JPS58185295A - 光記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体に
関する。
関する。
先行技術
光記録媒体は、媒体と書込みないし読取ヘッドが非接触
であるので、記録媒体が摩耗劣化1−ないという特徴を
もち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行われ
ている。
であるので、記録媒体が摩耗劣化1−ないという特徴を
もち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行われ
ている。
このような光記録媒体のうち、暗室による画像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。
このようなヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱と
して利用する光記録媒体であり、そのうち、レーデ−記
録光で媒体の7部を融解、除去等して、ピットと称され
る小穴を形成し、このピットにより情報を記録し、この
ピットの有無を読み出し光で検出するものがある。
して利用する光記録媒体であり、そのうち、レーデ−記
録光で媒体の7部を融解、除去等して、ピットと称され
る小穴を形成し、このピットにより情報を記録し、この
ピットの有無を読み出し光で検出するものがある。
そして、このようなピット形成型の媒体の7例として、
熱可塑性樹脂と光吸収体とからなる記録層を塗設し、樹
脂を融解してピットを形成するものが知られている。
熱可塑性樹脂と光吸収体とからなる記録層を塗設し、樹
脂を融解してピットを形成するものが知られている。
そして、このような媒体は、本発明者らの研兜によれば
、一般に、記録層の層底に達しないようなピットを形成
したようなとき、一旦形成したピットを消去光ないし熱
により消去して記録層表面を平坦にし、再び再記釘・が
できることが確認され、先にその旨の提案を行っている
。
、一般に、記録層の層底に達しないようなピットを形成
したようなとき、一旦形成したピットを消去光ないし熱
により消去して記録層表面を平坦にし、再び再記釘・が
できることが確認され、先にその旨の提案を行っている
。
しかし、このような媒体は、主として記録層表面の散乱
にて読み出しを行うので、s / N比が低いという欠
点がある。
にて読み出しを行うので、s / N比が低いという欠
点がある。
また、畳込み感度も低い。
■ 発明の目的
本発明はこのような実状に鑑みなされたものであって、
S/N比と感度とが向−ヒした光記録媒体を提供するこ
とを主たる目的とする。
S/N比と感度とが向−ヒした光記録媒体を提供するこ
とを主たる目的とする。
本発明者らは、このような目的につき鋭童研究を行い1
本発明をなすに至った。
本発明をなすに至った。
すなわち本発明は、基体上に、低分子量熱可塑性樹脂と
光吸収体とを含む記録層を有し、記録光の照射により、
当該記録層にピット全形成し、読み出し光によシ当該ピ
ット形成の有無による情報を読与出す光記録媒体であっ
て、前記記録層上に、前記読み出し光の一部を反射し、
一部を透過する薄膜を有することを特徴とする光記録媒
体である。
光吸収体とを含む記録層を有し、記録光の照射により、
当該記録層にピット全形成し、読み出し光によシ当該ピ
ット形成の有無による情報を読与出す光記録媒体であっ
て、前記記録層上に、前記読み出し光の一部を反射し、
一部を透過する薄膜を有することを特徴とする光記録媒
体である。
III 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に駅。
明する。
本発明の光記録媒体は、基体上に記録層を設層してなる
。
。
記録層は、所定の熱可塑性樹脂を含む。 この樹脂は、
熱可塑5性樹脂として、記録光照射部分の温度上昇によ
り、軟化ないし融解して、変形し、表面に記録ぎットを
形成するものである。
熱可塑5性樹脂として、記録光照射部分の温度上昇によ
り、軟化ないし融解して、変形し、表面に記録ぎットを
形成するものである。
本発明において用いる熱可塑性樹脂は低分子量のもので
あり、特に、数平均分子量が3万以下、より好ましくは
2万以下のものであることが好ましい。
あり、特に、数平均分子量が3万以下、より好ましくは
2万以下のものであることが好ましい。
このような低分子1の平均分子量とすることにより、書
込み感度が向上し、読み出しのS/N比が向上する。
込み感度が向上し、読み出しのS/N比が向上する。
また、記録層のピット形成に要する光エネルギーないし
温度に、明Uなしきい値があられれ、ピットの形成が不
安定となる光強度の領域がせまくなるという利点がある
。
温度に、明Uなしきい値があられれ、ピットの形成が不
安定となる光強度の領域がせまくなるという利点がある
。
そして、耐熱性も良好で、読与出し光によってピットの
形状が変化して、経時的にノイズが増大するという不都
合も改善される。
形状が変化して、経時的にノイズが増大するという不都
合も改善される。
加えて、伊達のように、一旦形成したピットを消去した
後、再書き込みを行う場合には、熱消去温度を低くでき
、あるいは消去光強度を低減できる。 また、消去光を
走査して、線消去を行うような場合、線消去の線幅をせ
まくできる。
後、再書き込みを行う場合には、熱消去温度を低くでき
、あるいは消去光強度を低減できる。 また、消去光を
走査して、線消去を行うような場合、線消去の線幅をせ
まくできる。
なお、樹脂の分子量分布としては種々のものであってよ
いが、特に、総数の50%以上が、数平均分子量の±3
.0%以内の分子量をもつものであることが好ましい。
いが、特に、総数の50%以上が、数平均分子量の±3
.0%以内の分子量をもつものであることが好ましい。
これにより、感度、S / N比、ビット形成の不安定
領域、耐熱性、読み出し光によるノイズの発生、消去光
量勢の点でより一層すぐれた特性をもつに至る。
領域、耐熱性、読み出し光によるノイズの発生、消去光
量勢の点でより一層すぐれた特性をもつに至る。
一方、用いる熱可塑性樹脂としては、種々のものであっ
てよいが、このうち、特に好適に用いることができるも
のには、以下のようなものがある。
てよいが、このうち、特に好適に用いることができるも
のには、以下のようなものがある。
1)ポリオレフィン
ポリエチレン
この場合、数平均分子量が、/刀身下、特に、3SO〜
10.00θのものが好ましい。
10.00θのものが好ましい。
ポリプロぎレン
この場合、数平均分子Iは、特にtoOへ/ 0.θ0
θのものがより好ましい。
θのものがより好ましい。
炭素原子数4t〜乙のポリオレフィン
例えば、ポリブテン、ポリイソブチン。
ポリグーメチルペンテン〜/など。
ID ポリオレフィン共重合体
例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体。
エチレン−アクリレート共重合体、エチレン−アクリル
酸共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン
−ブテン−/共重合体。
酸共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン
−ブテン−/共重合体。
エチレン−無水マレイン酸共重合体、エチレンプロピレ
ンターポリマー(EFT ) fx ト。
ンターポリマー(EFT ) fx ト。
この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。
ができる。
iii ) ポリオレフィンハロゲン化物例えば、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル−塩化
ビニリデン共重合体。
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、塩化ビニル−塩化
ビニリデン共重合体。
OF、 =OF2.0F2= aFu 、OH2= O
HF 、 0H2= CF2. CF2= 0FOF、
等のホモポリマーないしコポリマーであるフッ素樹脂、
塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、ノロピレ
ンとハロゲン化オレフィンとの共重合体など。
HF 、 0H2= CF2. CF2= 0FOF、
等のホモポリマーないしコポリマーであるフッ素樹脂、
塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、ノロピレ
ンとハロゲン化オレフィンとの共重合体など。
iv) 塩化ビニル共重合体
例えば、酢酸ビニル−塩化♂ニル共重合体。
塩化ビニル−塩化ビニIJデン共重合体、塩化ビニル−
無水マレイン酸共重合体、アクリル酸エステルないしメ
タアクリル酸エステルと塩化ビニルとの共重合体、アク
リルニトリル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−ビニ
ルエーテル共重合体、エチレンないしプロピレン−塩化
ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体に塩化
ビニルをグラフト重合したものなど。
無水マレイン酸共重合体、アクリル酸エステルないしメ
タアクリル酸エステルと塩化ビニルとの共重合体、アク
リルニトリル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−ビニ
ルエーテル共重合体、エチレンないしプロピレン−塩化
ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体に塩化
ビニルをグラフト重合したものなど。
この場合、共重合比は任意のものとすることができろう
■)塩化ビニリデン共重合体
塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン
−塩化ビニル−アクリルニトリル共重合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共重合体など。
−塩化ビニル−アクリルニトリル共重合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共重合体など。
この場合、共重合比は、任意のものとすることができる
。
。
vi) ポリスチレン
数平均分子量は、/刀身下、特に3SO〜10.000
であることが好ましい。
であることが好ましい。
vll)スチレン共重合体
例えば、スチレン−アクリルニトリル共重合体(As樹
脂)、スチレン−アクリルニトリル−ブタジェン共重合
体(ABS樹脂)、スチレン−無水マレイン酸共重合体
(SMA樹脂)。
脂)、スチレン−アクリルニトリル−ブタジェン共重合
体(ABS樹脂)、スチレン−無水マレイン酸共重合体
(SMA樹脂)。
スチレン−アクリルエステル−アクリルアミド共重合体
、スチレン−ブタジェン共重合体(SBR) 、スチレ
ン−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−メチルメタア
クリレート共重合体など。
、スチレン−ブタジェン共重合体(SBR) 、スチレ
ン−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−メチルメタア
クリレート共重合体など。
この場合、共重合比は任意のものとすることができる。
viil)スチロール型重合体
例えば、p−メチルスチロール、α−メチルスチロール
、a、s−ジクロルスチロール。
、a、s−ジクロルスチロール。
α、β−ビニルナフタリン、α−ビニルピリジン、アセ
ナフテン、ビニルアントラセンなど、あるいけこれらの
共重合体。
ナフテン、ビニルアントラセンなど、あるいけこれらの
共重合体。
1×)クロマン−インデン樹脂
クロマン−インデンの単独または共重合体。
数平均分子量はs、ooo以下であることが好ましい。
×)テルペン樹脂ないしピコライト
例えば、α−ピネンから得られるリモネンの重合体であ
るテルペン樹脂やβ−ピネンから得られるピコライト。
るテルペン樹脂やβ−ピネンから得られるピコライト。
分子量は7.200以下であることが好ましい。
×1)アクリル樹脂
特に下記式で示される原子団を含むものが好ましい。
式 R1
−CH−0−
0−OR2
1
上記式において、R1は、水素原子またはアルキル基を
表わし、R2は、置換または非置換のアルキル基を表わ
す。 この場合、上記式において、R,は、水素原子ま
たは炭素原子数/−1の低級アルキル基、特に水素原子
またはメチル基であることが好ましい。
表わし、R2は、置換または非置換のアルキル基を表わ
す。 この場合、上記式において、R,は、水素原子ま
たは炭素原子数/−1の低級アルキル基、特に水素原子
またはメチル基であることが好ましい。
また、R,は、置換、非置換いずれのアルキル基であっ
てもよいが、アルキル基の炭素原子数は/〜ダであるこ
とが好ましく、またR2が置換アルキル基であるときに
は、アルキル基を置換する置換基は、水酸基、ノ・ロゲ
ン原子またはアミノ基(#にジアルキルアミノ基)であ
ることが好ましい。
てもよいが、アルキル基の炭素原子数は/〜ダであるこ
とが好ましく、またR2が置換アルキル基であるときに
は、アルキル基を置換する置換基は、水酸基、ノ・ロゲ
ン原子またはアミノ基(#にジアルキルアミノ基)であ
ることが好ましい。
このような上記式で示される原子団は、他のくりかえし
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
を構成してもよいが。
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
を構成してもよいが。
通常は、上記式で示される原子団の7種またはコ種以上
をくりかえし単位とする単独重合体または共重合体を形
成してアクリル樹脂を構成することになる。“ ×11)ポリアクリルニトリル Xii+ )アクリルニトリル共重合体例えば、アクリ
ルニトリル−酢酸ビニル共重合体、アクリルニトリル−
塩化♂ニル共重合体、アクリルニトリル−スチレン共重
合体。
をくりかえし単位とする単独重合体または共重合体を形
成してアクリル樹脂を構成することになる。“ ×11)ポリアクリルニトリル Xii+ )アクリルニトリル共重合体例えば、アクリ
ルニトリル−酢酸ビニル共重合体、アクリルニトリル−
塩化♂ニル共重合体、アクリルニトリル−スチレン共重
合体。
アクリルニトリル−塩化ビニリデン共重合体。
アクリルニトリルー−ニルピリジン共重合体。
アクリルニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、アク
リルニトリル−ブタジェン共重合体、アクリルニトリル
−アクリル酸ブチル共重合体など。
リルニトリル−ブタジェン共重合体、アクリルニトリル
−アクリル酸ブチル共重合体など。
この場合、共重合比は任意のものとすることができる。
×1■)ポリアクリルアミドないしダイア七トンアクリ
ルアミドポリマー ポリアクリルアミドないしアクリルニトリルにアセトン
を作用させたダイア七トンアクリルアミドポリマー。
ルアミドポリマー ポリアクリルアミドないしアクリルニトリルにアセトン
を作用させたダイア七トンアクリルアミドポリマー。
×いポリ酢酸ビニル
XVり酢酸ビニル共・・重合体
例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビニル等との共重合体など。
ン、塩化ビニル等との共重合体など。
共重合比は任意のものであってよい。
xvii )ポリビニルエーテル
例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、 ホIJビニルブチルエーテルなど。
エーテル、 ホIJビニルブチルエーテルなど。
xviii )ポリアミド
この場合、ポリアミPとしては、ナイロン6、ナイロン
乙6.ナイロンA10.ナイロンA/、2.ナイロンヲ
、ナイロン//、ナイロン/2.ナイロン/3等の通常
のホモナイロンの他、ナイロン乙/乙乙/A10.ナイ
ロン6/乙1.//2.ナイロン乙/66///等の共
重合体や、場合によっては変性ナイロンであってもよい
。
乙6.ナイロンA10.ナイロンA/、2.ナイロンヲ
、ナイロン//、ナイロン/2.ナイロン/3等の通常
のホモナイロンの他、ナイロン乙/乙乙/A10.ナイ
ロン6/乙1.//2.ナイロン乙/66///等の共
重合体や、場合によっては変性ナイロンであってもよい
。
×1×)ポリエステル
例えば、シュウ醗、コハク酸、マレイン酸。
アジピン酸、セパステン酸等の脂肪族二塩基酸、あるい
はイソフタル階、テレフタル酸等の芳香族二塩基酸など
の各種二嬉基酸と、エチレングリコール、テトラメチレ
ンゲルコール、ヘキサメチレンゲルコール等のグリコー
ル類との縮合物や、共縮合物が好適である。
はイソフタル階、テレフタル酸等の芳香族二塩基酸など
の各種二嬉基酸と、エチレングリコール、テトラメチレ
ンゲルコール、ヘキサメチレンゲルコール等のグリコー
ル類との縮合物や、共縮合物が好適である。
そして、これらのうちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリ
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
と芳香族二塩基酸との共縮合物は、特に好適である。
さらに1例えば無水フタル酸とグリセリンとの縮合物で
あるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然樹脂等でエステル
化変性した変性グリプタル樹脂など本好適に使用される
。
コール類との縮合物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸
と芳香族二塩基酸との共縮合物は、特に好適である。
さらに1例えば無水フタル酸とグリセリンとの縮合物で
あるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然樹脂等でエステル
化変性した変性グリプタル樹脂など本好適に使用される
。
XX) ホIJビニルアルコールまたはポリビニルアセ
タール系樹脂 ポリビニルアルコールの他、これをアセタール化して得
られるポリビニルホルマール。
タール系樹脂 ポリビニルアルコールの他、これをアセタール化して得
られるポリビニルホルマール。
ポリビニルアセトアセタール、ポリ−ニルブチラール等
のポリビニルアセタール系樹脂はいずれも好適に使用さ
れる。
のポリビニルアセタール系樹脂はいずれも好適に使用さ
れる。
この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセタール化
度は任意のものとすることができる。
度は任意のものとすることができる。
××1)ポリウレタン樹脂
ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹脂
特に、グリコール類と、ジイソシアネート類との縮合に
よって得られるポリウレタン樹脂、就中アルキレングリ
コールとアルキレンジイソシアネートとの縮合によって
得られるポリウレタン樹脂が好適である。
よって得られるポリウレタン樹脂、就中アルキレングリ
コールとアルキレンジイソシアネートとの縮合によって
得られるポリウレタン樹脂が好適である。
xxii)含窒素ビニル重合体
例えば、よシ好ましくは数平均分子量
す、ooo以下のポリビニルカルバゾール、ビニルカル
バゾールとエチレン、スチレン等トのポリビニルカルバ
ゾール共重合体、より好ましくけ数平均分子量7万以下
のポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドンと酢酸
ビニル等との4eリビニルビロリドン共重合体。
バゾールとエチレン、スチレン等トのポリビニルカルバ
ゾール共重合体、より好ましくけ数平均分子量7万以下
のポリビニルピロリドン、ポリビニルピロリドンと酢酸
ビニル等との4eリビニルビロリドン共重合体。
ポリビニルピリジンなど。□
xxiti)ジエン系重合体
例えば、ポリブタジェン、ブタジェン−スチレン共重合
体(SBR) 、ニトリルゴム(NBR) 、クロロゾ
レン系コム、イソゾレン系デム、イソプレンーイソプヂ
レン共重合体など。
体(SBR) 、ニトリルゴム(NBR) 、クロロゾ
レン系コム、イソゾレン系デム、イソプレンーイソプヂ
レン共重合体など。
××1■)ポリエーテル
例えば、より好ましくは数平均分子量7万以下のポリオ
キシメチレン、スチレンホルマリン樹脂、環状アセター
ルの開票重合物。
キシメチレン、スチレンホルマリン樹脂、環状アセター
ルの開票重合物。
ポリエチレンオササイドおよびグリコール、より好まし
くは数平均分子量7万以下のポリプロピレンオキサイド
およびグリコール。
くは数平均分子量7万以下のポリプロピレンオキサイド
およびグリコール。
プロピレンオキサイー−エチレンオキサイド共重合体。
ポリフエニレンオキサイド、
より好ましくは数平均分子量/刀身下のヒドリンイム、
テトラメチレンオキサイド、ポリスチレンオキサイド、 !東北ポリニー・チル樹脂。
テトラメチレンオキサイド、ポリスチレンオキサイド、 !東北ポリニー・チル樹脂。
より好ましくは数平均分子量7万以下のニドラドドロ7
ラン開環体、ビスフェノールAとエピクロルヒドリンと
の縮合等によって得られる熱可塑性ビスフェノール系エ
ポキシドなど。
ラン開環体、ビスフェノールAとエピクロルヒドリンと
の縮合等によって得られる熱可塑性ビスフェノール系エ
ポキシドなど。
××いポリカーボネート
例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーがネート、
ポリジオキシジフェニルエタンカーポネート、ジオキシ
ジフェニルプロパンカーボネート等の各種ポリカーボネ
ート。
ポリジオキシジフェニルエタンカーポネート、ジオキシ
ジフェニルプロパンカーボネート等の各種ポリカーボネ
ート。
xxvt)ポリエチレンイミン類
)O&i+)上記:)〜″XXVt)の2種以上のブレ
ンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド体。
ンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド体。
このような各種樹脂は、通常の公知の方法で製造され、
これを必要に応じ分子量分別して用いる。 あるいは市
販のものを必要に応じ分別して用いてもよい。
これを必要に応じ分子量分別して用いる。 あるいは市
販のものを必要に応じ分別して用いてもよい。
一方、記録層には、このような熱可塑性樹脂とともに、
光吸収染料ないし顔料が含有される。
光吸収染料ないし顔料が含有される。
この光吸収染料ないし顔料は、記録光に対して、大きな
光吸収率を示し、照射部における温度上昇を可能にする
だめのものである。
光吸収率を示し、照射部における温度上昇を可能にする
だめのものである。
従って、記録光の波長に応じ、一般に、tio。
〜gsOnmの波長光を吸収する、種々の公知の染料や
、カーボンブラックや、レーキ顔料等の種々の公知の銃
機ないし有機の顔料や、金属ないし醗化物の超微粉や、
錯体等を用いることができる。
、カーボンブラックや、レーキ顔料等の種々の公知の銃
機ないし有機の顔料や、金属ないし醗化物の超微粉や、
錯体等を用いることができる。
他方、記録層中に含有される熱可塑性樹脂と、光吸収染
料ないし顔料との含有量比は、樹脂/重量部に対し、一
般に、0.002〜/、00重量部程度の範囲内で広範
囲に選択することができる。
料ないし顔料との含有量比は、樹脂/重量部に対し、一
般に、0.002〜/、00重量部程度の範囲内で広範
囲に選択することができる。
このような記録層は1通常、スピンナー、コーター尋の
公知の種々の方法で基体十に塗布設層される。 そして
、一般に、0.0.1μm〜10P展の厚さとされる。
公知の種々の方法で基体十に塗布設層される。 そして
、一般に、0.0.1μm〜10P展の厚さとされる。
なお、このような記録層中には、上記の熱可塑性樹脂と
光吸収染料ないし顔料以外に、他の添加物が含有されて
いてもよい。
光吸収染料ないし顔料以外に、他の添加物が含有されて
いてもよい。
このような添加物の1例としては、各種オリイマーない
しポリマーがある。 この場合、ポリマーないしオリデ
マーは、熱可塑性樹脂に対し、概ね30重匍%以下の範
囲で含有させ、支持体との接着性を向上させたり、塗布
性を向上させたり、軟化温度を変化させたりすることが
できる。
しポリマーがある。 この場合、ポリマーないしオリデ
マーは、熱可塑性樹脂に対し、概ね30重匍%以下の範
囲で含有させ、支持体との接着性を向上させたり、塗布
性を向上させたり、軟化温度を変化させたりすることが
できる。
この他、各種可塑剤、界面活性剤、帯電防止剤、滑剤、
畔慾剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤。
畔慾剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤。
安定剤2分散剤、レベリング剤、はつ水剤等を含有させ
ることができる。
ることができる。
これに対し、このような記録層を設層支持する基体につ
いては特に限定されるものではなく、その材質としては
種々のものを用いることができる。
いては特に限定されるものではなく、その材質としては
種々のものを用いることができる。
ただ、熱伝導度の点では、通常、各種ガラス。
各種セラミクス、あるいは7I!リメタクリル樹脂。
ポリアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、 $
リエステル樹脂、ポリイミド樹脂。
樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、 $
リエステル樹脂、ポリイミド樹脂。
ポリエーテルケトンオン、・ポリエーテルケトン。
メチルペンテンポリマー、ボリアレート樹脂。
ポ’Jフェニレンザルファイド、ナイロン等の各袖樹脂
叫を用いることが好ましい。
叫を用いることが好ましい。
また、基体の形状や寸法は、用いる用途に応じ、ディス
ク、テープ、ベルト、ドラム等種々のものとすることが
できる。
ク、テープ、ベルト、ドラム等種々のものとすることが
できる。
この場合、本発明の媒体は、このような基体の一面上に
上記の記録層を有するものであってもよく、その両面に
記録層を有するものであってもよい。 また、基体の一
面上に記録層を塗設したものをaつ用い、それらを記録
層が向かいあうようにして、所定の間隙をもって対向さ
せ。
上記の記録層を有するものであってもよく、その両面に
記録層を有するものであってもよい。 また、基体の一
面上に記録層を塗設したものをaつ用い、それらを記録
層が向かいあうようにして、所定の間隙をもって対向さ
せ。
それを密閉したりして、ホコリやキズがつかないように
することもできる。
することもできる。
なお、上記した媒体には、基体上に、必要に応じ金属製
の反射層や各種樹脂層等の下引層を設け、この下引層上
に記録層を設層することもできる。 他の下引層として
は1種々の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、あるいは紫外
線ないし電子線硬化型樹脂等のコーティング層を用いる
こともできる。
の反射層や各種樹脂層等の下引層を設け、この下引層上
に記録層を設層することもできる。 他の下引層として
は1種々の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、あるいは紫外
線ないし電子線硬化型樹脂等のコーティング層を用いる
こともできる。
他方、記録層上には、薄膜が形成される。
この薄膜は、記録ないし読み出し光の一部を反射し、そ
の一部を吸収して、一部を透過するものである。
の一部を吸収して、一部を透過するものである。
この場合、記録ないし読み出し光の波長に訃いて、薄膜
の反射率は、5〜60%、より好ましくは7〜lIO%
、さらに好ましくは10〜30%、また透過率は70〜
go%、より好ましくは30−80%であることが好ま
しい。
の反射率は、5〜60%、より好ましくは7〜lIO%
、さらに好ましくは10〜30%、また透過率は70〜
go%、より好ましくは30−80%であることが好ま
しい。
薄膜の反射率しよび透過率は、実験的に容易に求めるこ
とができ、記録ないし読み出し光の波長に応じ薄膜の膜
厚と材質とを適当に選択することにより、上記のような
反射率および透過率に設定することができる。
とができ、記録ないし読み出し光の波長に応じ薄膜の膜
厚と材質とを適当に選択することにより、上記のような
反射率および透過率に設定することができる。
なお、記録光と読み出し光の波長の異なる場合は1両者
の波長に訃いて、上記のような反射率と透過率とに設定
することが好ましい。
の波長に訃いて、上記のような反射率と透過率とに設定
することが好ましい。
このような薄膜は、各種材質からなる蒸着膜。
スパッタ膜、イオンシレーティング膜等の気相被着膜や
、メッキ膜いずれであってもよい。
、メッキ膜いずれであってもよい。
ただ、これらの薄膜は、金属、すなわち単一の金属、半
金属、さらKは合金、例えば局。
金属、さらKは合金、例えば局。
SH+ Cr1T 1r N 1+ Mf T 工n
g Ou + At r Au+Co、 Bi、 P
b、 Zn、 Sb、 Geあるいはこれらの合金から
なることが好ましい。
g Ou + At r Au+Co、 Bi、 P
b、 Zn、 Sb、 Geあるいはこれらの合金から
なることが好ましい。
この場合、薄膜の膜厚は、通常10〜soθA程度とさ
れる。
れる。
■ 発明の具体的作用
本発明の媒体は、一般に、走行下において。
通常、薄膜側から所定の記録光をパルス状に照射する。
このとき、記録層中の光吸収体の発熱により、熱可塑
性樹脂が融解し、ビットが形成される。 このとき、上
層薄膜は、通常、ビット上にそのまま残存する。
性樹脂が融解し、ビットが形成される。 このとき、上
層薄膜は、通常、ビット上にそのまま残存する。
このように形成されたビットは、媒体の走行下、読み出
し光の反射光ないし透過光を検出することにより読み出
される。
し光の反射光ないし透過光を検出することにより読み出
される。
一方、このように形成されるビットは、一般に、記録層
の層底にまで達しない四部として形成することが好まし
い。
の層底にまで達しない四部として形成することが好まし
い。
このようなとき、−Uビットを形成した後、これを消去
し、再び書込みを行うこともでき・る。
し、再び書込みを行うこともでき・る。
な於、条件によっては、これ以外の場合にも、消去、再
書込みができることがある。
書込みができることがある。
このような場合、消去は、媒体の全体ないし一部を加熱
してもよく、あるいは全体ないし一部に消去光を照射し
てもよい。 また、消去光を、媒体走行下、走査して線
消去することもできる。
してもよく、あるいは全体ないし一部に消去光を照射し
てもよい。 また、消去光を、媒体走行下、走査して線
消去することもできる。
このような消去光の照射により、ピット形成部の記録層
訃よび上層薄膜は平坦化し、再び書き込与および読み出
しが可能となる。
訃よび上層薄膜は平坦化し、再び書き込与および読み出
しが可能となる。
\7 発明の具体的効果
本発明の光記録媒体は、上記したような薄膜を記録層上
に有するので、−上層薄膜により記録光の一部が吸収さ
れ、これによシ照射部の昇温が大きくなり、書き込み感
度が格段と向上する。
に有するので、−上層薄膜により記録光の一部が吸収さ
れ、これによシ照射部の昇温が大きくなり、書き込み感
度が格段と向上する。
また、上層薄膜は、読み出し光の一部を反射するので、
上層薄膜を設けないときのように、単なる散乱現像を主
に利用するものではなく、S/N比が格段と向上する。
上層薄膜を設けないときのように、単なる散乱現像を主
に利用するものではなく、S/N比が格段と向上する。
さらに、低分子量熱可塑性樹脂を用いる結果。
S/N比および感度は、高分子量のものを用いるときよ
り、さらに一層内上する。
り、さらに一層内上する。
加えて、低分子量のものを用いるので、ピット形成に要
する記録光量にきわめて明瞭なしきい値があられれ、ピ
ット形成が不安定化する光量の範囲がきわめて少なくな
る。
する記録光量にきわめて明瞭なしきい値があられれ、ピ
ット形成が不安定化する光量の範囲がきわめて少なくな
る。
また、耐熱性が向上し、読み出し光によるピット形状の
変化にもとづくノイズも格段と減少する。
変化にもとづくノイズも格段と減少する。
そして、一旦形成したビットを消去するにあたり、上層
薄膜が消去光の一部を吸収し、あるいは消去熱により昇
温するので、消去温度ないし消去光量をより少なくする
ことができる。
薄膜が消去光の一部を吸収し、あるいは消去熱により昇
温するので、消去温度ないし消去光量をより少なくする
ことができる。
また、線消去を行うようなとき、線消去の線幅をせまく
することができる。
することができる。
この場合、このような効果は、熱可塑性樹脂の数平均分
子量を3′万以下とするか、あるいは上層薄膜の反射率
および透過率を、それぞれ5〜60%および70〜go
%以上とすることによって、よりすぐれたものとなる。
子量を3′万以下とするか、あるいは上層薄膜の反射率
および透過率を、それぞれ5〜60%および70〜go
%以上とすることによって、よりすぐれたものとなる。
本発明者らは1本発明の効果を確認するだめ種々実験を
行った。 以下にその7例を示す。
行った。 以下にその7例を示す。
実験例/
下記表/に示される数平均分子量をもつポリスチレン(
pst)を分子量分別して得た。 この場合、各ポリス
チレンの分子量分布は、総数の30%以上が数平均分子
量の吉30%以内にあるようにした。
pst)を分子量分別して得た。 この場合、各ポリス
チレンの分子量分布は、総数の30%以上が数平均分子
量の吉30%以内にあるようにした。
一方、光吸収体としては、アントラキノン系色素のカセ
ットブルーg/’IC日本化薬株式会社製)を用いた。
ットブルーg/’IC日本化薬株式会社製)を用いた。
これらを、ポリスチレン対色素の重量比が3:/となる
ように、トルエン中に溶解し、30Cmφのガラス基板
上に、記録層を07μm厚にて塗布設層した。
ように、トルエン中に溶解し、30Cmφのガラス基板
上に、記録層を07μm厚にて塗布設層した。
次いで、これらのうちの一部はそのまま、また他の一部
については、記録層上に、金を、/QQ:厚にて蒸着し
、試料A/〜ダを得た。
については、記録層上に、金を、/QQ:厚にて蒸着し
、試料A/〜ダを得た。
この場合、上層Au薄膜のHe −Neレーザー光に対
する透過率は33%、反射率は3g%、吸収率は9%で
あった。
する透過率は33%、反射率は3g%、吸収率は9%で
あった。
表 /
次いで、各試料を回転しながら、g mWのHe −N
eレーサーを、/μmK年光し、パルス照射1〜だ。
パルス巾を変更し、記録層表面にビットが形成されるパ
ルス巾を測定し、書込み感度の逆数cμsec )とし
た。 結果を表ユに示す。
eレーサーを、/μmK年光し、パルス照射1〜だ。
パルス巾を変更し、記録層表面にビットが形成されるパ
ルス巾を測定し、書込み感度の逆数cμsec )とし
た。 結果を表ユに示す。
次に、上記レーデ−のパルス巾をθSμsecに固定し
、書込みを行い1次いで/ mWのHe−Ne レー
ザーを、上記と同じ光学系にて/μmφに集光し、/μ
sec、くりかえし周波数10Hz にて照射し、そ
の反射光をフォトダイオ−rで検出し、S/N比(dB
)を算出した。 この場合、アンプ系は、/ Q MH
z帯域のものを用い、また、ノイズはRMS値(実効値
)を用いた。
、書込みを行い1次いで/ mWのHe−Ne レー
ザーを、上記と同じ光学系にて/μmφに集光し、/μ
sec、くりかえし周波数10Hz にて照射し、そ
の反射光をフォトダイオ−rで検出し、S/N比(dB
)を算出した。 この場合、アンプ系は、/ Q MH
z帯域のものを用い、また、ノイズはRMS値(実効値
)を用いた。
結果を表2に示す。
表 コ
/ 0.g g9
表コに示される結果から、低分子量熱可塑性樹脂と所定
の上層薄膜を組み合わせたときのみ。
の上層薄膜を組み合わせたときのみ。
きわめて高い感度およびS / N比が得られることが
わかる。
わかる。
なか、他の材質の上層薄膜を用いても、所定の反射率と
透過率に設定したとき、このような効果が同様に再現す
ることが確認されている。
透過率に設定したとき、このような効果が同様に再現す
ることが確認されている。
実験例ユ
実験例/において、熱可塑性樹脂の種類と数平均分子量
とを下記表3に示されるようにかえ、さらに、色素をア
・戸系ユ、/型色素のアイゼンスぎロンブラックRLH
スペシャル(保土谷化学株式会社製)にかえた他は、同
様にして各種媒体を作製した。
とを下記表3に示されるようにかえ、さらに、色素をア
・戸系ユ、/型色素のアイゼンスぎロンブラックRLH
スペシャル(保土谷化学株式会社製)にかえた他は、同
様にして各種媒体を作製した。
なお、各樹脂の分子量分布としては、総数の5θ%以上
が、平均分子量の±30%以内であるようにし、樹脂対
色素の重量比は、3:/とした。 また、上層薄膜は、
実験例/と同一のAu膜である。
が、平均分子量の±30%以内であるようにし、樹脂対
色素の重量比は、3:/とした。 また、上層薄膜は、
実験例/と同一のAu膜である。
また、表中、PMMAは、ポリメチルメタクリレートで
ある。 さらに、ポリエステルとしては、コ塩基酸−芳
香族ジアミン系のパイロン!;38B(東洋紡株式会社
&りを用いた。
ある。 さらに、ポリエステルとしては、コ塩基酸−芳
香族ジアミン系のパイロン!;38B(東洋紡株式会社
&りを用いた。
表 3
このような各種媒体(試料Aj〜/2)につき、実験例
/と同様に、書込み感度の逆数(μsec )と、S
/ N比(dB)とを測定した。
/と同様に、書込み感度の逆数(μsec )と、S
/ N比(dB)とを測定した。
表 グ
S θ7 qSqO
,g qg /θ (比較) /3 7θ//
70 94’/2 (
比較) ig 7/表弘に示される
結果から、本発明の効果があきらかである。
,g qg /θ (比較) /3 7θ//
70 94’/2 (
比較) ig 7/表弘に示される
結果から、本発明の効果があきらかである。
なお、他の熱可塑性樹脂を用いるときにも、このような
効果は、同等に再現することが確認されている。
効果は、同等に再現することが確認されている。
出願人 東京電気化学工業株式会社
代理人 弁理士 石 井 陽 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 基体上に低分子量熱可塑性樹脂と光吸収体とを含
む記録層を有し、記録光の照射により、当該記録層にピ
ットを形成し、読み出し光により当該ピット形成の有無
による情報を読み出す光記録媒体であって、前記記録層
上K、前記記録光ないし読み出し光の一部を反射し、一
部を透過する薄膜を有することを特徴とする光記録媒体
。 2 熱可塑性樹脂の数平均分子量が3万以下である特許
請求の範囲第1項に記載の光記録媒体。 3、 薄膜の記録光ないし読み出し光に対する反射率お
よび透過率が、それぞれ、3〜60%および70〜ざ0
%である特許請求の範囲第1項または第2項に記載の光
記録媒体。 4一旦形成したピットを消去し、再度記録光を照射して
ピットを形成できる特許請求の範囲第1項ないし第3項
のいずれかに記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57069281A JPS58185295A (ja) | 1982-04-24 | 1982-04-24 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57069281A JPS58185295A (ja) | 1982-04-24 | 1982-04-24 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185295A true JPS58185295A (ja) | 1983-10-28 |
Family
ID=13398087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57069281A Pending JPS58185295A (ja) | 1982-04-24 | 1982-04-24 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185295A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180887A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-14 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 光記録方法 |
-
1982
- 1982-04-24 JP JP57069281A patent/JPS58185295A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180887A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-14 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 光記録方法 |
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