JPS58206171A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS58206171A JPS58206171A JP57088994A JP8899482A JPS58206171A JP S58206171 A JPS58206171 A JP S58206171A JP 57088994 A JP57088994 A JP 57088994A JP 8899482 A JP8899482 A JP 8899482A JP S58206171 A JPS58206171 A JP S58206171A
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本元明は半導本奥墳回路姿・書に１し、特に１１Ｌ （
Ｌｎｔｅｇｒａｔｅｄ １ｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｏｇｉ
ｃ）型半導本央債回路装置に関する。
Ｌｎｔｅｇｒａｔｅｄ １ｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｏｇｉ
ｃ）型半導本央債回路装置に関する。
ＩＬＬは、通常のブレーナをバイポーラトランジスタの
エミッタとコレクタを逆に用い、複数個のコレクタを有
する、いわゆる逆動作縦型トランジスタと、このトラン
ジスタのベースをコレクタとする相補をの横型トランジ
スタとの複合碑造をもったバイポーラ倫理素子である。
エミッタとコレクタを逆に用い、複数個のコレクタを有
する、いわゆる逆動作縦型トランジスタと、このトラン
ジスタのベースをコレクタとする相補をの横型トランジ
スタとの複合碑造をもったバイポーラ倫理素子である。
この倫理素子は嘉奥嘴変、イ氏消費区力、高速動作等の
利供と有し、更にアナログ回路を同時にｌ司−チップ内
に形成することが回路である点から、その応用範囲は極
めて広い。
利供と有し、更にアナログ回路を同時にｌ司−チップ内
に形成することが回路である点から、その応用範囲は極
めて広い。
第１図は従来の１１Ｌ型倫理老子の一例の断面図である
。
。
第１図に於いて、ｌ汀Ｐψ半導本基板、２は高遣（Ｎ博
埋込み領域、３ばへ攻エビタキソヤル曽でらす、このＮ
４エピタキシヤル僧３ ’Ｐ ｉＣｕ ａ イ屡廿Ｐｉ
頌域が゛ｊＴ、ｄトランジスタのエミッタ（以下インジ
ェクタと呼ぶ）５及び逆動作嵯観トランジスタのベース
６として投けられ、さらにこのベース６中には表面よジ
砿赦されて形成された４数個の高濃度Ｎ型領域７が逆動
作ａ型トランジスタのコレクタとして形成さｎている。
埋込み領域、３ばへ攻エビタキソヤル曽でらす、このＮ
４エピタキシヤル僧３ ’Ｐ ｉＣｕ ａ イ屡廿Ｐｉ
頌域が゛ｊＴ、ｄトランジスタのエミッタ（以下インジ
ェクタと呼ぶ）５及び逆動作嵯観トランジスタのベース
６として投けられ、さらにこのベース６中には表面よジ
砿赦されて形成された４数個の高濃度Ｎ型領域７が逆動
作ａ型トランジスタのコレクタとして形成さｎている。
また、最低区立の電極取出し用領域として高濃度Ｎ型頌
域４がインジェクタ５、ベース６を取囲むように表面よ
り形成され、その底部は高凄変Ｎ観埋込領域２に葉で達
している。この構造によれば、横型トランジスタは定電
流として、また逆動作縦型トランジスタＬまひとつの入
力端、屓数個の出力・喘を有するインバータとして機イ
ヒする。さらにこの論理素子が運数個接続された時には
、横型トランジスタは前段のインバータの能動負荷とな
る。
域４がインジェクタ５、ベース６を取囲むように表面よ
り形成され、その底部は高凄変Ｎ観埋込領域２に葉で達
している。この構造によれば、横型トランジスタは定電
流として、また逆動作縦型トランジスタＬまひとつの入
力端、屓数個の出力・喘を有するインバータとして機イ
ヒする。さらにこの論理素子が運数個接続された時には
、横型トランジスタは前段のインバータの能動負荷とな
る。
倫理回路を構成する場合、上記論理素子を連数・固配償
し、各々の人出力瘤をアルミニウムなどの！ａ−抵抗□
勿質により接続するわけであるが、１己、腺の都合上及
び構成面償の縮少１とから撞も切藁の良いベース或極部
、コレクタ領域の位置を谷老子に分いて考・（しなけれ
ばならない。また、倫理磁子上に池の１倫理素子間の配
■を・屯す場合もしばしばちる。
し、各々の人出力瘤をアルミニウムなどの！ａ−抵抗□
勿質により接続するわけであるが、１己、腺の都合上及
び構成面償の縮少１とから撞も切藁の良いベース或極部
、コレクタ領域の位置を谷老子に分いて考・（しなけれ
ばならない。また、倫理磁子上に池の１倫理素子間の配
■を・屯す場合もしばしばちる。
第２図は元来の１ｌＩ４浬回路の一グ１のモ曲図である
。
。
巣２図において、７ａ＋７ｂ＋７ｃはそれぞ扛コレクタ
すなわち出力端子であり、１３は配雇用低抵抗ぞ質であ
る。この列では、出方・端子７ａと７ｂとの間に也の論
理素子間の配＠１３が一本侭缶している。
すなわち出力端子であり、１３は配雇用低抵抗ぞ質であ
る。この列では、出方・端子７ａと７ｂとの間に也の論
理素子間の配＠１３が一本侭缶している。
所でＩＬＬ倫理回路の性能として、逆肋作縦貌トランジ
スタ（以１４１ＬＬ）ランジスタと呼ぶ）の鑞流増幅玉
βＵの大きさが重要な４≠の−っＶζ埜げられるが、従
来の傳遣に於いてば、コレクタ領域のｆ固数、ベース（
・傘部及びコレクタ領域の配置１立置及びベース・コレ
クタ或極間の距離が上記電流増幅＄Ｉｕの低下という理
由によって剣限され、舖、４！回路七美償回路として実
現する場合、淘浬素子配・直の設計を攬准にし、時には
倫理素子数の噌クロもしくは揃理回路の構成の変更を余
儀なくされることがある。
スタ（以１４１ＬＬ）ランジスタと呼ぶ）の鑞流増幅玉
βＵの大きさが重要な４≠の−っＶζ埜げられるが、従
来の傳遣に於いてば、コレクタ領域のｆ固数、ベース（
・傘部及びコレクタ領域の配置１立置及びベース・コレ
クタ或極間の距離が上記電流増幅＄Ｉｕの低下という理
由によって剣限され、舖、４！回路七美償回路として実
現する場合、淘浬素子配・直の設計を攬准にし、時には
倫理素子数の噌クロもしくは揃理回路の構成の変更を余
儀なくされることがある。
従来構造に於ける電流増編率βＵの１炊下の連出を図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
渠３図は第２図に・仕すｌＩｌ、舗埋回路の等１曲回嗜
図である。図で同じ吻に対しては同じ番号を灯している
。
図である。図で同じ吻に対しては同じ番号を灯している
。
第３（２）に於いて、１４は横型トランジスタのコレク
タうｊらベース戒極部壕でに存在する抵抗仮分、１５ａ
＋ １５ｂ＋ Ｌ５ｃは谷コレクタ領域間に存在する抵
抗成分である。ただし、１４及び１５ａは４虜無視でき
うるほど小さい。従って、この抵抗成分が４１ｆＬトラ
ンジスタのベース抵抗として・動らき、ベースＡｆｆＭ
部から雌れたコレクタ領域はどその＠欅を受け、電流増
幅率βＵの低下′ｆＣ招くことけ容易に考察することが
可能である。
タうｊらベース戒極部壕でに存在する抵抗仮分、１５ａ
＋ １５ｂ＋ Ｌ５ｃは谷コレクタ領域間に存在する抵
抗成分である。ただし、１４及び１５ａは４虜無視でき
うるほど小さい。従って、この抵抗成分が４１ｆＬトラ
ンジスタのベース抵抗として・動らき、ベースＡｆｆＭ
部から雌れたコレクタ領域はどその＠欅を受け、電流増
幅率βＵの低下′ｆＣ招くことけ容易に考察することが
可能である。
果４図は第２１図に示すＬＩＬ１浬回洛のコレクタ（流
とシ？面瑠１幅ぶの内孫を承丁峙１生図である。
とシ？面瑠１幅ぶの内孫を承丁峙１生図である。
戒充糟扁率、３ｕ汀出力欄子によって、４な已。
１１Ｌ考］青では４Ｊ１乍夏斐？上Ｖするたり〆こぼ、
岐ｗトランジスタのエミッタ’［ｆｆ１（インジェク−
’；’Ｋ１１ｆ：と呼ぶ）？４卯ざイることが幼果的で
あるっ；、インジェクタ底流の渭加！ｌ１ＩＬＬトラン
ジスタ・っペース電流の１加となり、ベース抵抗の存在
２こよる居、流瑠扁率β の低下及び谷コレタタ間の（
流渭唱率の差が頑晋となるという天気がある。
岐ｗトランジスタのエミッタ’［ｆｆ１（インジェク−
’；’Ｋ１１ｆ：と呼ぶ）？４卯ざイることが幼果的で
あるっ；、インジェクタ底流の渭加！ｌ１ＩＬＬトラン
ジスタ・っペース電流の１加となり、ベース抵抗の存在
２こよる居、流瑠扁率β の低下及び谷コレタタ間の（
流渭唱率の差が頑晋となるという天気がある。
本発明は上記欠点を除云し、コレクタ領域の・１Ｍ数、
ベース電極、コレクタ領域の位１置配置の刈限を取除き
、かつ１１Ｌトランジスタの谷コレクタにおける屯姫増
・嘔巡の均一化ｆｃはかり、論理回路の設計及び素子配
置設計、配線の設計を４易にすることが町１ヒな半傅本
央噴回洛装肴を倚興するも′のである。
ベース電極、コレクタ領域の位１置配置の刈限を取除き
、かつ１１Ｌトランジスタの谷コレクタにおける屯姫増
・嘔巡の均一化ｆｃはかり、論理回路の設計及び素子配
置設計、配線の設計を４易にすることが町１ヒな半傅本
央噴回洛装肴を倚興するも′のである。
本竜明の＃１本奥噴回路−＋ａは、鳴１薦五型半４本等
汲の一主（２）ｒこ投けらｎた茗２導鑞博の第ｌ頃域と
、咳第１頒ｒ４．を言む匍紀半導１本秀［νの一５Ｆｍ
上！／］！杉成され前１己第１頑域よりも戊・墳ｎ月で
ある嘱２噂（壱の第２−頁或と、４亥君２目Ｊ、ｉ３！
）ｊに呈いに５′）雅されて杉Ｆｉ！ｊ、された累１４
シ裁の第３及び第４項域と、仮第４碩、支内に伝いに分
蛎されて形成され第２厚籠型を有する傭奴個の第５頃域
と前記第３及び第４の・７頁＃！？・胡み前（己第２項
峨の表１から前厄第１唄域の上面に環するように形成さ
れた高崎度の第２４４型の嘉６碩截と、前記第１１ｑ域
、第３項域、第４碩域、＄６碩域をざむ全表面に設けら
れた噛間絶禄４と、Ｉｖｉ前記！−間絶赦僕に４あけし
て前記道数個の第５頂域の各々に１個ずつ接続して設け
られにグ５４域戒囃部と、該嬉５４＠電傘部に接続し前
記１層間絶→１嗅表面を通る１氏抵抗物貢の配線とを含
んで溝成さｎる。
汲の一主（２）ｒこ投けらｎた茗２導鑞博の第ｌ頃域と
、咳第１頒ｒ４．を言む匍紀半導１本秀［νの一５Ｆｍ
上！／］！杉成され前１己第１頑域よりも戊・墳ｎ月で
ある嘱２噂（壱の第２−頁或と、４亥君２目Ｊ、ｉ３！
）ｊに呈いに５′）雅されて杉Ｆｉ！ｊ、された累１４
シ裁の第３及び第４項域と、仮第４碩、支内に伝いに分
蛎されて形成され第２厚籠型を有する傭奴個の第５頃域
と前記第３及び第４の・７頁＃！？・胡み前（己第２項
峨の表１から前厄第１唄域の上面に環するように形成さ
れた高崎度の第２４４型の嘉６碩截と、前記第１１ｑ域
、第３項域、第４碩域、＄６碩域をざむ全表面に設けら
れた噛間絶禄４と、Ｉｖｉ前記！−間絶赦僕に４あけし
て前記道数個の第５頂域の各々に１個ずつ接続して設け
られにグ５４域戒囃部と、該嬉５４＠電傘部に接続し前
記１層間絶→１嗅表面を通る１氏抵抗物貢の配線とを含
んで溝成さｎる。
本発明の実施ダＩについて図面を用いて説明する。
第５図は本発明の一更咽例の断面図である。
壕ず、比抵抗１〜３ Ｑ −２４度のｐｆ＃−、ｓ本＝
１反１そ用い、この表面に１１Ｌトランジスタのエミッ
タとすべ（、Ｎ型不４４１１例えばアンチモンを拡牧し
て嗜抵抗４０Ｑ／ロ、婆□谷栗さ７μｍ程度の高、債斐
Ｎ蝦埋込み領域２を選択的に形成する。
１反１そ用い、この表面に１１Ｌトランジスタのエミッ
タとすべ（、Ｎ型不４４１１例えばアンチモンを拡牧し
て嗜抵抗４０Ｑ／ロ、婆□谷栗さ７μｍ程度の高、債斐
Ｎ蝦埋込み領域２を選択的に形成する。
ここでＰ敷半導本基板を哨いたのは前述したとおりＩＬ
Ｌ倫理素子がバイボーラトランジスタト’］−チップ上
て形成されることが６いたｒｌその・場合を考・（した
ｔカである。
Ｌ倫理素子がバイボーラトランジスタト’］−チップ上
て形成されることが６いたｒｌその・場合を考・（した
ｔカである。
次に、エビタチノセル成長伎術により、吏中目的に応じ
た適当な比抵抗（０５〜ＩＱ−ＬニアｒＬ程度）＋：有
するＮ叔エビタキシンル曽３をＰ・四半・４本秀板１、
高濃度Ｎを埋込み４域２上に酸受させる。
た適当な比抵抗（０５〜ＩＱ−ＬニアｒＬ程度）＋：有
するＮ叔エビタキシンル曽３をＰ・四半・４本秀板１、
高濃度Ｎを埋込み４域２上に酸受させる。
次に、へ型不純勿、例えはリンで衆面、俊閲１１０２０
（’ 程゛度の高＃度Ｎ威領域４をこの実施列の半導
本素子の各々、あるいは全本を取囲むように形成し、そ
の後の熱処理により高４度Ｎ凹須域４の１に部が高パ積
度Ｎ型埋込み領域２に僅する二つに岬込む。
（’ 程゛度の高＃度Ｎ威領域４をこの実施列の半導
本素子の各々、あるいは全本を取囲むように形成し、そ
の後の熱処理により高４度Ｎ凹須域４の１に部が高パ積
度Ｎ型埋込み領域２に僅する二つに岬込む。
次に、ＮｔＱエピタキシャル層３の上にインジェクタ領
域５及び１１Ｌトランジスタのベース領域６をＰ型不純
勿）てより形成するが、この工程は１惠常ノバイポーラ
トランジスタのベース−ＩＩＩ域の形成］：程と同時に
行なうことも可能であり、その場合列えはホウ素を砿政
して、層低抗１５０Ｑ／ロ、妥合栗さ１．５μｍ程髪０
Ｐ販領域が形成される。
域５及び１１Ｌトランジスタのベース領域６をＰ型不純
勿）てより形成するが、この工程は１惠常ノバイポーラ
トランジスタのベース−ＩＩＩ域の形成］：程と同時に
行なうことも可能であり、その場合列えはホウ素を砿政
して、層低抗１５０Ｑ／ロ、妥合栗さ１．５μｍ程髪０
Ｐ販領域が形成される。
次に、痩敢個の１１Ｌトランジスタのコレクター域７を
形成するのでちるが、この工程も前記ペース工程と同様
ＩＮ！常のバイポーラトランジスタのエミッタ形成工程
と同時に行なうことが可能で、その場合、例えばリンｆ
ｃ広牧して表１狛１Ｉ３１度ＩＱ１９１〜３程度・拡牧
深さ１μｍ程度の高４度へ・戚領域を・形成する。
形成するのでちるが、この工程も前記ペース工程と同様
ＩＮ！常のバイポーラトランジスタのエミッタ形成工程
と同時に行なうことが可能で、その場合、例えばリンｆ
ｃ広牧して表１狛１Ｉ３１度ＩＱ１９１〜３程度・拡牧
深さ１μｍ程度の高４度へ・戚領域を・形成する。
その後、通常のバイポーラトランジスタの形成工程と同
様に、・俊化８・莫１２を選択的に除去し開孔部に低抵
抗物質を形成し、インジェクタ゛岐甑部８゜１１、トラ
ンジスタのベース窺極部９．コ、レクタ屯極都１０．エ
ミ、夕べ極部１２を形成するわけであるが、ベース屯極
部９は、ベース領域６内で、各コレクタ５頁域７に対問
する二つな位置に少くとも一つ存在するように最短・距
離で４数個形成される。１＊、低抵抗吻・這を・（択的
に形成することによりコレクタ域姑部９Ｉインジェクタ
電填部８等の相岳配線も形成する。
様に、・俊化８・莫１２を選択的に除去し開孔部に低抵
抗物質を形成し、インジェクタ゛岐甑部８゜１１、トラ
ンジスタのベース窺極部９．コ、レクタ屯極都１０．エ
ミ、夕べ極部１２を形成するわけであるが、ベース屯極
部９は、ベース領域６内で、各コレクタ５頁域７に対問
する二つな位置に少くとも一つ存在するように最短・距
離で４数個形成される。１＊、低抵抗吻・這を・（択的
に形成することによりコレクタ域姑部９Ｉインジェクタ
電填部８等の相岳配線も形成する。
矢に、杷嫌仮嗅１６を数ミクロンの嗅厚で全面ｔこ形成
するが、この也嫌破膜として、ＣνＤ（（、：ｈｅｍｉ
ｃａｆ Ｖａｐｏｒ ＬＪｅｐｏｓｉｔ＋ｏｒ３）
、−ｆ；・てよ リ′攻温形成された二駿・ヒノリコン
、屋１ヒ／リコン、モジくはポリミイドなどの廚ｌ旨才
料を用い、っこ七ができるが、熱酸化゛美形或は不都合
である。こｎ、ば、１に抵抗＊質セしてよく用いられる
アルミニウムなどの金禰の＠帳が４酸化俣Ｉ杉阪時の温
寸支りも低い場合、前工程で形成した配覗部籠喚部が４
眸し。
するが、この也嫌破膜として、ＣνＤ（（、：ｈｅｍｉ
ｃａｆ Ｖａｐｏｒ ＬＪｅｐｏｓｉｔ＋ｏｒ３）
、−ｆ；・てよ リ′攻温形成された二駿・ヒノリコン
、屋１ヒ／リコン、モジくはポリミイドなどの廚ｌ旨才
料を用い、っこ七ができるが、熱酸化゛美形或は不都合
である。こｎ、ば、１に抵抗＊質セしてよく用いられる
アルミニウムなどの金禰の＠帳が４酸化俣Ｉ杉阪時の温
寸支りも低い場合、前工程で形成した配覗部籠喚部が４
眸し。
てしまうからである。その後ヘースイ喚部９の直上の杷
噸破嘆１６に開孔部を没け、谷ベース直噛部９を＃続す
るように前Ａ己絶嫌子皮膜１６上に；氏抵抗璽質の配線
１７を形成する。この工９にして、第５図に示す構造に
示す一夷弛例が僻られる。
噸破嘆１６に開孔部を没け、谷ベース直噛部９を＃続す
るように前Ａ己絶嫌子皮膜１６上に；氏抵抗璽質の配線
１７を形成する。この工９にして、第５図に示す構造に
示す一夷弛例が僻られる。
第６図は第５図に示す一夷Φ夕１の等ｌ［１１ｉＩ回＠
図である。
図である。
第６図において、１８は苗種トランジスタのコレクタが
ら、鐘も近傍のヘースπ−＠部寸での抵抗成分、１９ａ
、１９ｂ、１９ｃ、１９ｒｌｊベース砿極から各コレク
タ電極（α下のベース碩Ｒ’＝で１（存圧する抵抗成分
である。１９ランジスタのコシタタチらベース戒喚ｌで
の抵抗成分ｔｓｙすベース五、愼を１１Ｌトランジスタ
のベースう貫電６内の最もインジェクタ領域５に近い部
分に設けｎば非常に低抵抗で無悦できるものでちる。ま
た抵抗成分１９ａ＝ｌＪｄの各抵抗成分についても、従
来の構造に比べ、全てのコレクタ′醒啄部の近接した１
立置にベース成極が必ず存在するよりになっているため
非常に低抵抗であり、かつ均一の直を有する。従って、
従来構造ではインジェクタ領域５よりａ距離に立置する
コレクタ成極部はど高いベース抵抗を有し、そのコレク
タ゛電極部での電流増、嘔ぶβＵが低下するため、コレ
クタ領域７とインジェクタ領域５との距離及びコレクタ
成極部７の取り得る個数は自ずと制限されてしまってい
たが、本発明の半導本装置に於いては、１■Ｌトランジ
スタのベース電流はインジェクタ領域５の最も近傍に立
置するコレクタ領域７ａに対してはベース領域６を滑れ
るが、その他のコレクタ領域７ｂ〜７ｄＫ対しては、非
常に１抵抗である逸４被膜１６上の低抵抗劣質１７を介
して流れ各コレクタ領域近傍のベース砥唯９から再びベ
ース領域に加入し、ベース電流ｆｃ哄給するので谷ゴレ
クタ領域直下までのベース抵抗の１はコレクタ頃域の立
置によらず一定で、なおかつその絶対喧が非常に低いた
め、コレクタ＠域の立置による電流増幅ぷβＵの依存性
の低下現家が軽減される。
ら、鐘も近傍のヘースπ−＠部寸での抵抗成分、１９ａ
、１９ｂ、１９ｃ、１９ｒｌｊベース砿極から各コレク
タ電極（α下のベース碩Ｒ’＝で１（存圧する抵抗成分
である。１９ランジスタのコシタタチらベース戒喚ｌで
の抵抗成分ｔｓｙすベース五、愼を１１Ｌトランジスタ
のベースう貫電６内の最もインジェクタ領域５に近い部
分に設けｎば非常に低抵抗で無悦できるものでちる。ま
た抵抗成分１９ａ＝ｌＪｄの各抵抗成分についても、従
来の構造に比べ、全てのコレクタ′醒啄部の近接した１
立置にベース成極が必ず存在するよりになっているため
非常に低抵抗であり、かつ均一の直を有する。従って、
従来構造ではインジェクタ領域５よりａ距離に立置する
コレクタ成極部はど高いベース抵抗を有し、そのコレク
タ゛電極部での電流増、嘔ぶβＵが低下するため、コレ
クタ領域７とインジェクタ領域５との距離及びコレクタ
成極部７の取り得る個数は自ずと制限されてしまってい
たが、本発明の半導本装置に於いては、１■Ｌトランジ
スタのベース電流はインジェクタ領域５の最も近傍に立
置するコレクタ領域７ａに対してはベース領域６を滑れ
るが、その他のコレクタ領域７ｂ〜７ｄＫ対しては、非
常に１抵抗である逸４被膜１６上の低抵抗劣質１７を介
して流れ各コレクタ領域近傍のベース砥唯９から再びベ
ース領域に加入し、ベース電流ｆｃ哄給するので谷ゴレ
クタ領域直下までのベース抵抗の１はコレクタ頃域の立
置によらず一定で、なおかつその絶対喧が非常に低いた
め、コレクタ＠域の立置による電流増幅ぷβＵの依存性
の低下現家が軽減される。
第７図は第５図に示す一実１列のコレクタ底流と底流増
＠率との関係を示す特注図である。
＠率との関係を示す特注図である。
第７圀に示すように、各コレクタ領域７ａ〜７ｄに対す
る成＃、増＠率には臂意差はない。
る成＃、増＠率には臂意差はない。
第５図に示したように、この実施例では逸嫌被嗅１６を
介して２１類の低抵抗劣質の配ａ１３及び１７を形成し
ているから、従来品よりも布腺設計の自由度が増してい
る。例えば、コレクタ電電１０から池の素子のベース成
極への接続を行なう場合、Ｔ１の低抵抗４Ｉｊ質による
配置が不可能な場合、ベース４噛を４峡している上、−
の低低流吻′纜１７の形成領置及びコレクタ成極に接続
されているＴ１の低抵抗劣質の配置の形成頭載？それぞ
れ上面から見て交差するように・１在させ、交弔＠外の
Ｉｅ！縁被嗅１６に閘孔部を設け、上響の低抵抗吻縦の
配置１７を杉成すＣばその部分で４続が行なわれ之こと
になる。
介して２１類の低抵抗劣質の配ａ１３及び１７を形成し
ているから、従来品よりも布腺設計の自由度が増してい
る。例えば、コレクタ電電１０から池の素子のベース成
極への接続を行なう場合、Ｔ１の低抵抗４Ｉｊ質による
配置が不可能な場合、ベース４噛を４峡している上、−
の低低流吻′纜１７の形成領置及びコレクタ成極に接続
されているＴ１の低抵抗劣質の配置の形成頭載？それぞ
れ上面から見て交差するように・１在させ、交弔＠外の
Ｉｅ！縁被嗅１６に閘孔部を設け、上響の低抵抗吻縦の
配置１７を杉成すＣばその部分で４続が行なわれ之こと
になる。
上記央ＷＡ列については、遡富のバイポーラトランジス
タの共存を考・くしてＰ型半導本蚤仮を用いｆ？：、４
合を記述したが、Ｎ型半導本基板を用いて揚程工程を筒
略化することも可能である。また、半導体１−及び半導
体領域の形成にはそれぞれ気相成長法及び砿敢云を用い
たがＣれらも液相成長法およびイオン圧入去などの他の
適切な方法を用いることができることは言うまでもない
。
タの共存を考・くしてＰ型半導本蚤仮を用いｆ？：、４
合を記述したが、Ｎ型半導本基板を用いて揚程工程を筒
略化することも可能である。また、半導体１−及び半導
体領域の形成にはそれぞれ気相成長法及び砿敢云を用い
たがＣれらも液相成長法およびイオン圧入去などの他の
適切な方法を用いることができることは言うまでもない
。
以上詳細に説明したよりに、本発明によれば１１Ｌ虐理
素子の祷％性を改善することが可すヒでなりかつ集積回
路としての素子配置設計重線設計に於ける種々の制限を
無くシ、設計の自由度を１した≠１本巣噴回番裟１電が
得られるのでその効果は大きい。
素子の祷％性を改善することが可すヒでなりかつ集積回
路としての素子配置設計重線設計に於ける種々の制限を
無くシ、設計の自由度を１した≠１本巣噴回番裟１電が
得られるのでその効果は大きい。
礪１図は従来構汚のＬＩＬ彌埋末子の一例の祈用図、第
２図は従来のＩｉＬ４理回路の一声１０干ｒｆＪ図、第
３図は第２図に示す１１１．倫理回路の等・曲回略図、
第４図は第２図に示すＬＩＬ倫浬回路のコレクタ電流と
区流増扁ぶの１係を示″ｔ″持性図、第５図？ζ本発明
の一寿頌列の析面図、第６図は第５゛図に示す一獲施例
の等・曲回略図、第７図は＄５図に示す一実施例のコレ
クタ電流と直流増・福率との関係を示す特性１図である
。 ■・・−・・・Ｐ型半導体基板、２・・・・・・高ＩＩ
ｋ度Ｎ駅哩込、”ｌｎ域、吐＋−＋−Ｎをエビタキゾン
ル嗜、４・・・・−・扁＃度へ型領域１．５・・・・・
・Ｐ吠インジェクタ領域、６・・・・−・１１Ｌトラン
ジスタのＰ壊ベース４域、７・−・・−ＩｉＬ）−ラジ
ージスタのＮｆｉコレゲタ４域、８・−・・・インジェ
クタ戒極部、９・−・・・−ベース戒極部、ＩＯ・−・
・−・コレクタ成極部、１１・−・・−・エミッタペ極
部、１“２・・・・・・咄４酸化膜、１３・・−・・・
低低抗甫質の妃禰、１６・・・・・・絶球被嗅、１７・
・・・−・低抵抗吻質の配線。 − ス ４ 図 Ｚ 、５ 図 ）つ 乙 ６１ 篤 ７７
２図は従来のＩｉＬ４理回路の一声１０干ｒｆＪ図、第
３図は第２図に示す１１１．倫理回路の等・曲回略図、
第４図は第２図に示すＬＩＬ倫浬回路のコレクタ電流と
区流増扁ぶの１係を示″ｔ″持性図、第５図？ζ本発明
の一寿頌列の析面図、第６図は第５゛図に示す一獲施例
の等・曲回略図、第７図は＄５図に示す一実施例のコレ
クタ電流と直流増・福率との関係を示す特性１図である
。 ■・・−・・・Ｐ型半導体基板、２・・・・・・高ＩＩ
ｋ度Ｎ駅哩込、”ｌｎ域、吐＋−＋−Ｎをエビタキゾン
ル嗜、４・・・・−・扁＃度へ型領域１．５・・・・・
・Ｐ吠インジェクタ領域、６・・・・−・１１Ｌトラン
ジスタのＰ壊ベース４域、７・−・・−ＩｉＬ）−ラジ
ージスタのＮｆｉコレゲタ４域、８・−・・・インジェ
クタ戒極部、９・−・・・−ベース戒極部、ＩＯ・−・
・−・コレクタ成極部、１１・−・・−・エミッタペ極
部、１“２・・・・・・咄４酸化膜、１３・・−・・・
低低抗甫質の妃禰、１６・・・・・・絶球被嗅、１７・
・・・−・低抵抗吻質の配線。 − ス ４ 図 Ｚ 、５ 図 ）つ 乙 ６１ 篤 ７７
Claims (1)
- 茗１４電型半導本基板の一主囲に設けられた第２導電型
の第１領域と、該第１碩域を含む前記半４本基板の一王
面上に形成され前記第１領域よりも低潰度である男２導
を梨の第２領域と、該第２領域内に互いに分離されて形
成された第１導電型の第３及び第↓領域と、該箔４＠域
内に互いに分離されて形成され再２４電型を有する複数
個の第５頃域と、前記第３及び術４の＠域を囲み前記第
２碩滅の表面から前記第１領域の上面に達するように形
成された高ずａ聞の第２導成型の第６碩域と、前記第１
領域、第３頭域、哨４＠域、第６領域を倉む全表面に設
けられた僧間絶嫌模と、前記層間逸碌喚にパあけｉ−で
前記榎奴個の第５領域の各々に１貫固ずつ接晴して投げ
られた第５−１頁域纜喚部と、該稟５領域屯極部に接続
し前記−間絶嫌模表面を通る低抵抗吻質の配韻とをよむ
ことを特徴とする半導本集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088994A JPS58206171A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57088994A JPS58206171A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206171A true JPS58206171A (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=13958360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57088994A Pending JPS58206171A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58206171A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60250646A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5154379A (ja) * | 1974-10-29 | 1976-05-13 | Fairchild Camera Instr Co | |
| JPS5546544A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit |
| JPS55162261A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Nec Corp | Semiconductor ic device |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP57088994A patent/JPS58206171A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5154379A (ja) * | 1974-10-29 | 1976-05-13 | Fairchild Camera Instr Co | |
| JPS5546544A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-01 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit |
| JPS55162261A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Nec Corp | Semiconductor ic device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60250646A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
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