JPS5829656B2 - 論理回路 - Google Patents

論理回路

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JPS5829656B2
JPS5829656B2 JP51150199A JP15019976A JPS5829656B2 JP S5829656 B2 JPS5829656 B2 JP S5829656B2 JP 51150199 A JP51150199 A JP 51150199A JP 15019976 A JP15019976 A JP 15019976A JP S5829656 B2 JPS5829656 B2 JP S5829656B2
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JP
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gate
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circuit
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JP51150199A
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JPS5373956A (en
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清 青木
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/288Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable using additional transistors in the input circuit

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  • Logic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はフリップフロップ回路と同様な動作をする論
理回路に関する。
従来知られている同期型のD型フリップフロップ回路(
以下FFと略称する)は、一般に第1図あるいは第2図
のように構成されている。
第1図は6個のナントゲートを用いた例で、クロックパ
ルスCPを受けて動作し、入力り信号を1クロックパル
ス時間遅らせた出力Qを得る。
Qは出力Qと逆相の出力である。
第2図は8個のナントゲートを用いた例で、クロックパ
ルスCPおよびこれト逆相のクロックパルスCPにより
動作する。
このようなり型FFを集積回路化するには、消費電力や
集積度の点から、できるだけ素子数や配線数が少ないよ
うな回路構成が望まれることは言うまでもない。
この発明は、パルスの通過するゲートの数を減少させる
と共に、ゲートを通過するパルスの時間遅れを適当に設
定することで配線数を減らし、低電力動作、集積度向上
を可能とした論理回路を提供するものである。
この発明の基本となる論理回路は、ナントゲートまたは
ノアゲート4個で構成される。
第3図はナントゲートを用いた場合の基本構成である。
即ち、第1、第2のナントゲートG1.G2は互いに一
方の出力を他方の入力に帰還し同様に第3、第4のナン
トゲートG3.G4についても一方の出力を他方の入力
に帰還すると共に、第1、第2のナントゲートG1.G
2の出力をそれぞれ第3、第4のナントゲートG3.G
4に入力している。
そして、第1、第2のゲートG、 、 G2に共通にク
ロックパルスCPを入力し、第3、第4のゲートG3.
G4に共通にこれと逆相のクロックパルスCPを入力し
、第1、第2のゲートにそれぞれ信号り、Dを入力して
第3、第4のゲートから出力Q1.Q2を得るようにな
っている。
この論理回路の動作タイミングチャートを第4図に示す
第5図は比較のために示した第2図の回路の動作タイミ
ングチャートである。
この発明に係る論理回路は、このような4個のゲートか
らなる基本構成に対して、第6図に示すように第2のゲ
ートG2の出力端に遅延要素DLを設けることで、2つ
の入力り、DのうちD入力を省いたものである。
即ち、遅延要素DLを入れることで、第2のゲートG2
の出力変化の遅れを第1のゲートG1のそれより大きく
しており、この結果としてD入力を用いることなく第3
図の基本回路と同じ動作を行わせることが可能となる。
この場合、遅延要素DLの働きとしては、ゲート出力が
高レベルから低レベルに変化する際の時間のみ遅くなれ
ばよいのであって、低レベルカラ高レベルに変化する際
の時間は遅れなくてもよい。
ただし、ノアゲートを用いる場合にはこの関係は逆にな
る。
この発明に係る論理回路は、論理素子としてI2L (
Integrated Injection Logi
c )を用いた場合に特に効果が大きい。
■2Lは最近開発された論理素子で、等他回路で示すと
第7図のように表わされる。
即ち、インパーク用NPN トランジスタT1と、この
トランジスタT1のベースにコレクタを、エミッタにベ
ースを接続したインジェクタ用PNP l−ランジスク
T2とから構成される。
インバータ用トランジスタT1は通常のプレーナトラン
ジスタにおけるエミッタとコレクタを逆にしたいわゆる
逆構造パーティカルトランジスタにより構成され、イン
ジェクタ用トランジスタT2はそのコレクタ、ベースを
それぞれインバータ用トランジスタT1のペースエミッ
タと共用する形でラテラル構造のトランジスタとして構
成される。
そして、インジェクタ用トランジスタT2のエミッタに
外部電源■EEを印加してこのトランジスタT2を介し
てインパーク用トランジスタT、のベースに電荷を供給
することにより論理動作を行わせるものである。
第7図の例ではインパーク用トランジスタT1をマルチ
コレクタ形式として3個の出力端OUT、〜0UT3を
設け、また3個の入力端IN1〜■N3を設けており、
この12Lの記号を以下の説明では第8図のように表わ
すことにする。
このような■2Lを用いた場合の第6図に対応する論理
回路を示すと第9図のようになる。
4個のゲートG、1〜G14から構成され、1個の入力
りのみで動作させることは基本的に同じである。
第6図に示した遅延要素DLが第9図では省いであるが
、これは第1、第2のゲー1−G、1.G、□の形状を
選ぶことで遅延要素を入れたと同じ機能を持たせている
ことによる。
即ち、第9図の構成では、第2のゲートG12における
インジェクタ用トランジスタの形状を他のゲートと変え
て、供給電流が他のゲートに比べて約%となるように設
定しである。
この結果、第2のゲートGI2の入力部の立上り時間は
第1のゲートG1.のそれより長くなる。
このようにすれば、クロックパルスCPが低レベルから
高レベルになるとき、D入力が高レベルであれば第1の
ゲートG11の入力部の電位は第2のゲートG、2のそ
れより先に高レベルになり、第1のケートG11の出力
につながる第2のゲートG、2の入力部の電位を低レベ
ルにしてしまう。
逆にD入力が低レベルであれば第1のゲー1−01.の
入力部は高レベルになれず、第2のゲー1−G、□の入
力部の電位が高レベルになり、第2のゲートG、2の出
力につながる第1のゲートG11の入力部の電位を低レ
ベルに抑える。
以上のようにして、D入力が高レベルか低レベルかによ
ってクロックパルスCPが低レベルから高レベルになっ
たときの第1、第2のゲー)G1.。
G1□の入力部の電位は、第6図に示すように遅延要素
DLを入れた場合と同様、一義的に定まり、第4図に示
したような所望の論理動作を行うことができる。
このように、D入力が不要となることは、この種の論理
回路を何段か継続接続して計数回路等を構成する場合を
考えると、配線が簡単になって集積度向上に大きく寄与
する。
また、計数回路等で1つのゲートの出力から入力段に2
つの帰還ループを取出す場合、D、Dの入力を必要とす
る従来のものではゲートを余分に付加しなければならな
いが、この発明に係る論理回路を用いれば、そのような
余分なゲートも不要となる。
第9図の論理回路は更に変形して配線を減らすことがで
きる。
その−例を第10図に示す。これは第2のゲー1−G、
□の供給電流を第1のゲートG1.のそれに対して小さ
くすると同時に、第3のゲー1−G、3の供給電流を第
4のゲートG14のそれに比べて小さくして、第1のゲ
ー1−011の出力と第3のゲートG13の入力間の配
線を省いたものである。
このようにしても、クロックパルスCPが低レベルから
高レベルになる際の状態が、第3、第4のゲートG、3
.G14の入力部の立上り時間に差をつけておくことで
第2のゲートG、2の出力により一義的に決まるため誤
動作を生じない。
同様に、第3、第4のゲートの入力部の立上り時間の差
を逆にした場合には、第11図に示すように第2のゲー
トG12と第4のゲー)G、4の間の配線を省くことが
できる。
第12図は第10図の論理回路を利用した5通計数回路
の例である。
これは第10図の回路を基本とし、これを3段縦続接続
して最終段出力を初段入力に帰還して構成したもので、
配線数が非常に少ないことがわかる。
第13図はこの5通計数回路の動作タイミングチャート
である。
第14図は第10図の論理回路を基本とし、その出力に
第5、第6のゲートG15.G16からなるラッチ回路
を設けた例である。
このようにラッチ回路を設けることにより、完全な相補
関係にある出力Q、Qを得ることができる。
第9図や第11図の論理回路に同じようにラッチ回路を
設けることで、同様の効果が得られる。
第15図はこの発明の論理回路を用いた%分周回路の実
施例である。
これは第9図の論理回路を基本とし、第4のゲートG1
4の出力を第1のゲートG、1の入力に帰還すると共に
、第1、第2のゲートG、□、G1□の出力をそれぞれ
第4、第3のゲートG14. G13の出力と結合して
取出すことで、クロックパルスCP 、CPに対する%
分周出力Q。
Qを得るようにしたものである。
第10図、第11図の論理回路を基本として同様の%分
周回路を構成すれば、それぞれ第16図、第17図のよ
うに表わすことができる。
この発明に係る論理回路の内容を変更するために、セッ
ト、リセット機能を設けることもできる。
第18図はその一例で、第9図の論理回路に対して、更
にゲートGo、 、 Ga4を付加し、セット信号S1
リセット信号Rを所望のゲートに入れるようにしたも
のである。
第10図、第11図の論理回路に同様のセット、リセッ
ト機能を持たせ得ることは勿論、セット、リセットの仕
方は目的に応じて種々変形実施することができる。
以上の説明では初段のゲート、即ち第1、第2のゲート
G1.、G1□の入力部の立上り時間に差を持たせたが
、第1、第2のゲートG、、IG、□の供給電流は等し
く設定し、第3、第4のゲートG13゜G、4の供給電
流に差をつけるだけでも、第19図に示すように入力段
と出力段間の配線を1本省略することができるので効果
はある。
勿論この場合には、第1、第2のゲートG11.G、2
にそれぞれり、D入力を入れなければならない。
この第19図の回路を応用して、J−KFF類似の回路
を構成することもできる。
第20図はその一例である。
即ち、第19図の回路の入力段と出力段の間に第5、第
6のゲートG15.G16からなるラッチ回路を設け、
第3、第4のゲートG13゜G14の出力をそれぞれ第
1、第2のゲートG1.。
G1□の入力に帰還して、第1、第2のゲー)G、、。
G、2にそれぞれJ、に入力を入れるようにしたもので
ある。
第21図は第20図の回路に対して、第18図の例と同
様ゲートGo 、 、 Ga4を付加してセット、リセ
ット機能を持たせた例である。
以上、いくつかの実施例を挙げたが、ゲートのインジェ
クタによる供給電流に差をつける場合、どの程度の差が
好ましいかについても実験的に確かめた。
その結果、供給電流の比が1.3より小さくなると動作
が不安定となり、また、2.5を越えると動作周波数が
低くなって好ましくないことがわかった。
この場合、安定度は動作周波数により異なるので、例え
ば動作周波数に応じて供給電流比を大きくする等の工夫
をすればよい。
なお、ゲート入力部の立上り時間に差をつける手段とし
てインジェクタの形状を変えて供給電流を異ならせる代
りに、ゲート入力部に例えばコンデンサを設けて静電容
量の大きさに差をつけてもよい。
以上詳細に説明したように、この発明に係る論理回路は
素子数が少なく、またゲートを通過するパルスの時間遅
れを適当に設定することで配線数を減らすことができ、
低電力動作、集積度向上が図れる。
なお、以上の説明では■2Lを用いた多出力ナンドゲー
トによる実施例を主体としたが、この発明に係る論理回
路はCMO8やTTLを用いたナントゲートで構成する
こともできる。
また、負論理で構成する場合fこはナントゲートに代っ
てノアゲ−トを用いればよい。
更に、f2Lを用いた場合には、その性質から、低レベ
ルを出力するのにインジェクタからの供給電流を断つと
いう手段を用いてもよい。
その他、この発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変
形実施することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来の同期式り型FFを示す図、
第3図はこの発明の基本となる4個のナントゲートによ
る論理回路を示す図、第4図はその動作タイミングチャ
ート、第5図は第2図の回路の動作タイミングチャート
、第6図はこの発明に係る論理回路の一例の構成を示す
図、第7図は■2Lの等価回路図、第8図は■2Lを用
いたナンドゲ−1・記号を示す図、第9図は■2Lを用
いて構成したこの発明に係る論理回路の一例を示す図、
第10図および11図は第9図の変形例を示す図、第1
2図は第10図の論理回路を用いて構成した5通計数回
路を示す図、第13図はその動作タイミングチャート、
第14図は第10図の論理回路にラッチ回路を設けた実
施例を示す図、第15〜第17図はそれぞれ第9図〜第
11図の論理回路を用いて構成した%分周回路を示す図
、第18図は第9図の論理回路にセット、リセット機能
を持たせた実施例を示す図、第19図はこの発明の応用
例を示す図、第20図は第19図の論理回路を利用した
J−KFF類似の回路例を示す図、第21図は第20図
の回路にセット、リセット機能を持たせた例を示す図で
ある。 G、 、 G、1・・・・・・第1のナントゲート、G
2.G、2・・・・・・第2のナントゲート、G3.G
13・・・・・・第3のナントゲート、G4.G14・
・・・・・第4のナントゲート、DL・・・・・・遅延
要素。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ナンドまたはノアゲートを4個用いて構成され、第
    1、第2のゲートの入力にそれぞれ第2、第1のゲート
    の出力を帰還し、第3、第4のゲートの入力にそれぞれ
    第4、第3のゲートの出力を帰還すると共に、第1、第
    2のゲートの出力をそれぞれ第3、第4のゲートに入力
    し、第2のゲートの出力変化の遅れが第1のゲートのそ
    れより大きくなるように設定して、第1、第2のゲート
    に共通に入力するクロックパルスと第3、第4のゲート
    に共通に入力するクロックパルスを互いに逆相とし、第
    1のゲートに所望の入力信号を入れてD型フリップフロ
    ップ類似の論理動作を行わせることを特徴とする論理回
    路。 2 第1〜第4の各ゲートは、インバータ用トランジス
    タと、このトランジスタのベースにコレクタを、エミッ
    タにベースを接続したこれと相補型のインジェクタ用ト
    ランジスタとからなる論理素子で構成され、第2のゲー
    ト入力部の立上り時間を第1のゲートのそれより長くな
    るように設定することにより第2のゲートの出力変化の
    遅れが第1のゲートのそれより大きくなるようにした特
    許請求の範囲第1項記載の論理回路。
JP51150199A 1976-12-14 1976-12-14 論理回路 Expired JPS5829656B2 (ja)

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JP51150199A JPS5829656B2 (ja) 1976-12-14 1976-12-14 論理回路
US05/859,130 US4160173A (en) 1976-12-14 1977-12-09 Logic circuit with two pairs of cross-coupled nand/nor gates
DE2755714A DE2755714C3 (de) 1976-12-14 1977-12-14 Logische Schaltung

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JPS5373956A JPS5373956A (en) 1978-06-30
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH05282890A (ja) * 1992-02-04 1993-10-29 Mitsubishi Electric Corp シフトレジスタ回路
GB2506443A (en) * 2012-10-01 2014-04-02 Nicholas Basil Baird Separator formations

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JPS5373956A (en) 1978-06-30

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