JPS58212012A - 化合物超電導線の製造方法 - Google Patents
化合物超電導線の製造方法Info
- Publication number
- JPS58212012A JPS58212012A JP57094562A JP9456282A JPS58212012A JP S58212012 A JPS58212012 A JP S58212012A JP 57094562 A JP57094562 A JP 57094562A JP 9456282 A JP9456282 A JP 9456282A JP S58212012 A JPS58212012 A JP S58212012A
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- Japan
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- compound
- elements
- producing compound
- wire
- superconductive conductor
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- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
関するものである。
従来の化付物超電導線をイン サイチュー法により例え
ばＮｂ３Ｓｎ ＩＭを製造する場合、第１因に示すヌ（
１ （ Ｎｂ ＪとＣｕ２との複合線３を撚曾せた後、
その外周に８ｎ４ｆホツトデツｆ床により被覆し、これ
を６００〜８００℃の高温にて拡散熱処理を行ってＮｂ
ｓ Ｓ ｎの化′合物超電導線を形成せしめるもので
あった。
ばＮｂ３Ｓｎ ＩＭを製造する場合、第１因に示すヌ（
１ （ Ｎｂ ＪとＣｕ２との複合線３を撚曾せた後、
その外周に８ｎ４ｆホツトデツｆ床により被覆し、これ
を６００〜８００℃の高温にて拡散熱処理を行ってＮｂ
ｓ Ｓ ｎの化′合物超電導線を形成せしめるもので
あった。
然しなからこの方法による場合、素線衣面ようによる凹
凸の空隙部が形成されるため、その後のＳｎの被着層を
均一にすることが出来ず厚層部と薄層部を生成する。従
って上記の拡散熱処理を均一に行うことが出来ず厚層部
のＳｎが未拡散の状態のまま残ると共にＳｎとＣｕとの
固溶においてもＣｕに近接する部分から順次固溶する７
ＯＳら厚層部における離れた位置のＳｎほ置型のＣｕと
固溶するため、そのためＳｎ重の多いＳｎＣｕ合金を形
成し浴１′ジ温度はＳｎとはどんと変らす、上記未拡散
の残存Ｓｎと共にこｎらの低融点の釡属は拡散熱処理時
に重力方向にダレを生じこれによって仏散反応後の導体
サイズは変形し巻線としだ場＠均質なものをうろことが
出来ない。なお上記の如くｔ融点金属のダレ下りにより
その部分に拡散染イドを形成するものでめった。
凸の空隙部が形成されるため、その後のＳｎの被着層を
均一にすることが出来ず厚層部と薄層部を生成する。従
って上記の拡散熱処理を均一に行うことが出来ず厚層部
のＳｎが未拡散の状態のまま残ると共にＳｎとＣｕとの
固溶においてもＣｕに近接する部分から順次固溶する７
ＯＳら厚層部における離れた位置のＳｎほ置型のＣｕと
固溶するため、そのためＳｎ重の多いＳｎＣｕ合金を形
成し浴１′ジ温度はＳｎとはどんと変らす、上記未拡散
の残存Ｓｎと共にこｎらの低融点の釡属は拡散熱処理時
に重力方向にダレを生じこれによって仏散反応後の導体
サイズは変形し巻線としだ場＠均質なものをうろことが
出来ない。なお上記の如くｔ融点金属のダレ下りにより
その部分に拡散染イドを形成するものでめった。
又第１図の如′く丸線を集会した撚線においては・ ケ
ーブルの外周が平滑でないため、曲けたときの応力が均
一でなく一部に集中し歪が不均一となり歪の大きな部分
の超電導性化合物に微ｍな亀裂を生じ臨界電流値が低下
するものであった０ 本発明はかかる欠点を改善せんとして鋭意研兇を行った
結果 素巌集台型外部瓜散化合物超篭４殊の外径サイズ
の均−化及び応力の集中を緩和しうる製造方法全見出し
たものである。即ち不発明方法は超電導化合物を構成す
る元素の門少くとも一部の元素で抜機され、他方の元素
←を→γ自失するまで圧縮加工し１こ集合体又は乗せし
た状態で空隙刀≦生じない断面形状に予め成形され且つ
上記−万の元素で材長され、炬の元系金言ひ素線の所望
数からなる集合体とを化合物生成温度に加熱すること専
−徴とするものである。
ーブルの外周が平滑でないため、曲けたときの応力が均
一でなく一部に集中し歪が不均一となり歪の大きな部分
の超電導性化合物に微ｍな亀裂を生じ臨界電流値が低下
するものであった０ 本発明はかかる欠点を改善せんとして鋭意研兇を行った
結果 素巌集台型外部瓜散化合物超篭４殊の外径サイズ
の均−化及び応力の集中を緩和しうる製造方法全見出し
たものである。即ち不発明方法は超電導化合物を構成す
る元素の門少くとも一部の元素で抜機され、他方の元素
←を→γ自失するまで圧縮加工し１こ集合体又は乗せし
た状態で空隙刀≦生じない断面形状に予め成形され且つ
上記−万の元素で材長され、炬の元系金言ひ素線の所望
数からなる集合体とを化合物生成温度に加熱すること専
−徴とするものである。
不発明方法の１例を図、面により胱明する。、第２図に
示す如＜Ｎｂ３Ｓｎ粉を成形するに際しＮｂ３Ｓｎヲ構
成する１万の元素であるＮｂ ｌとＣｕ２との複合線３
の外周に他方の元素であるＳｎ４を予めメッキした索線
を、複数本撚合せた佐・ダイス引き、ローラーダイス引
き或はタークスへラドロール引き等により紫＃Ｒ間に空
隙を消失せしめ且つ外周面を平滑になるまで圧縮刀ロエ
を行って集合体とし次いで循散熱処理を行って本発明Ｎ
ｂ５ＳＨの化θ物超゛亀導紛をえたものである。
示す如＜Ｎｂ３Ｓｎ粉を成形するに際しＮｂ３Ｓｎヲ構
成する１万の元素であるＮｂ ｌとＣｕ２との複合線３
の外周に他方の元素であるＳｎ４を予めメッキした索線
を、複数本撚合せた佐・ダイス引き、ローラーダイス引
き或はタークスへラドロール引き等により紫＃Ｒ間に空
隙を消失せしめ且つ外周面を平滑になるまで圧縮刀ロエ
を行って集合体とし次いで循散熱処理を行って本発明Ｎ
ｂ５ＳＨの化θ物超゛亀導紛をえたものである。
又第３図は本発明方法の他の例を示すもので９ｆ）Ｎｂ
ｌとＣｕ ２との複合’Ｍ３の外周に５ｎ４ｆ予めメッ
キし、その外形が平角状に成形した紫極について上記と
同様の方法によｐ本発明Ｎｂ ３ Ｓ ｎの化合物超電
導綴金えた。
ｌとＣｕ ２との複合’Ｍ３の外周に５ｎ４ｆ予めメッ
キし、その外形が平角状に成形した紫極について上記と
同様の方法によｐ本発明Ｎｂ ３ Ｓ ｎの化合物超電
導綴金えた。
父不発明万云においては拡散熱処理工程を行う前に集合
体の外周とガラスチーブなどにより杷様被榎してもよく
、又先縁された集合体を和会ぜてもよい。 ′：′１ 次に本発明の実施例について脱明する。
体の外周とガラスチーブなどにより杷様被榎してもよく
、又先縁された集合体を和会ぜてもよい。 ′：′１ 次に本発明の実施例について脱明する。
実施例
銅粉にパナノウム粉が３５ ａｉ％になるように配合し
、圧縮体とした後、アーク溶解炉で溶解し３０咽ψのイ
ンゴットとした。このインゴ。
、圧縮体とした後、アーク溶解炉で溶解し３０咽ψのイ
ンゴットとした。このインゴ。
トを冷間加工によって０．３ ｍａφの線とし、この丸
線に厚さ１５μｍのＧａ會メッキを施した。このメソギ
線７本と撚合せダイスを用いて外形全スムース？デー（
０，９，ｍφ）とした。然る後３００℃において２５時
間予熱後、６００℃×５０時間拡散熱処理全行って本弁
明Ｖ ｓＧａ化龍超電導載をえた。
線に厚さ１５μｍのＧａ會メッキを施した。このメソギ
線７本と撚合せダイスを用いて外形全スムース？デー（
０，９，ｍφ）とした。然る後３００℃において２５時
間予熱後、６００℃×５０時間拡散熱処理全行って本弁
明Ｖ ｓＧａ化龍超電導載をえた。
又不発明方法と比較するために、上記実施例にお灯るス
ムースボデーを行わない以外はすべて同様にして比較例
ＶａＧａ化付物旭亀４Ｍをえた。
ムースボデーを行わない以外はすべて同様にして比較例
ＶａＧａ化付物旭亀４Ｍをえた。
斯くして得た不発明方法による化合？ｌ超電導祿（不発
明品）と比較例方散による超電導線（比軟列品〕とにつ
いて、その外貌を戴祭したところ本先明品は平滑美薦で
あった〃】゛比軟？ｌＪ品ば撚目に沿ってダした金属が
不均一に分布し不均一であった＠ 父不発明品と比収例品について４゜２に、１２Ｔにて臨
界電流値をかり足した。その結果は第１狭に示す通りで
ある。
明品）と比較例方散による超電導線（比軟列品〕とにつ
いて、その外貌を戴祭したところ本先明品は平滑美薦で
あった〃】゛比軟？ｌＪ品ば撚目に沿ってダした金属が
不均一に分布し不均一であった＠ 父不発明品と比収例品について４゜２に、１２Ｔにて臨
界電流値をかり足した。その結果は第１狭に示す通りで
ある。
第 １ 表
以上評述した如く本発明方法によれは拡散反応に必要な
ね電導化合物ｔＳ取する元素を葉緑の閃面に均一な厚さ
に杉瓜されるためｔ￥１．反応恢の導体形状に変形を生
することがなく、★れた＠腺をうることかできる。又慾
紛による集合体の立面が平悄であるため曲は加工による
も応力が集中することなく、これによる＠ｔ４ 練の幇
５七１ハ下趣しめること刀・ない等に者な匁未を有する
。
ね電導化合物ｔＳ取する元素を葉緑の閃面に均一な厚さ
に杉瓜されるためｔ￥１．反応恢の導体形状に変形を生
することがなく、★れた＠腺をうることかできる。又慾
紛による集合体の立面が平悄であるため曲は加工による
も応力が集中することなく、これによる＠ｔ４ 練の幇
５七１ハ下趣しめること刀・ない等に者な匁未を有する
。
導線の斜視図、箕２図段ひ第３図ａ本先明方法によりえ
た化合物厄亀線の１例を示す斜視図である。
た化合物厄亀線の１例を示す斜視図である。
ｌ・・ニオブ、２・・刑、３・・・複合瞭、４・・・錫
。
。
出願人代理人 計理士 鈴 江 武 彦才１図
Claims (1)
- 超電導化合物を構成する元素の円少くとも一方の元素で
被覆され、他方の元素を含む素線の所望数を組合せ、累
馳間の空隙がほぼ消失するまで圧縮加工した集合体又は
集合した状態で空隙が生じない断面形状に予め形成され
且つ上記−万の元素で被覆され、他の元素を含み素線の
所望数からなる集合体を化合物生成温度に加熱すること
を％徴とする化合物超電４機の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094562A JPS58212012A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 化合物超電導線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57094562A JPS58212012A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 化合物超電導線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58212012A true JPS58212012A (ja) | 1983-12-09 |
Family
ID=14113753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57094562A Pending JPS58212012A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 化合物超電導線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58212012A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103813A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Fujikura Ltd | 化合物系超電導線およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS522599A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Yukio Matsuda | Selecting device for documents storage safe |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP57094562A patent/JPS58212012A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS522599A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Yukio Matsuda | Selecting device for documents storage safe |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02103813A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-16 | Fujikura Ltd | 化合物系超電導線およびその製造方法 |
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