製造方法およびそれに用いるリ−ドフレ−ム
JPS58171839A (ja) 半導体装置のパツケ−ジ及び実装方法
KR900001987B1 (ko) 집적회로용 패케이지
JPH0297048A (ja) リードフレーム
JPS63131557A (ja) レジン封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム及びレジン封止型半導体装置
JPH02302068A (ja) トランスファーモールド型混成集積回路
JPS6281737A (ja) 半導体装置の製造方法及びリ−ドフレ−ム
JPH04364766A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JPS6231496B2 (ja)
JPS61215028A (ja) モ−ルド金型およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH07321276A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
CN108493178B (zh) 封装到位的集成电路支架结构及其制造方法
JPH0744249B2 (ja) 電子部品のリード加工方法
JPS60195958A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH06283642A (ja) アウターリードの曲げ成形方法及びこれを用いた半導体装置
JPH0760805A (ja) 集積回路パッケージのランナーゲートの除去方法
JPH01120043A (ja) 半導体装置
JPH03297613A (ja) リードフレームのモールド方法及びモールド金型
JPH04206560A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3062709B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH029156A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0494156A (ja) エッチングリードフレームとその製造方法