JPS5828366Y2 - 電荷結合素子の出力装置 - Google Patents

電荷結合素子の出力装置

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JPS5828366Y2
JPS5828366Y2 JP14452578U JP14452578U JPS5828366Y2 JP S5828366 Y2 JPS5828366 Y2 JP S5828366Y2 JP 14452578 U JP14452578 U JP 14452578U JP 14452578 U JP14452578 U JP 14452578U JP S5828366 Y2 JPS5828366 Y2 JP S5828366Y2
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JP
Japan
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output
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charge coupled
transistor
coupled device
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JP14452578U
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JPS5562058U (ja
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俊洋 古沢
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は電荷結合素子(以下CCDと略す)の出力装置
に関する。
現存するCCDは第1図に示す如く、多数の転送ゲート
電極1,1・・・・・・から成る電荷転送部2の終端に
基板3とは逆の導電型の出力部4を設け、この出力部4
に転送されて来る電荷をこの出力部4にゲート電極5を
接続した信号検出用MO8)ランジスタロで゛検出して
出力信号(Vout)としている。
尚この第1図に於て7はリセットゲート電極8から成る
リセット部である。
然るに斯様な構成に依ると出力部4と転送ゲート電極1
やリセットゲート電極8との間に存在する容量性結合に
依って出力信号(Vout)に転送パルスやリセットパ
ルスに同期したスパイク電流が混入し、第4図イに示す
如くノイズを含んだものとなってしまう。
このノイズを除去する為に第2図に示す構成のものが提
案され、実用化されつつある。
同図に於て、1〜8は第1図と同様に転送ゲート電極、
〜リセットゲート電極であり、10は主CCD9と並設
した補償用のCCDで、主CCD9と同様に転送ゲート
電極11.11・・・・・・から戒る電荷転送部12、
出力部14、リセットゲート18から成るリセット部1
7を有している。
尚この補償用CCDl0は主CCDとは異り、その電荷
転送部12は1段だけである。
更にこの第2図に於て16はこの補償用CCD10の出
力部14にゲート電極15を接続した補償用信号検出M
OSトランジスタで、このMOS)ランジスタ16と主
CCD 9の信号検出用MOSトランジスタ6との出力
は差動増幅器19でその差が採られ、結果的に主CCD
9でのノイズ分が補償用CCDl0からのノイズに依っ
て除去され、ノイズのない出力信号(Vout)を得て
いる。
ところがこのような構成に依ると希望通りノイズは除去
されるものの1段分とは云え補償用CCDl0や補償用
信号検出MO8)ランジスタ16も必要で、それ等の占
める面積も相当なものとなり、CCDの小型化に対する
弊害となっていた。
本考案はこのような点に鑑みて為されたものであって、
第3図を参照しつつ詳述する。
第3図に於て1〜8は第1図、第2図と同様に転送ゲー
ト電極〜リセットゲート電極、を示している。
20は信号検出用MO5)ランジスタロに一方の入力を
接続した演算増幅器等から戊る電圧比較回路で、その他
方の人力に接続する基準電位21より入力信号が高いか
否かが検出され、高い場合にのみ、この比較回路20の
出力を論理的な1とする。
尚、この基準電位21のレベルV、は第4図イに示す如
く、少くともノイズレベルよりは高く、また通常の信号
レベルよりも低い事が必要である。
22は該電圧比較回路20にゲート電極が接続されたM
OSゲート回路で、該MOSゲート回路22のソース(
或いはドレイン)は上記信号検出用MO8)ランジスタ
ロに接続されており、そのドレイン(或いはソース)に
出力信号(Vout)が得られる。
而して信号検出用MO8)ランジスタロから第4図イに
示すノイズを含んだ信号が得られると、この信号は電圧
比較回路20に印加され、基準電位21のレベル■1と
比較される。
このレベル■Tを第4図イに示す如くノイズレベルより
高く設定しておくと、電圧比較回路20はノイズレベル
には応答せず、電位レベルv1を越える所望の信号のみ
に応答した第4図口に示す論理1を出力する。
一方MOSゲート回路22はこの第4図口に示す論理信
号に応答して専断し、このゲート回路22が導通してい
る時に得られる信号のみを通過させるので、結果的に第
4図口の論理信号と同イの信号との論理積を採った事と
なり、第4図ハに示すようにノイズが完全に除去された
出力信号(Vout)を得る事が出来る。
本考案は以上の説明から明らかな如く、信号検出用MO
3)ランジスタに電圧比較回路を接続し、この比較回路
に依ってゲート回路をON、OFFさせているので、転
送パルス等に起因するノイズは完全に除去されると共に
、その構成も極めて簡単であるので、CCDの小型化に
殆ど影響を与えず、結果的にコストダウン、信頼性の向
上等を期待し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図並びに第2図は従来装置の構造を模型的に示した
断面図、第3図は本考案出力装置の構造を示す模型的断
面図、第4図は動作説明の為の波形図であって、2,1
2は電荷転送部、4,14は出力部、6.16は信号検
出MO8)ランジスタ、10は補償用CCD、19は差
動増幅器、20は電圧比較回路、21は基準電位、22
はMOSゲート回路、を夫々示している。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電荷結合素子の出力部を構成している逆導電型領域にゲ
    ート電極を接続した信号検出用MO5)ランジスタを設
    えた電荷結合素子の出力装置に於て、この信号検出用M
    OSトランジスタに電圧比較回路を接続すると共に、該
    比較回路の比較出力に依って上記検出用MO3からの出
    力信号を通過させるゲート回路を専断させる事を特徴と
    した電荷結合素子の出力装置。
JP14452578U 1978-10-18 1978-10-18 電荷結合素子の出力装置 Expired JPS5828366Y2 (ja)

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JP14452578U JPS5828366Y2 (ja) 1978-10-18 1978-10-18 電荷結合素子の出力装置

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JP14452578U JPS5828366Y2 (ja) 1978-10-18 1978-10-18 電荷結合素子の出力装置

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Publication Number Publication Date
JPS5562058U JPS5562058U (ja) 1980-04-26
JPS5828366Y2 true JPS5828366Y2 (ja) 1983-06-21

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JPS5562058U (ja) 1980-04-26

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