JPS58209225A - 3ステ−ト出力回路 - Google Patents
3ステ−ト出力回路Info
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- JPS58209225A JPS58209225A JP57092745A JP9274582A JPS58209225A JP S58209225 A JPS58209225 A JP S58209225A JP 57092745 A JP57092745 A JP 57092745A JP 9274582 A JP9274582 A JP 9274582A JP S58209225 A JPS58209225 A JP S58209225A
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- JP
- Japan
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- channel
- inverter
- output
- channel transistor
- turned
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/09425—Multistate logic
- H03K19/09429—Multistate logic one of the states being the high impedance or floating state
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は3ステ一ト出力回路に係り、特に相補型絶縁ゲ
ート電界効果(以下0MO8型と称す)トランジスタを
用いた半導体集積回路装置に好適な3ステ一ト出力回路
の改良に関する。
ート電界効果(以下0MO8型と称す)トランジスタを
用いた半導体集積回路装置に好適な3ステ一ト出力回路
の改良に関する。
3ステ一ト出力回路は、複数の出力端子を一本に結合し
て所望の信号を取υ出したい時に用いられるもので、そ
の機能は制御信号によ多出力端子をハイインピーダンス
にする。すなわち複数の出力端子が一本に結合された時
、r’tr屋の信号端子以外の全ての端子をハイインピ
ーダンスにする事によシ所望の信号を取シ出す弗ができ
る◇第1図は従来のCMO8型集積画集積回路る3ステ
一ト出力回路の論理回路図を示すもので、インバータ1
.2人力NAND回路2.2人力NOR回路3.Pチャ
ンネルトランジスタ4およびNチャンネルトランジスタ
5により構成されている。この回路に於て、制御信号7
が低レベル(以下0と称す)の時2人力NAND2の出
力はハイレベル(以下1と称す)となシ、Pチャンネル
トランジスタ4はオフとなる。同時に2人力NOR3の
出力は0になシ、Nチャンネルトランジスタ5はオフと
なる。PチャンネルトランジスタとNチャンネルトラン
ジスタが共にオフとなシ出力8はノ・イインピーダンス
となる。制御信号7が1の時、この回路は二段のインバ
ータとなシ、出力8に1)ATA入力6の信号がでる。
て所望の信号を取υ出したい時に用いられるもので、そ
の機能は制御信号によ多出力端子をハイインピーダンス
にする。すなわち複数の出力端子が一本に結合された時
、r’tr屋の信号端子以外の全ての端子をハイインピ
ーダンスにする事によシ所望の信号を取シ出す弗ができ
る◇第1図は従来のCMO8型集積画集積回路る3ステ
一ト出力回路の論理回路図を示すもので、インバータ1
.2人力NAND回路2.2人力NOR回路3.Pチャ
ンネルトランジスタ4およびNチャンネルトランジスタ
5により構成されている。この回路に於て、制御信号7
が低レベル(以下0と称す)の時2人力NAND2の出
力はハイレベル(以下1と称す)となシ、Pチャンネル
トランジスタ4はオフとなる。同時に2人力NOR3の
出力は0になシ、Nチャンネルトランジスタ5はオフと
なる。PチャンネルトランジスタとNチャンネルトラン
ジスタが共にオフとなシ出力8はノ・イインピーダンス
となる。制御信号7が1の時、この回路は二段のインバ
ータとなシ、出力8に1)ATA入力6の信号がでる。
CMO8型2人力NAND回路および2人力NOR回路
はともに、PPチャンネルトランジスタ211≦とNチ
ャンネルトランジスタ2個で構成され、インバータ・は
Pチャンネルトランジスタとエイチャンネルトランジス
タそれぞれ1個で構成される。従って第1図に示す従来
のCMO8型3ステート出力回路は合計12個のトラン
ジスタが必賛であった0 本発明の目的は、このよ5な従来の3ステ一ト出力回路
のトランジスタの数を減らす事にめる0本発明の特徴は
、出力端子に接続された0MO8型インバータと、ソー
スが電源に接続されドレインが該インバータのPチャン
ネルトランジスタのゲートに接続された第1および第2
のPチャンネルトランジスタと、ソースが接地されドレ
インが該インバータのNチャンネルトランジスタのゲー
トに接続された第1および21μ2のPチャンネルトラ
ンジスタと、PiI」M己第1および第2のPチャンネ
ルトランジスタのドレインに一端が接続され他端が前記
第1および第2のNチャンネルトランジスタのドレイン
に接続されたcrao8型伝達ゲートとを含む3ステ一
ト出力回路にるる。
はともに、PPチャンネルトランジスタ211≦とNチ
ャンネルトランジスタ2個で構成され、インバータ・は
Pチャンネルトランジスタとエイチャンネルトランジス
タそれぞれ1個で構成される。従って第1図に示す従来
のCMO8型3ステート出力回路は合計12個のトラン
ジスタが必賛であった0 本発明の目的は、このよ5な従来の3ステ一ト出力回路
のトランジスタの数を減らす事にめる0本発明の特徴は
、出力端子に接続された0MO8型インバータと、ソー
スが電源に接続されドレインが該インバータのPチャン
ネルトランジスタのゲートに接続された第1および第2
のPチャンネルトランジスタと、ソースが接地されドレ
インが該インバータのNチャンネルトランジスタのゲー
トに接続された第1および21μ2のPチャンネルトラ
ンジスタと、PiI」M己第1および第2のPチャンネ
ルトランジスタのドレインに一端が接続され他端が前記
第1および第2のNチャンネルトランジスタのドレイン
に接続されたcrao8型伝達ゲートとを含む3ステ一
ト出力回路にるる。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明の一実施例を示すCMO8型3ステート
出力回路の等価回路図である0第2図に示される0MO
8型3ステート出力回路はPチャンネルトランジスタ1
1,12,13,14.15およびNチャンネルトラン
ジスタ16.17.1819.20で構成される。Pチ
ャンネルトランジスタ13とNチャンネルトランジスタ
18によシ出力インパータ2】が構成されている。Pチ
ャンネルトランジスタ14とNチャンネルトランジスタ
19によpcMO8型伝達ゲート22が構成されている
OPチャンネルトランジヌタ15とNチャンネルトラン
ジスタ20によシインバータ23が構成され、制御信号
27の反転信号がPチャンネルトランジスタ11のゲー
トおよび伝達ゲートのNチャンネルトランジスタ19の
ゲートに供給される。データ信号26はPチャンネルト
ランジスタ12のゲートおよびNチャンネルトランジス
タ16のゲートに与えられる。
出力回路の等価回路図である0第2図に示される0MO
8型3ステート出力回路はPチャンネルトランジスタ1
1,12,13,14.15およびNチャンネルトラン
ジスタ16.17.1819.20で構成される。Pチ
ャンネルトランジスタ13とNチャンネルトランジスタ
18によシ出力インパータ2】が構成されている。Pチ
ャンネルトランジスタ14とNチャンネルトランジスタ
19によpcMO8型伝達ゲート22が構成されている
OPチャンネルトランジヌタ15とNチャンネルトラン
ジスタ20によシインバータ23が構成され、制御信号
27の反転信号がPチャンネルトランジスタ11のゲー
トおよび伝達ゲートのNチャンネルトランジスタ19の
ゲートに供給される。データ信号26はPチャンネルト
ランジスタ12のゲートおよびNチャンネルトランジス
タ16のゲートに与えられる。
次に第2図の3ステ一ト出力回路の動作原理を説明する
。itg 2図に於て制御信号27が1の時インバータ
23の出力は0となpPチャンネルトランジスタ11は
オンしそのドレイン端子は1となる、従って出力インバ
ータ21のPチャンネルトランジスタ13はメツする。
。itg 2図に於て制御信号27が1の時インバータ
23の出力は0となpPチャンネルトランジスタ11は
オンしそのドレイン端子は1となる、従って出力インバ
ータ21のPチャンネルトランジスタ13はメツする。
同時にNチャンネルトランジスタ16がオンしそのドレ
イン端子はOとナシ出力インバータ21ONチヤンネル
トランジスタ18はオフする。すなわち制御信号27が
1の時出力インバータのPチャンネルトランジスタとN
チャンネルトランジスタは共にオフし出力28はハイイ
ンピーダンスとなる。この時、伝達ゲート22はオフし
電源から()NDに貫通電流が流れるのを阻止する。仄
に制御信号27が00時Pチャンネルトランジスタ11
とNチャンネルトランジスタ16は共にオフし、伝達ゲ
ート22がオンし、第2図の回路はデータ信号26から
見て等測的に2段のインバータとなシ出力28にはデー
タ信号26が出力される。第2図から明らかなように、
本実施例によるCMO8型3ステート出力回路はPチャ
ンネルトランジスタが5個、Nチャンネルトランジスタ
が5個で合計10個である。
イン端子はOとナシ出力インバータ21ONチヤンネル
トランジスタ18はオフする。すなわち制御信号27が
1の時出力インバータのPチャンネルトランジスタとN
チャンネルトランジスタは共にオフし出力28はハイイ
ンピーダンスとなる。この時、伝達ゲート22はオフし
電源から()NDに貫通電流が流れるのを阻止する。仄
に制御信号27が00時Pチャンネルトランジスタ11
とNチャンネルトランジスタ16は共にオフし、伝達ゲ
ート22がオンし、第2図の回路はデータ信号26から
見て等測的に2段のインバータとなシ出力28にはデー
タ信号26が出力される。第2図から明らかなように、
本実施例によるCMO8型3ステート出力回路はPチャ
ンネルトランジスタが5個、Nチャンネルトランジスタ
が5個で合計10個である。
このよのに本発明によれはCMO8型3ステート出力回
路のトランジスタが少なくなシ、集積回路のチップ面積
の縮小が可能となる。
路のトランジスタが少なくなシ、集積回路のチップ面積
の縮小が可能となる。
第1図は従来のCMO83ステート出力回路の論理回路
図、第2図は本発明の一実施例を示す等価回路図である
。 なお図中、1,21,23・・・・・・インバータ、2
・・・・・・2人力NAND回路、3・・・・・・2人
力NOR回路、22・・・・・・伝達ゲート、4,11
,12,13.1415・・・・・・Pチャンネルトラ
ンジスタ、5,16゜17,18,19,20・・団・
Nチャンネルトランジスタ、6.26・・・・・・デー
タイ訃也 7,27・叶・制御43号、8.28・・団
・出力、でめる。
図、第2図は本発明の一実施例を示す等価回路図である
。 なお図中、1,21,23・・・・・・インバータ、2
・・・・・・2人力NAND回路、3・・・・・・2人
力NOR回路、22・・・・・・伝達ゲート、4,11
,12,13.1415・・・・・・Pチャンネルトラ
ンジスタ、5,16゜17,18,19,20・・団・
Nチャンネルトランジスタ、6.26・・・・・・デー
タイ訃也 7,27・叶・制御43号、8.28・・団
・出力、でめる。
Claims (1)
- 出力端子に接続された相補型絶縁ゲート電界効果トラン
ジスタインバーターと、ソースが電源に接続されドレイ
ンが核インバータのPチャンネルトランジスタのゲート
接続された第1および第2のPチャンネルトランジスタ
と、ソースが接地されドレインが該インバータのNチャ
ンネルトランジスタのゲートに接続された第1および第
2のNチャンネルトランジスタと、前記第1および第2
のPチャンネルトランジスタのドレインに一端が接続さ
れ他端が前記第1および第2のNチャンネルトランジス
タのドレインに接続された相補型絶縁ゲート電界効果ト
ランジスタ伝達ゲートとを含むこと′fr:特徴とする
3ステ一ト出力回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092745A JPS58209225A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 3ステ−ト出力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092745A JPS58209225A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 3ステ−ト出力回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209225A true JPS58209225A (ja) | 1983-12-06 |
Family
ID=14062947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57092745A Pending JPS58209225A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 3ステ−ト出力回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209225A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121619A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-30 | Fujitsu Ltd | 相補型3ステ−トmisゲ−ト回路 |
| JPS61216518A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Nec Corp | トライ・ステ−ト回路 |
| US4621208A (en) * | 1984-09-06 | 1986-11-04 | Thomson Components - Mostek Corporation | CMOS output buffer |
| JPS62188448A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-18 | Nec Corp | デ−タバス回路 |
| JPH04249917A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-09-04 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | スリーステート出力バッファ |
| US5296754A (en) * | 1989-09-27 | 1994-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Push-pull circuit resistant to power supply and temperature induced distortion |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57092745A patent/JPS58209225A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6121619A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-30 | Fujitsu Ltd | 相補型3ステ−トmisゲ−ト回路 |
| US4621208A (en) * | 1984-09-06 | 1986-11-04 | Thomson Components - Mostek Corporation | CMOS output buffer |
| JPS61216518A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Nec Corp | トライ・ステ−ト回路 |
| JPS62188448A (ja) * | 1986-02-13 | 1987-08-18 | Nec Corp | デ−タバス回路 |
| US5296754A (en) * | 1989-09-27 | 1994-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Push-pull circuit resistant to power supply and temperature induced distortion |
| JPH04249917A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-09-04 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | スリーステート出力バッファ |
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