JPS582385B2 - デンイサオウドウカイロ - Google Patents
デンイサオウドウカイロInfo
- Publication number
- JPS582385B2 JPS582385B2 JP50098192A JP9819275A JPS582385B2 JP S582385 B2 JPS582385 B2 JP S582385B2 JP 50098192 A JP50098192 A JP 50098192A JP 9819275 A JP9819275 A JP 9819275A JP S582385 B2 JPS582385 B2 JP S582385B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- transistors
- potential difference
- collector
- circuit
- Prior art date
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- Expired
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、2つの信号間の電位差に応動ずる電位差応
動回路に関するもので、特にバイポーラトランジスタを
使用した高入力インピーダンスの電位差応動回路を提案
するものである。
動回路に関するもので、特にバイポーラトランジスタを
使用した高入力インピーダンスの電位差応動回路を提案
するものである。
図はこの発明回路の一実施例を示す。
図中Q1,Q2は差動増幅器を構成するNPN形の第1
,第2トランジスタであり、各エミツタは共通の抵抗ま
たは定電流源I0に接続されており,これら各トランジ
スタQt,Q2のベースに接続れた端子11.12に第
1,第2の電位Vin1,Vin2(電位差ΔVin)
が与えられる。
,第2トランジスタであり、各エミツタは共通の抵抗ま
たは定電流源I0に接続されており,これら各トランジ
スタQt,Q2のベースに接続れた端子11.12に第
1,第2の電位Vin1,Vin2(電位差ΔVin)
が与えられる。
Qs,Q4は差動増幅器を構成するNPN形の第3,第
4のトランジスタで、各エミツタにともに第1トランジ
スタQ1のコレクタに接続されている。
4のトランジスタで、各エミツタにともに第1トランジ
スタQ1のコレクタに接続されている。
Q5,Q6は差動増幅器を構成するNPN形の第5,第
6のトランジスタで、各エミツタはともに第2トランジ
スタQ2のコレクタに接続されている。
6のトランジスタで、各エミツタはともに第2トランジ
スタQ2のコレクタに接続されている。
第3,第6トランジスタQ3.Q6のベースはともに端
子21に接続され、第4,第5トランジスタQ4,Q5
はともに端子22に接続され、これら端子21.22間
に基準電位差ΔVが与えられる。
子21に接続され、第4,第5トランジスタQ4,Q5
はともに端子22に接続され、これら端子21.22間
に基準電位差ΔVが与えられる。
101は電流比転回路であり、PNP形のトランジスタ
Q7〜Q10を有している。
Q7〜Q10を有している。
102は出力回路であり、NPN形トランジスタQ11
と抵抗Rを有している。
と抵抗Rを有している。
トランジスタQ7,Qoの各エミツタは電位源+Vcc
に接続され、それらの各ベースはともにトランジスタQ
8のエミツタに接続されており、このトランジスタQ8
のベースはトランジスタQ7のコレクタとともにトラン
ジスタQ3のコレクタに接続されている。
に接続され、それらの各ベースはともにトランジスタQ
8のエミツタに接続されており、このトランジスタQ8
のベースはトランジスタQ7のコレクタとともにトラン
ジスタQ3のコレクタに接続されている。
トランジスタQ9のコレクタはトランジスタQ10のベ
ースとともにトランジスタQ5のコレクタに接続されて
いる。
ースとともにトランジスタQ5のコレクタに接続されて
いる。
トランジスタQ7〜Q9はカレントミラー回路を構成し
ている。
ている。
トランジスタQ10のエミツタは電位源+Vccに接続
され、そのコレクタはトランジスタQ11のベースに接
続されている。
され、そのコレクタはトランジスタQ11のベースに接
続されている。
トランジスタQ4−Q6の各コレクタは直接電位源+V
ccに接続されている。
ccに接続されている。
第2図はトランジスタQ1,Q2による差動幅器の伝達
特性を示し、曲線C1はI1/I0またはI2/IOを
、曲線C2はI2/IOまたはI1/I0を示している
。
特性を示し、曲線C1はI1/I0またはI2/IOを
、曲線C2はI2/IOまたはI1/I0を示している
。
さて、トランジスタQ1,Q2のコレクタ電流の入力電
圧依存性は次式で示される。
圧依存性は次式で示される。
ここにΔVin=Q1のベース電位−Q2のベース電位
VT=kT/g(g:電子の電荷,k:ボルツマン定数
,T:絶対温度) 同様にしてトランジスタQ3,Q4,Q5,Q6のコレ
クタ電流は次式で示される。
VT=kT/g(g:電子の電荷,k:ボルツマン定数
,T:絶対温度) 同様にしてトランジスタQ3,Q4,Q5,Q6のコレ
クタ電流は次式で示される。
ここにΔV=Q4ベース電位−Q3のベース電位トラン
ジスタQ7,Q8,Q9はカレントミラー回路を構成し
ておりI3>I5の場合には、トランジスタQIOのベ
ース電流は流れず、トランジスタQ11は遮断状態にあ
る為、出力はHレベルにある。
ジスタQ7,Q8,Q9はカレントミラー回路を構成し
ておりI3>I5の場合には、トランジスタQIOのベ
ース電流は流れず、トランジスタQ11は遮断状態にあ
る為、出力はHレベルにある。
又I3<I5の場合には、トランジスタQ10のベース
電流が流れ、Q11は飽和状態となり、出力はLレベル
となる。
電流が流れ、Q11は飽和状態となり、出力はLレベル
となる。
出力がHレベルからLレベルに.遷移する状態において
はI3=I5である為、式(1),(2),(4),(
6)よりα1β2=α2β1が成立する。
はI3=I5である為、式(1),(2),(4),(
6)よりα1β2=α2β1が成立する。
この式が成立する為の条件はα1=α2,β1=β2で
ありΔVin=ΔVが成立する。
ありΔVin=ΔVが成立する。
ΔVは予め決定されている基準電位差であり、入力電位
差ΔVinがこの値になった時、出力はHレベルからL
レベルへ又はLレベルからHレベルに遷移する。
差ΔVinがこの値になった時、出力はHレベルからL
レベルへ又はLレベルからHレベルに遷移する。
以上のような本実施例によれば、トランジスタQ3〜Q
6を設けているので、基準電位差△Vを適宜に選択する
ことにより、第3図で示すように、入力電位差△Vin
に対する本回路の出力の反転レベルを自由に設定するこ
とができる。
6を設けているので、基準電位差△Vを適宜に選択する
ことにより、第3図で示すように、入力電位差△Vin
に対する本回路の出力の反転レベルを自由に設定するこ
とができる。
即ち、第3図の実線あるいは破線で示す出力波形のよう
に、入力電位差△Vinが、ある基準電位差△voより
電位差△V1あるいは電位差△V2だけ大きい電位差(
△Vo+△Vt)あるいは(△Vo+△V2)になつた
時に、本回路の出力が反転するように基準電位差を設定
したり、また同図一点鎖線で示すように入力電位差△V
inが、ある基準電位差△Voより電位差△v3だけ小
さい電位差(△vo−△VS)になった時に、上記出力
が反転するように基準電位差を設定することもできる。
に、入力電位差△Vinが、ある基準電位差△voより
電位差△V1あるいは電位差△V2だけ大きい電位差(
△Vo+△Vt)あるいは(△Vo+△V2)になつた
時に、本回路の出力が反転するように基準電位差を設定
したり、また同図一点鎖線で示すように入力電位差△V
inが、ある基準電位差△Voより電位差△v3だけ小
さい電位差(△vo−△VS)になった時に、上記出力
が反転するように基準電位差を設定することもできる。
以上に述べてきた様に本発明によれば、入力がトランジ
スタのベースに接続される為、高入力インピーダンスで
電位差を検出する事が出来、さらに基準電位差は予め設
定されたバイアス電圧であり、温度依存性がない正確な
値に設定出来る為、正確な電位差を検出出来る。
スタのベースに接続される為、高入力インピーダンスで
電位差を検出する事が出来、さらに基準電位差は予め設
定されたバイアス電圧であり、温度依存性がない正確な
値に設定出来る為、正確な電位差を検出出来る。
第1図はこの発明回路の一実施例を示す図である。
第2図はこの発明回路を説明するために用いた差動増幅
回路の伝達特性を示す線図である。 第3図はこの発明回路を説明するための入力電位差に対
する出力波形図である。 図中Q1は第1トランジスタ、Q2は第2トランジスタ
、Qsは第3トランジスタ、Q4は第4トランジスタ、
Q5は第5トランジスタ、Qeは第6トランジスタ、1
01は電流比較回路、102は出力回路である。
回路の伝達特性を示す線図である。 第3図はこの発明回路を説明するための入力電位差に対
する出力波形図である。 図中Q1は第1トランジスタ、Q2は第2トランジスタ
、Qsは第3トランジスタ、Q4は第4トランジスタ、
Q5は第5トランジスタ、Qeは第6トランジスタ、1
01は電流比較回路、102は出力回路である。
Claims (1)
- 1各エミツタが供に定電流源に接続され夫々のベースに
入力電位が与えられる第1,第2のトランジスタ、各エ
ミツタが共に上記第1のトランジスタのコレクタに接続
された第3,第4のトランジスタ、各エミツタが共に上
記第2のトランジスタのコレクタに接続された第5,第
6のトランジスタ、上記第3,第4のトランジスタの各
ベース間及び上記第5,第6のトランジスタの各ベース
間に夫々基準電位差を与える回路、上記第3のトランジ
スタのコレクタ電流と上記第5のトランジスタのコレク
タ電流を比較検出し、出力回路を作動させる電流比較回
路を備えた電位差応動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50098192A JPS582385B2 (ja) | 1975-08-13 | 1975-08-13 | デンイサオウドウカイロ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50098192A JPS582385B2 (ja) | 1975-08-13 | 1975-08-13 | デンイサオウドウカイロ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5221871A JPS5221871A (en) | 1977-02-18 |
| JPS582385B2 true JPS582385B2 (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=14213133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50098192A Expired JPS582385B2 (ja) | 1975-08-13 | 1975-08-13 | デンイサオウドウカイロ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582385B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0218676U (ja) * | 1988-07-19 | 1990-02-07 |
-
1975
- 1975-08-13 JP JP50098192A patent/JPS582385B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0218676U (ja) * | 1988-07-19 | 1990-02-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5221871A (en) | 1977-02-18 |
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