JPS5837833A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5837833A JPS5837833A JP13559581A JP13559581A JPS5837833A JP S5837833 A JPS5837833 A JP S5837833A JP 13559581 A JP13559581 A JP 13559581A JP 13559581 A JP13559581 A JP 13559581A JP S5837833 A JPS5837833 A JP S5837833A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- flat
- conductor
- magnetic core
- core parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパッタリングや蒸着等の方法により導体、
磁性体コア部等を形成して構成するようにしてなる薄膜
磁気ヘッドに関する。
磁性体コア部等を形成して構成するようにしてなる薄膜
磁気ヘッドに関する。
従来提案されているこの種の薄膜磁気ヘッドは、第１図
に示すように、導電性を有するＭｎ −Ｚ ｎ合金、フ
ェライト等からなる磁性体基板１の研摩を施した一表面
全面にＳｉｎ、をスパッタリングして絶縁層２を形成し
、この絶縁層２上に信号導体３を形成している。この信
号導体３は、上記絶縁層２の全面にＣｕ等の導電性金属
層を蒸着してフォトレジストを施し所定信号導体パター
ンに対応するように選択露光を行なうとともに該露光部
分を現像する工程を経て上記所定信号導体パターンに対
応するフォトレジスト残部を形成し、このフォトレジス
ト残部をマスクとしてエンジングを施すことによって形
成される。このように形成した信号導体３上にＳｉｎ、
をスパッタリングして絶縁層４を形成し、この絶縁層４
を介して磁性体基板１の全面に上コア部５となるパーマ
ロイやセンダスト等の磁性材料をスパッタリングする。
に示すように、導電性を有するＭｎ −Ｚ ｎ合金、フ
ェライト等からなる磁性体基板１の研摩を施した一表面
全面にＳｉｎ、をスパッタリングして絶縁層２を形成し
、この絶縁層２上に信号導体３を形成している。この信
号導体３は、上記絶縁層２の全面にＣｕ等の導電性金属
層を蒸着してフォトレジストを施し所定信号導体パター
ンに対応するように選択露光を行なうとともに該露光部
分を現像する工程を経て上記所定信号導体パターンに対
応するフォトレジスト残部を形成し、このフォトレジス
ト残部をマスクとしてエンジングを施すことによって形
成される。このように形成した信号導体３上にＳｉｎ、
をスパッタリングして絶縁層４を形成し、この絶縁層４
を介して磁性体基板１の全面に上コア部５となるパーマ
ロイやセンダスト等の磁性材料をスパッタリングする。
そして、フォトレジストを施し所定のトラック幅を決定
する上コア部５のパターンに対応する′ように選択露光
１行なうとともに該露光部分を現像する工程を経て上記
パターン部分に対応するフォトレジスト残部を形成し、
このフォトレジスト残部をマスクエライト等の非磁性の
酸化物材料からなる保護基板６を設け、次いで磁気テー
プと摺接する前面側を研摩して所定のギャップ深さ？有
する作動ギャップＴを形成するようにして、この従来の
薄膜磁気ヘッドは形成される。
する上コア部５のパターンに対応する′ように選択露光
１行なうとともに該露光部分を現像する工程を経て上記
パターン部分に対応するフォトレジスト残部を形成し、
このフォトレジスト残部をマスクエライト等の非磁性の
酸化物材料からなる保護基板６を設け、次いで磁気テー
プと摺接する前面側を研摩して所定のギャップ深さ？有
する作動ギャップＴを形成するようにして、この従来の
薄膜磁気ヘッドは形成される。
上述のようにして形成され且つ構成される従来の薄膜磁
気ヘッドにあっては、磁性体基板１上に形成され九信号
導体３上に磁性材料をスパッタリングしその後エツチン
グを施して所定のトランク幅を決定する上コア部５を形
成するよｔにしているため、スパッタリングにより施こ
される上コア部５を形成する磁性材料層は、信号導体３
の傾斜面３ａ部分において他の平担面３ｂ部分より薄く
なってしまうことを避けることができない。すなわち、
スパッタリングあるいは蒸着によって磁性材料層を形成
する場合、層の成長速度が基板面の蒸発源に対する角度
により左右されるためである。
気ヘッドにあっては、磁性体基板１上に形成され九信号
導体３上に磁性材料をスパッタリングしその後エツチン
グを施して所定のトランク幅を決定する上コア部５を形
成するよｔにしているため、スパッタリングにより施こ
される上コア部５を形成する磁性材料層は、信号導体３
の傾斜面３ａ部分において他の平担面３ｂ部分より薄く
なってしまうことを避けることができない。すなわち、
スパッタリングあるいは蒸着によって磁性材料層を形成
する場合、層の成長速度が基板面の蒸発源に対する角度
により左右されるためである。
ま九、上記磁性材料層を化学エツチングで所定の上コア
部５を形成するようにパターン形成するときに、信号導
体３上の部与が必要以上にエツチングされてしまいくび
れた如くなってしまう０このように従来の薄膜磁気ヘッ
ドにあっては、信号導体３の傾斜面３ａ部分から平担面
３ｂ部分に亘る角部において層の薄い部分やくびれ部分
を有する上コア部５となってしまうため、信号導体３の
傾斜面３ａから角部に亘る層の薄い部分で磁気飽和が生
じ、信号導体３へ供給する電流を増しても十分な磁束が
作動ギヤツブＴ側へ伝達されないという欠点を有してい
る。
部５を形成するようにパターン形成するときに、信号導
体３上の部与が必要以上にエツチングされてしまいくび
れた如くなってしまう０このように従来の薄膜磁気ヘッ
ドにあっては、信号導体３の傾斜面３ａ部分から平担面
３ｂ部分に亘る角部において層の薄い部分やくびれ部分
を有する上コア部５となってしまうため、信号導体３の
傾斜面３ａから角部に亘る層の薄い部分で磁気飽和が生
じ、信号導体３へ供給する電流を増しても十分な磁束が
作動ギヤツブＴ側へ伝達されないという欠点を有してい
る。
そこで、本発明は上述したよう人従来のものが有してい
る欠点を解決することを目的に提案されたものであって
、所定のトラック幅を決定するコア部を上述し定従来の
ものの如く平担面上の盛り上った信号導体上においてパ
ターン形成することなく、平板状態でパターン形成し仰
るようになし、トラック幅を決定するようにエツチング
される際に生ずる磁気回路を構成するコア部における磁
性材料層の薄い部分の発生をなくシ、磁気飽和が起こり
難く記録再生特性の良好な薄膜磁気ヘッドを提供しよう
とするものである。
る欠点を解決することを目的に提案されたものであって
、所定のトラック幅を決定するコア部を上述し定従来の
ものの如く平担面上の盛り上った信号導体上においてパ
ターン形成することなく、平板状態でパターン形成し仰
るようになし、トラック幅を決定するようにエツチング
される際に生ずる磁気回路を構成するコア部における磁
性材料層の薄い部分の発生をなくシ、磁気飽和が起こり
難く記録再生特性の良好な薄膜磁気ヘッドを提供しよう
とするものである。
以下、本発明を図面に示す実施例を参照して説明する。
本発明によって構成される薄膜磁気ヘッドは、第２図及
び第３図に示すように、非磁性材料で形成された平板状
の非磁性基板１１の平担な一面上に形成されたそれぞれ
所定のトラック幅ｔを規定する複数の平板状磁性体コア
部１２ｔ、ＩＬ”・・・ と、８１ｏｚ等からなる第１
の絶縁層１３を介して上記複数の平板状磁性体コア部Ｉ
Ｌ、１’２ｚ・・・・ それぞれにまたがって形成され
た複数の信号導体１４．．１４２ ・・・中と、さらに
５ｉｎ２等からなる第２の絶縁層１５を介して複数の平
板状磁性体コア部ｉ２１ 、ｔ２ｔ −−Φ 間に亘っ
て設けられ九各磁気回路に共通のバイアス導体１６と、
ＳｉＯ，等からなる第３の絶縁層１γを介して上記複数
の平板状磁性体コア部ｔ２．．ｔ２． ・・・・に亘
って形成され上記信号導体１４．．１４□ ・・・・を
囲んで上記平板状磁性体コア部１２．．ｔ２、・・・・
とともに磁気回路を構成する磁性体コア部１Ｂとを積
層するようにして構成している。
び第３図に示すように、非磁性材料で形成された平板状
の非磁性基板１１の平担な一面上に形成されたそれぞれ
所定のトラック幅ｔを規定する複数の平板状磁性体コア
部１２ｔ、ＩＬ”・・・ と、８１ｏｚ等からなる第１
の絶縁層１３を介して上記複数の平板状磁性体コア部Ｉ
Ｌ、１’２ｚ・・・・ それぞれにまたがって形成され
た複数の信号導体１４．．１４２ ・・・中と、さらに
５ｉｎ２等からなる第２の絶縁層１５を介して複数の平
板状磁性体コア部ｉ２１ 、ｔ２ｔ −−Φ 間に亘っ
て設けられ九各磁気回路に共通のバイアス導体１６と、
ＳｉＯ，等からなる第３の絶縁層１γを介して上記複数
の平板状磁性体コア部ｔ２．．ｔ２． ・・・・に亘
って形成され上記信号導体１４．．１４□ ・・・・を
囲んで上記平板状磁性体コア部１２．．ｔ２、・・・・
とともに磁気回路を構成する磁性体コア部１Ｂとを積
層するようにして構成している。
上記磁性体コア部１８上には、Ｚｎ、フェライト等の非
磁性の酸化物材料からなる保護基板２０が設けられる。
磁性の酸化物材料からなる保護基板２０が設けられる。
なお、上述のバイアス導体１６は、必要に応じて設けれ
ば良く、必ずしも設ける必要はない。
ば良く、必ずしも設ける必要はない。
ところで、上述のように構成される本発明による薄膜磁
気ヘッドは、次に述べるような工程を経て構成される。
気ヘッドは、次に述べるような工程を経て構成される。
まず、第４図Ａに示す如く非磁性材料で形成された平板
状の非磁性基板１１の平担な一面全面に２〜４μ厚にパ
ーマロイ等の磁性材料を蒸着又はスパッタリングして磁
性材料層１１２を形成する。
状の非磁性基板１１の平担な一面全面に２〜４μ厚にパ
ーマロイ等の磁性材料を蒸着又はスパッタリングして磁
性材料層１１２を形成する。
次いで、第４図Ｂに示すように上記磁性材料層１１２に
二りチン！を施し所定のトラック幅ｔを規定する複数の
平板状磁性体コア部１２．．１２２・・・・ を形成す
る。
二りチン！を施し所定のトラック幅ｔを規定する複数の
平板状磁性体コア部１２．．１２２・・・・ を形成す
る。
ここで、平板状磁性体コア部１２．，１２．。
・・・を形成するために施されるエツチングは、磁性材
料層１１２上に７オトレジストを施し上記複数の平板状
Ｗｉ磁性体コア部２．．ｉ２□ ・・・・ に対応する
。パターンに選択露光を行なうとともに該露光部分を現
像する工程を経て上記パターンに対応するフォトレジス
ト残部を形成し、このフォトレジスト残部をマスクとし
てエツチング液に浸漬してエツチングを施す化学エツチ
ング又はイオンエツチング等のドライエツチングでよっ
て行なわれる。
料層１１２上に７オトレジストを施し上記複数の平板状
Ｗｉ磁性体コア部２．．ｉ２□ ・・・・ に対応する
。パターンに選択露光を行なうとともに該露光部分を現
像する工程を経て上記パターンに対応するフォトレジス
ト残部を形成し、このフォトレジスト残部をマスクとし
てエツチング液に浸漬してエツチングを施す化学エツチ
ング又はイオンエツチング等のドライエツチングでよっ
て行なわれる。
ここで、トラック幅ｔを決定する平板状磁性体コア部１
２１，１２２ ・・・・ は、平担な非磁性基板１１上
に形成された磁性材料層１１２全エツチングすることに
よって形成されるため、極めて加工精度良く形成でき、
寸法精度の良いトラック幅ｔを規定することができる。
２１，１２２ ・・・・ は、平担な非磁性基板１１上
に形成された磁性材料層１１２全エツチングすることに
よって形成されるため、極めて加工精度良く形成でき、
寸法精度の良いトラック幅ｔを規定することができる。
さらに、この平板状磁性体コア部１２．．ｔ２゜Φ・・
・ を形成するためのエツチングは平板状態で行なわれ
るため、化学エツチングを施す場合にエツチング液に対
する反応むらの発生を防止できる。
・ を形成するためのエツチングは平板状態で行なわれ
るため、化学エツチングを施す場合にエツチング液に対
する反応むらの発生を防止できる。
従って、むらのない均一な厚さをもって平板状磁性体コ
ア部１２＋ 、１２ｔ ・・・・ を形成すること
かで゛きる。
ア部１２＋ 、１２ｔ ・・・・ を形成すること
かで゛きる。
上述のように平板状磁性体コア部１２．，１２゜・・・
・ を形成した後、全面に５ｉｎ２等からなる第層１ン
を介して第４図Ｃに示すように複数の平板状磁性体コア
部１２．，１２． ・・・・ それぞれにまたがるよ
うに上記各コア部１２□ 、１２２・…に対応する信号
導体１４１，１４． ・・・・ を形成する。これら
信号導体１４．．１４． ・・・・ は導電材料をス
パッタリング及びエツチングすることによって形成され
る。
・ を形成した後、全面に５ｉｎ２等からなる第層１ン
を介して第４図Ｃに示すように複数の平板状磁性体コア
部１２．，１２． ・・・・ それぞれにまたがるよ
うに上記各コア部１２□ 、１２２・…に対応する信号
導体１４１，１４． ・・・・ を形成する。これら
信号導体１４．．１４． ・・・・ は導電材料をス
パッタリング及びエツチングすることによって形成され
る。
続いて、上記信号導体１４□ 、１４２ ・・・・ と
の短絡を防止するようにＳｉｎ、等からなる第２の絶縁
層１５を設け、この第２の絶縁層１５を介して第４図り
に示すように複数の平板状磁性体コア部１２１．１２□
山間に亘って各磁気回路に共通となるｌＯ〜２０μ程
度の厚さにバイアス導体１６をスパッタリング及びエツ
チング法によって設ける。
の短絡を防止するようにＳｉｎ、等からなる第２の絶縁
層１５を設け、この第２の絶縁層１５を介して第４図り
に示すように複数の平板状磁性体コア部１２１．１２□
山間に亘って各磁気回路に共通となるｌＯ〜２０μ程
度の厚さにバイアス導体１６をスパッタリング及びエツ
チング法によって設ける。
さらに続いて、上記バイアス導体１６との短絡を防止す
るようにＳｔＯ，等からなる第３の絶縁層ＩＴを設ける
。なお、この第３の絶縁層１γを設けた所で、必要によ
り各平板状磁性体コア部１２□、１２２・・・・と磁性
体コア部１８のバックギャップとなる上記各コア部ｉ２
．．ｉｚ、・リー、１８の接合部上の第１１第２及び第
３の絶縁層１３゜１５．１７をエツチングにより除去す
るとともに、磁気テープと摺接する前面側の作動ギャッ
プとなるフロントギャップ１９部分に積層される第１゜
第２及びＭ３の絶縁層１３，１４，１７の厚さを所要の
空隙長になるように調整する。
るようにＳｔＯ，等からなる第３の絶縁層ＩＴを設ける
。なお、この第３の絶縁層１γを設けた所で、必要によ
り各平板状磁性体コア部１２□、１２２・・・・と磁性
体コア部１８のバックギャップとなる上記各コア部ｉ２
．．ｉｚ、・リー、１８の接合部上の第１１第２及び第
３の絶縁層１３゜１５．１７をエツチングにより除去す
るとともに、磁気テープと摺接する前面側の作動ギャッ
プとなるフロントギャップ１９部分に積層される第１゜
第２及びＭ３の絶縁層１３，１４，１７の厚さを所要の
空隙長になるように調整する。
そして、上記第３の絶縁層ＩＴを介して第４図Ｅに示す
ように複数の平板状磁性体コア部１２゜、１２．・・・
・ 〆亘って形成され、各信号導体１４□ 、１４２・
・・・を囲んで上記平板状磁性体コア部１２ｔ、ＩＬ・
・・・とともに磁気回路を構成するｑ！ｒａ気回路に共
通の磁性体コア部１８を形成する。この磁性体コア部１
８は、例えば磁性材料であるパーマロイを１５〜２０μ
の厚さにスパッタリングとエツチング法により、又はマ
スクを用いたマスク蒸着等により形成される。上記磁性
体コア部１８上に第２図に示すように保護基板２０を設
けることによシ本発明による薄膜磁気ヘッドが構成され
る。
ように複数の平板状磁性体コア部１２゜、１２．・・・
・ 〆亘って形成され、各信号導体１４□ 、１４２・
・・・を囲んで上記平板状磁性体コア部１２ｔ、ＩＬ・
・・・とともに磁気回路を構成するｑ！ｒａ気回路に共
通の磁性体コア部１８を形成する。この磁性体コア部１
８は、例えば磁性材料であるパーマロイを１５〜２０μ
の厚さにスパッタリングとエツチング法により、又はマ
スクを用いたマスク蒸着等により形成される。上記磁性
体コア部１８上に第２図に示すように保護基板２０を設
けることによシ本発明による薄膜磁気ヘッドが構成され
る。
上述したように構成される本発明によれば、所定のトラ
ック幅を決定する平板状磁性体コア部は、平坦な非磁性
基板上に形成される磁性材料層をエツチングすることに
よって形成されるため、従来のものの如くその厚さにむ
らを生ずることもない。
ック幅を決定する平板状磁性体コア部は、平坦な非磁性
基板上に形成される磁性材料層をエツチングすることに
よって形成されるため、従来のものの如くその厚さにむ
らを生ずることもない。
そして、信号導体上に形成される磁性体コア部は、上記
信号導体上に積層する如く設ければよく、所定のトラッ
ク幅を得るようなエツチング等ｆ：施す必要がないので
、その厚さも自在に選択が可能となる。従って、従来の
ものの如く所定のトラック幅を規定するようにエツチン
グを施した際に生ずる信号導体の傾斜面及び角部付近に
おける磁性体コア部の層の薄い部分の発生をなくすこと
ができ、磁気飽和のない記録再生特性の良好な薄膜磁気
ヘッドを構成できる。
信号導体上に積層する如く設ければよく、所定のトラッ
ク幅を得るようなエツチング等ｆ：施す必要がないので
、その厚さも自在に選択が可能となる。従って、従来の
ものの如く所定のトラック幅を規定するようにエツチン
グを施した際に生ずる信号導体の傾斜面及び角部付近に
おける磁性体コア部の層の薄い部分の発生をなくすこと
ができ、磁気飽和のない記録再生特性の良好な薄膜磁気
ヘッドを構成できる。
特に、本発明によれば、信号導体上に形成される磁性体
コア部の厚さを自在に選択して形成し得るので、この磁
性体コア部をフロントギャップ１９部分の厚さＷｌ
と信号導体１４□ 、１・４□・・・・上の厚Ｗ２の関
係ヲＷ１ ≦Ｗ、となるように設定すれば、短波長の信
号を記録する場合に記録磁界の分布が一層シャープにな
るので、周波数特性（ｆ特）を良好にすることができる
。
コア部の厚さを自在に選択して形成し得るので、この磁
性体コア部をフロントギャップ１９部分の厚さＷｌ
と信号導体１４□ 、１・４□・・・・上の厚Ｗ２の関
係ヲＷ１ ≦Ｗ、となるように設定すれば、短波長の信
号を記録する場合に記録磁界の分布が一層シャープにな
るので、周波数特性（ｆ特）を良好にすることができる
。
第１図は従来例を示す断面図である。第２図は本発明の
一実施例を示す分解斜視図であり、第３図はその断面図
である。 第４図Ａ−Ｅは本発明による薄膜磁気ヘッド構成するた
めの工程図である。 １１Φ・幸非磁性基板 １２、．１２□・・・・ Φ・・平板状磁性体コア部１
４□ 、１４２・・・・ ・・・信号導体１８・・・磁
性体コア部 特許出願人 ンニー株式会社 代理人 弁理士 −小 池 見 間 １） 村 榮 −第１ｓ 手続補正書（自発） 昭和５７年１月２０口 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特許願第１３５５９５号 ２、発明の名称 事件との関係 特許出願人 住 所東京部品用区北品用６丁目７番３５号氏名（２１
８）ソニー株式会社 （８″）代表者 岩 間 和 夫 ４、代理人 〒１０５ 自 発 ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説＆０欄 ７、補正の内容 １９１′・；パ°ｒ・へ−− （７−１） 明細書、第１ページ第１−６行目から第
１７行目に記載されるｌ”Ｍｎ−Ｚｎ合金、フェライト
等」を「Ｆ、−ＡノーＳＬ系合金、Ｍｎ−２ｎ７エライ
ト等」と訂正する。 （７−２） 同書、第２ページ第１８行目から第１９
行目に記載される「ｚｎ１フェライト等」を「Ｚｎフェ
ライト等」と訂正する。 （７−３”） 同書、第３ページ第１１行目に記載さ
れる「３ａ」を「３ｂ」に「３ｂ」を「３ａ」にそれぞ
れ訂正する。 （７＝４ ） 同書、第４ページ第１１行目に記載さ
れる「３ａ」を「３ｂ」に、「３ｂ」を「３ａ」にそれ
ぞれ訂正する。 （７−５） 同書、第４ページ第４行目に記載される
「３ａ」を「３ｂ」に訂正する。 （７−６） 同書、第５ページ第１９行目に記載され
るｒ ｚｎ１フェライト」を「Ｚｎフェライト」に訂正
する。
一実施例を示す分解斜視図であり、第３図はその断面図
である。 第４図Ａ−Ｅは本発明による薄膜磁気ヘッド構成するた
めの工程図である。 １１Φ・幸非磁性基板 １２、．１２□・・・・ Φ・・平板状磁性体コア部１
４□ 、１４２・・・・ ・・・信号導体１８・・・磁
性体コア部 特許出願人 ンニー株式会社 代理人 弁理士 −小 池 見 間 １） 村 榮 −第１ｓ 手続補正書（自発） 昭和５７年１月２０口 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特許願第１３５５９５号 ２、発明の名称 事件との関係 特許出願人 住 所東京部品用区北品用６丁目７番３５号氏名（２１
８）ソニー株式会社 （８″）代表者 岩 間 和 夫 ４、代理人 〒１０５ 自 発 ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説＆０欄 ７、補正の内容 １９１′・；パ°ｒ・へ−− （７−１） 明細書、第１ページ第１−６行目から第
１７行目に記載されるｌ”Ｍｎ−Ｚｎ合金、フェライト
等」を「Ｆ、−ＡノーＳＬ系合金、Ｍｎ−２ｎ７エライ
ト等」と訂正する。 （７−２） 同書、第２ページ第１８行目から第１９
行目に記載される「ｚｎ１フェライト等」を「Ｚｎフェ
ライト等」と訂正する。 （７−３”） 同書、第３ページ第１１行目に記載さ
れる「３ａ」を「３ｂ」に「３ｂ」を「３ａ」にそれぞ
れ訂正する。 （７＝４ ） 同書、第４ページ第１１行目に記載さ
れる「３ａ」を「３ｂ」に、「３ｂ」を「３ａ」にそれ
ぞれ訂正する。 （７−５） 同書、第４ページ第４行目に記載される
「３ａ」を「３ｂ」に訂正する。 （７−６） 同書、第５ページ第１９行目に記載され
るｒ ｚｎ１フェライト」を「Ｚｎフェライト」に訂正
する。
Claims (1)
- 非磁性基板上に形成され之複数の平板状磁性体コア部と
、これら複数の平板状磁性体コア部それぞれにまたがっ
て形成された複数の導体と、上記複数の平板状磁性体コ
ア部に亘って形成され上記導体を囲んで上記平板状磁性
体コア部と磁気回路を構成する磁性体コア部よりなる薄
膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13559581A JPS5837833A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13559581A JPS5837833A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837833A true JPS5837833A (ja) | 1983-03-05 |
Family
ID=15155488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13559581A Pending JPS5837833A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837833A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7410059B2 (en) | 2002-09-11 | 2008-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Commodity packaging body |
| JP2010069016A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Zojirushi Corp | 電気ケトル |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13559581A patent/JPS5837833A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7410059B2 (en) | 2002-09-11 | 2008-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Commodity packaging body |
| JP2010069016A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Zojirushi Corp | 電気ケトル |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03125311A (ja) | 磁気抵抗読取り変換器及びその製造方法 | |
| JPS59231722A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3394266B2 (ja) | 磁気書込／読取ヘッドの製造方法 | |
| JPS5837833A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0594603A (ja) | 垂直磁気ヘツド | |
| JPH01229413A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2814894B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3222318B2 (ja) | 薄膜形成方法と薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS62164203A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH06203326A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS592965B2 (ja) | ジキテイコウハクマクヘツドノ セイゾウホウホウ | |
| JPS5960721A (ja) | 薄膜型磁気ヘツド | |
| JPH046610A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| KR0119801B1 (ko) | 복합 자기 헤드 제조 방법 | |
| JP2572241B2 (ja) | 多チャンネル薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0276111A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS58137124A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS61220112A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH04159604A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS581832A (ja) | 垂直磁化記録媒体 | |
| JPS63103409A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0432008A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS63102008A (ja) | 磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPS60170013A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH01267812A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |