JPS5827409A - 低周波増幅回路 - Google Patents

低周波増幅回路

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JPS5827409A
JPS5827409A JP56126120A JP12612081A JPS5827409A JP S5827409 A JPS5827409 A JP S5827409A JP 56126120 A JP56126120 A JP 56126120A JP 12612081 A JP12612081 A JP 12612081A JP S5827409 A JPS5827409 A JP S5827409A
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JP
Japan
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transistor
power supply
circuit
positive
plus
Prior art date
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JP56126120A
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JPS6254241B2 (ja
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Masaaki Takada
高田 正昭
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低周波増幅回路に関し、その目的とするところ
は特に正、負、2つの電源により駆動される増幅回路で
、一方の電源電圧がたとえばOになったとき、他方の電
源の電力消費が異常に大きくなったりトランジスタが破
壊されてしまう等の事態にならないようにすることにあ
る。
本発明の詳細について説明する前に、まず本発明に先ん
じて開発した低周波増幅回路について第1図とともに説
明する。この回路は駆動増幅回路として差動増幅回路を
用い、電力増幅回路としてSEPP(Single E
nded Pu5h−Pull)回路によるOCL (
Output Condewls8r−Less)回路
を用いたものである。入力音響信号1はコンデンサ2を
介して差動増幅回路3に入力される。この差動増幅回路
3は差動増幅を行なう2つのPNP型トランジスタ4,
6と抵抗6,7,8,9.10とコンデンサ11で構成
されており、上記トランジスタ4のコレクタから差動増
幅出力が取出される。この増幅出力信号はNPN型トラ
ンジスタ12で増幅された後、SEPP回路13を構成
するNPN型トランジスタ140ベースに供給されると
ともに、NPN型トランジスタ160ベース、エミッタ
からダイオード16のアノード、カソードを介して上記
5EPP回路13を構成するPNP型ト、ランラスタ1
フ0ペースに供給される。上記5EPP回路13は先述
した極性の異なる2つのトランジスタ14,17のエミ
ッタ同士を接続するとともに、各コレクタにそれぞれ正
の電源18.負の電源19を接続したもので、抵抗20
,21、コンデンサ22と抵抗23,24、コンデンサ
25は各トランジスタ14.17のバイアス回路を構成
している。そしてこの5EPP回路13の出力は入力信
号の波形が正の半サイクルでも負の半サイクルでも同じ
点すなわちトランジスタ14.17のエミッタ26に出
力され、このエミッタ26と上記正、負の電源18.1
9相互の接続点27との間に接続されたスピーカ28を
駆動し拡声するようになっている。
この低周波増幅回路は正、負の電源18.19の電圧v
1.v2が同じ値ではなくある程度不平衡になったとし
てもスピーカ28から抵抗10を介して差動増幅用トラ
ンジスタ6のベースに直流負帰還がかけられることによ
り正常な増幅動作が補償され、電源電池の消耗や回路構
成部品への悪影響を最小限にとどめ、具体的にはV1=
1.sV。
v2=1.Ovでも異常なく動作するようになっている
。また通常、5EPP回路では直列給電され、2つのト
ランジスタ14.17が交互に動作するので、電源電圧
の利用率が電源電圧の棒になるという欠点があるが、第
1図の回路ではトランジスタ16.ダイオード16.抵
抗23.24、コンデンサ25の回路系で、2つのトラ
ンジスタ14゜17の動作効率を高め、電源電圧の利用
率を向上させている。
しかしながらこの低周波増幅回路は、正、負の電源18
.19のいずれか一方の電圧が0になるかあるいは0近
くまで減少すると、差動増幅回路3では補償することが
できず、他方の電源電池の消耗が急速に進行したり、悪
くするとトランジスタが破壊されてしまう等の不都合が
生じる。すなわち、たとえば正の電源電圧V、がOにな
ったとすると、負の電源19の正極側からスピーカ28
゜トランジスタ17のエミッタ、ベース、抵抗23゜2
4を介して負の電源19の負極側に至る線路で、トラン
ジスタ17にベース電流が流れる。v2=1.6V、x
ピーカ28(7)i抗分RL = e Ω、 ) >ン
ジスタ17の電流増幅率h7.=200 、)う/ジメ
タ1フのベース、エミッタ間電圧V B E =0.7
V 。
抵抗23.24の値R23,R24=100Ωとすると
、トランジスタ17のペース電流Ibは、したがってト
ランジスタ17のエミッタ電流!。は■。=(1+hf
0)×Ib+114mAとなり、非常に大きな電流がト
ランジスタ17に流れる。これにより、電源電池19の
放電が急速に進行し電池の寿命を極端に短かくしてしま
う。
電源電圧が1.6Vよりさらに高いときにはトランジス
タ17が破壊されてしまう事態も発生する。
これは負の電源19の電圧がOとなり、正の電源18の
みで回路を駆動する場合も同様で、トランジスタ14に
大電流が流れたシ、該トランジスタが破壊されてしまう
こともある。
本発明はこのような異常事態の発生を自動的に防止しよ
うとするものであシ、以下にその一実施例について第2
図と共に説明する。第2図の回路は第1図の回路とほと
んど同じであるので、第1図と同じ構成部分には同一番
号を付して説明を省略し、異なる構成を中心に説明する
。まず5EPP回路13を構成する一方のトランジスタ
14のベースバイアス回路はPNP型トランジスタ29
のコレクタ、エミッタを介して正の電源18の正極に接
続され、他方のトランジスタ17のベースノくイアス回
路はNPN型トランジスタ3oのコレクタ、エミッタを
介して負の電源19の負極に接続されている。また正の
電源18の正極と負の電源19の負極間には、抵抗31
,32.33が直列に接続され、抵抗31.32相互の
接続点、抵抗32.33相互の接続点がそれぞれ上記ト
ランジスタ29.30のベースに接続されている。
上記実施例において次にその動作を説明する。
まず正、負の電源18.19が所定の電圧を供給してい
る場合は正の電源18の正極からトランジスタ29のエ
ミッタ、ベース、抵抗32 、 トランジスタ300ベ
ース、エミッタを介して負の電源19の負極に電流が流
れ、上記2つのトランジスタ29.30は導通状態にな
って、第1図と同じ回路構成とな9、正常な低周波増幅
動作が行なわれる。
ここで、たとえば正の電源18の電圧が取去られるか0
になるかあるいは0に近くなった場合。
トランジスタ29.30に先述した電流が流れなくなり
、両トランジスタ29.30とも非導通状態となシ、5
EPP回路13の2つのトランジスタ14.17はいず
れもペースバイアスが遮断されて非導通状態となって、
第1図の回路で発生する異常動作は防止される。負の電
源19についても先の正の電源18の場合と同様、トラ
ンジスタ29.30が非導通状態となって異常動作が防
止される。
また上記正、負の電源18.19の電圧が回路に正常な
動作を行なわせる電圧より低下した場合にも、上記と同
様な動作が行なわれる。たとえば正、負の電源18.1
9の電圧が等しい状態から正の電源18の電圧が低下し
、2つの電源電圧間開アンバランスが生じた場合、先述
したように差動増幅回路3がこのアンバランスを吸収補
正するようになっているのでスピーカ28に直流電流が
流れ過ぎるようなことはない。しかしながら、上記正の
電源18の電圧低下が差動増幅回路3の補正可能な範囲
を越えるものである場合には、問題が生じるので、この
電圧低下が補正可能範囲を越える以前にトランジスタ2
9.30が非導通状態に反転するように抵抗31,32
,33の値を設定しておけば、上記正の電源電圧が極端
に低下したとしても未然にトランジスタ14.17は非
動作状態となシ、異常動作が防止される。負の電源電圧
の低下に対しても同様である。なおトランジスタ29.
30が非導通状態になる電圧は次のように表わされる。
すなわちトランジスタ29が非導通状態になる際の、該
トランジスタのベース。
エミッタ間電圧■BE は抵抗31,32.33の値を
R31’3□、R33とすると トランジスタ30が非導通状態になる際の該トランジス
タのべ〜ス、エミッタ間電圧vBE′はと表わされる。
これらの電圧値は通常0.6〜0.7Vである。
また本実施例の回路において、vl−v2=1.6v。
RL = 6Ωの条件で全高調波歪率が10%の時の出
力は167 mWとなり1通常使用されている出力側に
コンデンサを設けた増幅回路の約30チ増の出力が得ら
れた。
以上説明したように本発明の低周波増幅回路は極性が異
なる第1.第2のトランジスタ同士を接続し、ベースに
入力信号を印加するとともに、上記第1.第2のトラン
ジスタのコレクタにそれぞれ正、負の電源を接続し、こ
れら正、負の電源相互の接続点と上記第11第2のトラ
ンジスタのエミッタ間にスピーカ等の負荷を接続したい
わゆる5EPP回路によ多構成した増幅回路をベースに
して、上記正、負の電源の電圧変化を検出して作動する
第1.第2のスイッチング手段を設け、これら第1.第
2のスイッチング手段を第1.第2のトランジスタのバ
イアス回路に介在させ、上記正、負の電源電圧のいずれ
か一方が変化したとき、上記第1.第2のトランジスタ
とも上記第1.第2のスイッチング手段により作動を停
止させるようにしたものであり、上記第1.第2のトラ
ンジスタの一方が作動状態を持続して、このトランジス
タに大電流が流れ、電源の消費が急速に進められたシ、
トランジスタが破壊されてしまう等の問題を未然に防止
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に先んじて開発した低周波増幅回路を示
す回路図、第2図は本発明の一実施例における低周波増
幅回路を示す回路図である。 1 、、、、、、音響信号、13.、、、、、 S E
 P P回路、14.17・・・・・・トランジスタ、
1 B 、、、、、、正の電源・19・・・・・・負の
電源、28 、、、、、、スピーカ、29 30、、、
、、、スイッチングトランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 極性が異なる第1.第2のトランジスタのエミッタ同士
    を接続し、ベース忙入力信号を印加するとともに、上記
    第1.第2のトランジスタのコレクタにそれぞれ正、負
    の電源を接続し、これら正。 負の電源相互の粋続点と上記第1.第2のトランジスタ
    のエミッタ間に負荷を接続し、かつ上記圧。 負の電源の電圧変化を検出して作動する第1.第2のス
    イッチング手段を設け、これら第1.第2のスイッチン
    グ手段を第11第2のトランジスタのバイアス回路に介
    在させ、正、負の電源電圧のいずれか一方が変化したと
    き、上記第1.第2のトランジスタとも上記第1.第2
    のスイッチング手段により作動を停止させるように構成
    した低周波増幅回路。
JP56126120A 1981-08-12 1981-08-12 低周波増幅回路 Granted JPS5827409A (ja)

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JPS6254241B2 JPS6254241B2 (ja) 1987-11-13

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