JPS58168268A - 半導体用リ−ドフレ−ム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明Ｏ技術分野〕 この発明は半導体装置の馬造に用いられる半導体用リー
ドフレームに関する。

〔発明の！！Ｌｆｒ的背景〕

半導体用リードフレーム拡、プレス成形加工によりａｌ
ｌ造されるが、その際精密性が要求される丸め所定の強
靭性が必要であゐ、この強靭性については、一般にその
材料の伸びと硬さから判断され、伸び率１０ｇ１１以上
、硬さ１３０Ｈマ以上となっている。

従来、半導体用リードフレームの材料としては、ニッケ
ル及びニッケル合金が利用されて龜え・ニッケル合金と
して杜、４２合金で代表されるニッケル・鉄合金、エバ
ールの名称で知られる−・ニッケル・コバルト合金が主
であり、他に熱的特性を考慮して銅合金も利用されてい
る。

〔背景技術の問題点〕

しかしながら、上記材料はいずれも高価格でＴｏり、従
って半導体装置も高価格となる欠点があった。

〔発明の目的〕

この発明は上記実情に鎌みてなされたもので、その目的
は、安価な半導体用リードフレームを提供することにあ
る。

〔発＠Ｏ概畳〕

この発明は、ｓｏｎ以上のアルミニウムを含む材料て半
導体用リードフレームを形成するものである。

〔発ｌ！ＪｉＯｖ＆施例〕

以下、図面を参照してこ０発明の一実施例を説明する。

８面は半導体用リードフレームｌを示すもので、その材
料樽威紘、例えばアルｉｘ−ラム（ＩＯｓ）と鋼（１０
１）Ｏ合金となりている。

このような構成Ｏリードフレーム１にあっては、 ■　卑金属（アルミニウム）が多量に含有されている丸
め、従来の二、ケル・鉄合金、鉄・ニッケル・コバルト
合金及び銅合金に比べて格段に材料費が安くなる。

■　伸び率１３〜２２１６、硬さ１３０〜１５５Ｈマで
あ゛り、ブレス加工精度を満足させる材料特性を有して
いる。

■　従来の鉄・二、ケル系材料に比べて熱伝導性が良好
である。

■　がンディングエ鴨において、ワイヤがンディンダ部
分に貴金属め０きが不要である。すなわち、アルミニウ
ムは、ベレット配線材料に使用されており、上記のよう
−な材料組成では、金ワイヤ、アルきニウムワイヤに対
してゲンディング性ｔｊＬ好であるため、従来のような
金めり魯、鍋めり亀は不要である。

■　モールド時に金蓋でプレスした場合、従来のリード
フレームでは樹脂ば）が発生するが、この発明のリード
フレームでは樹脂ば９は発生しない。

等の種々の利点を有している。

なお、上記実施例においては、アルミニウムの含有率を
９０−としたが、それ以上含有させるようにしてもよい
。また、その組成はアルミニウム・銅以外でも、アルミ
ニウム・シリコン、あるい拡アルミニウム・亜鉛・マン
ボン等種々可能であり、賛はアルミニウムが９０ｓ以上
含有されていればよい、アルミニウム・シリコンの場合
は伸び率１０嚢、ａさ１４０軸、またアルミニウム・亜
鉛・マンＩンＯ場合は、伸び率１１〜１５哄、硬″：５
１３０〜１７０Ｈｖ（Ｄｉｅ性が得られ九。

〔発明Ｏ効果〕　′□ 以上のようにこの発明によれば、安価かつ従来のリード
フレームに比べて種々０８点を有する中部体用リードフ
レームを提供できる。

【図面の簡単な説明】

図面はこＯ発ｒｓｏ−実施例に係る半導体用リードフレ
ームｏ皐面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ９０畳以上のアルミニウムを含む材料で形成され九こと
   を特徴とする半導体用リードフレーム・