JPS58173794A - 表示装置 - Google Patents
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- JPS58173794A JPS58173794A JP57056944A JP5694482A JPS58173794A JP S58173794 A JPS58173794 A JP S58173794A JP 57056944 A JP57056944 A JP 57056944A JP 5694482 A JP5694482 A JP 5694482A JP S58173794 A JPS58173794 A JP S58173794A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下、Ｔ Ｆ 、Ｔと略
記）を用いてスイッチアレイを形成したマトリクス型液
晶表示装置の駆動方法に関する。
記）を用いてスイッチアレイを形成したマトリクス型液
晶表示装置の駆動方法に関する。
第１図（１Ｋ）はマトリクス型液晶表示装置の構成を示
しており、１０１〜１０３はゲート線、１０４〜１０７
はデータ線、１０８〜１１０等はｌｉ１章である０画素
は、第１図（＆）のごとく、ゲート５１１１とデータ１
１１１２との交点に形成されたスイッチング用ＴＰＴ１
１！ｌ、浮遊容量１１４及び液晶セル１１５より成って
いる。１１６，１１７はそれぞれ液晶セルの駆動電極及
び共通電極である。
しており、１０１〜１０３はゲート線、１０４〜１０７
はデータ線、１０８〜１１０等はｌｉ１章である０画素
は、第１図（＆）のごとく、ゲート５１１１とデータ１
１１１２との交点に形成されたスイッチング用ＴＰＴ１
１！ｌ、浮遊容量１１４及び液晶セル１１５より成って
いる。１１６，１１７はそれぞれ液晶セルの駆動電極及
び共通電極である。
第４１（＆）のデータ線１１２に第１図（ｃ）の’７Ｄ
のごときデータ信号に相当する電圧が印加され、第１図
（１）のデー）［１１１に第１図（６）のｙｏのごとき
ゲート線駆動電圧が印加される。ＴＩＦ’！’１１３が
ｗ、ＨｉＴｙＴである場合、■、Ｇがハイである期間に
データＩ１１１２の信号が液晶セル１１５に書き込まれ
、１．１５に書き込まれた信号はＶＧがローである期間
中保持される。第１図（ｃ）においてＡはＶＤ〈０であ
る負フレームを、ＢはＶＤ＞０である正７レームを表わ
す。
のごときデータ信号に相当する電圧が印加され、第１図
（１）のデー）［１１１に第１図（６）のｙｏのごとき
ゲート線駆動電圧が印加される。ＴＩＦ’！’１１３が
ｗ、ＨｉＴｙＴである場合、■、Ｇがハイである期間に
データＩ１１１２の信号が液晶セル１１５に書き込まれ
、１．１５に書き込まれた信号はＶＧがローである期間
中保持される。第１図（ｃ）においてＡはＶＤ〈０であ
る負フレームを、ＢはＶＤ＞０である正７レームを表わ
す。
従来、マトリクス型液晶表示装置のスイッチとして箪結
晶しりフン基板内に形成されたＭＯ８）’ランジスタが
用いられていた。単結晶シリコンＭＯ８）ランジスタの
電圧−電流特性（ゲート・ソース電圧Ｔｅ１ｌ−ドレイ
ン・ソース電流！”特性）は、第２図の２０１に示すよ
うにＯＭ ／ ＯＩＦν比が大きく、弱反転領域での電
流変化が急しゅんでありし中断領域でのリーク電流は小
さい、従って。
晶しりフン基板内に形成されたＭＯ８）’ランジスタが
用いられていた。単結晶シリコンＭＯ８）ランジスタの
電圧−電流特性（ゲート・ソース電圧Ｔｅ１ｌ−ドレイ
ン・ソース電流！”特性）は、第２図の２０１に示すよ
うにＯＭ ／ ＯＩＦν比が大きく、弱反転領域での電
流変化が急しゅんでありし中断領域でのリーク電流は小
さい、従って。
非導通時のＴＵＦＴが第’２ＷＪ２０２の領域で動作す
るように、第５１１４に示すごとく、ゲート線駆動信号
３０２とデータ線駆動信号３０１のバイアス関係が定め
られていた。
るように、第５１１４に示すごとく、ゲート線駆動信号
３０２とデータ線駆動信号３０１のバイアス関係が定め
られていた。
しかし、単結晶シリコンＭ０８トランジスタをスイッチ
に用いたマトリクス型液晶表示装置と同様な方法でＴＵ
ＦＴをスイッチに用いたマトリクス型液晶表示装置の駆
動を行おうとすると、次に述べるような問題が生ずる。
に用いたマトリクス型液晶表示装置と同様な方法でＴＵ
ＦＴをスイッチに用いたマトリクス型液晶表示装置の駆
動を行おうとすると、次に述べるような問題が生ずる。
シリコン薄膜にょるＴνＴの電圧−電流特性の一例を第
４図に示す。
４図に示す。
より１はドレイン・ソース電流、ｖＧＩＩはゲート・ソ
ース電圧である。４０１，４０２はそれぞれドレイン・
ソース電圧ＶＤ日をＶＤ８＝ｖ７、ｖ６ｐＨ＝ｖｔとし
た電圧−電流特性である。ただし、Ｖ ｔ ＞ Ｖ Ｉ
＠ Ｔ Ｆ Ｔの電圧−電流特性の特徴は、弱反転
領域４０３で電流変化が単結晶シリコンＭ０１９）ラン
ジスタに比べて緩−であること、しゃ新領域におけるリ
ーク電流レベルが大きいこと、及びし中断領域４０４に
おいてＰＮ接合部リーク電流によるｌ １１１１８の増
加がみられることである。
ース電圧である。４０１，４０２はそれぞれドレイン・
ソース電圧ＶＤ日をＶＤ８＝ｖ７、ｖ６ｐＨ＝ｖｔとし
た電圧−電流特性である。ただし、Ｖ ｔ ＞ Ｖ Ｉ
＠ Ｔ Ｆ Ｔの電圧−電流特性の特徴は、弱反転
領域４０３で電流変化が単結晶シリコンＭ０１９）ラン
ジスタに比べて緩−であること、しゃ新領域におけるリ
ーク電流レベルが大きいこと、及びし中断領域４０４に
おいてＰＮ接合部リーク電流によるｌ １１１１８の増
加がみられることである。
第３図のごときバイアス関係で液晶セルの駆動を行なう
と、？Ｆ’ｌ’のゲート・ソース間電圧’Ｖｏｓが第４
図４０５の範囲で変化する。このとき、非導通時のＴＮ
Ｔに流れるＰＭＩＩ１１電流は相当大きくなり、これは
画面への表示ムラとして現われ表示性能を大きくそこな
うものである。
と、？Ｆ’ｌ’のゲート・ソース間電圧’Ｖｏｓが第４
図４０５の範囲で変化する。このとき、非導通時のＴＮ
Ｔに流れるＰＭＩＩ１１電流は相当大きくなり、これは
画面への表示ムラとして現われ表示性能を大きくそこな
うものである。
本発明は、ゲート線駆動信号ｖＧの零レベルとデータ線
駆動信号ＶＤの零レベルとの間にＴＮＴの電圧−電流特
性に合わせた遣切なバイアス電圧ｖ１を設けることによ
り、上述の欠点を稟決し良好な表示性能を有するマトリ
クス型液晶表示装置の駆動方法を提供するものである。
駆動信号ＶＤの零レベルとの間にＴＮＴの電圧−電流特
性に合わせた遣切なバイアス電圧ｖ１を設けることによ
り、上述の欠点を稟決し良好な表示性能を有するマトリ
クス型液晶表示装置の駆動方法を提供するものである。
一本発明の駆動方法は、第５図に示すごとくゲート
線駆動信号の零レベルとデータ線駆動信号の零−レベル
の間にＴＩＦＴめ電圧−電流特性に合わせた一定のバイ
アス電圧Ｍｌを設けることにより、非導通時のＴＩＦＴ
がその動作範囲内において極小のり−）電流を有するよ
うにするものである。
線駆動信号の零レベルとデータ線駆動信号の零−レベル
の間にＴＩＦＴめ電圧−電流特性に合わせた一定のバイ
アス電圧Ｍｌを設けることにより、非導通時のＴＩＦＴ
がその動作範囲内において極小のり−）電流を有するよ
うにするものである。
第５図において、５０１はゲート線、５０２はデータ線
、５０３はスイッチング用ＴＦＴ、５０４は液晶表示セ
ル、５０５はデータ線駆動信号源、５０６はゲート線駆
動信号源である。
、５０３はスイッチング用ＴＦＴ、５０４は液晶表示セ
ル、５０５はデータ線駆動信号源、５０６はゲート線駆
動信号源である。
第６図及び第７図は本発明の★施例を示すものである。
６０１．６０２はそれぞれ第４ｖ！ｊ４０１゜４０２と
同一の電圧−電流特性の曲線である。
同一の電圧−電流特性の曲線である。
６０１．６０２の電圧−電流特性を有するＴνＴでマト
リクス型液晶表示装置のスイッチを形成する場合、非導
通時のＴＩＦＴのリーク電流が１小となるような動作範
囲は第６図６０３に示す範囲である。このように非導通
時のＴＰＴの動作範囲、即ち非導通時の一’ｒ １１
Ｔのゲート・ソース間電圧’ＶＧ−の変化範囲を、リー
ク電流が極小となるような領域に設定するために、本発
明では、第７図のごとくゲート線駆動信号７０２の零レ
ベルｙｅ＝０とデータ線駆動信号７０１の零レベルｖ１
）＝０との間にｖｍのバイアス電゛圧を設ける。
リクス型液晶表示装置のスイッチを形成する場合、非導
通時のＴＩＦＴのリーク電流が１小となるような動作範
囲は第６図６０３に示す範囲である。このように非導通
時のＴＰＴの動作範囲、即ち非導通時の一’ｒ １１
Ｔのゲート・ソース間電圧’ＶＧ−の変化範囲を、リー
ク電流が極小となるような領域に設定するために、本発
明では、第７図のごとくゲート線駆動信号７０２の零レ
ベルｙｅ＝０とデータ線駆動信号７０１の零レベルｖ１
）＝０との間にｖｍのバイアス電゛圧を設ける。
上記の駆動方法によると、第３図の゛ごとき駆動方法に
比較して、非導通−のテνＴのリーク電流の平均値は５
０％〜９０襲低減される。本発明の駆動方法を実現する
ための回路構成は、第５図の例に示すごと＜Ｖｌの値を
外部から調整可能とすることが望ましい、■！１を外部
から調整可能とすることによ′すＴＩＴ特性の製造ロフ
ト間ばらつきに容易に対処できる。バイアス電圧ｖ１１
の値を外部から任意に設定することにより生ずる′もう
一つの効果は、スイッチング用ＴＰＴのゲート及びゲー
ト線に付加する寄生容量への充放電電流を減らして低消
費電力化が達成されることである。ＴＦ” Ｔの寄生容
量、ゲート線の寄生容量はそのはとんどがゲート線とデ
ータ線の間又はゲート線と液晶駆動電極の間に付いてい
る。従って、ｖｍを負の値に設定することにより前記寄
生容量を充放電するための電流は低減され低消費電力化
が達成される。
比較して、非導通−のテνＴのリーク電流の平均値は５
０％〜９０襲低減される。本発明の駆動方法を実現する
ための回路構成は、第５図の例に示すごと＜Ｖｌの値を
外部から調整可能とすることが望ましい、■！１を外部
から調整可能とすることによ′すＴＩＴ特性の製造ロフ
ト間ばらつきに容易に対処できる。バイアス電圧ｖ１１
の値を外部から任意に設定することにより生ずる′もう
一つの効果は、スイッチング用ＴＰＴのゲート及びゲー
ト線に付加する寄生容量への充放電電流を減らして低消
費電力化が達成されることである。ＴＦ” Ｔの寄生容
量、ゲート線の寄生容量はそのはとんどがゲート線とデ
ータ線の間又はゲート線と液晶駆動電極の間に付いてい
る。従って、ｖｍを負の値に設定することにより前記寄
生容量を充放電するための電流は低減され低消費電力化
が達成される。
第、８図、第９図に本発明の他の実施例を示す。
第８ｖ４において、８０１はゲート線、８０２はデータ
線、８０３はＴνＴ、８０４は液晶表示セル、８０５は
データ線駆動信号源、８０６はゲート線駆動信号源、８
０７は第１のバイアス電源、８［１８は第２のバイアス
電源、Ｃ−はＴＦＴの寄生容量である、。第９図におい
て、９ｏ１はデータ線駆動信号波形、９０２はゲート線
駆動信号波形である。
線、８０３はＴνＴ、８０４は液晶表示セル、８０５は
データ線駆動信号源、８０６はゲート線駆動信号源、８
０７は第１のバイアス電源、８［１８は第２のバイアス
電源、Ｃ−はＴＦＴの寄生容量である、。第９図におい
て、９ｏ１はデータ線駆動信号波形、９０２はゲート線
駆動信号波形である。
第１０図は、液晶表示セルがゲート線駆動信号７Ｇ及び
データ線駆動信号ＶＤによって駆動されている様子を示
し、ｖＤｏは液晶表示セルに加わる電圧の変化の様子を
示す、第一゛図に示すＴｙ丁の寄生容量ＯＩの影響によ
り、ゲート線駆動信号ｑ。
データ線駆動信号ＶＤによって駆動されている様子を示
し、ｖＤｏは液晶表示セルに加わる電圧の変化の様子を
示す、第一゛図に示すＴｙ丁の寄生容量ＯＩの影響によ
り、ゲート線駆動信号ｑ。
の立ち下がりと同時にｖＬ′ａは４・Ｖａだけ負側に変
化する。こ、のた、め、負フレームＡにおいては、デー
タが書き込まれた直後ＶＬＯの実効値が大きくなるよう
に変化し、正フレームＢにおいてはデータが書き込まれ
た直後ｙ ｚａの実効値が小さくなるように変化する。
化する。こ、のた、め、負フレームＡにおいては、デー
タが書き込まれた直後ＶＬＯの実効値が大きくなるよう
に変化し、正フレームＢにおいてはデータが書き込まれ
た直後ｙ ｚａの実効値が小さくなるように変化する。
従って、’７！、０の波形は第１０図に示すごとく一定
の直流分を含んだものとなり、液晶の寿命を著しく短か
くするという問題を生ずる。
の直流分を含んだものとなり、液晶の寿命を著しく短か
くするという問題を生ずる。
本発明は、デ；り線駆動信号の零レベルと液晶セルの共
通電極との間にも一定のバイアスＩＩＥＥｖｉ、を設け
ることにより前述のｙｙ、ｏに含まれる直流分を除去し
てＶ ＬＯの竺形の上下非対称性を補償し、直流駆動に
よる液晶の劣化を防ぐというものである。第８ｇに示す
ごとく、ゲート線駆動信号源のバイアス電圧ｖＢ１とデ
ータ線駆動信号源のバイアス電位ｖ ｍ、とは独立に外
部から設定できるようにすることによって、非導通時の
ＴＰＴのリーク電流低減による表示ムラの除去及び液晶
に加わる直流電圧の除去による表示装置の高信輯性を同
時に実現することができる。
通電極との間にも一定のバイアスＩＩＥＥｖｉ、を設け
ることにより前述のｙｙ、ｏに含まれる直流分を除去し
てＶ ＬＯの竺形の上下非対称性を補償し、直流駆動に
よる液晶の劣化を防ぐというものである。第８ｇに示す
ごとく、ゲート線駆動信号源のバイアス電圧ｖＢ１とデ
ータ線駆動信号源のバイアス電位ｖ ｍ、とは独立に外
部から設定できるようにすることによって、非導通時の
ＴＰＴのリーク電流低減による表示ムラの除去及び液晶
に加わる直流電圧の除去による表示装置の高信輯性を同
時に実現することができる。
以上述べたごとく、本発明の駆動方法を採用することに
より、マトリクス濠液晶褒示装置の表示性能及び信頓性
の大幅な陶土、駆動−路の低消費電力化が可能となる。
より、マトリクス濠液晶褒示装置の表示性能及び信頓性
の大幅な陶土、駆動−路の低消費電力化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）はマ） ＩＪクス型液晶表示装置の構成を
示す図、第１ＷＪ（ｈ）はその画素の構成を説明するた
めの図。第１図（６）は駆動信号−示すＷＪ。 第２図は、従来のマＦリクス型液晶表示装置に用いられ
ている単結晶シリコンＭ０８）ランジスタの電圧−電流
特性を示した図。第３ｆＩ！Ｊはゲート線及びデータ線
の駆動方法の従来例を示す図。 第４図は従来の駆動方法幅よるスイッチングＴＩＴの駆
動を説明す２るための図。 第５図、第６図、第７図は、本発明の第一の実施例を説
明するための図。 第８図、第９図、第１０図は、本発明の第二の実施例を
説明するための図。 以 上 出願人 株式金社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図Ｃａ） 第１図（ｂ） ｌ１２図 第３図 第４図 ′ 第５図 第６図 第７図、 第８図
示す図、第１ＷＪ（ｈ）はその画素の構成を説明するた
めの図。第１図（６）は駆動信号−示すＷＪ。 第２図は、従来のマＦリクス型液晶表示装置に用いられ
ている単結晶シリコンＭ０８）ランジスタの電圧−電流
特性を示した図。第３ｆＩ！Ｊはゲート線及びデータ線
の駆動方法の従来例を示す図。 第４図は従来の駆動方法幅よるスイッチングＴＩＴの駆
動を説明す２るための図。 第５図、第６図、第７図は、本発明の第一の実施例を説
明するための図。 第８図、第９図、第１０図は、本発明の第二の実施例を
説明するための図。 以 上 出願人 株式金社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図Ｃａ） 第１図（ｂ） ｌ１２図 第３図 第４図 ′ 第５図 第６図 第７図、 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１＞ ｉｌｌ数本のデー）１１ｉび該デート線と直
交する＊＊本のデータ線を備え、その各交点に薄膜トラ
ンジスタを形成した基板と、透明電極を塑成した基板と
の間に液晶を介設して成るマ、トリクス・型液晶表示装
置輪おいて、ゲート線駆動信号の零レベル電位とデータ
線駆動信号の零レベル、電位との間に、前記薄膜トラン
ジスタの電流−電圧特性に対応して定まる第一のバイア
ス電圧を設けて成ることを特徴とするマトリクス型液晶
表示装置の駆動方法。 （２） デー・夕線駆動信号の零レベル電位と液晶セ
ルの共通電極との間に第二のバイアス電圧を設けて成る
こと奢特徴とする特許請求範囲第−項記職のマ） ＩＪ
クス型液晶表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57056944A JPS58173794A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57056944A JPS58173794A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58173794A true JPS58173794A (ja) | 1983-10-12 |
| JPH0126077B2 JPH0126077B2 (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=13041652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57056944A Granted JPS58173794A (ja) | 1982-04-06 | 1982-04-06 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173794A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119329A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-10 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JPS6161581U (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-25 | ||
| JPS61116392A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-03 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置の駆動方法 |
| JPS61206994U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-27 | ||
| JPS6211829A (ja) * | 1985-03-28 | 1987-01-20 | Toshiba Corp | アクテイブマトリツクス形液晶表示装置 |
| JPS6397996A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | 松下電器産業株式会社 | Ｔｆｔパネルの表示装置 |
| JPS6463996A (en) * | 1988-02-10 | 1989-03-09 | Seiko Epson Corp | Driving of matrix type liquid crystal display device |
| JPH02127615A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置の駆動方法 |
| JPH03174884A (ja) * | 1990-11-30 | 1991-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置の駆動回路 |
| JPH0535226A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-02-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-04-06 JP JP57056944A patent/JPS58173794A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| APPLIED PHYSICS=1981 * |
| ELECTRONICS LETTERS=1981 * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0126077B2 (ja) | 1989-05-22 |
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