JPS5830005A - 透明電導膜の製造方法 - Google Patents
透明電導膜の製造方法Info
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- JPS5830005A JPS5830005A JP12922781A JP12922781A JPS5830005A JP S5830005 A JPS5830005 A JP S5830005A JP 12922781 A JP12922781 A JP 12922781A JP 12922781 A JP12922781 A JP 12922781A JP S5830005 A JPS5830005 A JP S5830005A
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- Japan
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- gas
- transparent conductive
- conductive film
- antimony
- container
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明電導膜の製造方法に関するっ従来の透明な
電導膜は塩化錫と水と塩酸との混合液に微量の酸化アン
チモンを添加し、この混合液を５００℃程度に加熱した
ガラス等の透明な基板表面に吹きつけ、この混合液と基
板とを反応させて基板上に酸化アンチモンを含んだ酸化
錫膜を付着させて形成していた。ところがこの方法では
面積抵抗１００Ωル、光の透過率８８％が今までに得ら
れている最良の膜である。
電導膜は塩化錫と水と塩酸との混合液に微量の酸化アン
チモンを添加し、この混合液を５００℃程度に加熱した
ガラス等の透明な基板表面に吹きつけ、この混合液と基
板とを反応させて基板上に酸化アンチモンを含んだ酸化
錫膜を付着させて形成していた。ところがこの方法では
面積抵抗１００Ωル、光の透過率８８％が今までに得ら
れている最良の膜である。
本発明は、この種透明電導膜の抵抗値及び光通過率のよ
り一層の改善を図ったものであり、以下実施例につき本
発明を詳述する。
り一層の改善を図ったものであり、以下実施例につき本
発明を詳述する。
第１図は本発明方法を実施する装置を模式的に示すもの
で祈る装置は、透明電導膜の原材料となる有機錫化合物
液容器（１）、アンチモン化合物液容器（２）、酸素含
有ガス容器（３）、弗素化合物ガス容器（４）及びキャ
リアガス容器（５）を含んでおり、各容器（３）、（４
）、（５）には夫々パルプ（６）、（力、（８）、圧力
調整器（９）、叫、（１１）、ｉｉｔ計（１３、ａ３、
（１４）及ヒ逆止弁叫、（１ｓ、 （１７）が関連づけ
られている。又キャリアガス容器（５）の流出経路はパ
ルプ（８）を経九後分岐して、圧力１１ｉ整器（１本α
ｌ及び流量計翰、（２υを経、大々有機錫化合物液容器
（１）及びアンチモン化合物液容器（２）に至る。従っ
て容器（ＩＬ （２）内でキャリアガスによるバグリン
グが行なわれ夫々有機錫化合物を含んだガス及びアンチ
モン化合物を含んだガスが逆止弁ｑ％（ハ）を通る。
で祈る装置は、透明電導膜の原材料となる有機錫化合物
液容器（１）、アンチモン化合物液容器（２）、酸素含
有ガス容器（３）、弗素化合物ガス容器（４）及びキャ
リアガス容器（５）を含んでおり、各容器（３）、（４
）、（５）には夫々パルプ（６）、（力、（８）、圧力
調整器（９）、叫、（１１）、ｉｉｔ計（１３、ａ３、
（１４）及ヒ逆止弁叫、（１ｓ、 （１７）が関連づけ
られている。又キャリアガス容器（５）の流出経路はパ
ルプ（８）を経九後分岐して、圧力１１ｉ整器（１本α
ｌ及び流量計翰、（２υを経、大々有機錫化合物液容器
（１）及びアンチモン化合物液容器（２）に至る。従っ
て容器（ＩＬ （２）内でキャリアガスによるバグリン
グが行なわれ夫々有機錫化合物を含んだガス及びアンチ
モン化合物を含んだガスが逆止弁ｑ％（ハ）を通る。
装置は又反応容器（至）を備え、該容器に上記各容器（
１）〜（５）からのガスが導入される。祈る導入ガスは
その後、反応容器（至）の周縁開口Ｃ１１）を経て排出
される。目的の透明電導膜を被着するための基板Ｃ３３
は反応管（至）内に置かれてヒータ（至）により加熱さ
れ、その加熱状態はアスベス＼ト等の保温材料（ロ）で
保温される。
１）〜（５）からのガスが導入される。祈る導入ガスは
その後、反応容器（至）の周縁開口Ｃ１１）を経て排出
される。目的の透明電導膜を被着するための基板Ｃ３３
は反応管（至）内に置かれてヒータ（至）により加熱さ
れ、その加熱状態はアスベス＼ト等の保温材料（ロ）で
保温される。
次に上記装置を使った製造方法を説明する。
まず有機錫化合物液容！（１１にテトラメチル錫を、弗
素化合物ガス容器（４）にグロムトリフルオルメタンヲ
、アンチモン化合物液容器（２）に五塩化アンチモンを
、酸素含有ガス容器（３）に酸素ガスを、又キャリアガ
ス容器（５）Ｋ窒素ガスを夫々充填したものを準備し、
更にヒータ儲によシ硼硅酸ガラスからなる基板Ｇ２を約
５８０℃に保持しておく。
素化合物ガス容器（４）にグロムトリフルオルメタンヲ
、アンチモン化合物液容器（２）に五塩化アンチモンを
、酸素含有ガス容器（３）に酸素ガスを、又キャリアガ
ス容器（５）Ｋ窒素ガスを夫々充填したものを準備し、
更にヒータ儲によシ硼硅酸ガラスからなる基板Ｇ２を約
５８０℃に保持しておく。
そこでパルプ（８）及び圧力調整器（ｌυを調整して窒
素ガスのみを反応容器（至）内に導き、該容器内の不所
望なガスを窒素ガスで置換し、その後圧力調整器住υを
閉じる。次いで圧力調整器０飄０９を調節して、窒素ガ
スを容器（ＩＪＫ １．５気圧、２００ ｍ１７分で、
又容器（２１Ｋ １．５ ｆｉ圧、２０ｍｔ／分 で夫
々送り込むことによりテトラメチル錫を含むガスと弗化
アンモニウムを含むガスを反応容器（７）に導入し、同
時にパルプ（６）、（７）及び圧力調整器（９）、ＱＱ
を調節して１．５気圧、６００ｍｔ／ｌＩ＋の酸素ガス
及び１．５気圧、４０ｍｔ／分のブロムトリフルオロメ
タンガスを反応容器（至）に導入する。
素ガスのみを反応容器（至）内に導き、該容器内の不所
望なガスを窒素ガスで置換し、その後圧力調整器住υを
閉じる。次いで圧力調整器０飄０９を調節して、窒素ガ
スを容器（ＩＪＫ １．５気圧、２００ ｍ１７分で、
又容器（２１Ｋ １．５ ｆｉ圧、２０ｍｔ／分 で夫
々送り込むことによりテトラメチル錫を含むガスと弗化
アンモニウムを含むガスを反応容器（７）に導入し、同
時にパルプ（６）、（７）及び圧力調整器（９）、ＱＱ
を調節して１．５気圧、６００ｍｔ／ｌＩ＋の酸素ガス
及び１．５気圧、４０ｍｔ／分のブロムトリフルオロメ
タンガスを反応容器（至）に導入する。
これにより導入された反応容器（７）内の混合ガスが反
応して基板Ｃ３３表面に弗素及びアンチモンを含む酸化
錫の膜が形成される。実験によれば約９０秒の反応時間
で約１００ＯＡの厚さの酸化錫膜が得られ、その面積抵
抗は１０Ω／口、光の透過率は９０％となり従来の方法
に比べ十分改善された。
応して基板Ｃ３３表面に弗素及びアンチモンを含む酸化
錫の膜が形成される。実験によれば約９０秒の反応時間
で約１００ＯＡの厚さの酸化錫膜が得られ、その面積抵
抗は１０Ω／口、光の透過率は９０％となり従来の方法
に比べ十分改善された。
最後に、パルプ（６）、（７）及び圧力調整器ａ８．
ａｓを閉じると共に、圧力調整器０υを再度調節して反
応管（至）内の反応ガスが排出される。
ａｓを閉じると共に、圧力調整器０υを再度調節して反
応管（至）内の反応ガスが排出される。
第２図は本発明方法を実施する他の装置を模式的に示す
もので、第１図の装置に対する相違点は、第１図のキャ
リアガス容器（５）が酸素含有ガス容器（３）に変更さ
れ、第１図の酸素含有ガス容器（３）の経更されたこと
である。尚反応容器（至）内の排気は排気ポンプＧｌｆ
ｌにより行なわれる。
もので、第１図の装置に対する相違点は、第１図のキャ
リアガス容器（５）が酸素含有ガス容器（３）に変更さ
れ、第１図の酸素含有ガス容器（３）の経更されたこと
である。尚反応容器（至）内の排気は排気ポンプＧｌｆ
ｌにより行なわれる。
次に上記装置を使った製造方法を説明する。
まず有機錫化合物液容器（１）にテトラメチル錫を、ア
ンチモン化合物液容器（２）に五塩化アンチモンを、弗
素化合物ガス容器（４）Ｋブロムトリフルオルメタンを
、酸素含有ガス容器（３）に酸素ガスを夫々充填したも
のを準備しておく。
ンチモン化合物液容器（２）に五塩化アンチモンを、弗
素化合物ガス容器（４）Ｋブロムトリフルオルメタンを
、酸素含有ガス容器（３）に酸素ガスを夫々充填したも
のを準備しておく。
そこで、各パルプ及び圧力調整器を調整して反１１・応
容器（至）に酸素ガスを１００ ｍ１１分、ブロムトリ
り込むことによりテトラメチル錫及び塩化アンチモンを
含んだ酸素ガスを反応容器ｃＪＡＫ導入する。
容器（至）に酸素ガスを１００ ｍ１１分、ブロムトリ
り込むことによりテトラメチル錫及び塩化アンチモンを
含んだ酸素ガスを反応容器ｃＪＡＫ導入する。
次いで排気ポンプ（ロ）により反応容器（至）内を２５
℃で０．５ Ｔｏｒｒ Ｋ減圧し、放電々極（至）に１
５．５６Ｍ１（ｚ、ＩＫＶの電圧を印加してプラズマ放
電を生起せしめる。
℃で０．５ Ｔｏｒｒ Ｋ減圧し、放電々極（至）に１
５．５６Ｍ１（ｚ、ＩＫＶの電圧を印加してプラズマ放
電を生起せしめる。
これにより導入された反応容器（至）内の混合ガスが反
応して基板Ｇの表面に弗素及びアンチモンを含む酸化錫
の膜が形成される。実験によれば約１０００Ａの厚さの
酸化Ｍ＃が得られ、その面積抵抗は２０Ω／口、光の透
過率は９０％となり従来の方法に比べ十分改善された。
応して基板Ｇの表面に弗素及びアンチモンを含む酸化錫
の膜が形成される。実験によれば約１０００Ａの厚さの
酸化Ｍ＃が得られ、その面積抵抗は２０Ω／口、光の透
過率は９０％となり従来の方法に比べ十分改善された。
尚、この第２の実施例による特徴は基板Ｇ３を加熱しな
いでよいことである。
いでよいことである。
上記各実施例において、酸素ガスに代えて空気や過酸化
水素ガスを使用でき、又テトラメチル錫に代えて、テト
ラエチル錫、ジプチルジアセテート錫、ジブチルジクロ
ライド錫、ジメチルジクロライド錫、テトラプロピル錫
、テトライソブチル錫、テトラアリル錫、トリメチルエ
チル錫、トリメチルｎ−プロピル錫、ジメチルジエチル
錫ｔ−使用でき、又ブロムトリフルオルメタンに代えて
、クロルトリフルオルメタン、ヨードトリフルオルメタ
ン、グロムベンタフルオルエタン、ヨードペンタフルオ
ルエタン、ジクロルフルオルメタン、トリクロルフルオ
ルメタン、ジクロルフルオルメタン、フロムペンタフル
オルプロパン、ヨードへブタフルオルプロパンを使用で
き、更に塩化アンチモンに代えて、酸化アンチモンを使
用することおいてより優れた特性の透明電導膜を得るこ
とができる。
水素ガスを使用でき、又テトラメチル錫に代えて、テト
ラエチル錫、ジプチルジアセテート錫、ジブチルジクロ
ライド錫、ジメチルジクロライド錫、テトラプロピル錫
、テトライソブチル錫、テトラアリル錫、トリメチルエ
チル錫、トリメチルｎ−プロピル錫、ジメチルジエチル
錫ｔ−使用でき、又ブロムトリフルオルメタンに代えて
、クロルトリフルオルメタン、ヨードトリフルオルメタ
ン、グロムベンタフルオルエタン、ヨードペンタフルオ
ルエタン、ジクロルフルオルメタン、トリクロルフルオ
ルメタン、ジクロルフルオルメタン、フロムペンタフル
オルプロパン、ヨードへブタフルオルプロパンを使用で
き、更に塩化アンチモンに代えて、酸化アンチモンを使
用することおいてより優れた特性の透明電導膜を得るこ
とができる。
第１図及び第２図は本発明実施例を説明するための装置
の模式図を示し、（至）は反応容器、Ｃ３Ｂは基板であ
る。 第１図
の模式図を示し、（至）は反応容器、Ｃ３Ｂは基板であ
る。 第１図
Claims (1)
- （１ン 有機錫化合物を含むガスと酸素を含むガスと
弗素化合物を含むガスとアンチモン化合物を含により弗
素及びアンチモンを含む酸化錫膜を形成することを特徴
とする透明電導膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12922781A JPS5830005A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12922781A JPS5830005A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830005A true JPS5830005A (ja) | 1983-02-22 |
| JPH0370325B2 JPH0370325B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=15004295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12922781A Granted JPS5830005A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830005A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139321A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化スズ導電膜の作製方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5061695A (ja) * | 1973-10-02 | 1975-05-27 | ||
| JPS5167994A (ja) * | 1974-12-09 | 1976-06-12 | Sharp Kk | Handotaimakuseizosochi |
| JPS5651805A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming conductive thin film |
| JPS5751153A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-25 | Westinghouse Electric Corp | Formation of transparent electroconductive film |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12922781A patent/JPS5830005A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5061695A (ja) * | 1973-10-02 | 1975-05-27 | ||
| JPS5167994A (ja) * | 1974-12-09 | 1976-06-12 | Sharp Kk | Handotaimakuseizosochi |
| JPS5651805A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming conductive thin film |
| JPS5751153A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-25 | Westinghouse Electric Corp | Formation of transparent electroconductive film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139321A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化スズ導電膜の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0370325B2 (ja) | 1991-11-07 |
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