JPS5820019B2 - 液晶表示素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電界効果液晶表示素子に関するものであり、更
に詳しくは、液晶の配向制御に特徴を有する液晶表示素
子に関するものである。

一般に電界効果型液晶表示素子は、第１図に示すように
、所定のパターンの酸化スズおよび／又は酸化インジウ
ム等の電導性膜（電極）１，３を形成した一対のガラス
等の基板（電極板）２，４がスペーサー５を介して所定
の間隔に対向配置され、その間隙に液晶６を封入し、更
に基板２，４の外側に通常一対の偏光板７，８を配置し
作成される。

基板２，４の液晶と接する面には、液晶分子を所定の方
向に配列させるための壁方位をつけることが必要であり
、このため従来から綿布等で一方向にこするか、あるい
はＡｕ 、 Ｓ ｉ 、 Ｓ ｉＯ，Ｍ２Ｏ３等を基板
に対して斜め方向から蒸着する方法が採られていた。

前者の場合には、耐熱性に乏しく、４００℃〜５００°
Ｃの熱処理によって配向能力が低下し、実際にはこのよ
うな高温処理工程を含む場合には使用できない。

又、後者の単一蒸着層の場合には、耐熱性のある配向制
御はできるが、液晶分子の基板面への配向角度が第２図
に示すように０８またはほとんど０°（イ）の場合と、
約２５°（ロ）の場合とに分かれる。

このため０°の場合には、よく知られているように液晶
分子の立ち上り方向に二つの等価な方向が生じ、電圧印
加時にシングルドメインを形成せず表示が著るしく見づ
らいものとなる。

又、２５゜と大きい場合には、液晶をダイナミック駆動
する場合の電圧マーヂンがとれず障害となっている。

本発明はかかる観点に基き、ダイナミック駆動特性にす
ぐれかつ高温処理に安定な配向能力を有する基板を用い
て配向制御を行なった液晶表示素子を提供するものであ
る。

更には制作上容易でかつ再現性の良い液晶表示素子を提
供するものである。

すなわち本発明は、あらかじめ数字、文字等のパターン
に透明電導膜を形成させた電極基板の電極面を一定方向
に、ダイアモンドペースト、シリコンカーバイド、酸化
セリウム等の高い硬度を有する物質で研磨し、この研磨
方向に揃ったマイクログループを形成し、次いでこの上
に斜め蒸着を行い、マイクログループの方向と斜め蒸着
膜の成長方向との交差角ψを１０〜４０°又は１４００
〜１７０°とする過程とから成る。

第３図は研磨によって形成されたマイクログループを示
すものであり、第４図は更にこの上に斜め蒸着膜を異る
方向から形成させたものである。

基板を研磨する方法としては公知の如く種々の方法が採
用されるが、ダイアモンドペースト、ＳＩＣ等を塗布し
たロールにより該基板表面を研磨することにより達成さ
れ、又、斜め蒸着膜を形成する方法もよく知られている
ように、抵抗加熱法、Ｅ、Ｂ。

法或いはスパッタリング等の方法で基板に対して斜め方
向に蒸発粒子を入射させ、粒子の入射方向に揃った成長
方向を与えることにより達成される。

斜め蒸着膜の入射角θは基板表面に対する垂線方向と粒
子の入射方向との成す角として第５図の如く定義される
が、この角度は４５°〜７５°の場合に特に良好な配向
効果が得られる。

又、膜厚は、単一層の場合には数十〜数千人まで効果的
であるが、本発明に於てはマイクログループとの干渉効
果が得られる膜厚特に５０〜６００人にすることにより
顕著な効果が見られる。

マイクログループの方向ａと斜め蒸着膜の成長方向すと
の交叉角ψは第６図で定義されるが、ψはＯｏ、９０°
、１８０°を除くすべての方向即ち１°−８９°又は９
１′）−１７９°で有効であり、液晶の性質、駆動条件
、薄膜作成上の条件等により選ぶことができる。

特に１００〜４０°、又は１４０°〜１７０°にすると
液晶分子の立ち上がり特性、電圧マーヂンの点から望ま
しい。

このようにして作成した配向用電極板を少くとも一方に
用い、これと組み合わせて用いるもう一方の配向用電極
板には同種のもの又は、従来の研磨による方法又は単−
斜め蒸着層からなる配向用電極板を用いることにより、
液晶分子は電圧マーヂンが充分とれる範囲で電極板に対
しある配向角度をもって配列されるため、ダイナミック
特性の優れたシングルドメインを有する液晶表示素子を
提供することができる。

更には、立ち上がり特性が均一なため再現性に優れ歩留
を著しく向上させ、かつ耐熱性に優れ泥液晶表示素子を
提供することができるものである。

実施例 酸化スズをドープした酸化インジウム電極１をガラス基
板２の上に所定のパターンをもって形成し、この基板を
、０１２５〜１μの粒子サイズのダイアモンドペースト
を塗布した回転体により一定方向に研磨した後、該ペー
ストを洗浄除去し、次いで真空蒸着装置により、ＳｉＯ
を１０−５〜１Ｏ−６ｔＯｒｒの真空度、入射角θ６０
；交叉角ψ３０°で１００〜３００人の膜厚に蒸着する
。

このようにして作成した一対の基板を第７図に示すよう
に周辺にスペーサー５を介して対向配置し、基板間にＰ
型ネマティック液晶を注入し、液晶表示素子を得た。

かかる液晶表示素子に１駆動回路９により電圧を印加し
たところ、液晶分子の立ち上がり方向が一定でかつ駆動
特性の良好なものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の液晶表示素子の説明図、第２図は液晶分
子の配向説明図、第３図はマイクログループを形成する
方法の説明図、第４図はマイクログループの上に形成さ
れた斜め蒸着膜を説明する図、第５図は入射角θを説明
する図、第６図は交叉角ψを説明する図で、ａはマイク
ログループを形成する時の研磨方向、ｂは斜め蒸着の方
向、第７図は本発明の実施例に係る液晶表示素子の断面
図である。 １．３・・・電導性膜、２，４・・・基板、５・・・ス
ペーサー、６・・・液晶、７，８・・・偏光板、９・・
・駆動回路、１１．１２・・・斜め蒸着膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 透明電導性膜を備えた透明基板と、電導性膜を備え
   た基板との間に液晶を封入してなる液晶表示素子におい
   て、前記一対の電導性膜を備えた基板の少くとも一方の
   液晶と接触する表面が一定方向に形成されたマイクログ
   ループと更にこの上に形成された斜め蒸着膜とからなり
   、マイクログループの方向と斜め蒸着膜の成長方向との
   交差角ψが１０°〜４０°又は１４０°〜１７０°であ
   ることを特徴とする液晶表示素子。 ２ 斜め蒸着膜の入射角θが４５°〜７５°の範囲であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表
   示素子。 ３ 斜め蒸着膜の膜厚が５０〜６００人であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の液晶表
   示素子。