JPS583144A - 静電容量値の変化検出型再生針 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 情報信号と対応するピットが両巻状あるいは１ｌｆｌ心
円状に配夕１ｊされることによって形成されｆＣ配録跡
を備えてφる情報ｈピ録媒体円ｉｔ（ディスク）　ｖＣ
おける配鱈畦上に４接して、ディスクの情報信号金紗１
谷ｍ値の変化として耽出すことができるような電＃Ｉｉ
都を端え九靜電容電値の食化慣出型再生−ｒを使用して
、ディスクのｔｌｌＨｇ号の仇出しを行なう静電容量値
の変化検出型の情報口ｄ＠再生方式は、光学式、その他
幾多の型式のｔ′＃報記録再生方式に比べて浸れた特徴
を備えて−るために、その実用化研究が推進されて来て
、今や実用化の域にまで引通している。

ところで、靜電容菫値の変化検出型の情報記録杏生方弐
においては、察ディスクからの情報信号の胱出しに尚り
、ディスクが娯内陶を有する形態のもの（矛１図（ａ）
図）であっても、あるいは案内婢を廟していない形態の
もの（第１図（ｂ）図）であっても、その倒れの形態の
ものであっても、ディスク面と摺接した状態で使用され
る再生針が必要とされるが、再生針は再生動作時にディ
スク面とのｆ１ソ接によって次ｆｉＩＫ　９粍して行く
から、長期間にわたって再生動作の可能な再生針（長寿
命の再生針）を得るためＫは、再生針の素材として耐摩
耗性を有する尚硬度材料（高硬度耐摩耗性祠科）が用い
られなければならないことは消熱である。

、１−１図（ａ）　、　（ｂ）図は＃電容倉値の変化検
出型再生針の一例のものの斜視図であって、との第１図
（ａ）。

（１））図において１＃ｉ耐摩耗性を有する一硬度材料
で作られた再生針本体、２社摺接面、６け［極付層形成
面上に付Ｎされた電極である。靜電容菫値の変化検出型
再生針は、それの１秦［＆Ｉ２がディスクＤの面に摺接
された状態でディスク面に省ｆ４される電極乙の肩部に
より記録跡中の情＠１信号を、仔篭答ｔｍの変化として
挽出すという再生動作を行なうものであるから、再生針
による再生動作が良好に行なわれる丸めには再生針本体
１のＩＩＣ他付着形成面に付着された電極３の端部が常
に摺接面２に現われている状態となされていなければな
らず、そのためＫは′＃Ｌ極付着形成面に対して大きな
付肴強Ｉ＆を以って耐雄耗性を有する電極が付着形成さ
れていることが必要とされる。

を有する高硬度伺料が便用されていると共に、再生針本
体のｔ他付涜形成１１０ｉｃ対して大きな付層強度で耐
Ｊｌ１粍性を有する電極が付層形成されているものが必
要とされるのであるが、Ｉ！ｉｔ摩耗性を有する高硬度
材料として艮〈知られているダイヤモンドは、それに耐
摩耗性を有する［他物′Ｘ會大きな付層強度で付層させ
ることが回着であり、従来、ダイヤモンドを再生針本体
の素材に用いてＩ＃寛容を値の変化検出型再生針を作る
際は、電極材料としてダイヤモンドとの間で比較的に大
酉な付層強度を示すような導電性′ａ質を選択使用して
導電膜１＊涜させるようにしたり、あるいは＃、を性物
質をイオン打込法によってダイヤモンド内に注入して４
に＋−を形成させるなどの手段が採られて来ている。

しかしながら、ダイヤモンドとの間の付７ｆ強度が比較
的に大きな２４電物質であると１てＳ択された例えばハ
フニウム、チタンなどの導電性物質をリング法、もしく
はイオンブレーティング法などのような、いわゆるドラ
イメッキ伝によって４眠性薄膜を付漕形成彎させても、
充分に満足すべきｍ＊耗性を有する電極を得ることは困
瘉であシ、また、導電性物質をイオン打込法によシダイ
ヤモンド内１ｃ′ｅＥ人して導電層を形成させても、そ
の導電Ｉ−だけＫよっては低い電気抵抗値を有する電極
を構成することは内緒であり、イオンの打込与によって
低い電気抵抗値を有する！極を構成させようとすると、
ダイヤモンド結晶に格子欠陥を生じさせてダイヤモンド
がもろくなり、再生針の使用中にダイヤモンドに第２図
Ｇ）図に示すような欠けが生じるなどの問題が生じる。

また、既述したドライメッキ法によってダイヤモンドに
チタン、あるいはハフニウムのような金属の＃磯を付層
させて電極を構成した再生針においては、電極３が軟ら
かな金貞であることＫよｐ。

再生針の使用時Ｋｔ極肩端部摩耗して′Ａ−２図０））
図示のような状態となった９、あるいは、電極の構成物
質の金属が比較的低い温度でｍ−するものであるために
、再生針の使用中に１１極とディスクＤとの間に生じる
放電圧よって第２図（ｃ）図示のよう〈電極３が損傷さ
れることが起こシ、長寿命な再生針を得ることは困鑓で
あった。

本発明は、既述した従来の再生針における諸間龜点の生
じない静［芥ｆｉ値の変化検出型再生針を提供すること
全目的としてなされたものであり、以下、本発明の峰電
柊瀘値の変化構出型再生針の具体的内容を株付図面を１
照して詳細に説明する。

２６図は、本発明の靜翫容ｔ　ｆｉｌの変化構出型再生
νｔの一実施態体のものの斜視図であり、また、第４図
岐第３図にホす再生針の電極部の構成を下す縦哨４ａ面
図である。

第３図及び第４図において、Ａは再生針本体において電
懐付着形成面が設けられている高Ｍ度訂＃１托性拐＊＝
＋部分であシ、以下の実施例、では上記の部汁Ａとして
ダイヤモンド全相すているものとされている。

１・６図及び第４図において、ＢけダイヤモンドＡＩＣ
収けられた電極付層形成面４に付層された金属の傅ノー
であり、まだ、０は前記した金属の博ノーＢ上に刊櫂さ
れた金属の電化物または金属の炭化物の薄層である。

前記した金属の薄層Ｂを構成するのに用いられる金属と
しては、例えば、チタン、あるいはハフニウムのように
、ダイヤモンドを構成している炭素との間で合金化層を
形成しうるものが用いられる。

また、前記した金属の４１曽Ｂ上ｅこ付着形成される金
属の電化物の薄層０または金属の炭化物の博Ｊ曽Ｃは、
前記した金属の薄層Ｂｔ−構成する金属と窒素との化合
物、または前記した金属の薄１ｍＢを構成する金属と炭
素との化合物によって構成されるのであり、前記した金
属の４層Ｂが例えばチタン、あるいはハフニウムであっ
た場合には、薄層０は窒化チタンまたは電化ハフニウム
、もしくは、炭化チタンまたけ炭化ハフニウムによって
構成されるのである。

そして、このような構成を有する再生針は、ダイヤモン
ドＡ［おけるｖＬ他付着形成面４に対して、チタン、あ
るいはハフニウムなとの金輌忙、真全蒸溜法、イオンス
パッタリング法、イオンブレーティング法などのような
いわゆるドライＡツキ法の適用により薄層Ｂを形成させ
た仮に、前記の金属の薄層Ｂ上に、クイカル番バキュー
ムーデポジット法（ＯＶＤ法）によシ、前記した金属の
窒化物筐たは炭化物の薄層Ｏを付着形成させることによ
って容易に製作することができるのである。

第４図は、ダイヤモンドムにおける電極付着形成面４上
に、いわゆるドライメツ−＃法忙よって金属の薄層Ｂを
付着形成させた後に、前記した金属の薄層Ｂ上にＯＶＤ
法によって金属の電化物または金属の炭化物の薄層Ｃを
付層形成させた場合におけるダイヤモンドＡと金属の４
Ｊ＊Ｂとの付着の態様、及び金属の薄層Ｂと金属の窒、
化物または炭化物の薄層０との付着の態様を示す図であ
って、この第４図において、Ｂａはダイヤモンドムと金
属との合金層（ダイヤモンドの炭素と金属との共有ＩＪ
ｉ域）であυ、また、第４図中のＯｂは金属と金属の窒
化物または炭化物との合金層（金属と、金属の窒化物ま
たは炭化物との共有領域）１に示している。

このように１本発明の再生針においては、ダイヤモンド
ムの電極付層形成面４上に付着形成される電極６が、ダ
イヤ峰ンドムとに対して合金層Ｂａを介して良好な付層
状態を示す金属の澤Ｍ４Ｂと、前記の金属の薄層ＢＫ対
して合金層ｏｂを介して良好な付層状態を示す金属の窒
化物または炭化物の層０との積層構造として構成されて
φるρ為ら、ダイヤモンドムの電極付層形成面４と電極
６との付層の状態は艮好なものとなされ、再生針の使用
中における電極の剥離を良好に防止できる。

また、チタンの電化物あるいは炭化物、またはハフニウ
ムのｉｌを化物ある鱒は炭化物などは、何れも良好な導
電性と高融点を有し、かつ、高いＩ１１度を示す物質で
あるから、本発明の再生針の電極は耐Ｊ１１１粍性ＶＣ
ｖｋれ、かつ、電極に放電が生じても電極が損湯される
こともなく、長寿命な再生針を容易に提供できる。

２５図は、本発明の再生針の他の冥施悲様のもののＭ＠
ｇＪＩｒｌｎ図であシ、この第５図に不す再生針では、
ダイヤモンドムにおける電極付層形成面上に１合金層Ｂ
ａを介して金属の薄層ＢＩｉ付漕付層、次いで、前記の
金属の薄層Ｂ１上に合金／１１１０ｂ＋を介して金属の
電化物または金属の縦化物の薄層０１を付着させ、さら
に、合金層Ｏｂ！を介して金属の薄層Ｂ２を付着させ、
さらに筐た合金層０ｂｓｆ介して金属の窒化物または炭
化物の薄層０２を付着させて宵、極６が構成されている
。

なお、本発明の実施に当っては、金属の薄層Ｂと金輌の
窒化物または金属の炭化物の薄層０とを、順次交互に多
数回繰火兄し積層して電極６が構成されるようにしても
よいのである。また、電極６の厚さは１１Ｅ檎６を構成
している積層のノー数とは無関係に所定の値例えば２０
００〜６０叩オンダストロームになされるべきものであ
る。

次に、前記した本発明の再生針におけや電極６０Ｓ分の
製作法の１例について説明する。

まず、素材となるダイヤモンドＡの洗浄を完全に行ない
、また、ターゲット及び電子銃内の金属からの漸ガス出
しを行なう。次に１ベルジヤ内のカス出しを光分釦付な
う０次いで、ダイヤモンドＡの電極付層形成面に対して
ボンバードまたは逆スパツタを行なって、その面を光分
圧クリーニングする。

久いで、ベルジャ内に９９．９係以上の純度のアルゴン
ガスを導入して、イオンスパッタリング法またはイオン
ブレーティング法によりチタン、またはハフ；ラムの薄
層をダイヤモンドＡに何者形成δせる。

前記の工程により付層された金属の博／ｄ　Ｂの膜厚が
所冨の１直（種層のノー数によってＪ４なるが、５０〜
５００オングストロームの範曲内の所定の値）となった
時に、依々に＠、累ガスまたはアセチレンガスを尋人し
てＯＶＤ法による層膜を行ない、膜厚が所定の値１ｃ運
した時に層膜動作を停止すると第４図示のような槓増栴
造の電極６が得られる。

また、前記したアルゴンガス林囲気中における層膜動作
と、ｉ１累ガスあるいはアセチレンガス４曲気中におけ
るＮ膜励作とを、順次交互に複数回ｍ返えすことによｐ
１金為の樗ＪＩＢと金−の電化ｇｔＪ箇たは炭化物の薄
層とが銅久父！Ｌに積層された状態の一億６が傅られる
ことは明ら〃為である。

金−の窒化物または炭化物の薄層とが順次交互に種層さ
れた状態の電極６が侍られることは明らかである。

金属の窒化物または炭化物の結晶は柱状Ｍｊ晶となるか
ら、金属の窒化物または炭化物の薄層０は摩札に対して
は強くても剥離に対して問題の生じることがあるが、′
＃を憧６が多層栴造となされることにより、　ＪｊＴＴ
紀の問題は良好に解決されうる。

以上、詳細に説明したところから刷らルなように、本発
明の静電容重値の変化供出型再生針は、再生針本体にお
ける高１１ｉＩ！置酎筆耗性材料の部分に設けられた電
極付層形成面に、剥離し帷く、かつ、耐摩耗性１Ｃ浚れ
、かつ、放電によっても横部し−い構成の電極を構成さ
せ得ることができるので、本発明によれば既述した従来
の再生針における諸欠点がすべて良好に解消された再生
針を容易に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ｃａ）　、　（＋））図は靜嘔答皺僅の裳化演出
型再生針の斜視図、第２図（ω〜（０）図は従来の再生
針の問題点？Ｉ−説明するための阿生針の斜視図、第６
図は本発明の再生針の一実ａａａｔｔ−ボす斜視図、第
４図及び第５図は本発明の再生針の各異なる実施態様の
もののｌｌ１ｃ憔部分の構成？ｒ：ボすための叫生針の
縦断１１４１１面図である。 ム・・・ダイヤモンド、Ｂ、Ｂｌ、Ｂａ・・・金栖の４
ノー、０　、０１．０２・・・金属の窒化物または炭化
物の薄層、Ｂａ　、　Ｂａｔ　、　Ｏｂ　、　Ｏｂｔ　
〜Ｏｂｓ　・−合金層、特許出願人　日本ビクター株式
会社 手続補正書（自発） 昭和５６年１２月７　日 特許庁長官島田春樹殿 静電容量値の変化検出型再生針 ３、補正をする者 事件との関係　　特　　許　　出願人 ４、代理人 ６、補正の対象　　　明細書の発明の詳細な説明の欄Ｉ
　補正の内容　　明細書オ８頁第１８行「バキュー４」
を「ベーノや−」に補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、情報信号と対応するビットの配列によって形成され
   た記録跡を有する情報記録媒体円盤における記録跡に摺
   接し、前記の記録跡中の情報信号を静電容量値の変化に
   応じた１１気肯の変化として取出しつるような電極部を
   備えている静電容量値の変化検出型再生針であって、再
   生針本体における４層硬度耐摩耗性材料の部分圧設けら
   れた電挽付着形成面に、前記した／ＩａＪ硬度制摩れ軽
   材料の榊成物質と合金化する金属の薄層を合金層を介し
   て付層１−を合金層を介して付層形成させて電慣部を榊
   成した静電容量値の変化検出型再生針 ２、再生針本体における高硬度耐摩耗性材料の部分に設
   けられた電極付層形成面上に金属の４層と。 その金属の電化吻ま九は炭化物の薄層とが順次父互に核
   数層設けられてｔ他部を構成してなる特許請求の範囲第
   １項記載の静電容量イ１の変化検出型再生針 ＆再生針本体における高ｉｉ１！度耐摩枕性材料として
   ダイヤモンドを用いた特許請求の範１７１１１第１項１
   載の＃寛容ｔｇの変化検出型再生針 ４、電惚都に用いられる金属がチタンまたはハ７ニウム
   である特許請求の範囲第１項記載の靜電答ｊｌｌ値の変
   化検出型再生針