JPS58200527A - 化合物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
化合物半導体薄膜の製造方法Info
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- JPS58200527A JPS58200527A JP57082478A JP8247882A JPS58200527A JP S58200527 A JPS58200527 A JP S58200527A JP 57082478 A JP57082478 A JP 57082478A JP 8247882 A JP8247882 A JP 8247882A JP S58200527 A JPS58200527 A JP S58200527A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
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-
- H—ELECTRICITY
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- Organic Chemistry (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は化合物半導体薄膜の製造方法に関するもので
ある。
ある。
ＧａＡｓ、ＡＬＡｓなどの化合物半導体薄膜のエピタキ
シャル成長法としては、気相成長法、液相成長法および
固相成長法などがある。その中でも気相成長法の一技術
としての有機金属熱分解法は、原料物質軸−送律速で°
組成および成長速度の制御が可能であること、非可逆反
応であり基板のエッチ作用の悪影響がないことなどの基
本的な特徴を持っており、光半導体デバイス、化合物半
導体超高周波・超高速デバイスのための基幹技術として
最近非常に注目されている。しかし、有機金属の熱分解
反応、成長反応の理論が未整備であり、不明瞭な事象が
多く、特に不純物濃度分布の高性能制御を必要とするエ
ピタキシャル層を実現するための成長工程の確立が大き
な課題となっている。
シャル成長法としては、気相成長法、液相成長法および
固相成長法などがある。その中でも気相成長法の一技術
としての有機金属熱分解法は、原料物質軸−送律速で°
組成および成長速度の制御が可能であること、非可逆反
応であり基板のエッチ作用の悪影響がないことなどの基
本的な特徴を持っており、光半導体デバイス、化合物半
導体超高周波・超高速デバイスのための基幹技術として
最近非常に注目されている。しかし、有機金属の熱分解
反応、成長反応の理論が未整備であり、不明瞭な事象が
多く、特に不純物濃度分布の高性能制御を必要とするエ
ピタキシャル層を実現するための成長工程の確立が大き
な課題となっている。
従来の有機金属熱分解法によるエピタキシャル成長法に
おいては、たとえば■−■族化合物半導体の場合、■族
元素成分がＧａ（ＣＨａ）ｓ 、 ＡＡ（ＣＩＥ（ｓ）
ｓなどの有機金属ガスで供給される一方、Ｖ族元素成分
がＡａＩ（ａ 、 ＰＨｓなとの水素化物ガスで供給さ
れ、さらに不純物添加用元素は、たとえばｎ形の場合、
Ｈ！Ｓｓガスで供給される。そして、これらのガスが一
定量の為キャリヤガスとともに反応管に送られることに
より、反応管内で所定の温度に設定された結晶基板上に
エピタキシャル成長がなされる。
おいては、たとえば■−■族化合物半導体の場合、■族
元素成分がＧａ（ＣＨａ）ｓ 、 ＡＡ（ＣＩＥ（ｓ）
ｓなどの有機金属ガスで供給される一方、Ｖ族元素成分
がＡａＩ（ａ 、 ＰＨｓなとの水素化物ガスで供給さ
れ、さらに不純物添加用元素は、たとえばｎ形の場合、
Ｈ！Ｓｓガスで供給される。そして、これらのガスが一
定量の為キャリヤガスとともに反応管に送られることに
より、反応管内で所定の温度に設定された結晶基板上に
エピタキシャル成長がなされる。
この時、成長層の不純物濃度の制御は、不純物添加用ガ
スの供給量のみを変化させ、他のすべてのガスの流量は
一定に保ったままで実施される。
スの供給量のみを変化させ、他のすべてのガスの流量は
一定に保ったままで実施される。
しかるに、不純物添加用ガスの供給量のみを変化させて
成長層の不純物濃度の制御を行う従来の方法においては
、不純物濃度分布の厚さ方向の勾配の制御性が悪いとい
う欠点があった。
成長層の不純物濃度の制御を行う従来の方法においては
、不純物濃度分布の厚さ方向の勾配の制御性が悪いとい
う欠点があった。
すなわち、エピタキシャル成長層の不純物濃度としてＩ
ＱＩｍ〜１０１１Ａ−Ｉｆを得るための不純物添加用ガ
スの流量は、通常他のガス流量と比較して非常に少なく
、したがって、不純物添加用ガス配管系内でのガス流の
輸送時間および経時変化から、反応管内への急激なガス
流量の変化の制御には限界がある。また、エピタキシャ
ル成長層の不純物濃度が不純物添加用ガスの流量に近位
的に比例するため、１０ｔｓ〜１０１Ｓ〆ｆの範囲内の
広い不純物濃度勾配にわたって連続的おるいは段階的に
所定の濃度分布を得るためには相応した広い範囲にわた
って不純物添加用ガスの流量制御が必要であるが、この
制御に、装置の制約から眼界がある。これらによシ、従
゛来の方法では、不純物濃度分布の厚さ方向の勾配の制
御性に限界があシ悪かった。そして、このような不純物
濃度の制御性の限界は、すなわち実現可能なエピタキシ
ャル成長層の性能限界ともなり、近年化合物半導体デバ
イスの高性能化のために要求されている最適不純物分布
の設定を達成できない重大な障害となっている。
ＱＩｍ〜１０１１Ａ−Ｉｆを得るための不純物添加用ガ
スの流量は、通常他のガス流量と比較して非常に少なく
、したがって、不純物添加用ガス配管系内でのガス流の
輸送時間および経時変化から、反応管内への急激なガス
流量の変化の制御には限界がある。また、エピタキシャ
ル成長層の不純物濃度が不純物添加用ガスの流量に近位
的に比例するため、１０ｔｓ〜１０１Ｓ〆ｆの範囲内の
広い不純物濃度勾配にわたって連続的おるいは段階的に
所定の濃度分布を得るためには相応した広い範囲にわた
って不純物添加用ガスの流量制御が必要であるが、この
制御に、装置の制約から眼界がある。これらによシ、従
゛来の方法では、不純物濃度分布の厚さ方向の勾配の制
御性に限界があシ悪かった。そして、このような不純物
濃度の制御性の限界は、すなわち実現可能なエピタキシ
ャル成長層の性能限界ともなり、近年化合物半導体デバ
イスの高性能化のために要求されている最適不純物分布
の設定を達成できない重大な障害となっている。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、エピタキシ
ャル成長層の不純物濃度分布の厚さ方向の勾配の制御性
が良好な化合物半導体薄膜の製造方法を提供することを
目的とす゛る。
ャル成長層の不純物濃度分布の厚さ方向の勾配の制御性
が良好な化合物半導体薄膜の製造方法を提供することを
目的とす゛る。
以下この発明の実施例を第１図を参照して説明する。第
１図において、１は反応管、２はその中に設けられた基
板支持台、３は反応管１の外周に設けられた高周波誘導
加熱コイル、４は基板支持台２上に保持され九〇ａＡｓ
基板である。また、５はＧａ（ＣＨｓ）ｓを入れたバブ
ラ２０にキャリヤガスとしてＨ，ガスを流量調整器１０
およびガス弁１５を介して送るためのルガス流入口、６
はＨ２で希釈されたＡｓ１ａガスの流入口、７．９は第
１．第２のキャリヤガスとしてのＨ２ガスの流入口、８
は迅で希釈されたＨ、Ｓｅガス（不純物添加用ガス）の
流入口である。そして、流入口６〜９の各ガスは流量調
整器１１〜１４およびガス弁１６゛〜１９を介して反応
管１に送られるようになっている。ま九、反応管１には
、バプラ２０内のＧａ（ＣＨｓ）ｍガスがガス弁１５′
を介して供給されるようにもなっている。
１図において、１は反応管、２はその中に設けられた基
板支持台、３は反応管１の外周に設けられた高周波誘導
加熱コイル、４は基板支持台２上に保持され九〇ａＡｓ
基板である。また、５はＧａ（ＣＨｓ）ｓを入れたバブ
ラ２０にキャリヤガスとしてＨ，ガスを流量調整器１０
およびガス弁１５を介して送るためのルガス流入口、６
はＨ２で希釈されたＡｓ１ａガスの流入口、７．９は第
１．第２のキャリヤガスとしてのＨ２ガスの流入口、８
は迅で希釈されたＨ、Ｓｅガス（不純物添加用ガス）の
流入口である。そして、流入口６〜９の各ガスは流量調
整器１１〜１４およびガス弁１６゛〜１９を介して反応
管１に送られるようになっている。ま九、反応管１には
、バプラ２０内のＧａ（ＣＨｓ）ｍガスがガス弁１５′
を介して供給されるようにもなっている。
２１は反応管１に接続された排ガス口である。
さて、エピタキシャル成長を行う場合は、まず、その紡
段階として次のことを行う。すなわち、基板支持台２に
ＧａＡｓ基板４を装着し九後、流入ロアー流量調整器１
２−ガス弁１７のガス系から所定の流量の第１のキャリ
ヤガス（迅ガス）を反応管１に供給し、さらに高周波誘
導によりＧａＡ’ｓ基板４を加熱し、基板温度がはソ４
００℃に達した時点で流入口６−流量調整器１１−ガス
弁１６のガス系から所定の流量のＡｓＨ３ガス流を反応
管１に加え、基板温度を所定の温度たとえば６２５℃に
設定し、一定時間この温度に保持する。
段階として次のことを行う。すなわち、基板支持台２に
ＧａＡｓ基板４を装着し九後、流入ロアー流量調整器１
２−ガス弁１７のガス系から所定の流量の第１のキャリ
ヤガス（迅ガス）を反応管１に供給し、さらに高周波誘
導によりＧａＡ’ｓ基板４を加熱し、基板温度がはソ４
００℃に達した時点で流入口６−流量調整器１１−ガス
弁１６のガス系から所定の流量のＡｓＨ３ガス流を反応
管１に加え、基板温度を所定の温度たとえば６２５℃に
設定し、一定時間この温度に保持する。
しかる後、流入口５−流量調整器１０−ガス弁１５−°
ガス弁１５′のガス系から所定の流量のＧａ（ＣＨａ）
ｓガス流を反応管１に加えることにより、ＧａＡｓ基板
４上へのエピタキシャル成長が開始される。この時、エ
ピタキシャル成長層に対する不純物添加は流入口８−流
量調整器１３−ガス弁１８のガス系からＨ，Ｓｅガス流
を反応管１に加えることに二になされるが、エピタキシ
ャル成長層の厚み方向に所望の不純物濃度勾配を形成す
るために、次のような二種類のガス制御方式が実施され
る。
ガス弁１５′のガス系から所定の流量のＧａ（ＣＨａ）
ｓガス流を反応管１に加えることにより、ＧａＡｓ基板
４上へのエピタキシャル成長が開始される。この時、エ
ピタキシャル成長層に対する不純物添加は流入口８−流
量調整器１３−ガス弁１８のガス系からＨ，Ｓｅガス流
を反応管１に加えることに二になされるが、エピタキシ
ャル成長層の厚み方向に所望の不純物濃度勾配を形成す
るために、次のような二種類のガス制御方式が実施され
る。
第１の制御方式では、Ｇａ （ＣＨｓ ＞ｓ ＋ Ａｓ
Ｈａの原料ガス流量および不純物添加用ガスＨ，Ｓｅ
の流量を一定に保った状態で、迅キャリヤガスの流量の
みを連続的あるいは段階的に変化させる。Ｈ，キャリヤ
ガスの流ゝ率制御は、流入ロアー流量調整器１２−ガス
弁１７の第１のキャリヤガス流系の調整で、まえは第１
のキャリヤガス流系は一定に保った状態で流入口９−流
量調整器１４−ガス弁１９の第２のキャリヤガス流系の
調整で実施される。
Ｈａの原料ガス流量および不純物添加用ガスＨ，Ｓｅ
の流量を一定に保った状態で、迅キャリヤガスの流量の
みを連続的あるいは段階的に変化させる。Ｈ，キャリヤ
ガスの流ゝ率制御は、流入ロアー流量調整器１２−ガス
弁１７の第１のキャリヤガス流系の調整で、まえは第１
のキャリヤガス流系は一定に保った状態で流入口９−流
量調整器１４−ガス弁１９の第２のキャリヤガス流系の
調整で実施される。
第２の制御方式では、Ｇａ（Ｃ）Ｉ３）、 ｌ Ａ８Ｈ
３の原料ガス流量を一定に保った状態で、不純物添加用
ガスＨ，ｓｅの流量とＨ，キャリヤガスの流量とを連続
的あるいは段階的に変化させる。Ｈ，Ｓ・ガス流量の調
整は、流入口８−流量調整器１３−ガス弁１８のＨｏ５
ｅガス系の調整に実施される。Ｈ，キャリヤガスの流量
調整は、第１の制御方式の場合と同様に、第１あるいは
第２のキャリヤガス流系の調整により実施される。
３の原料ガス流量を一定に保った状態で、不純物添加用
ガスＨ，ｓｅの流量とＨ，キャリヤガスの流量とを連続
的あるいは段階的に変化させる。Ｈ，Ｓ・ガス流量の調
整は、流入口８−流量調整器１３−ガス弁１８のＨｏ５
ｅガス系の調整に実施される。Ｈ，キャリヤガスの流量
調整は、第１の制御方式の場合と同様に、第１あるいは
第２のキャリヤガス流系の調整により実施される。
以上の実施例から明らかなように、この発明の方法では
、Ｈ７をキャリヤガス、Ｇａ（ＣＨ３）３などの有機金
属ガスとＡｓｈｓなどの水素化物ガスを原料ガス、［、
Ｓｅなどを不純物添加用ガスとする有機金属熱分解ＣＶ
Ｄ法によるエピタキシャル成長工程において、Ｈｔキャ
リヤガスの流量または山キャリヤガスと不純物添加用ガ
スの流量を連続的あるいは段階的に変化させることによ
り、エピタキシャル成長層の厚さ方向の不純物分布を連
続的あるいは段階的に変化させるものである。か＼るこ
の発明の方法は、次のような基本原理による。
、Ｈ７をキャリヤガス、Ｇａ（ＣＨ３）３などの有機金
属ガスとＡｓｈｓなどの水素化物ガスを原料ガス、［、
Ｓｅなどを不純物添加用ガスとする有機金属熱分解ＣＶ
Ｄ法によるエピタキシャル成長工程において、Ｈｔキャ
リヤガスの流量または山キャリヤガスと不純物添加用ガ
スの流量を連続的あるいは段階的に変化させることによ
り、エピタキシャル成長層の厚さ方向の不純物分布を連
続的あるいは段階的に変化させるものである。か＼るこ
の発明の方法は、次のような基本原理による。
第２図は、−３℃に保持されたＧａ（ＣＨｓ）ａノ（プ
ラヘの迅ガス流量をＩＱ −／ｍｉｎ 、 Ｈａで濃度
５チに希釈されたＡｓ迅ガス流量を８０４ｍＩｎ 、
Ｈｌで濃度５０ｐｐｍに希釈され九Ｈｅ Ｓ ｅガス流
量を５ ｄ／ｍｉｎ 、成長温度を６２５℃に設定した
場合について、Ｈ，キャリヤガス流量と成長層の不純物
濃度との関係を示す実験結果の一例である。
ラヘの迅ガス流量をＩＱ −／ｍｉｎ 、 Ｈａで濃度
５チに希釈されたＡｓ迅ガス流量を８０４ｍＩｎ 、
Ｈｌで濃度５０ｐｐｍに希釈され九Ｈｅ Ｓ ｅガス流
量を５ ｄ／ｍｉｎ 、成長温度を６２５℃に設定した
場合について、Ｈ，キャリヤガス流量と成長層の不純物
濃度との関係を示す実験結果の一例である。
有機金属熱分解ＣＶＤ法によるエピタキシャル成長にお
いては、成長層の不純物濃度が不純物添加用ガスすなわ
ちＨ，Ｓｅガスの流量に近似的に比例する性質があり、
これは公知の事実である。しかしながら、第２図の実験
結果によれば、成長層の不純物濃度は鴇キャリヤガス流
量に大きく依存しており、たとえばＨ１流量をＸｔ１分
から２１７分に変化させると成長層不純物濃度は約４．
５倍増加する。
いては、成長層の不純物濃度が不純物添加用ガスすなわ
ちＨ，Ｓｅガスの流量に近似的に比例する性質があり、
これは公知の事実である。しかしながら、第２図の実験
結果によれば、成長層の不純物濃度は鴇キャリヤガス流
量に大きく依存しており、たとえばＨ１流量をＸｔ１分
から２１７分に変化させると成長層不純物濃度は約４．
５倍増加する。
か＼る成長層不純物濃度に対するＨ、キャリヤガス流量
の強い依存性は従来全く未発見の新事実であり、この発
明の方法は、この新事実の発見に立脚するものである。
の強い依存性は従来全く未発見の新事実であり、この発
明の方法は、この新事実の発見に立脚するものである。
そして、成長層の不純物濃度制御の手段として迅キャリ
ヤガスの流量制御を行うこの発明の方法によれば次のよ
うな効果を有する。まず、通常のガス流量調整器の精度
のよい調整範囲は１桁の範囲内であり、不純物濃度と比
例関係にある不純物添加用ガスの流量調整による従来の
方法では不純物濃度分布の設定に限界があるが、この発
明によれば、第２図の実験結果で詳述したような成長層
不純物濃度に対する山流量の非常に強い依存性のために
、段階的あるいは連続的な広範囲にわたる不純物濃度分
布の制御が可能となる。また、不純物添加用ガスの流量
はルキャリャガスの流量と比較して非常に微量であり、
か＼る微量ガスの場合は、精密流量制御が比較的困難で
あることに加えて、ガス配管内の伝搬時間が長くなシガ
ス流量の過渡応答性が非常に悪く、急峻な不純物濃度分
布の実現が困難であるが、この発明では、流量が大きく
過渡応答性のよいＨ２キャリヤガス流を制御することに
よシ、従来不可能であった極めて急峻な不純物濃度分布
を実現でき、しかし濃度分布を高精度に制御できる。こ
のように、この発明によれば、エピタキシャル成長層の
不純物濃度分布の厚さ方向の勾配の制御性が極めて良好
になる。
ヤガスの流量制御を行うこの発明の方法によれば次のよ
うな効果を有する。まず、通常のガス流量調整器の精度
のよい調整範囲は１桁の範囲内であり、不純物濃度と比
例関係にある不純物添加用ガスの流量調整による従来の
方法では不純物濃度分布の設定に限界があるが、この発
明によれば、第２図の実験結果で詳述したような成長層
不純物濃度に対する山流量の非常に強い依存性のために
、段階的あるいは連続的な広範囲にわたる不純物濃度分
布の制御が可能となる。また、不純物添加用ガスの流量
はルキャリャガスの流量と比較して非常に微量であり、
か＼る微量ガスの場合は、精密流量制御が比較的困難で
あることに加えて、ガス配管内の伝搬時間が長くなシガ
ス流量の過渡応答性が非常に悪く、急峻な不純物濃度分
布の実現が困難であるが、この発明では、流量が大きく
過渡応答性のよいＨ２キャリヤガス流を制御することに
よシ、従来不可能であった極めて急峻な不純物濃度分布
を実現でき、しかし濃度分布を高精度に制御できる。こ
のように、この発明によれば、エピタキシャル成長層の
不純物濃度分布の厚さ方向の勾配の制御性が極めて良好
になる。
第１図はこの発明の化合物半導体薄膜の製造方法の実施
例を説明するための構成図、第２図はＨ。 キャリヤガス流量と成長層の不純物濃度との関係を示す
特性図である。 １・・・反応管、２・・・基板支持台、３・・・高周波
誘導加熱コイル、４・・・ＧａＡｓ基板、５〜９・・・
各ガスの流入口、５〜１４・・・流量調整器、１５．１
５’、１６〜１９・・・ガス弁、２０・・・バブラ、２
１・・・排ガス口。 牙１図 才２図 Ｈ２埒ヤ・ツヤか°スｊ庇量（Ｚ／ｍ１ｎ）手続補正書 昭和５７年９月３Ｆ 特許庁長官着杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和ｓ７年轡 許 願第 ８２４７８２、発＠Ｏ名称 化合物半導体薄属の親造方法 ３、補正をする者 事件との関係 譬 許 出願人＜ｏｎｅ＞沖
電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）する。
例を説明するための構成図、第２図はＨ。 キャリヤガス流量と成長層の不純物濃度との関係を示す
特性図である。 １・・・反応管、２・・・基板支持台、３・・・高周波
誘導加熱コイル、４・・・ＧａＡｓ基板、５〜９・・・
各ガスの流入口、５〜１４・・・流量調整器、１５．１
５’、１６〜１９・・・ガス弁、２０・・・バブラ、２
１・・・排ガス口。 牙１図 才２図 Ｈ２埒ヤ・ツヤか°スｊ庇量（Ｚ／ｍ１ｎ）手続補正書 昭和５７年９月３Ｆ 特許庁長官着杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和ｓ７年轡 許 願第 ８２４７８２、発＠Ｏ名称 化合物半導体薄属の親造方法 ３、補正をする者 事件との関係 譬 許 出願人＜ｏｎｅ＞沖
電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）する。
Claims (1)
- 烏からなるキャリヤガス、有機金属ガスと水素化物ガス
からなる原料ガスさらには不純物添加用ガスを用いて行
われる有機金属熱分解ＣＶＤによるエピタキシャル成長
工程において、迅キャリヤガスの流量またはＨ，キャリ
ヤガスと不純−添加用ガスの流量を連続的あるいは段階
的に変化させることにより、エピタキシャル成長法の厚
さ方向の不純物濃度分布を連続的、あるいは段階的に変
化させるようにしたことを特徴とする化合物半導体薄膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57082478A JPS58200527A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57082478A JPS58200527A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200527A true JPS58200527A (ja) | 1983-11-22 |
Family
ID=13775614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57082478A Pending JPS58200527A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200527A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000091633A (ja) * | 1999-10-05 | 2000-03-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体 |
| JP2000091640A (ja) * | 1999-10-05 | 2000-03-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導発光素子の製造方法 |
| JP2001168048A (ja) * | 2000-10-16 | 2001-06-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム半導体の製造方法 |
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-
1982
- 1982-05-18 JP JP57082478A patent/JPS58200527A/ja active Pending
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