JPS5823430A - 半導体ウエハ−ス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体ウェハースに係り１％にその外形形状
に関するものである。

従来の半導体装置製造用のウエノ・−スの形状として、
外周の弧と弦部分（以下オリエ／テーシ冒／フラットと
よぶ）の交わる部分には特に加工を加えずに、オリ二ン
テーシ嘗ンフラットの平らな部分が、急に円弧に移行す
る形状のものが一般的であり九。しかし、この形状であ
れば、オリエンチーＶｗンフラットの両側の縁に丸みが
ない為。

半導体素子の製造過程で、工賃ヂかけやウェハースわれ
の原因となっていた。さらに、写真蝕刻技術の塗布工程
において、オリエ／テーシ冒ン付近の均一な塗布膜をつ
くることを阻害する一因となっていた。

この発明の目的は、前記の欠点がない、半導体装置製造
工程において、欠陥のない半導体素子を作成することが
可能な半導体ウェハースを提供することにある。

この発明のウェハースは、オリエンテーシ、ンフラタト
部分と、外周の円弧の部分が交わるところに丸味をつけ
ることを特徴とするものである。

この発明のウェハースは、従来の形状のウェハースとは
違って、オリエ／テーシ１ンフ２ｖト部のエッヂが丸ま
っているＡ、半導体装置を製造するときに使用する。ウ
ェハース収納箱（以下キャリアと呼ぶ）との衝突を和ら
げ、半導体装置との接触を和らげる為エッヂかけやウェ
ハースのワレの発生率を大幅に低減するものである。

次に仁の発明の実施例につき図を用いて説明する。

第１図はこの発明の一実施例を説明するためのウェハー
スの外形図、第２図は従来のウェハースの外形図である
。半導体装置製造方法においては、キャリアにウェハー
スを収納しそれを種々の工程で処理し、半導体素子を形
成していくのが一般的である。そζで第２図の様な従来
のウェハースを使用した場合ウェハースを何回となく、
キャリアから出し入れした際に、ウェハースの周辺とキ
ャリアのみそとが接触して、ウェハースにかな）のカケ
やワレを生ずる事があった。また、装置内へ出し入れす
る際にも同様の事が起つていた。さらにカケの発生箇所
も、ひんばんに使用される。オリエンテーシ■ンフラダ
トの両端付近に集中していた。また写真蝕刻技術の塗布
工場においても。

従来のウェハースでは、オリ二ンテーシ璽／フラットの
一方の端で、塗布膜厚のばらつきを生む原因となってい
た。その為、それらが半導体装置の収率に多くの影響を
与え１歩留低下の一因となっていた。しかし、第１図の
ような本発明実施例によるウェハースによれば、ウェハ
ース外周の円弧からオリエンテーク曹／フラットへは、
丸みをおびて１円滑な形状となっている為に、キャリア
への出し入れの際や、装置へ出し入れする際に起る接触
に対しても、かなシの緩衝効果があり、エッヂかけや、
ウェハースワレに対して多大の効果がある。

またこの実施例によれば、写真蝕刻技術における塗布工
程においても、高速回転時にフォトレジストがふりきら
れる際、オリエンテーシ璽／フラヅトのエツジの影響を
受けなくなる為、第３図に示すように、オリエンテーシ
冒ンフ２ダトの一端の塗布膜厚のばらつきの低減に大き
く寄与し、半導体装置の歩留り向上に大きく貢献する。

上述の実施例においてオリエンテーシ璽／フ２ｗトと外
周の円弧の交わる部分の丸めの半径は任意であシ、あら
ゆる半径のものに適用出来るのは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１ＷＪは本発明による半導体ウェハースの一実施例の
外形図、第２図は従来の半導体フェノ・−スの外形図で
ある。 なお図において、１・・・・・・オリエンテーシ璽ンフ
ラットの角のあるエッヂＯ形状、２・・・・・・オリエ
／チーＶＦ／フラットの丸みを有するエッヂの形状。 である。 第３図はフォトレジストをウェハースに塗布したときウ
ェハース端のフォトレジスートの塗布膜厚のばらつきを
示す図で、３・・・・・・従来品の膜厚、４・・・・・
・本発明実施例のウェハースに塗布した場合の膜厚であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体ウェハースにおいて、製造工程で半導体素子部の
   位置決めなどに使用する外局の弦部分と弧の部分とが交
   わる部分の形状に丸みを有することを特徴とする半導体
   クエ／１−ス。