JPS5822379A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS5822379A JPS5822379A JP11983781A JP11983781A JPS5822379A JP S5822379 A JPS5822379 A JP S5822379A JP 11983781 A JP11983781 A JP 11983781A JP 11983781 A JP11983781 A JP 11983781A JP S5822379 A JPS5822379 A JP S5822379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- thin film
- sputtering
- film resistor
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スノくツタリングに使用するターゲット（薄
膜抵抗材料）の改良に関するものである。
膜抵抗材料）の改良に関するものである。
近年、電子工業の飛躍的な発展に伴って抵抗器の電気的
特性に対する要求も次第に厳し−１ものとなり、蒸着方
式によるニクロム系薄膜抵抗体やスパッタリング方式に
よる窒化メンタル薄膜抵抗体が開発され実用化されてき
た。しかし、抵抗値の安定度や電気的特性の再現性を得
るための厳密な製造管理の点において、なお問題カーあ
った。
特性に対する要求も次第に厳し−１ものとなり、蒸着方
式によるニクロム系薄膜抵抗体やスパッタリング方式に
よる窒化メンタル薄膜抵抗体が開発され実用化されてき
た。しかし、抵抗値の安定度や電気的特性の再現性を得
るための厳密な製造管理の点において、なお問題カーあ
った。
一方、マクネトロン・スノ（ツタ装置カー、その実用化
に伴りてスノくツタ・レート（速度）カを増加し、薄膜
抵抗体の着膜装置として実用に供されるまで釦なってい
る。スパッタリング方式は、着膜後の薄膜の組成比の再
現性に問題のある蒸着方式に比べて、薄膜の組成の制御
が非常に容易であるという利点がある。
に伴りてスノくツタ・レート（速度）カを増加し、薄膜
抵抗体の着膜装置として実用に供されるまで釦なってい
る。スパッタリング方式は、着膜後の薄膜の組成比の再
現性に問題のある蒸着方式に比べて、薄膜の組成の制御
が非常に容易であるという利点がある。
本発明は、上述の諸点に鑑み、抵抗値の安定度において
優れ電気的特性の調整が容易なスパッタリング用ターゲ
ットを提供しようとするものである。本発明のターゲッ
トは、ニッケルとクロムの成分比率が３：２から２：３
までのニッケルクロム合金にシリコンを１．５〜５．０
重量％、アルきニエームを２．５〜８．０重量寓添加し
たもので、上記の数値範囲内で従来のものより優れた特
性が得られることを確認した。本発明のターゲットは、
従来の窒化タンタル薄膜抵抗体を製作する際のスパッタ
リング条件を維持しなくてもその影響が少なく、条件の
１づであるガス圧は、単に放電を維持すればよく窒化タ
ンタルの場合のように微妙な調整を必要としない。また
、電気的特性も、着膜後加熱処理を施すことによって抵
抗温度係数を調整することが可能であり、同時に、薄膜
抵抗体の安定度をも著しく向上させ、従来の蒸着方式に
よるニクロム系薄膜抵抗体やスパッタリング方式による
窒化タンタル薄膜抵抗体をしのいでいる。以下、図面に
より本発明を具体的に説明する。
優れ電気的特性の調整が容易なスパッタリング用ターゲ
ットを提供しようとするものである。本発明のターゲッ
トは、ニッケルとクロムの成分比率が３：２から２：３
までのニッケルクロム合金にシリコンを１．５〜５．０
重量％、アルきニエームを２．５〜８．０重量寓添加し
たもので、上記の数値範囲内で従来のものより優れた特
性が得られることを確認した。本発明のターゲットは、
従来の窒化タンタル薄膜抵抗体を製作する際のスパッタ
リング条件を維持しなくてもその影響が少なく、条件の
１づであるガス圧は、単に放電を維持すればよく窒化タ
ンタルの場合のように微妙な調整を必要としない。また
、電気的特性も、着膜後加熱処理を施すことによって抵
抗温度係数を調整することが可能であり、同時に、薄膜
抵抗体の安定度をも著しく向上させ、従来の蒸着方式に
よるニクロム系薄膜抵抗体やスパッタリング方式による
窒化タンタル薄膜抵抗体をしのいでいる。以下、図面に
より本発明を具体的に説明する。
第１図は、ニクロム系合金ＫＲする従来のターゲットと
本発明のターゲットとをスパッタリング方式により絶縁
基体に着膜させた場合の、それぞれの薄膜抵抗体の面積
抵抗値と抵抗温度係数の関係を示″ｆ特性曲線図である
。図から判るように、本発明のターゲットを用いた薄膜
抵抗体は、広い抵抗値範囲に亘って抵抗温度係数が負又
は正の小さい値を示している。本発明の代表的な３つの
実施例については、後で説明する。
本発明のターゲットとをスパッタリング方式により絶縁
基体に着膜させた場合の、それぞれの薄膜抵抗体の面積
抵抗値と抵抗温度係数の関係を示″ｆ特性曲線図である
。図から判るように、本発明のターゲットを用いた薄膜
抵抗体は、広い抵抗値範囲に亘って抵抗温度係数が負又
は正の小さい値を示している。本発明の代表的な３つの
実施例については、後で説明する。
９２図は、上述の薄膜抵抗器の無負荷、１５０Ｃにおけ
る加速寿命試験結果を示すもので、これより、本発明の
寿命（抵抗値変化率）は、ニッケルクロム合金のみ及び
ニッケルクロム合金にシリコン又はアルミニュームを単
独で添加した材料に比べ遥かに優れていることが判る。
る加速寿命試験結果を示すもので、これより、本発明の
寿命（抵抗値変化率）は、ニッケルクロム合金のみ及び
ニッケルクロム合金にシリコン又はアルミニュームを単
独で添加した材料に比べ遥かに優れていることが判る。
因みに、蒸着方式によるニクロム系薄膜抵抗器は第２図
中のＮｉＣｒ８ｉ化タンタル薄膜抵抗器はＮ１ＣｒＡＪ
の却命特性とほぼ近似の寿命特性である。
中のＮｉＣｒ８ｉ化タンタル薄膜抵抗器はＮ１ＣｒＡＪ
の却命特性とほぼ近似の寿命特性である。
次に、本発明の詳細な説明する。
下記の実施例においては、着膜装置として市販のバレル
・コーチインク式マグネトロン・スパッタ装置を用い、
膜組成の変更は、ニッケルクロム合金板にシリコン及び
アルミニューム板を埋込み又は貼着により装着し、その
鉄層面積比を変えて実験した結果に基き、最終的に溶層
法で所望の組成の合金板を作製してターゲットとするこ
とにより行なったが、両者の間には、着膜した膜の組成
比に差が殆ど昭められなかった。
・コーチインク式マグネトロン・スパッタ装置を用い、
膜組成の変更は、ニッケルクロム合金板にシリコン及び
アルミニューム板を埋込み又は貼着により装着し、その
鉄層面積比を変えて実験した結果に基き、最終的に溶層
法で所望の組成の合金板を作製してターゲットとするこ
とにより行なったが、両者の間には、着膜した膜の組成
比に差が殆ど昭められなかった。
実施例１
合金組成比がニッケル４８重量％、クロム４８重量％、
シリコン１．５重量％、アルミニューム２．５重量％の
ターゲットを、アルゴンガス圧１〜１０３ Ｘ １０ ｔｏｒｒ 、電力０．５〜３．５ＫＷでス
パッタリングして薄膜抵抗体を得た。その面積抵抗値と
抵抗温度係数の関係を示す特性曲線は、第１図の実施例
１のとおりであった。先にも述べた如く、本発明の４元
合金ターゲツトは、アルゴンガス圧及び着膜速度に抵抗
温度係数が全く影響されないため、ガス圧と電力は単に
所望の面積抵抗値が得られ易い値に設定するだけでよい
。
シリコン１．５重量％、アルミニューム２．５重量％の
ターゲットを、アルゴンガス圧１〜１０３ Ｘ １０ ｔｏｒｒ 、電力０．５〜３．５ＫＷでス
パッタリングして薄膜抵抗体を得た。その面積抵抗値と
抵抗温度係数の関係を示す特性曲線は、第１図の実施例
１のとおりであった。先にも述べた如く、本発明の４元
合金ターゲツトは、アルゴンガス圧及び着膜速度に抵抗
温度係数が全く影響されないため、ガス圧と電力は単に
所望の面積抵抗値が得られ易い値に設定するだけでよい
。
実施例２
合金組成比がニッケル４５重量％、クロム４７重量％、
シリコン３重量％、アルミニューム５重量％のターゲッ
トを、実施例１のスノくツタリング条件と同一条件でス
パッタリングして薄膜抵抗体を得た。その面積抵抗値と
抵抗温度係数の特性曲線は、第１図の実施例２のとおり
であった。
シリコン３重量％、アルミニューム５重量％のターゲッ
トを、実施例１のスノくツタリング条件と同一条件でス
パッタリングして薄膜抵抗体を得た。その面積抵抗値と
抵抗温度係数の特性曲線は、第１図の実施例２のとおり
であった。
第３図は、この薄膜抵抗体を空気中で熱処理をした場合
の熱処理温度と抵抗温度係数の関係を示す特性曲線図で
ある。この図から判るように、熱処理温度を高くすると
抵抗温度係数は正の方向に変化する傾向があり、適切な
熱処理条件で処理すれば、数オームから数百オームの広
い面積抵抗値範囲に亘って抵抗温度係数の絶対値を±５
ＰＰＭ／Ｃ内に入れることが可能である。
の熱処理温度と抵抗温度係数の関係を示す特性曲線図で
ある。この図から判るように、熱処理温度を高くすると
抵抗温度係数は正の方向に変化する傾向があり、適切な
熱処理条件で処理すれば、数オームから数百オームの広
い面積抵抗値範囲に亘って抵抗温度係数の絶対値を±５
ＰＰＭ／Ｃ内に入れることが可能である。
実施例３
合金組成比がニッケル４５重量％、クロム４３重量％、
シリコン５重量％、アルミニューム８重量Ｓのターゲッ
トを、実施例１のスパッタリング条件と同一条件でスパ
ッタリングして薄膜抵抗体を得た。その面積抵抗値と抵
抗温度係数の特性曲線は、第１図の実施例３のとおりで
あった。
シリコン５重量％、アルミニューム８重量Ｓのターゲッ
トを、実施例１のスパッタリング条件と同一条件でスパ
ッタリングして薄膜抵抗体を得た。その面積抵抗値と抵
抗温度係数の特性曲線は、第１図の実施例３のとおりで
あった。
以上説明したとおり、本発明ターゲットによれば、抵抗
値が安定で電気的特性の再現性に優れた薄膜抵抗体を得
ることができるのみならず、従来例に比し厳密な製造管
理を必要としない利点がある。
値が安定で電気的特性の再現性に優れた薄膜抵抗体を得
ることができるのみならず、従来例に比し厳密な製造管
理を必要としない利点がある。
なお、上述の実施例においては本発明ターゲットを作る
のに溶解法により合金板を作製してターゲットとしたが
、ホットプレス法により合金板を作製してターゲットと
しても、何ら変わらない特性が得られることは勿論であ
る。
のに溶解法により合金板を作製してターゲットとしたが
、ホットプレス法により合金板を作製してターゲットと
しても、何ら変わらない特性が得られることは勿論であ
る。
第１図は、従来のターゲットと本発明のターゲットを用
いて得た薄膜抵抗体の面積抵抗値と抵抗温度係数の関係
を示す特性曲線図、第２図は、加速寿命試験における抵
抗値変化率と試験時間の関係を示″ｆ％性図、第３図は
、本発明ターゲットによって得た薄膜抵抗体の熱処理温
度と抵抗温度係数の関係を示す特性曲線図である。 第１図 一輯汰汎４（０ん） 第２図 ト １ ｇ 元 イ。 書 （？Ｐ・ ４ｆ！、％’Ｌ”Ａ＜’ｅ＞
いて得た薄膜抵抗体の面積抵抗値と抵抗温度係数の関係
を示す特性曲線図、第２図は、加速寿命試験における抵
抗値変化率と試験時間の関係を示″ｆ％性図、第３図は
、本発明ターゲットによって得た薄膜抵抗体の熱処理温
度と抵抗温度係数の関係を示す特性曲線図である。 第１図 一輯汰汎４（０ん） 第２図 ト １ ｇ 元 イ。 書 （？Ｐ・ ４ｆ！、％’Ｌ”Ａ＜’ｅ＞
Claims (1)
- ニッケルとクロムの成分比率が３：２力）ら２：３まで
のニッケルクロム合金にシリコンを１．５重量％から５
．０重量％、アルミニュームを２．５重量９６カ１ら８
．０重量お含有させたス／＜ツタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11983781A JPS5822379A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11983781A JPS5822379A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5822379A true JPS5822379A (ja) | 1983-02-09 |
Family
ID=14771478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11983781A Pending JPS5822379A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5822379A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59157282A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-06 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 高シリコンニクロム系スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS6277436A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-09 | Susumu Kogyo Kk | 電気抵抗材料およびそれを用いた薄膜素子 |
| US5718778A (en) * | 1995-03-31 | 1998-02-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Chromium target and process for producing the same |
| JP2008010604A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 |
| JP2011119234A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-06-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法。 |
-
1981
- 1981-07-30 JP JP11983781A patent/JPS5822379A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59157282A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-06 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 高シリコンニクロム系スパツタリング用タ−ゲツト |
| JPS6277436A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-09 | Susumu Kogyo Kk | 電気抵抗材料およびそれを用いた薄膜素子 |
| US5718778A (en) * | 1995-03-31 | 1998-02-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Chromium target and process for producing the same |
| JP2008010604A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 |
| JP2011119234A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-06-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法。 |
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