JPS5854507B2 - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
- Publication number
- JPS5854507B2 JPS5854507B2 JP50055717A JP5571775A JPS5854507B2 JP S5854507 B2 JPS5854507 B2 JP S5854507B2 JP 50055717 A JP50055717 A JP 50055717A JP 5571775 A JP5571775 A JP 5571775A JP S5854507 B2 JPS5854507 B2 JP S5854507B2
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- JP
- Japan
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- lead frame
- area
- gold
- plating
- plated
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- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型の集積回路装置用リードフレームな
どのめつき加工に関する。
どのめつき加工に関する。
一般に樹脂封止型の集積回路（以下ＩＣと呼ぶ）のよう
な半導体装置の製造においては、外部リードを有する支
持体上に素子を接着し、外部リードとの間をワイヤボン
ディング法により接続した後モールド法などにより素子
およびボンディング部分を樹脂封止している。
な半導体装置の製造においては、外部リードを有する支
持体上に素子を接着し、外部リードとの間をワイヤボン
ディング法により接続した後モールド法などにより素子
およびボンディング部分を樹脂封止している。
上記外部リードを有する支持体を所謂リードフレームと
称するが該リードフレームの表面は、主に素子の接着性
、ワイヤボンディング性を良好ならしめるために金めつ
きを施すことが通常行なわれている。
称するが該リードフレームの表面は、主に素子の接着性
、ワイヤボンディング性を良好ならしめるために金めつ
きを施すことが通常行なわれている。
しかし金は高価であるため一般には不必要な部分に１で
金がめつきされないように必要な部分、即ち素子の接着
領域とワイヤボンディング領域にのみ金めつきを施して
いる。
金がめつきされないように必要な部分、即ち素子の接着
領域とワイヤボンディング領域にのみ金めつきを施して
いる。
第１図を用いて更に言及する。
第１図はリードフレームの部分拡大図で斜線部分１，３
が金めつきを施した領域であり、斜線部分２は金めつき
が施されていない素材表面を示すものである。
が金めつきを施した領域であり、斜線部分２は金めつき
が施されていない素材表面を示すものである。
又斜線部分１は素子を接着する領域を斜線部分３はワイ
ヤボンディング領域を示す。
ヤボンディング領域を示す。
金めつきはリードフレームの側面１′、３′ にも施
されるためもあって領域３，３′は領域１，１′ の
同等或はそれ以上にも及びこの側面にめっきされる部分
が大きくなる傾向はＬＳＩ（大規模ＩＣ）のようにリー
ドのピン数が多くなればなる程著しくなり、それだけリ
ードフレームのトータルコストを高価なものにしている
。
されるためもあって領域３，３′は領域１，１′ の
同等或はそれ以上にも及びこの側面にめっきされる部分
が大きくなる傾向はＬＳＩ（大規模ＩＣ）のようにリー
ドのピン数が多くなればなる程著しくなり、それだけリ
ードフレームのトータルコストを高価なものにしている
。
元来、素子の接着性を必要とする領域即ち斜線部分１と
ワイヤボンディング性を必要とする領域即ち斜線部分３
はめつき表面の要求される特性が異なる訳で、即ち前者
は、シリコン素子を金片或は金−シリコン片などに用い
て金−シリコン共晶合金化することによってリードフレ
ームに接着させるために金めつき表面が必要であるが、
後者は金或はアル□ニウムなどの細線によるボンディン
グ性を満足するめつき表面であれば良い。
ワイヤボンディング性を必要とする領域即ち斜線部分３
はめつき表面の要求される特性が異なる訳で、即ち前者
は、シリコン素子を金片或は金−シリコン片などに用い
て金−シリコン共晶合金化することによってリードフレ
ームに接着させるために金めつき表面が必要であるが、
後者は金或はアル□ニウムなどの細線によるボンディン
グ性を満足するめつき表面であれば良い。
本発明は上述する点に着目してなされたものでその目的
は金の使用量の節減を計るとともに、これに代替する金
属めつきじ多目的に利用することにある。
は金の使用量の節減を計るとともに、これに代替する金
属めつきじ多目的に利用することにある。
リードフレームに釦ける金めつきを施す領域を素子を接
着する領域に限定しワイヤボンディング領域を電解めっ
き法よりもめつき加工が容易な無電解めっき法により、
しかも安価な金属をめっきする。
着する領域に限定しワイヤボンディング領域を電解めっ
き法よりもめつき加工が容易な無電解めっき法により、
しかも安価な金属をめっきする。
更にこの安価な金属が半田付性にも・いて良好な特性を
有するものであればめっきを施す領域はワイヤボンディ
ング領域に限定することなく、リードフレーム全体に及
んでいればワイヤボンディング性と、半田付性の両方の
特性を付与させることも可能である。
有するものであればめっきを施す領域はワイヤボンディ
ング領域に限定することなく、リードフレーム全体に及
んでいればワイヤボンディング性と、半田付性の両方の
特性を付与させることも可能である。
次に本発明の実施例を第２図を用いて説明する。
第２図は本発明を適用したリードフレームの部分拡大図
を示すものでリードフレーム全面をボロンを還元剤とし
た無電解ニッケルめっきを１〜２云施し、その上に更に
部分的に金めつきを２μ以上施したものである。
を示すものでリードフレーム全面をボロンを還元剤とし
た無電解ニッケルめっきを１〜２云施し、その上に更に
部分的に金めつきを２μ以上施したものである。
４はニッケルめっき表面を１は第１図におけるのと同様
金めつき表面を示すも゛のである。
金めつき表面を示すも゛のである。
上記めっき構造を有するリードフレームを使用して従来
と同様の方法でシリコン素子の接着、金細線によるボン
ディングを行なったところ従来のリードフレームに比べ
て何ら遜色はなかつた。
と同様の方法でシリコン素子の接着、金細線によるボン
ディングを行なったところ従来のリードフレームに比べ
て何ら遜色はなかつた。
又ボロンを還元剤とする無電解ニッケルメッキ被覆部は
他の還元剤に比し金属線細線のボンディング特性が良好
であり、かつ半田付性をも満足出来るものである。
他の還元剤に比し金属線細線のボンディング特性が良好
であり、かつ半田付性をも満足出来るものである。
以上に述べた実施例は無電解ニッケルめっき後部分的に
金めつきを施した例を示したが、金めつき以外のめつき
にも実施出来ることは極めて当然なことである。
金めつきを施した例を示したが、金めつき以外のめつき
にも実施出来ることは極めて当然なことである。
第１図は従来のリードフレームの部分拡大平面図、第２
図は本発明を適用したリードフレームの部分拡大平面図
、である７ なむ図にあ・いて、Ｌ １’、 ３．３’・・・・・
・金めつき領域、２・・・・・・素材表面、４・・・・
・・ボロンを還元剤とした無電解ニッケルめっき領域、
である。
図は本発明を適用したリードフレームの部分拡大平面図
、である７ なむ図にあ・いて、Ｌ １’、 ３．３’・・・・・
・金めつき領域、２・・・・・・素材表面、４・・・・
・・ボロンを還元剤とした無電解ニッケルめっき領域、
である。
Claims (1)
- １ リードフレーム素材をボロン還元剤とする無電解ニ
ッケルめっきで被覆し、次にシリコン素子を接着する領
域に該シリコン素子と接着性が良好な金属を被覆するこ
とを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50055717A JPS5854507B2 (ja) | 1975-05-07 | 1975-05-07 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50055717A JPS5854507B2 (ja) | 1975-05-07 | 1975-05-07 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51130170A JPS51130170A (en) | 1976-11-12 |
| JPS5854507B2 true JPS5854507B2 (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=13006614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50055717A Expired JPS5854507B2 (ja) | 1975-05-07 | 1975-05-07 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854507B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57166058A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-13 | Hitachi Cable Ltd | Lead frame for semiconductor |
| JPS5818947A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Toshiba Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS58123744A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | Fujitsu Ltd | リ−ドフレ−ム及び半導体装置の製造方法 |
| JPS6113950U (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-27 | 大日本印刷株式会社 | 金属部分被覆を施した半導体リ−ドフレ−ム |
| JPH01223754A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Seikosha Co Ltd | ワイヤボンディング用リードフレームの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5751741B2 (ja) * | 1973-07-13 | 1982-11-04 |
-
1975
- 1975-05-07 JP JP50055717A patent/JPS5854507B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51130170A (en) | 1976-11-12 |
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