JPS5817675A - Ｍｏｓ型半導体装置 - Google Patents

Ｍｏｓ型半導体装置

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Publication number
JPS5817675A
JPS5817675A JP56116010A JP11601081A JPS5817675A JP S5817675 A JPS5817675 A JP S5817675A JP 56116010 A JP56116010 A JP 56116010A JP 11601081 A JP11601081 A JP 11601081A JP S5817675 A JPS5817675 A JP S5817675A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
film
gate
polycrystal
electrode
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Pending
Application number
JP56116010A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP56116010A priority Critical patent/JPS5817675A/ja
Publication of JPS5817675A publication Critical patent/JPS5817675A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
    • H10D30/6744—Monocrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/673—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the shapes, relative sizes or dispositions of the gate electrodes
    • H10D30/6733—Multi-gate TFTs
    • H10D30/6734—Multi-gate TFTs having gate electrodes arranged on both top and bottom sides of the channel, e.g. dual-gate TFTs

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜半導体装置に係り、特にＭＯＳ型半導体装
置に関する。
集積度を上げる目的で半導体装置を多層に構成する場合
１例えばＫＩＮＨの半導体装置の上ＫＩＩＥ２層目の半
導体装置を誘電体膜等を介して重ねた一体構造を得よう
とする場合に、Ｉ１１層目の半導体装置と８２層目の半
導体装置とは電極の配線結合のみがなされ、それぞれの
本体である半導体部分は誘電体膜を介して互いに独立し
た形態を有することが提案される。
とのようＫ１１１層目の半導体ａｔと１ｌＥＺ層目の半
導体装置とを独立して形匠することけ誘電体膜の構ガを
’ｌ輔ＫＬ、これを製造する場合ＫＪ：り多くの膜形「
プロセスを必要とするばかりでな（。
集積度を充分に上けられないという欠点がある。
本発明は上Ｋ１１１点を解決したもので、その目的とす
るところは半導体装置の超過集積化にある。
王妃目的を達底する霞め本発明は半導体膜を介して互に
相対するゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜表面にグー４電
極が構成された半導体！ｉｔＫ関する。
１１Ｅ１図は本発明によるＭＯ８ｆｆｉ半導体装置の基
本構成であって、半導体膜を介して相対するゲート絶縁
膜と該ゲート絶縁膜表面にゲート電極を形底した場合の
例を示す。同図６ｃ　＊　ｔｎて１は石英素の絶縁物か
らなる基［，２１Ｉｉ基板ｌ上に形放された多結晶８（
からなる第１の電極、３は多結晶８１電極２を熱酸化し
て得られるＳ（Ｏ，からなる厘１のゲート酸化ＩＩ１．
４は単結晶８イからなる半導体膜、！ｓは８イ半導体属
４を熱酸化して得られる８（０３からなるＩＦ５のゲー
ト酸化膜、６け多結晶ｓ４等からなる第２のゲート電極
であり、７と８Ｆ１半導体膜４に不純物を拡散した層で
あり、それぞれソース、Ｖレイン領域である。
上記半導体４はＣＶＤ法によって形匠した８（多結晶膜
をレーザー・丁エール等にニジ単結晶化１れｅｌｌであ
る。一方、ソース領域７およびドレイン領域８＃′ｉ多
結晶ＢｉＫよるＩ［２のゲート電極６をマスクとして半
導体１１４内にＭｌｌｉ不純物（ム＃ｔた＃ｉｐ）をイ
ンプラ法またけデポ拡散法に工つて導入し、形成された
亀のである。
以上１本１ｋｍｌｉＫよれば下記の１うな効果がある。
すなわち、高密置化のために薄膜ＭＯ８）５ｙジスタを
複数重ねて製作する場合、複数層の半導体膜が必要とな
る。
ところが２本発明によれば上記実施例の如く高密１化の
霞めＫ１層の半導体膜で、半分のゲート長の寸法で充分
であった）、２つの半導体装束が相対して形成できたり
して、２倍以上の集積匿向上に容易に違反できることと
なる。
以上の如く本発明の構造によれば、高密度な薄膜半導体
装置が達成される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の基本構造を示すＭＯＳ型半導体装置の
断面図である。 １・・絶縁基板　２・・第１ゲート電極　３・・ＩＥＩ
ゲーき絶縁１１４・・半導体膜　５・・纂２ゲート絶縁
１！６・・ｌＥ２ゲート電極。 以　　　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 代理人　最　　上　　　　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体膜を介して互に相対するゲート絶縁膜と鍍ゲート
    絶縁膜表面にゲート電極が構成されていることを特徴と
    するＭＯＳ型半導体装置。
JP56116010A 1981-07-24 1981-07-24 Ｍｏｓ型半導体装置 Pending JPS5817675A (ja)

Priority Applications (1)

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JP56116010A JPS5817675A (ja) 1981-07-24 1981-07-24 Ｍｏｓ型半導体装置

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JP56116010A JPS5817675A (ja) 1981-07-24 1981-07-24 Ｍｏｓ型半導体装置

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JPS5817675A true JPS5817675A (ja) 1983-02-01

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JP56116010A Pending JPS5817675A (ja) 1981-07-24 1981-07-24 Ｍｏｓ型半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6459866A (en) * 1987-08-31 1989-03-07 Sony Corp Manufacture of mos transistor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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