JPS58219139A - 触媒によるアルド−ル縮合 - Google Patents
触媒によるアルド−ル縮合Info
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- JPS58219139A JPS58219139A JP58097036A JP9703683A JPS58219139A JP S58219139 A JPS58219139 A JP S58219139A JP 58097036 A JP58097036 A JP 58097036A JP 9703683 A JP9703683 A JP 9703683A JP S58219139 A JPS58219139 A JP S58219139A
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/007—Mixed salts
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/16—Clays or other mineral silicates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F7/00—Compounds of aluminium
- C01F7/78—Compounds containing aluminium, with or without oxygen or hydrogen, and containing two or more other elements
- C01F7/784—Layered double hydroxide, e.g. comprising nitrate, sulfate or carbonate ions as intercalating anions
- C01F7/785—Hydrotalcite
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/61—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups
- C07C45/67—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton
- C07C45/68—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton by increase in the number of carbon atoms
- C07C45/72—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton by increase in the number of carbon atoms by reaction of compounds containing >C = O groups with the same or other compounds containing >C = O groups
- C07C45/74—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton by increase in the number of carbon atoms by reaction of compounds containing >C = O groups with the same or other compounds containing >C = O groups combined with dehydration
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/14—The ring being saturated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/16—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring the ring being unsaturated
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱処理した合成アニオン粘土鉱物質を触媒と
するアルドール縮合−二かかわる。更に特定するに、本
発明は、上記の粘土鉱物質触媒を用いてアセトンをメシ
チルオキシドおよびイソホロンに転化させることにかか
わる。
するアルドール縮合−二かかわる。更に特定するに、本
発明は、上記の粘土鉱物質触媒を用いてアセトンをメシ
チルオキシドおよびイソホロンに転化させることにかか
わる。
活性水素含有有機カルボニル化合物のアルドール縮合は
、化学業界において、無数の有機化合物を合成するのに
広く用いられてきた。この縮合反応に当初用いられた触
媒はアルカリ金属水酸化物の如き塩基であって、2−エ
チルヘキサンジオール−1,5,2−エチルへキサノー
ル−1、ジアセトンアルコール、イソホロン、メシチル
オキシド、メチルイソアミルケトンおよびメチルイソブ
チルナトンの製造に使われた。
、化学業界において、無数の有機化合物を合成するのに
広く用いられてきた。この縮合反応に当初用いられた触
媒はアルカリ金属水酸化物の如き塩基であって、2−エ
チルヘキサンジオール−1,5,2−エチルへキサノー
ル−1、ジアセトンアルコール、イソホロン、メシチル
オキシド、メチルイソアミルケトンおよびメチルイソブ
チルナトンの製造に使われた。
アルドール縮合により、例えば、アセトンを広範囲の化
合物、特に、工業溶剤中に用いられ或いは樹脂、染料、
殺虫剤の中間体として用いられるイソホロンおよびメシ
チルオキシドに転化させるための種々の方法が文献に開
示されている。
合物、特に、工業溶剤中に用いられ或いは樹脂、染料、
殺虫剤の中間体として用いられるイソホロンおよびメシ
チルオキシドに転化させるための種々の方法が文献に開
示されている。
アセトンを用いる一般的なアルドール縮合反応から生ず
る副生物には、ジアセトンアルコール、4.4 ’−、
ジメチルへブタ−2,6−シオン、4.6−ジメチルへ
ブタ−45−ジエン−2−オン、45.5−)ソーメチ
ルシクロヘキサ−3−エン−オン、メシチレン、2,2
,6.6−ナトラメチルテトラヒドロピランー4−オン
、キシリドンおよびイソキシリドン並びに未確認の各穂
高沸点物質ないしタールが含まれる。而して、ア七トン
を所期目的化合物に直接転化させることで工業的に成功
するには、反応の特異性を制御せねばならない。
る副生物には、ジアセトンアルコール、4.4 ’−、
ジメチルへブタ−2,6−シオン、4.6−ジメチルへ
ブタ−45−ジエン−2−オン、45.5−)ソーメチ
ルシクロヘキサ−3−エン−オン、メシチレン、2,2
,6.6−ナトラメチルテトラヒドロピランー4−オン
、キシリドンおよびイソキシリドン並びに未確認の各穂
高沸点物質ないしタールが含まれる。而して、ア七トン
を所期目的化合物に直接転化させることで工業的に成功
するには、反応の特異性を制御せねばならない。
アセトンをイソホロンおよびメシチルオキシドに転化さ
せるのに従前用いられた触媒を例示するなら、次の如き
化合物が挙げられる: ナトリウム、力へ五およびリチ
ウムの如きアルカリ金属の水酸化物; カルシウム、
マグネシウム、ストシンチウムおよびバリウムの如きア
ルカリ土類の水酸化物; アルミン酸カルシウム、はう
酸カルシウム、亜鉛酸カリウム、鉛酸マグネシウム、ア
ルミン酸バリウム、鉛酸リチウム、はう酸ナトリウム、
錫酸ストシンチウム、錫酸カリウム、はう酸カルシウム
、アンチモン酸マグネシウム、アンチモン酸ナトリウム
、ひ酸カルシウム、ひ酸ナトリウム、チタン酸カリウム
、亜鉛酸カルシウム、アルミン酸マグネシウム、アル叱
ン酸ベリリウム、はう酸セシウム、ひ酸ルビジウム、り
ん酸リチウムおよび酸化マグネシウム。
せるのに従前用いられた触媒を例示するなら、次の如き
化合物が挙げられる: ナトリウム、力へ五およびリチ
ウムの如きアルカリ金属の水酸化物; カルシウム、
マグネシウム、ストシンチウムおよびバリウムの如きア
ルカリ土類の水酸化物; アルミン酸カルシウム、はう
酸カルシウム、亜鉛酸カリウム、鉛酸マグネシウム、ア
ルミン酸バリウム、鉛酸リチウム、はう酸ナトリウム、
錫酸ストシンチウム、錫酸カリウム、はう酸カルシウム
、アンチモン酸マグネシウム、アンチモン酸ナトリウム
、ひ酸カルシウム、ひ酸ナトリウム、チタン酸カリウム
、亜鉛酸カルシウム、アルミン酸マグネシウム、アル叱
ン酸ベリリウム、はう酸セシウム、ひ酸ルビジウム、り
ん酸リチウムおよび酸化マグネシウム。
加えて、近年発見されたマグネシウム−アルミニウム水
酸化物を基剤とする触媒が米国特許第4.165,55
9号に開示されている。この触媒は、アセトンの、メシ
チルオキシドおよびイソホロンへの転化において、1回
通し当り約15〜18%の転化率で約80%の効率をも
たらす。
酸化物を基剤とする触媒が米国特許第4.165,55
9号に開示されている。この触媒は、アセトンの、メシ
チルオキシドおよびイソホロンへの転化において、1回
通し当り約15〜18%の転化率で約80%の効率をも
たらす。
本発明の一つの目的は、特にアセトンをメシチルオキシ
ドとイソホロンに転化させるのに効率、転化率共に高い
アルドール縮合用触媒を提供するイソホロンを生成し、
加えてこれら画体合物に対する工業的WI要に合せるよ
うメシチルオキシド/イソホロンの生成モル比を低い値
好ましくは1未満に限定すべくアセトンの縮合を制御す
ることである。
ドとイソホロンに転化させるのに効率、転化率共に高い
アルドール縮合用触媒を提供するイソホロンを生成し、
加えてこれら画体合物に対する工業的WI要に合せるよ
うメシチルオキシド/イソホロンの生成モル比を低い値
好ましくは1未満に限定すべくアセトンの縮合を制御す
ることである。
本発明の更に別の目的は、アセトンの上記アルドール縮
合用触媒にして、 活性が高く且つ一定であり、しかも再現性があり、 触媒寿命が長く、 容易に再生し得− より安価で且つ入手しやすい という性質をもつ触媒を提供することである。
合用触媒にして、 活性が高く且つ一定であり、しかも再現性があり、 触媒寿命が長く、 容易に再生し得− より安価で且つ入手しやすい という性質をもつ触媒を提供することである。
本発明の更に別の目的は、一般に活性水素含有有機カル
ボニル化合物をアルドール縮合するための触媒および方
法を提供することである。
ボニル化合物をアルドール縮合するための触媒および方
法を提供することである。
然るに、活性水素含有有機化合物をアルドール縮合する
ための改良触媒が開発された。かかる物質は、適当な熱
賦活後室的にまさった触媒になる合成アニオン粘土鉱物
質を基剤とする。
ための改良触媒が開発された。かかる物質は、適当な熱
賦活後室的にまさった触媒になる合成アニオン粘土鉱物
質を基剤とする。
この合成無機鉱物質はハイドロタルク石−ショグレン石
−バイpオーライトおよび関連鉱物質類に属する。これ
らの典型的な組成は次式によって表わされる: M、、NN11(OH)t+mnAa−bu、。
−バイpオーライトおよび関連鉱物質類に属する。これ
らの典型的な組成は次式によって表わされる: M、、NN11(OH)t+mnAa−bu、。
ここでMは二価の金属カチオンであり、Nは三価の金属
カチオンであり、 Aは、約300〜500℃でヒト四キシルイオンに分解
する一価、二価若しくは三価アニオンであり、 mおよびnは、m/n比が1〜約6の値を有する如き整
数であり、 aは整数であるが、Aが一価アニオンであるときa=n
、Aが二価アニオンであるときa=172n、人が三価
アニオンであるときa = 2 / B nであり、b
は0〜10の値を有するW&数である。
カチオンであり、 Aは、約300〜500℃でヒト四キシルイオンに分解
する一価、二価若しくは三価アニオンであり、 mおよびnは、m/n比が1〜約6の値を有する如き整
数であり、 aは整数であるが、Aが一価アニオンであるときa=n
、Aが二価アニオンであるときa=172n、人が三価
アニオンであるときa = 2 / B nであり、b
は0〜10の値を有するW&数である。
上記合成アニオン粘土鉱物質は、これを約300〜60
0℃の温度に加熱してそのアニオン部分をヒト四キシル
イオンへと分解することにより、アルドール縮合で実際
に使われる触媒に転化せしめられる。
0℃の温度に加熱してそのアニオン部分をヒト四キシル
イオンへと分解することにより、アルドール縮合で実際
に使われる触媒に転化せしめられる。
該物質の構造は本質上ブルース石(Mg(OH)* )
のそれである。すなわち、ブルース石の場合、Mg金属
はとド四キシルの八面体環境中にあり、八面体同士は縁
部を共有して長いシートを構成し、またシート同士は紙
シートのよ−うに互いに積み重なっている。而して、例
えば、ハイドロタルク石の場合、マグネシウムとアルミ
ニウムは、酸化金属シートを構成するへ曲体内にある。
のそれである。すなわち、ブルース石の場合、Mg金属
はとド四キシルの八面体環境中にあり、八面体同士は縁
部を共有して長いシートを構成し、またシート同士は紙
シートのよ−うに互いに積み重なっている。而して、例
えば、ハイドロタルク石の場合、マグネシウムとアルミ
ニウムは、酸化金属シートを構成するへ曲体内にある。
各アル1ニウムカチオンはマグネシウムカチオンよりも
陽電荷が1個多いので、酸化金属シートは、アル1ニウ
ムイオン1個につき1単位の陽電荷を帯びているOこれ
は、格子間に位置せる適当なアニオンによって相殺され
る。加えて、各金属イオンシートの間には成る程度の水
分子が位置づけられている。かかる鉱物質は合成するこ
とができる。そして、該合成はM+* /N+s比やア
ニオンの種類、その他種々の特性値の巾広い変更を許容
する。これについては後で詳述する0 合成物質は、それ自体部分的にしか活性でないが、熱処
理することによって、高活性触媒に転化せしめられる。
陽電荷が1個多いので、酸化金属シートは、アル1ニウ
ムイオン1個につき1単位の陽電荷を帯びているOこれ
は、格子間に位置せる適当なアニオンによって相殺され
る。加えて、各金属イオンシートの間には成る程度の水
分子が位置づけられている。かかる鉱物質は合成するこ
とができる。そして、該合成はM+* /N+s比やア
ニオンの種類、その他種々の特性値の巾広い変更を許容
する。これについては後で詳述する0 合成物質は、それ自体部分的にしか活性でないが、熱処
理することによって、高活性触媒に転化せしめられる。
300@以上に加熱すると、間隙水分子と7ニオンの分
解生成物が追い出され、またヒドロキシル基は水と金属
酸化物とに転化せしめられる。ハイド四タルク石の化学
量論は次の如くである: Mgs A 1! (OH)1s CCO@ )=・4
H,0→ Mgs Alt Oy (OH)!+ CO
2+ 12H! 0揮発性の二酸化炭素と水は逃げ、残
留物は金属酸化物の均一混合物であって、該酸化物の骨
格上には、M+” 1個当りは鵞1個の水酸化物が残っ
ている。この加熱プ四セスにおける別の影智については
後に記述する。
解生成物が追い出され、またヒドロキシル基は水と金属
酸化物とに転化せしめられる。ハイド四タルク石の化学
量論は次の如くである: Mgs A 1! (OH)1s CCO@ )=・4
H,0→ Mgs Alt Oy (OH)!+ CO
2+ 12H! 0揮発性の二酸化炭素と水は逃げ、残
留物は金属酸化物の均一混合物であって、該酸化物の骨
格上には、M+” 1個当りは鵞1個の水酸化物が残っ
ている。この加熱プ四セスにおける別の影智については
後に記述する。
本触媒の一般的!lll1造方法は、Mg/AI/カー
ボ′ネートハイ帥タルク石の製造によって例示される。
ボ′ネートハイ帥タルク石の製造によって例示される。
それは、混成マグネシウム/アルミニウム硝酸塩、硫酸
塩又は塩化物水溶液を、化学置論的量のナトリウ今水酸
化物および炭酸塩溶液に竺しくかき混ぜながら数時間に
わたり約25〜35℃で加えでスラリーな形成すること
を包含する。次いで、成る限定値の結晶化を生起させる
ために、このスラリーを約50〜200℃(好ましくは
60〜75℃)で約18時間加熱する。固形物をf別し
たのち、また洗浄および乾燥を介して、乾いた固形物が
同数される〇 この手順は、Mg/At比、アニオンおよびカチオン置
換における変化に容易に順応しうる0炭酸ナトリウムの
存在は一過速度を著しく高める。而して、炭酸ナトリウ
ムの不在は、e別することが非常にむづかしい泥状物を
もたらす。
塩又は塩化物水溶液を、化学置論的量のナトリウ今水酸
化物および炭酸塩溶液に竺しくかき混ぜながら数時間に
わたり約25〜35℃で加えでスラリーな形成すること
を包含する。次いで、成る限定値の結晶化を生起させる
ために、このスラリーを約50〜200℃(好ましくは
60〜75℃)で約18時間加熱する。固形物をf別し
たのち、また洗浄および乾燥を介して、乾いた固形物が
同数される〇 この手順は、Mg/At比、アニオンおよびカチオン置
換における変化に容易に順応しうる0炭酸ナトリウムの
存在は一過速度を著しく高める。而して、炭酸ナトリウ
ムの不在は、e別することが非常にむづかしい泥状物を
もたらす。
水性水酸化物/炭酸塩溶液への金属イオン添加速度も、
また反応温度もさほど臨界的でない。かくして、添加速
度は広く変動しうる。重要なことは、金属イオン溶液と
水酸化物−炭酸塩溶液とを十分に混合することである。
また反応温度もさほど臨界的でない。かくして、添加速
度は広く変動しうる。重要なことは、金属イオン溶液と
水酸化物−炭酸塩溶液とを十分に混合することである。
もし、効率的な攪拌を実施しないなら、不所望な反応が
生起して有用生成物をもたらさない。添加温度は好まし
くは100℃未満に保持される。
生起して有用生成物をもたらさない。添加温度は好まし
くは100℃未満に保持される。
これにより、XII分析で本質上無定形のマグネシウム
−了ルミニウム水酸化物スラリーが形成される。適当な
加熱エージング又は結晶化後はじめてP別し且つ乾燥す
ることによって、固形物はよく画成されたXII粉末図
形を示す。この結晶化は本触媒製造の重要部分である。
−了ルミニウム水酸化物スラリーが形成される。適当な
加熱エージング又は結晶化後はじめてP別し且つ乾燥す
ることによって、固形物はよく画成されたXII粉末図
形を示す。この結晶化は本触媒製造の重要部分である。
結晶化温度が低すぎる(50°未満である)と、結晶形
成速度が遅すぎて実用的でない。昇温(>2oo°/1
8hr)では、結晶生長が非常に迅速化し、過度に大き
な結晶を生じうる0約65〜75°/ 18 h、rの
中間温度を選ぶことが好ましい。それによって、100
〜120 m”7g (BIT/Nl法)の表面積を有
する約150〜300人寸法の結晶が得られるO □ 引続く熱処理は非常に重要である。これは300
〜500℃の温度において大気中又は不活性ガス流れ中
、或いは減圧下でさえ実施することができる。この加熱
温度は非常に臨界的である。300℃以下では、ハイド
Uタルク石の分解が遅く、不完全である。600℃より
高い温度では、生成せる混合金属酸化物が焼結し且つ表
−積、気孔容量を減損して触媒上不活性な相(スピネル
MgA1!04−)を形成しはじめる。400〜450
’の温度範囲は触媒の表面積および気孔容量を最大限に
し、また反応を適度な時間内(18hr)で完遂させる
ように思える0 この時点で、微細粉、末はペレット化又は押出成形に付
されて、耐摩耗耐衝撃性を示し固定床接触転化器内で効
果的に機能することのできる粒子を形成しうる0この粒
子形成を促進するために、通常酸る蓋(2%未満]のグ
ラフアイ)が加えられるO この熱処理せる物質を活性且つ効果的な触媒とするため
に、格子間アニオンが特定基準に合う必要がある0すな
わち、350〜500℃に加熱したとき、該アニオンは
次式 %式% の如く分解して揮発性ガスを形成しヒドロキシル基を後
に残すか、或いは、゛ H,0+ cr、o74 cr、o、+ts Ot+
20H−の如く分解して不活性金属酸化物とヒドロキシ
ル基を形成する。
成速度が遅すぎて実用的でない。昇温(>2oo°/1
8hr)では、結晶生長が非常に迅速化し、過度に大き
な結晶を生じうる0約65〜75°/ 18 h、rの
中間温度を選ぶことが好ましい。それによって、100
〜120 m”7g (BIT/Nl法)の表面積を有
する約150〜300人寸法の結晶が得られるO □ 引続く熱処理は非常に重要である。これは300
〜500℃の温度において大気中又は不活性ガス流れ中
、或いは減圧下でさえ実施することができる。この加熱
温度は非常に臨界的である。300℃以下では、ハイド
Uタルク石の分解が遅く、不完全である。600℃より
高い温度では、生成せる混合金属酸化物が焼結し且つ表
−積、気孔容量を減損して触媒上不活性な相(スピネル
MgA1!04−)を形成しはじめる。400〜450
’の温度範囲は触媒の表面積および気孔容量を最大限に
し、また反応を適度な時間内(18hr)で完遂させる
ように思える0 この時点で、微細粉、末はペレット化又は押出成形に付
されて、耐摩耗耐衝撃性を示し固定床接触転化器内で効
果的に機能することのできる粒子を形成しうる0この粒
子形成を促進するために、通常酸る蓋(2%未満]のグ
ラフアイ)が加えられるO この熱処理せる物質を活性且つ効果的な触媒とするため
に、格子間アニオンが特定基準に合う必要がある0すな
わち、350〜500℃に加熱したとき、該アニオンは
次式 %式% の如く分解して揮発性ガスを形成しヒドロキシル基を後
に残すか、或いは、゛ H,0+ cr、o74 cr、o、+ts Ot+
20H−の如く分解して不活性金属酸化物とヒドロキシ
ル基を形成する。
格子間アニオンが500℃未満の温度でこのように分解
し得ない場合、生成せる加熱物質は事実上触媒として不
活性である。その理由は、アニオンかもとのま−であ?
、触媒上必要なヒドロキシル基を生成することができな
いということである。
し得ない場合、生成せる加熱物質は事実上触媒として不
活性である。その理由は、アニオンかもとのま−であ?
、触媒上必要なヒドロキシル基を生成することができな
いということである。
かくして、これらの状況下では、so、”、poi、
jCIo、7、BO3:、F″′、C1−1B
r″″および!−が分 1解したり揮発したすせず
、そのため該加熱物質は触媒活性に欠ける。
jCIo、7、BO3:、F″′、C1−1B
r″″および!−が分 1解したり揮発したすせず
、そのため該加熱物質は触媒活性に欠ける。
特に望ましい格子間アニオンは、t4−ブタン、デカン
およびドブ胃ンジカルボキシレートの如き長鎖脂肪族α
、ω−ジ′JJ/I/ボキシレートであるように思える
。かかるアニオン呻、下記ヤ、如き二つの態様で機能す
るように思える。すなわち、−この大きなアニオンは金
属水酸化物シー)同士の空間を約3〜5kから約20人
に広げ、また − 酸化焼失時、CO諺とH,0に燃焼する炭化水素の
容量は、それが結晶格子を更に広げるようなものであり
、それによって通常、高い表面積(約zsom”7g)
および気孔容量(約1 ec / g )を有する触媒
がもたらされる。
およびドブ胃ンジカルボキシレートの如き長鎖脂肪族α
、ω−ジ′JJ/I/ボキシレートであるように思える
。かかるアニオン呻、下記ヤ、如き二つの態様で機能す
るように思える。すなわち、−この大きなアニオンは金
属水酸化物シー)同士の空間を約3〜5kから約20人
に広げ、また − 酸化焼失時、CO諺とH,0に燃焼する炭化水素の
容量は、それが結晶格子を更に広げるようなものであり
、それによって通常、高い表面積(約zsom”7g)
および気孔容量(約1 ec / g )を有する触媒
がもたらされる。
これは、非常に活性な触媒物質に帰着する。
アセトンは、そのアルドール縮合生成物(すなわちイソ
ホロンおよびメシチルオキシド)が工業上重要であるた
め、ハイド資タルク石触媒と一緒に用いられる好ましい
活性水素含有有機カルボニル物質であるが、他の物質も
かかる触媒上で容易にアルド−〃縮合に付される。その
代表的な例は後で示す。
ホロンおよびメシチルオキシド)が工業上重要であるた
め、ハイド資タルク石触媒と一緒に用いられる好ましい
活性水素含有有機カルボニル物質であるが、他の物質も
かかる触媒上で容易にアルド−〃縮合に付される。その
代表的な例は後で示す。
本発明の触媒を用いてアセトンをメシチルオキシドおよ
びイソホロンに転化させる好適な温度は約250〜35
0℃範囲であり、より好ましい範囲は約280〜320
℃である。
びイソホロンに転化させる好適な温度は約250〜35
0℃範囲であり、より好ましい範囲は約280〜320
℃である。
圧力はさほど臨界的でないが、約1〜5気圧が好ましい
。而して、本発明触媒によるアセトンの転化は、必要に
応じて、大気圧、減圧又は過圧のいずれでも遂行される
。
。而して、本発明触媒によるアセトンの転化は、必要に
応じて、大気圧、減圧又は過圧のいずれでも遂行される
。
アセシンの供給速度はさiど臨界的でないが、効率的操
作には、触媒の単位(t7当り約20〜1401b/h
r範囲のアセトン供給速度が好ましい。コレハ、約90
〜70 [j ft”気体アセトン/ft1触媒/hr
という時間当りの気相空間速度に相当する◎約300℃
、3気圧での好ましい接触時間は約5〜40秒である。
作には、触媒の単位(t7当り約20〜1401b/h
r範囲のアセトン供給速度が好ましい。コレハ、約90
〜70 [j ft”気体アセトン/ft1触媒/hr
という時間当りの気相空間速度に相当する◎約300℃
、3気圧での好ましい接触時間は約5〜40秒である。
アセト、ンの転化率を約5〜40重量%範Hに保持する
ことが好ま−しい。
ことが好ま−しい。
驚くべきことに、本発明の触媒の寿命は長く、約25,
000時間を越え、アセトンの効率的転化に適している
。かかる触媒の別の意外な性質は、該触媒を空気又は酸
素の存在下約250〜450℃範囲の温度で加熱し該触
媒上に粘着している重合体および非揮発性副化物を全て
焼去することよりなる再生によって、触媒寿命が更に引
き延ばされるという事実である。驚くべきことに、再生
された触媒は、活性および効率の点で元の触媒と同じか
、多くの場合それよりも高い。
000時間を越え、アセトンの効率的転化に適している
。かかる触媒の別の意外な性質は、該触媒を空気又は酸
素の存在下約250〜450℃範囲の温度で加熱し該触
媒上に粘着している重合体および非揮発性副化物を全て
焼去することよりなる再生によって、触媒寿命が更に引
き延ばされるという事実である。驚くべきことに、再生
された触媒は、活性および効率の点で元の触媒と同じか
、多くの場合それよりも高い。
アセトンの転化に関する用語転化率および効率は次の如
く定紬される: 転化率= 101 X(B/A) 効 率= 10”X(M80+y )/Bここで A=アセトンの全供給当量、 B=生成物中の全ア七トン当証、 M80=メシチルオキシド生成物中の全アセトン当量、
□パ ■=イソホロン生成物中の全アセトン当量。
く定紬される: 転化率= 101 X(B/A) 効 率= 10”X(M80+y )/Bここで A=アセトンの全供給当量、 B=生成物中の全ア七トン当証、 M80=メシチルオキシド生成物中の全アセトン当量、
□パ ■=イソホロン生成物中の全アセトン当量。
本明Ill書中用語「アセトン当量」は、アセトンの場
合1、メシチルオキシドの場合2、そしてイソホロンの
場合3である。それは、単に、反応形又は未反応形のい
ずれであれアセトンの各モルが反応器に供給され該器内
に通されるということを説明するにすぎない〇 純度99%以上の無水アセトン供給物を用いることによ
って最も高い速度および効率が達成されるが、純度が約
70重量メ程度に低く残分がメシチルオキシド、水並び
に、イソプルパノールおよびヘキセンの如き他の物質よ
りなるアセ)ンに対しても本発明を用いることができる
。
合1、メシチルオキシドの場合2、そしてイソホロンの
場合3である。それは、単に、反応形又は未反応形のい
ずれであれアセトンの各モルが反応器に供給され該器内
に通されるということを説明するにすぎない〇 純度99%以上の無水アセトン供給物を用いることによ
って最も高い速度および効率が達成されるが、純度が約
70重量メ程度に低く残分がメシチルオキシド、水並び
に、イソプルパノールおよびヘキセンの如き他の物質よ
りなるアセ)ンに対しても本発明を用いることができる
。
本発明に従ったアセトンの、メシチルオキシドおよびイ
ソホロンへの転化は好ましくは、固定触媒床上で実施さ
れる◇ 本発明の触媒は、担体を必要とせずに、任意形状へとペ
レツ(化、押出成形又は造形されうるが、必要に応じて
、不活性物質上に担持されるよう処方することもで誉る
〇 これら触媒の組成物を二つの方法によって試験した。そ
の一つは、パルス反応器兼ガスクロマトグラフィー装置
を用いるもので、該装置により迅速且つ半定量的なデー
タが得られる。これは主に。
ソホロンへの転化は好ましくは、固定触媒床上で実施さ
れる◇ 本発明の触媒は、担体を必要とせずに、任意形状へとペ
レツ(化、押出成形又は造形されうるが、必要に応じて
、不活性物質上に担持されるよう処方することもで誉る
〇 これら触媒の組成物を二つの方法によって試験した。そ
の一つは、パルス反応器兼ガスクロマトグラフィー装置
を用いるもので、該装置により迅速且つ半定量的なデー
タが得られる。これは主に。
後続テストに備えて高活性触媒を検出するスクリーニン
グ装置として用いられた。又、反応化学、その他の特性
をこの方法によって試験した〇二番目の方法は内径11
nのパイ四ツ)プラント反応器によるもので、この装置
を用い長期のテストを行なった〇 本触媒系の発見に使われた最初のスクリーニング操作を
、修正せるHavl@tt−Pmekardモデル57
50−Bのガスクロマトグラフよりなるパルス反応器で
遂行した。このガスクロマトグラフ分離カラムは、Ch
romosorb T (Johns −Manvi
11n社より市販されているポリテトラフルオルエチレ
ン担体〕上20%Carbowax 20 M (約1
8,000のフオーミュラ分装置範囲を有するポリエチ
レングリコールに対するUnion Carbide社
の商標)を充填した長さ10 ft、径1781mのも
のである。
グ装置として用いられた。又、反応化学、その他の特性
をこの方法によって試験した〇二番目の方法は内径11
nのパイ四ツ)プラント反応器によるもので、この装置
を用い長期のテストを行なった〇 本触媒系の発見に使われた最初のスクリーニング操作を
、修正せるHavl@tt−Pmekardモデル57
50−Bのガスクロマトグラフよりなるパルス反応器で
遂行した。このガスクロマトグラフ分離カラムは、Ch
romosorb T (Johns −Manvi
11n社より市販されているポリテトラフルオルエチレ
ン担体〕上20%Carbowax 20 M (約1
8,000のフオーミュラ分装置範囲を有するポリエチ
レングリコールに対するUnion Carbide社
の商標)を充填した長さ10 ft、径1781mのも
のである。
プルグラミングスケジュールは8°/ m i nで7
0〜210℃であった。検出はfid (火炎イオン化
検出)によったが、より低感度のtc(3%伝導性)方
式を用いることもできる。検出器の温度は!100℃で
あった。ピーク積分法は電子工学により実施した。
0〜210℃であった。検出はfid (火炎イオン化
検出)によったが、より低感度のtc(3%伝導性)方
式を用いることもできる。検出器の温度は!100℃で
あった。ピーク積分法は電子工学により実施した。
300℃に保持せる注入部(1nj@etlon po
rt )は内径1741mで、その中に、触媒(約n0
5g)を充填した外径2■のガラスライナーを挿入した
。
rt )は内径1741mで、その中に、触媒(約n0
5g)を充填した外径2■のガラスライナーを挿入した
。
特に、裁断したシリコーンゴムの中隔は、ガス類がこの
ガラス製触媒保持器をバイパスしないように機能した。
ガラス製触媒保持器をバイパスしないように機能した。
一般的手順において、この触媒床に、先ずアセトンを2
5#tずつ6回注入した。かかる注入は迅速連続態様で
行なった。このあと、ヘリウムを約2時間流すことによ
り触媒と分離カラムから全ての反応生成物を掃去した0
次いで、アセ)ンの2μを注入物を用いて初期触媒活性
を測定した。
5#tずつ6回注入した。かかる注入は迅速連続態様で
行なった。このあと、ヘリウムを約2時間流すことによ
り触媒と分離カラムから全ての反応生成物を掃去した0
次いで、アセ)ンの2μを注入物を用いて初期触媒活性
を測定した。
バイ四ツ1192ト反応器について以下に説示する。
1 inパイロットプラント反応器
この装置は、内径I Inの304ステンレス銅製パイ
プ(300a11長さ)よりなる。その゛底部165c
mには約1tの触媒が収納されている。この触媒床の中
心部には1/4inの熱電対縦穴が通っており、その中
には等間陥で6個の熱電対があった。続み取りは多点記
録計上で行なった。触媒床の各端部にはガラスウールプ
ラグ(7a)およびcarpenterの[Neva
−Clog J Xクリーンが設置されている。この触
媒床の前には、1/41nガラス球の1201にわたる
予熱区域がある。筒状の熱交換器(表面積2 ft”、
190 psiでの蒸気加熱)に液体アセトンを往復
プランジャーポンプで圧送し、次いで該アセトンを上記
のガラス球区域に直接送り込んだ。蒸気流れは下方向と
した。
プ(300a11長さ)よりなる。その゛底部165c
mには約1tの触媒が収納されている。この触媒床の中
心部には1/4inの熱電対縦穴が通っており、その中
には等間陥で6個の熱電対があった。続み取りは多点記
録計上で行なった。触媒床の各端部にはガラスウールプ
ラグ(7a)およびcarpenterの[Neva
−Clog J Xクリーンが設置されている。この触
媒床の前には、1/41nガラス球の1201にわたる
予熱区域がある。筒状の熱交換器(表面積2 ft”、
190 psiでの蒸気加熱)に液体アセトンを往復
プランジャーポンプで圧送し、次いで該アセトンを上記
のガラス球区域に直接送り込んだ。蒸気流れは下方向と
した。
加熱は、温度制御装置により制御された3/4inの高
温ガラス繊維絶縁テープによった。反応器の圧力は適当
なパルプによって防御した。これに続くものは2ft”
の熱交換器である。重り(内部および外部)は100k
)バランス(±259)上であった。通常、物質収支は
2%以内であった。
温ガラス繊維絶縁テープによった。反応器の圧力は適当
なパルプによって防御した。これに続くものは2ft”
の熱交換器である。重り(内部および外部)は100k
)バランス(±259)上であった。通常、物質収支は
2%以内であった。
ガス形成(常時零)は湿潤テストメーターを用いてチェ
ックし得た。
ックし得た。
このパイロットプラント反応器からのデータは、工場規
模での操作に定景的に関連づけることができる。
模での操作に定景的に関連づけることができる。
分析方法
水は、カールフィッシャー滴定によるか或いは熱伝導性
検出により測定した。1反応器粗原料はガスクルマドグ
ラフィーによって分析した。また面積−重量%の相関関
係は合成既知試料を用いて確立した。
検出により測定した。1反応器粗原料はガスクルマドグ
ラフィーによって分析した。また面積−重量%の相関関
係は合成既知試料を用いて確立した。
パルス反応器の代表的結果を後記「例」で示す。
該結果は、上の手順・に従って実施せるパルス反応器−
ガスクロマトグラフィー実験より算はしたものである。
ガスクロマトグラフィー実験より算はしたものである。
アセトンアルドール縮合に通常用いられる不均一触媒を
対照として加えたが、比較的不活性であった。
対照として加えたが、比較的不活性であった。
各触媒の活性はアセトンの回収割合から推定で
□きる。この数値が小さいほど、アセトンの転化率用語
[活性水素含有有機化合物」を本明細書中で用いるとき
、それは、アルデヒド若しくはケトン性カルボニル基、
ニドp基、シアノ基、その他、第四塩に存在する如き電
子吸引基に隣接した;c −H基を有する化合物を意味
する。
□きる。この数値が小さいほど、アセトンの転化率用語
[活性水素含有有機化合物」を本明細書中で用いるとき
、それは、アルデヒド若しくはケトン性カルボニル基、
ニドp基、シアノ基、その他、第四塩に存在する如き電
子吸引基に隣接した;c −H基を有する化合物を意味
する。
本発明触媒を用いるアルドール縮合に感じやすい、好適
な活性水素含亨有機カルボニル化合物として、ホルムア
ルデヒドと他の活性水素合一化合物、アセトアルデヒド
、n−ブチルアルデヒド等との混合物の如き脂肪族アル
デヒ): メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、ジエチルケトン等の如き脂肪族ケトン; シクνヘ
キサノンの如き脂環式ケトン並びにアセ)ンが挙げられ
る。
な活性水素含亨有機カルボニル化合物として、ホルムア
ルデヒドと他の活性水素合一化合物、アセトアルデヒド
、n−ブチルアルデヒド等との混合物の如き脂肪族アル
デヒ): メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、ジエチルケトン等の如き脂肪族ケトン; シクνヘ
キサノンの如き脂環式ケトン並びにアセ)ンが挙げられ
る。
上記触媒は、意外にも、n−ブチルアルデヒド′ およ
びその異性体イソブチルアルデヒドの如き近縁脂肪族、
アルデヒドに対しさえ選択的反応性を示す。而して、本
触媒を用いるアルドール縮合において、n−ブチルアル
デヒドはイソブチルアルデヒFよりも8倍早く反応する
ことが立証された。
びその異性体イソブチルアルデヒドの如き近縁脂肪族、
アルデヒドに対しさえ選択的反応性を示す。而して、本
触媒を用いるアルドール縮合において、n−ブチルアル
デヒドはイソブチルアルデヒFよりも8倍早く反応する
ことが立証された。
本発明を下記例によって更に説示する。なお、全ての部
および%は特記せぬ限り重量による。
および%は特記せぬ限り重量による。
5ノの四つ目丸底フラスコに添加r斗、機械攪拌器、還
流コンデンサーおよび温度計を備えた。
流コンデンサーおよび温度計を備えた。
これを窒素掃気し、蒸留水2000−に50%水性Na
OH481(6,0モル)およびNaC01100II
を溶かしてなる溶液を入れた。これに、蒸留水160D
1d中のMg(Non)t・6H,0313477(1
50モル)およびA、1g (NOs )a・9H,0
57,5g(100モIL/) 溶液を十分な機械攪
拌下で2時間にわたり添加した。わずかな発熱があって
、白色ミルク様沈殿物が一度に現出した。そのあと、該
スラリーはさほど濃厚でなかった。次いで、温度を65
℃に調節し、この温度に18時間保持した。冷却後、ス
ラリーをf過し、固形物を蒸留水で2回洗浄し、125
℃で18時間減圧乾燥した。
OH481(6,0モル)およびNaC01100II
を溶かしてなる溶液を入れた。これに、蒸留水160D
1d中のMg(Non)t・6H,0313477(1
50モル)およびA、1g (NOs )a・9H,0
57,5g(100モIL/) 溶液を十分な機械攪
拌下で2時間にわたり添加した。わずかな発熱があって
、白色ミルク様沈殿物が一度に現出した。そのあと、該
スラリーはさほど濃厚でなかった。次いで、温度を65
℃に調節し、この温度に18時間保持した。冷却後、ス
ラリーをf過し、固形物を蒸留水で2回洗浄し、125
℃で18時間減圧乾燥した。
その結果、白色硬質固体的170Iiを得た。X線粉末
図形は、よく生長したハイドルタルク石のパターンを示
!た( ASTM D−22−700)。ピークは、小
さな結晶寸法(約15OA)に帰せられうるかなり巾広
のものであった。代表的分析結果を次表に示す: 灰分 Mg(灰化試料上) 35.34AI(灰化試
料上) 17.72Na
Q、OO5BN
(LO12Mg/At比
2.24 −熱処理を、大気中450℃のマツフ
ル炉内で18時間行なった。
図形は、よく生長したハイドルタルク石のパターンを示
!た( ASTM D−22−700)。ピークは、小
さな結晶寸法(約15OA)に帰せられうるかなり巾広
のものであった。代表的分析結果を次表に示す: 灰分 Mg(灰化試料上) 35.34AI(灰化試
料上) 17.72Na
Q、OO5BN
(LO12Mg/At比
2.24 −熱処理を、大気中450℃のマツフ
ル炉内で18時間行なった。
例 2〜7
これらの例では、本発明の焼成した合成ハイド―タルク
石がアセトンの縮合用触媒としてだけでなく一般のアル
ドール縮合触媒としても用いられることを立証するため
に、アセトンに代る基剤とアセトアルデヒド、アセトア
ルデヒドとベンズアルデヒドとの混合物およびブチルア
ルデヒドを用いた。
石がアセトンの縮合用触媒としてだけでなく一般のアル
ドール縮合触媒としても用いられることを立証するため
に、アセトンに代る基剤とアセトアルデヒド、アセトア
ルデヒドとベンズアルデヒドとの混合物およびブチルア
ルデヒドを用いた。
既述の如く調製した、熱賦活せる50/8’Oメツシュ
合成ハイドロタルク石触媒o、 o s o IIを用
いる300℃での実験に、先に記述したパルス反応器を
用いた。触媒のMg/At比は約2.6、またB I
T [S、 Brunauer、 P、 H,Emme
ttおよびE、 Te1ler : J、 Amer
、 Chem、 5oc0.60.309(193B)
3表面積を115511”/jlであった。この触媒を
更に、150μノのアセトンで賦活した(300℃、6
0 psiHのヘリウム)。各実験で、2μノの基剤を
パルス反応器に注入した。各実験の生成物の相対収率の
指標として各生成物の面積%を用いるガスクロマトグラ
フィーによって、生成物を分析した。
合成ハイドロタルク石触媒o、 o s o IIを用
いる300℃での実験に、先に記述したパルス反応器を
用いた。触媒のMg/At比は約2.6、またB I
T [S、 Brunauer、 P、 H,Emme
ttおよびE、 Te1ler : J、 Amer
、 Chem、 5oc0.60.309(193B)
3表面積を115511”/jlであった。この触媒を
更に、150μノのアセトンで賦活した(300℃、6
0 psiHのヘリウム)。各実験で、2μノの基剤を
パルス反応器に注入した。各実験の生成物の相対収率の
指標として各生成物の面積%を用いるガスクロマトグラ
フィーによって、生成物を分析した。
比較のための標準として、アセトンを先ず流し
!た。反応器からの流出物はアセトン45%、メシチル
オキシl’2.1%、未知の中点値生成物2襲、イソホ
リン362%、イソキシリドン15%およびテトラリン
46%を含んだ・ メチルイソブチルケトンはメチルイソブチルケトン75
.3%、ジイソブチルケトン145%および未知の中点
値生成物2種夫々4.5%および13%並びに高沸点物
211夫々2.7%および11%を生じた。
!た。反応器からの流出物はアセトン45%、メシチル
オキシl’2.1%、未知の中点値生成物2襲、イソホ
リン362%、イソキシリドン15%およびテトラリン
46%を含んだ・ メチルイソブチルケトンはメチルイソブチルケトン75
.3%、ジイソブチルケトン145%および未知の中点
値生成物2種夫々4.5%および13%並びに高沸点物
211夫々2.7%および11%を生じた。
シクロヘキサノンは、シクロヘキサノン58.5%、未
知の中点値生成物2種夫々18%および16−並びに下
記構造 を有する生成物夫々2五9%および12.9%を含有す
る流出物を生じた。
知の中点値生成物2種夫々18%および16−並びに下
記構造 を有する生成物夫々2五9%および12.9%を含有す
る流出物を生じた。
アセドアにデヒドは、アセドア、ルデヒド197%、ジ
アルデヒド214 % s Csアルデヒド34.1%
および未知化合物5種夫々2.1%、4.0%、27%
、48%および14%を含有する流出物を生じた。
アルデヒド214 % s Csアルデヒド34.1%
および未知化合物5種夫々2.1%、4.0%、27%
、48%および14%を含有する流出物を生じた。
アセトアルデヒド(o、sd)とベンズアルデヒド(j
、5m0との混合物は、アセトアル−ヒト17%、ベン
ズアルデヒド89.4%、未知化合物&8%および構造 1 C,)I、CH=CH−OH を有するアルデヒド&3%を含有する流出物を生じたり ブチルアルデヒドは、未反応プチルアルデiド47、2
%、C,アルデヒド366%を含む流出物を生じた。残
分け6種の未知化合物であった。
、5m0との混合物は、アセトアル−ヒト17%、ベン
ズアルデヒド89.4%、未知化合物&8%および構造 1 C,)I、CH=CH−OH を有するアルデヒド&3%を含有する流出物を生じたり ブチルアルデヒドは、未反応プチルアルデiド47、2
%、C,アルデヒド366%を含む流出物を生じた。残
分け6種の未知化合物であった。
本発明の合成ハイドpタルク石触媒において、”工、(
u”)*(o□5.。(X−)m −4□、。
u”)*(o□5.。(X−)m −4□、。
(ここでMにはMg++であり、M + sはA I
+’であり、X″″は001″″である)中イオンが代
替されている化合物数種をxiした。しかしながら、M
にがMgに代ってZn%Ni、Co、Cr又はNi/y
ig混合物であるハイド冒タルク石関連構造物も本発明
の範囲内である。これら構造物をアセトンの縮合におけ
る触媒活性について試験した。
+’であり、X″″は001″″である)中イオンが代
替されている化合物数種をxiした。しかしながら、M
にがMgに代ってZn%Ni、Co、Cr又はNi/y
ig混合物であるハイド冒タルク石関連構造物も本発明
の範囲内である。これら構造物をアセトンの縮合におけ
る触媒活性について試験した。
その結果を、元のMg含有ハイドpタルク石と比較して
表1に示す。
表1に示す。
該データから明らかな如く、ハイドロタルク石格子にお
ける二価カチオンの同形置換は、それによって取得され
る触媒の、ア七トンアルドール縮合に対する触媒効果に
実質的な影響を及ぼさない。
ける二価カチオンの同形置換は、それによって取得され
る触媒の、ア七トンアルドール縮合に対する触媒効果に
実質的な影響を及ぼさない。
例13〜15
同様に、元のハイド四タルク石中AI+”をpe+”な
いしCr+8で置換したものは、アセシンアルドール縮
合に触媒活性を示すハイドルタルク石をもたらした。表
2に示す如< 、 F e 十a含有触媒の活性はAI
+3同形体のそれに事実上回じであ 、つた。Cr+a
官有触媒は400℃における熱処理でのみ高活性であ
った。AI をAI とCrとの混合物で置換した
ときも、活性アルドール縮合触媒をもたらした。
。
いしCr+8で置換したものは、アセシンアルドール縮
合に触媒活性を示すハイドルタルク石をもたらした。表
2に示す如< 、 F e 十a含有触媒の活性はAI
+3同形体のそれに事実上回じであ 、つた。Cr+a
官有触媒は400℃における熱処理でのみ高活性であ
った。AI をAI とCrとの混合物で置換した
ときも、活性アルドール縮合触媒をもたらした。
。
例16〜21
表3のデータは、Mg/Al比がt58〜627範囲で
変動するハイドロタルク石を合成しうろことを例示する
。
変動するハイドロタルク石を合成しうろことを例示する
。
26
例22〜51
単数若しくは復数種の格子間アニオンがハイドロタルク
石格子の必須部分である。天然には通常。
石格子の必須部分である。天然には通常。
炭酸塩しか見出せない。而して、結晶格子中多くの他の
アニオンを含む合成ハイドロタルク石を製造することが
できる。しかしながら、炭酸塩を硫rIj!塩に置換え
るとき例1の標準方法を用いることはできなかった。な
ぜなら、それによって生じた沈殿は薄く、f過しにくい
上、65℃で加熱してもハイドpタルタ石格子内へと晶
出し、fよかったかさ らである。
アニオンを含む合成ハイドロタルク石を製造することが
できる。しかしながら、炭酸塩を硫rIj!塩に置換え
るとき例1の標準方法を用いることはできなかった。な
ぜなら、それによって生じた沈殿は薄く、f過しにくい
上、65℃で加熱してもハイドpタルタ石格子内へと晶
出し、fよかったかさ らである。
表4は、ハイドロタルク石における格子間アニオンの同
形置換の影響を示している。炭素原子1〜12の二塩基
酸からの二価アニオンを用いることができる。
形置換の影響を示している。炭素原子1〜12の二塩基
酸からの二価アニオンを用いることができる。
例32
11nパイロットプラント反応器中、基剤としてアセト
ンを用いて、例1の如く調製したMg0−AI−CO,
触媒(熱処理したハイドロタルク石)の評価を行なった
。表5に、イソホロンおよびメシチルオキシドへの転化
率23%、効率77%並−びに他の関連データを示す。
ンを用いて、例1の如く調製したMg0−AI−CO,
触媒(熱処理したハイドロタルク石)の評価を行なった
。表5に、イソホロンおよびメシチルオキシドへの転化
率23%、効率77%並−びに他の関連データを示す。
新たに熱賦活(大気中450℃で18hr)L。
た本発明の合成ハイドルタルク石は、無機アニオン交換
器としてのイオン交換活性を示す。また、このハイドル
タルク石を以て、ぶつ化物並びに硫酸塩、亜硫酸塩、硫
化物、炭酸塩、りん酸塩、クロム酸塩、蓚酸塩、および
酢酸塩の如き多価アニオンの5′0%以上の交換ないし
吸着が生起する。
器としてのイオン交換活性を示す。また、このハイドル
タルク石を以て、ぶつ化物並びに硫酸塩、亜硫酸塩、硫
化物、炭酸塩、りん酸塩、クロム酸塩、蓚酸塩、および
酢酸塩の如き多価アニオンの5′0%以上の交換ないし
吸着が生起する。
表 5
実験番号 32結果
アセトン転化率(イ) 2五3M
5O+1への効率 77.7M5o
/I(重量) α32粗分析(
乾燥基準、重量%) アセトン B(L7メシ
チルオキシド 5.70イソホ
ロン 1t6未知の中点値
化合物 α66イソキシリトン
a82テトラロン
2.50条件 供給量(l/hr) 680温度じ
) 300圧力(pSt)
40流れ上での時間(hr
) 4501)触緑床厚8oin 第1頁の続き
5O+1への効率 77.7M5o
/I(重量) α32粗分析(
乾燥基準、重量%) アセトン B(L7メシ
チルオキシド 5.70イソホ
ロン 1t6未知の中点値
化合物 α66イソキシリトン
a82テトラロン
2.50条件 供給量(l/hr) 680温度じ
) 300圧力(pSt)
40流れ上での時間(hr
) 4501)触緑床厚8oin 第1頁の続き
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 活性水素含有化合物のアルドール縮合方法において
、 予め300〜600℃の温度に加熱した、一般式 %式% (ここでMは二価の金属カチオンであり、Nは三価の金
属カチオンであり、 Aは、約300〜500℃でヒドロキシルイオンに分解
する一価、二価若しくは三価アニオンであり、 mおよびnは、m/n比が1〜約6の値を有する如き整
数であり、 aは整数であるが、Aが一価アニオンであるときa=n
、Aが二価アニオンであるときa = 1/2 n。 Aが三価アニオンであるときa == 2/ 3nであ
り、bは0ん10の値を有する整数である)を有する合
成アニオン粘土鉱物質に含水量0〜約20重量%の前記
活性水素含有化合物を接触させることを特徴とする方法
。 2、 合成アニオン粘土鉱物質が式 %式%( を有する特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 Mがh(g+”であり、Aがco、=であり、aが
1である特許請求の範囲餡2項記載の方法。 4、 MがFe+2である特許請求の範囲第2項記載
の方法。 5、 MがN1””であり、NがA I +”である
特許請求の範囲第2項記載の方法。 6、MがZ n ”であり、NがCr−”である特許請
求の範囲第2項記載の方法。 7、 NがF e ”である特許請求の範囲第2項記
載の方法。 8、 NがCr +mである特許請求の範囲第2項記載
の方法。 9 MがCO+ tであり、NがA I 十sである特
許請求の範囲第2項記載の方法。 1α MがNi であり、NがCr+1である特許請
求の範囲第2項記載の方法。 11 MがN % ” + M t+”であり、Nが
A 1+aである特許請求の範囲第2項記載の方法。 12、MがN l ” 十M g”であり、NがCr”
である特許請求の範囲第2項記載の方法。 11 MがM g +tであり、NがAI”+Cr
である特許請求の範囲第2項記載の方法。 14、AがNO,−である特許請求の範囲第2項記15
、Aが−o −c < c H,)x c −o −(
ここでXは0〜12の値を有する整数である)である特
許請求の範囲第2項記載の方法。 IL xが0である特許請求の範囲第15項記載の方
法。 17、 活性水素含有化合一がアセトンである特許請
求の範囲第1項記載の方法。 18、活性水素含有化合物がメチルエチルケトンである
特許請求の範囲第1項記載の方法。 19 活性水素含有化合物がブチルアルデヒドである
特許請求の範囲第1項記載の方法。 2α 活性水素含有化合物がメチルイソブチルナ)ンで
ある特許請求の範囲第1項記載の方法。 2t 縮合反応の主要生成物がイソホロンおよびメシ
チルオキシドである特許請求の範囲第1項記載の方法。 22 イソホロン:メシチルオキシドモル比が1より
大きい特許請求の範囲第1項記載の方法。 2五 一般式 %式% Nは三価の金属カチオンであり、 Aは、約300〜500℃でヒト四キシルイオンに分解
する一価、二価若しくは三価アニオンであり、 mおよびnは、m/n比が1〜6の値を有する如き整数
であり1 、。−1’!1MWk”Q166−bE、。7.−67
= 2F > ”Ch 6 、!: ゛きa=n、
Aが二価アニオンであるとき* = 1/2n。 Aが三価アニオンであるとき& = 275 n で
あり、bは0〜10の値を有するi数である)を有する
合成アニオン粘土鉱物質の製造方法であって、(1)
マグネシウム/アルミニウム無機塩混合水溶液を、化
学量論的量の水酸化ナトリウムおよび炭酸ナトリウム溶
液に周囲温度で激しくかき混ぜながら加え、それによっ
てスラリーを得、(2) 前記工程(1)からのス?
リーを、結晶化が生ずるまで約60〜200℃で加熱し
、 (3)前記スラリーから同形物をf別し、(4)F別し
た固形物を水で洗浄し、そして(5) 合成アニオン
粘土鉱物質を乾燥し回収することよりなる方法。 24、 合成アニオン粘土鉱物質は式%式% を有する特許請求の範囲第23項記載の方法。 25、 MがMg” であ’)、A tiE COn
” ”C”jo 6 ’le 許請求の範囲第24項
記載の方法。 24 MがN1 であり、NがCr+1であり、A+
! がCo、!である特許請求の範囲第24項記載の方法。 +! 27、 MがNl とMg杓との混合物であり、N
がA 1+”であり、Aがco、 ”である特許請求
の範囲第24項記載の方法・ 28、MがM g+ *であり、NがAI+”とCr十
易との混合物であり、Aがco、 ”である特許請求
の範囲第24項記載の方法・ 29、 Mがzn+*であり、NがCr+sであり、
AI がco、”である特許請求の範囲第24項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US384212 | 1982-06-02 | ||
| US06/384,212 US4476324A (en) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | Catalyzed aldol condensations |
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|---|---|
| JPS58219139A true JPS58219139A (ja) | 1983-12-20 |
| JPH0260376B2 JPH0260376B2 (ja) | 1990-12-17 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP58097036A Granted JPS58219139A (ja) | 1982-06-02 | 1983-06-02 | 触媒によるアルド−ル縮合 |
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|---|---|
| US (1) | US4476324A (ja) |
| EP (1) | EP0095783B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58219139A (ja) |
| CA (1) | CA1203071A (ja) |
| DE (1) | DE3371981D1 (ja) |
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| JP2014507379A (ja) * | 2010-12-08 | 2014-03-27 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | イソホロンの製造法 |
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