JPS58197810A - 磁気バブルメモリ素子作成用マスク - Google Patents
磁気バブルメモリ素子作成用マスクInfo
- Publication number
- JPS58197810A JPS58197810A JP57080238A JP8023882A JPS58197810A JP S58197810 A JPS58197810 A JP S58197810A JP 57080238 A JP57080238 A JP 57080238A JP 8023882 A JP8023882 A JP 8023882A JP S58197810 A JPS58197810 A JP S58197810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- layer
- mask alignment
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子作成用マスクに係わるも
のであり、特に導体パターンとパーマロイパターンのマ
スク合せパターンに関するものである。
のであり、特に導体パターンとパーマロイパターンのマ
スク合せパターンに関するものである。
従来の導体パターンとパーマロイパターンのマスク合せ
パターンを重ね合わせ良状態を第１図（１）。
パターンを重ね合わせ良状態を第１図（１）。
（ｂ） 、 （ｃ）に示す。１は第１層の導体パターン
のマスク合セハターン、２は第２層のバーｆｆＯイハタ
ーンのマスク合せパターンである。第１層と第２層、２
、ハノ−ｅｓ−ｃａ、Ｍ１重層体パターンのマスク合セ
ハターン１と第２層パーマロイパターンのマスク合せパ
ターン２の中心線がほぼ一致する位置に重ね合せる方法
を用いている。このマスク合せの精度は、磁気バブルメ
モリ素子の動作特性から±０．５声１以内という高精度
が要求される。しかしながら、従来のマスク合せパター
ンでは高精度マスク合せが困難であることと、マスク合
せ誤差のモニタリングにレーザーあるいは光学的−黴鏡
による微小寸法側長針を用いているため絢定に長時間要
すこと尋の欠点があった。
のマスク合セハターン、２は第２層のバーｆｆＯイハタ
ーンのマスク合せパターンである。第１層と第２層、２
、ハノ−ｅｓ−ｃａ、Ｍ１重層体パターンのマスク合セ
ハターン１と第２層パーマロイパターンのマスク合せパ
ターン２の中心線がほぼ一致する位置に重ね合せる方法
を用いている。このマスク合せの精度は、磁気バブルメ
モリ素子の動作特性から±０．５声１以内という高精度
が要求される。しかしながら、従来のマスク合せパター
ンでは高精度マスク合せが困難であることと、マスク合
せ誤差のモニタリングにレーザーあるいは光学的−黴鏡
による微小寸法側長針を用いているため絢定に長時間要
すこと尋の欠点があった。
本発明９目的は、第１層導体パターンと第２層パーマロ
イパターンのマスク合せを高精度にでき、またマスク合
せ誤差のモニタリングを為精度かつ容易に行なうことが
できるマスクを提供することにある。： 本発明は、従来のマスク合せパターンに加えて、第１層
の導体パターンと第２階のパーマロイパターンから成る
バーニアスケールを併用するととｋよシマスフ合せ精度
を向上させ、マスク合せ誤差の測定を高精度で容易に出
来るようにしたものである。バーニアスケールはノギス
勢に用いられているものでＴｏシ、原塩的には極めて簡
単である。
イパターンのマスク合せを高精度にでき、またマスク合
せ誤差のモニタリングを為精度かつ容易に行なうことが
できるマスクを提供することにある。： 本発明は、従来のマスク合せパターンに加えて、第１層
の導体パターンと第２階のパーマロイパターンから成る
バーニアスケールを併用するととｋよシマスフ合せ精度
を向上させ、マスク合せ誤差の測定を高精度で容易に出
来るようにしたものである。バーニアスケールはノギス
勢に用いられているものでＴｏシ、原塩的には極めて簡
単である。
また当該パターンは導体パターンとパーマロイパターン
形成工程で同時にマスクに形成するので新めて工程を追
加する必簀はなく経済的に４安価である０ 以下本発明の実施例を説明する。第２図は第１実施例を
示す図、第３図はその他の実施例を示す図である。第２
図において、３はパーマロイパターンと同一層パターン
、４は導体パターンと同一層パターンである。それぞれ
のパターン社郷間隔で１０個並んでおシ、横列の中心か
ら端のパターンの中心までの距離ＸｐとｘＣの差は１μ
−である。
形成工程で同時にマスクに形成するので新めて工程を追
加する必簀はなく経済的に４安価である０ 以下本発明の実施例を説明する。第２図は第１実施例を
示す図、第３図はその他の実施例を示す図である。第２
図において、３はパーマロイパターンと同一層パターン
、４は導体パターンと同一層パターンである。それぞれ
のパターン社郷間隔で１０個並んでおシ、横列の中心か
ら端のパターンの中心までの距離ＸｐとｘＣの差は１μ
−である。
従って当該バーニアスケールの読み取り最小単位ｔｉｏ
、１＃ｎ＋である。本実施例によれば、レーザその他の
副長針を用いずに±０．１μ讃の高精度でマスク合せ誤
差を読みとることが出来る。更に第３図（ａ）に示す実
施例によればＸ方向、（図で横方向）ｙ方向（図で縦方
向）のマスク合せ誤差を同時に読みとることが出来る。
、１＃ｎ＋である。本実施例によれば、レーザその他の
副長針を用いずに±０．１μ讃の高精度でマスク合せ誤
差を読みとることが出来る。更に第３図（ａ）に示す実
施例によればＸ方向、（図で横方向）ｙ方向（図で縦方
向）のマスク合せ誤差を同時に読みとることが出来る。
第３１伽）に示す実施例は、前記各実施例を応用し友も
のであシ、第１層導体パターンと第２層パーマロイパタ
ーンの回転によるマスク合せ誤差を読みとれる４のであ
る。
のであシ、第１層導体パターンと第２層パーマロイパタ
ーンの回転によるマスク合せ誤差を読みとれる４のであ
る。
本発明によれば、第１層導体パターンと第２層コンダク
タパターンのマスク合せを高精度に実現可能とな９、マ
スク合せ誤差を±０．１声−の高精度でかつ容易に読み
取ることが出来る。
タパターンのマスク合せを高精度に実現可能とな９、マ
スク合せ誤差を±０．１声−の高精度でかつ容易に読み
取ることが出来る。
第１１祉通常のマスク合せパターンの平面図、縞２図祉
本発明によるマスクの一実施例におけるバーニアスケー
ルパターンの平面図、ｍａ図ｕ他の実施例のバーニアス
ケールパターンの平面図である。 １．３・・・・＄１重層体パターンと同一層パターン、
２，４・・・・第２層パーマロイパターンと同一層パタ
ーン。 代理人 弁層士 薄 １）利 率
本発明によるマスクの一実施例におけるバーニアスケー
ルパターンの平面図、ｍａ図ｕ他の実施例のバーニアス
ケールパターンの平面図である。 １．３・・・・＄１重層体パターンと同一層パターン、
２，４・・・・第２層パーマロイパターンと同一層パタ
ーン。 代理人 弁層士 薄 １）利 率
Claims (1)
- 第１層導体パターンと第２層パーマロイパル −ンよシ
成る磁気バブルメモリ素子を作成する除用いるマスクに
おいて、第１層と第２層のマスク合せ用とマスク合せ誤
差のモニタ用としてそれぞれバーニアスケールパターン
を設けたことを特徴とする磁気バブルメモリ素子作成用
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080238A JPS58197810A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 磁気バブルメモリ素子作成用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080238A JPS58197810A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 磁気バブルメモリ素子作成用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197810A true JPS58197810A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13712747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57080238A Pending JPS58197810A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 磁気バブルメモリ素子作成用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123083A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP57080238A patent/JPS58197810A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123083A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
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