JPS58205976A - 磁気バブルメモリの駆動方法 - Google Patents
磁気バブルメモリの駆動方法Info
- Publication number
- JPS58205976A JPS58205976A JP57088007A JP8800782A JPS58205976A JP S58205976 A JPS58205976 A JP S58205976A JP 57088007 A JP57088007 A JP 57088007A JP 8800782 A JP8800782 A JP 8800782A JP S58205976 A JPS58205976 A JP S58205976A
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- JP
- Japan
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は電子計算装置あるいはその端末機等の記憶装置
として用いられる磁気バブルメモリの駆動方法に関する
ものである。
として用いられる磁気バブルメモリの駆動方法に関する
ものである。
（２）技術の背景
磁気バブルメモリは不揮発性、高記憶密度、低消費−力
、小波ｉ門である等ム々の特徴をもち、さらには機桓的
賛累を全く含まない固体調子であることから非常に高い
信頼性金有しており、大容門メモリとして将来が期待さ
れている１、この磁気バブルメモリは磁気バブルが磁界
によシー軸異方性を有する磁性薄１１１ＩＰ３ｔ−自由
に動かすことができることを利用したものであって、第
１図に示す如く磁気バブルメモリ水子１、バブルｔ−ｙ
ｗＪするための回転磁界発生用フィル２．２′、バブル
を安定に保持するためのバイアス磁界発生用磁石３．３
′等により構成されている、 ぞしてメモリ素子ｌは、例えばガドリニウム・ガリウム
・ガーネット単結晶基板の上に液相エピタキシャル成長
法によシ磁性ガーネットの薄膜を形成し、その上にノ臂
−゛マロイ薄膜により第２図に示す如きハーフディスク
などの／ｆターンを行列させたバブル転送路が形成され
ている・。このバブル転−送路の構成にはシリアルルー
プ゛構成とメジャマイナルーｌ構成とがある。第３図は
メジャマイナルーグ構成の１例を示した図であり、バブ
ル発生器４を廟する曹き込み用メジャライン５と、バブ
ル検出器６を有するＵ、み出し用メジャライン７と、こ
れらにトランス７丁ゲート８及びし１リケードゲート９
で接続された複数個のマイナループ１Ｏ−１〜１０−ｎ
で構成されている。
、小波ｉ門である等ム々の特徴をもち、さらには機桓的
賛累を全く含まない固体調子であることから非常に高い
信頼性金有しており、大容門メモリとして将来が期待さ
れている１、この磁気バブルメモリは磁気バブルが磁界
によシー軸異方性を有する磁性薄１１１ＩＰ３ｔ−自由
に動かすことができることを利用したものであって、第
１図に示す如く磁気バブルメモリ水子１、バブルｔ−ｙ
ｗＪするための回転磁界発生用フィル２．２′、バブル
を安定に保持するためのバイアス磁界発生用磁石３．３
′等により構成されている、 ぞしてメモリ素子ｌは、例えばガドリニウム・ガリウム
・ガーネット単結晶基板の上に液相エピタキシャル成長
法によシ磁性ガーネットの薄膜を形成し、その上にノ臂
−゛マロイ薄膜により第２図に示す如きハーフディスク
などの／ｆターンを行列させたバブル転送路が形成され
ている・。このバブル転−送路の構成にはシリアルルー
プ゛構成とメジャマイナルーｌ構成とがある。第３図は
メジャマイナルーグ構成の１例を示した図であり、バブ
ル発生器４を廟する曹き込み用メジャライン５と、バブ
ル検出器６を有するＵ、み出し用メジャライン７と、こ
れらにトランス７丁ゲート８及びし１リケードゲート９
で接続された複数個のマイナループ１Ｏ−１〜１０−ｎ
で構成されている。
（３） 従来技術と向題点
従来このような磁気バブルメモリにおいては静電気等の
ノイズによってマイナループ中に格納されたデータが破
壊されるという問題があった。
ノイズによってマイナループ中に格納されたデータが破
壊されるという問題があった。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に−み、静電気等のノイズによ
ってデータが破壊され―い磁気バブルメモリの駆動方法
ｔ’提供することを目的とするものでお右。
ってデータが破壊され―い磁気バブルメモリの駆動方法
ｔ’提供することを目的とするものでお右。
（５） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、メゾヤマイナルー１
構成のマイナルーグ内を転送される情報を常に同一位置
で停止せしめるようにした磁気バブルメモリの駆動方法
において、マイナル−１内で情報が停止した位置で７ア
ンクシ腸ングートの前後数ページ分は使用しないように
したことを特徴とする磁気バブルメモリの駆動方法を提
供することによって達成される。
構成のマイナルーグ内を転送される情報を常に同一位置
で停止せしめるようにした磁気バブルメモリの駆動方法
において、マイナル−１内で情報が停止した位置で７ア
ンクシ腸ングートの前後数ページ分は使用しないように
したことを特徴とする磁気バブルメモリの駆動方法を提
供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第４図を１本発明による磁気バブルメモリの駆動方法を
説明するための図である。同図は奇数・偶数方式のメジ
ャマイナ構成ブロックレプリクータトランスファ方式の
場合を示したものであり、１１．１２は書き込み用メジ
ャライン、Ｇはジェネレータ、Ｇ、、Ｇ、はジェネレー
タｆ−）、Ｔはトランス７丁グー）、１３−１〜１３−
ｎは第１のマイナル−１群、１４−１〜１４−ｎは泥２
のマイナルーグ群、１５及び１６は読み出し用メジャラ
イン、Ｂｉｔ／Ｔはブロックレプリケータ、へ及び八
はディテクタをそれぞれ示している。
説明するための図である。同図は奇数・偶数方式のメジ
ャマイナ構成ブロックレプリクータトランスファ方式の
場合を示したものであり、１１．１２は書き込み用メジ
ャライン、Ｇはジェネレータ、Ｇ、、Ｇ、はジェネレー
タｆ−）、Ｔはトランス７丁グー）、１３−１〜１３−
ｎは第１のマイナル−１群、１４−１〜１４−ｎは泥２
のマイナルーグ群、１５及び１６は読み出し用メジャラ
イン、Ｂｉｔ／Ｔはブロックレプリケータ、へ及び八
はディテクタをそれぞれ示している。
この磁気バブルメモリは、ジェネレータゲートＧ＠ ｗ
Ｇｔで２つの書き込み石メジャライン１１゜１２１こ全
く同じ新しい情報を１き込み、谷−ンイナルーグ１３−
１〜１３−ｎ＊Ｌ４−ｔ〜１４−ｎの人口（υ印の所）
に新しい情報が並んだときトランスファゲートＴでいっ
せいに各マイナル−１に転送するＯこのとき督き込み用
メジャライン１１のをａ番目ビットが第１朴のマイナル
ーグ１３−１〜１３−ｎに入シ、畳き込み用メジャライ
ン１２の偶数番目のビットが第２群のマイナループ１４
−１〜１４−ｎに入る。読み出しはマイナル−１Ｐ３の
情＠が出口（巖印の所）に転送され一綜に並んだとき、
ブロックレプリケータＢｉｔ／Ｔでいっせいに複製され
、複製された一方の情報はマイナループ内（保存され、
他方がｄｔみ出し用メジャライン１５．１６に転送され
てディテクタＬ）、、Ｄ、 によって読み取られる。
Ｇｔで２つの書き込み石メジャライン１１゜１２１こ全
く同じ新しい情報を１き込み、谷−ンイナルーグ１３−
１〜１３−ｎ＊Ｌ４−ｔ〜１４−ｎの人口（υ印の所）
に新しい情報が並んだときトランスファゲートＴでいっ
せいに各マイナル−１に転送するＯこのとき督き込み用
メジャライン１１のをａ番目ビットが第１朴のマイナル
ーグ１３−１〜１３−ｎに入シ、畳き込み用メジャライ
ン１２の偶数番目のビットが第２群のマイナループ１４
−１〜１４−ｎに入る。読み出しはマイナル−１Ｐ３の
情＠が出口（巖印の所）に転送され一綜に並んだとき、
ブロックレプリケータＢｉｔ／Ｔでいっせいに複製され
、複製された一方の情報はマイナループ内（保存され、
他方がｄｔみ出し用メジャライン１５．１６に転送され
てディテクタＬ）、、Ｄ、 によって読み取られる。
そしてマイナループ内のｔｐｒ＠はいつも一定位置で停
止゛されるように駆動される。
止゛されるように駆動される。
本発明方法の％Ｊは、マイナループ内の情味が停止する
ときの位１ｇでトランス７丁ゲートＴ及びブロックレｌ
リクータＢｉｔ／Ｔ等のファンクショングー）Ｎｉｌ＋
＆の数ビット（ハツチングを人７して示すＡ及びＢ部）
は悄ｔ４記入には使用しないようにしたものである。
ときの位１ｇでトランス７丁ゲートＴ及びブロックレｌ
リクータＢｉｔ／Ｔ等のファンクショングー）Ｎｉｌ＋
＆の数ビット（ハツチングを人７して示すＡ及びＢ部）
は悄ｔ４記入には使用しないようにしたものである。
一般に静電気等による磁気バブルメモリの情報の破駅は
ファンクションダートの近情に起り易いので、本発明の
駆動方法によれば情報の破壊は防止される。
ファンクションダートの近情に起り易いので、本発明の
駆動方法によれば情報の破壊は防止される。
なおフ丁ンクシｌｙゲート近傍で情報が破壊され易い理
由は、ファンクショングートには電流を供給してダート
を駆動するための導体パターンが有るため、これに静電
気勢の雑劉諌が流れることによるものである。
由は、ファンクショングートには電流を供給してダート
を駆動するための導体パターンが有るため、これに静電
気勢の雑劉諌が流れることによるものである。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明による磁気バブル
メモリの駆動方法は、ファンクショングート付近の数ペ
ージ分を使用しないようにしたことにより静電気等のノ
イズによる情報の破Ｊｓ１に防止ｉｆ能としたものであ
り、特にパッドループデータとかマーカー等の重要なデ
ータを保−することができるので磁気バブルメモリの＠
軸性の向上が得られるといった効果大な名ものである。
メモリの駆動方法は、ファンクショングート付近の数ペ
ージ分を使用しないようにしたことにより静電気等のノ
イズによる情報の破Ｊｓ１に防止ｉｆ能としたものであ
り、特にパッドループデータとかマーカー等の重要なデ
ータを保−することができるので磁気バブルメモリの＠
軸性の向上が得られるといった効果大な名ものである。
第１図は従来の磁気バブルメモリデバイスｔｉ明する九
めの図、第２図はバブル転送路の１例金示す図、ｍ３図
は磁気バブルメモリのメジャマイナルーｆ桐成を説ψｊ
するための図、第４図は本発明による磁気バブルメモリ
の駆動方法を観明するための図である。 回向において、１１．１２・・・書き込み用メジャライ
ン、１３−１〜１：Ｌ、、及び１４−１〜１４−ｎ・・
・マイナルーグ、１５．１６・・・絖み出し用メジャラ
イン、Ｇ・・・ジェネレータ、（Ｊｌ ｓ（Ｑ ・・
・ジェネレータゲート、Ｔ・・・トランスフアｒ−）１
４１ζ／’Ｔ・・・ブロックレプリケータ、Ｄｓ−Ｄｘ
・・・ディテクメ會それぞれ示す。 １時針出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 オロ 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第２目 第３目 ６ 第４図
めの図、第２図はバブル転送路の１例金示す図、ｍ３図
は磁気バブルメモリのメジャマイナルーｆ桐成を説ψｊ
するための図、第４図は本発明による磁気バブルメモリ
の駆動方法を観明するための図である。 回向において、１１．１２・・・書き込み用メジャライ
ン、１３−１〜１：Ｌ、、及び１４−１〜１４−ｎ・・
・マイナルーグ、１５．１６・・・絖み出し用メジャラ
イン、Ｇ・・・ジェネレータ、（Ｊｌ ｓ（Ｑ ・・
・ジェネレータゲート、Ｔ・・・トランスフアｒ−）１
４１ζ／’Ｔ・・・ブロックレプリケータ、Ｄｓ−Ｄｘ
・・・ディテクメ會それぞれ示す。 １時針出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 オロ 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 第２目 第３目 ６ 第４図
Claims (1)
- １、 メゾャマイナルー！構成の一フイナルー！内を転
送されるｔ＃＠を常に同一位置で停止せしめるようにし
た磁気バブルメモリのｈｍｍ方法において、マイナルー
プ内で情報が停止した°位置で７丁、ンクシ曹ングート
の前後数ページ分は使用しないようにしたことを特徴と
する磁気パズルメモリの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088007A JPS58205976A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 磁気バブルメモリの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088007A JPS58205976A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 磁気バブルメモリの駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58205976A true JPS58205976A (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=13930742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57088007A Pending JPS58205976A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 磁気バブルメモリの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58205976A (ja) |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP57088007A patent/JPS58205976A/ja active Pending
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