JPS5838923A - 液晶表示基板の製造方法 - Google Patents
液晶表示基板の製造方法Info
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- JPS5838923A JPS5838923A JP56137415A JP13741581A JPS5838923A JP S5838923 A JPS5838923 A JP S5838923A JP 56137415 A JP56137415 A JP 56137415A JP 13741581 A JP13741581 A JP 13741581A JP S5838923 A JPS5838923 A JP S5838923A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
零発−は非線型抵抗素子を具備した液晶表示基板の製造
方法−関する。
方法−関する。
近年、Ｔｙｌ形液晶表示素子の応用が進み腕時計電卓等
を代表として種々の分野で用いられて込る。
を代表として種々の分野で用いられて込る。
しかしながら、！夏形液晶表示素子は電圧−コントラス
ト特性の立上りがあ重り急峻でなく視角依存性も大％ｖ
＝ために多桁のマルチプレックス駆動をすることが困難
であｐその限界は１／３０デユ一テイ程度と考えられて
論る。
ト特性の立上りがあ重り急峻でなく視角依存性も大％ｖ
＝ために多桁のマルチプレックス駆動をすることが困難
であｐその限界は１／３０デユ一テイ程度と考えられて
論る。
そこでＴＩ形液晶表示素子の褒示容量を増すためにスイ
ッチング素子や非線型素子を用にたアクティブマトリッ
クヌ表示が考えられ、アそルフ了スシリコンやポリシリ
コンを用いたダイオードある＾は２７丁、酸化亜鉛等を
用いたバリスタなど種々のアプローチがなされている・ その中でＢａｒａｆｆｅＤ、Ｒ，ａｔ ａｎ ｅ（１９
８０８Ｘ ＤＸ＠ｔａｒ ｖｈａｔｉｏｎｔｘｌ Ｈ
ｙｍｐｅｍｈｍ Ｄ９ａａｔ ｏｆ τ−〇ルｓｈａ
ｇＰ（ｌｐａｒａｅマａｔ ｘ Ｘ、？−２００ｓムｐ
ｒイｌ １９８０その他）の窒化メンタルを用論た非線
型抵抗素子は製造工程の簡単なこと、素子設計が容易で
あるとｂうた利点を有してい石、この素子の基本構成は
第１図および第２図に示す工うにガラス基板１を？（’
ＩＯｍ膜２で被覆し、窒素をト°−プしたテロ膜３をス
パッタでつＨた優所定の形状にパターニングし表面を陽
極酸化で酸化膜４とする。さらｆｌｃ ）Ｉ（ＣｒｌＡ
ｍ薄膜を蒸着しバターニングして対向電極５とする。
ッチング素子や非線型素子を用にたアクティブマトリッ
クヌ表示が考えられ、アそルフ了スシリコンやポリシリ
コンを用いたダイオードある＾は２７丁、酸化亜鉛等を
用いたバリスタなど種々のアプローチがなされている・ その中でＢａｒａｆｆｅＤ、Ｒ，ａｔ ａｎ ｅ（１９
８０８Ｘ ＤＸ＠ｔａｒ ｖｈａｔｉｏｎｔｘｌ Ｈ
ｙｍｐｅｍｈｍ Ｄ９ａａｔ ｏｆ τ−〇ルｓｈａ
ｇＰ（ｌｐａｒａｅマａｔ ｘ Ｘ、？−２００ｓムｐ
ｒイｌ １９８０その他）の窒化メンタルを用論た非線
型抵抗素子は製造工程の簡単なこと、素子設計が容易で
あるとｂうた利点を有してい石、この素子の基本構成は
第１図および第２図に示す工うにガラス基板１を？（’
ＩＯｍ膜２で被覆し、窒素をト°−プしたテロ膜３をス
パッタでつＨた優所定の形状にパターニングし表面を陽
極酸化で酸化膜４とする。さらｆｌｃ ）Ｉ（ＣｒｌＡ
ｍ薄膜を蒸着しバターニングして対向電極５とする。
この対向電極５に重なる＊ＷＣＷイーＣデ／ムｔの透明
電極６をつ社友もので、この素子の０両端（Ｔａ膜３と
対向電極５）Ｋ電圧をかＨると８３図の工うに電流が流
れてその電圧−電流が’Ｘ’ｏｏ１ｍ −Ｘｒ−％Ｍａ
ｌ効果に従い ｚｍｉｃ ｖａｚｐ ＣＩＪＶ ） ・・・’ｌ’〔
ホ１１式中Ｉは電流、Ｖは印加電圧を示す、〕という弐
に従う。
電極６をつ社友もので、この素子の０両端（Ｔａ膜３と
対向電極５）Ｋ電圧をかＨると８３図の工うに電流が流
れてその電圧−電流が’Ｘ’ｏｏ１ｍ −Ｘｒ−％Ｍａ
ｌ効果に従い ｚｍｉｃ ｖａｚｐ ＣＩＪＶ ） ・・・’ｌ’〔
ホ１１式中Ｉは電流、Ｖは印加電圧を示す、〕という弐
に従う。
この素子（便宜上Ｍｅｔａｌ−Ｉｓｓｓｊａｔｏｒ−Ｍ
ｅｔａｌ略してＭｘＭ素子と呼ぶ）と液晶表示素子を組
合せ、ダイナζツタ駆動すると第４図に示す１５に液晶
表示素子単体の電圧−コントラスト断線ムが高電圧間Ｂ
にシフトし見か打上急峻ｌが上昇する。
ｅｔａｌ略してＭｘＭ素子と呼ぶ）と液晶表示素子を組
合せ、ダイナζツタ駆動すると第４図に示す１５に液晶
表示素子単体の電圧−コントラスト断線ムが高電圧間Ｂ
にシフトし見か打上急峻ｌが上昇する。
即ち多桁駆動が可能になりＢ６ｒ６ｆｆらＫよれば、１
／１００〜１／２００デユーテイが容易に達成できると
している。
／１００〜１／２００デユーテイが容易に達成できると
している。
ところで先に説明したようにＭＩＭ素子の製造工程中１
（Ｔａ膜を陽極酸化す不工程を含むが、陽極酸化は、ク
エン酸等の水溶液中に基板を入れて被酸化側をプラス電
極にして、白金等の電極をマイナス電極にして行う。プ
ラス電極側に水酸イオｙが電気的に引寄せられて結合し
て水となる際に発生する酸素がプラス電極側の金属と反
応してこれを酸化する。したがってプラスに帯電しない
金属は酸化されな論０ＭｘＭ素子を液晶表示装置に付加
した液晶表示基板は第５図のように各表示セルを配線で
接続しこれをアドレス線ｌＯとして用いるため各アドレ
ス線のり一部 ｉｓ １１を短絡すゐ治具を用−てプラ
ス電極として陽極酸化する。しかしながらアドレス線１
０はその途中で断線していることが多く、断線箇所以後
は陽極酸化されないで線欠陥となる。またリード部を短
絡するために導電性のゴムを用ηて接触不良による陽極
酸化不良を無くしているが、導電性のゴムは基［Ｋ付着
して、酸や有機溶剤等の洗浄では完全にタｉ−工ｙグ出
来ず後工程におηてその目ゴレの九め金属膜のハガレを
生ずる。また−線の原因としては、金属膜の形成時に発
生するゴミ、ケバ等やピンホール。
（Ｔａ膜を陽極酸化す不工程を含むが、陽極酸化は、ク
エン酸等の水溶液中に基板を入れて被酸化側をプラス電
極にして、白金等の電極をマイナス電極にして行う。プ
ラス電極側に水酸イオｙが電気的に引寄せられて結合し
て水となる際に発生する酸素がプラス電極側の金属と反
応してこれを酸化する。したがってプラスに帯電しない
金属は酸化されな論０ＭｘＭ素子を液晶表示装置に付加
した液晶表示基板は第５図のように各表示セルを配線で
接続しこれをアドレス線ｌＯとして用いるため各アドレ
ス線のり一部 ｉｓ １１を短絡すゐ治具を用−てプラ
ス電極として陽極酸化する。しかしながらアドレス線１
０はその途中で断線していることが多く、断線箇所以後
は陽極酸化されないで線欠陥となる。またリード部を短
絡するために導電性のゴムを用ηて接触不良による陽極
酸化不良を無くしているが、導電性のゴムは基［Ｋ付着
して、酸や有機溶剤等の洗浄では完全にタｉ−工ｙグ出
来ず後工程におηてその目ゴレの九め金属膜のハガレを
生ずる。また−線の原因としては、金属膜の形成時に発
生するゴミ、ケバ等やピンホール。
マタフォトエッチング時に発生するゴミ、ケバ等やマス
ク上の欠陥さらにはレジストのピンホールやレジストの
ハガレ等の種々の原因が有り、これを完全に除去するこ
とは―シ論。
ク上の欠陥さらにはレジストのピンホールやレジストの
ハガレ等の種々の原因が有り、これを完全に除去するこ
とは―シ論。
本発明の目的はかかる欠点を除去し、液晶表示基板の歩
留り誉向上させることにある。
留り誉向上させることにある。
本発明は、透明導電薄膜を基板全面に形成し、その上層
に所定の形状の金属薄膜を形成して仁れを陽極酸化する
ことに工１上記目的を這成せんとしたものである。
に所定の形状の金属薄膜を形成して仁れを陽極酸化する
ことに工１上記目的を這成せんとしたものである。
以下実施例に従って説明する。第６図（ａｌ〜ｔｇ＞は
断面図、纂１図−１〜（ｇｌは平面図である。
断面図、纂１図−１〜（ｇｌは平面図である。
透明基板２０（ソーダガラス、パイレックスガラス、石
英ガラス等の＾わゆるガラス基板）上に透明導電薄膜で
あるＸ町’ｓ ｊ１２１ （ＢｎＯ，等の通常透明電極
として使用されて％Ａ為ものであればよ％／−ｈ）をス
パッタ蒸着に１り形成したのちこれを４００℃で熱処理
する。熱処理−置は透明基板や透明導電膜の種類により
異なるが、およそ１００℃〜６００℃が適当である０次
Ｋ ”％ｓＯｓ ［１２１上にチー膜ｎを形成してこれ
をフォトエツチング法ＫｘすＦｌｒ定の形状にパターニ
ングする。Ｔａ膜のエツチングは、ＣＦａ４Ｌ＜は０３
を混入し九ＣＦ４ガスで可能で’Ｉ”Ｄ、”ガｏｓはこ
れらのガスにエツチングされない。なお本実施例におい
てτＧを使用したが、ＭＵＭ素子に用論られる金属であ
ればＬ〈テａＫ限るものではな一、テαバターｙニング
後、クエン酸等の水溶ｆ［Ｋてテ・の陽極酸化を行う。
英ガラス等の＾わゆるガラス基板）上に透明導電薄膜で
あるＸ町’ｓ ｊ１２１ （ＢｎＯ，等の通常透明電極
として使用されて％Ａ為ものであればよ％／−ｈ）をス
パッタ蒸着に１り形成したのちこれを４００℃で熱処理
する。熱処理−置は透明基板や透明導電膜の種類により
異なるが、およそ１００℃〜６００℃が適当である０次
Ｋ ”％ｓＯｓ ［１２１上にチー膜ｎを形成してこれ
をフォトエツチング法ＫｘすＦｌｒ定の形状にパターニ
ングする。Ｔａ膜のエツチングは、ＣＦａ４Ｌ＜は０３
を混入し九ＣＦ４ガスで可能で’Ｉ”Ｄ、”ガｏｓはこ
れらのガスにエツチングされない。なお本実施例におい
てτＧを使用したが、ＭＵＭ素子に用論られる金属であ
ればＬ〈テａＫ限るものではな一、テαバターｙニング
後、クエン酸等の水溶ｆ［Ｋてテ・の陽極酸化を行う。
前記丁・パターンとの接続は、Ｘ％ｌｏｇとＴａとが電
気的に短絡状態となっているため少なくともＩ％ｌ’ｌ
の一部もしくはテロの一部と電源が接続されていればよ
いため金属（例えばクリップのようなもの）で外部電源
と接続が出来る。また、前記原因に１）テａのパターン
不良が有っても各テロパターンは基板全面に形成され九
ｘＩＢ１０ｓｌ［により外部電極と導通がとれている。
気的に短絡状態となっているため少なくともＩ％ｌ’ｌ
の一部もしくはテロの一部と電源が接続されていればよ
いため金属（例えばクリップのようなもの）で外部電源
と接続が出来る。また、前記原因に１）テａのパターン
不良が有っても各テロパターンは基板全面に形成され九
ｘＩＢ１０ｓｌ［により外部電極と導通がとれている。
陽極酸化電圧は２０Ｖで約４００ムの駿化膜厚と々る。
コー・陽極酸化膜、陽極酸化後、ツオシエッチングによ
すＩ％寥ｏｓ膜を所定の形状にパターンエングする。こ
のときτａ４と透甲電極（工％ｇｏｓ）２１が接続され
ているようにパターンニンダする。
すＩ％寥ｏｓ膜を所定の形状にパターンエングする。こ
のときτａ４と透甲電極（工％ｇｏｓ）２１が接続され
ているようにパターンニンダする。
さらに〒ａ膜を形成してこれを所定の形状にバターν二
ングする。なおＭＩＭ素子に使用される金属であればＴ
ａＫ限るものではなＬ’％ｅこのとき配線５とＭＵＭ素
子電極為は同時に形成される。
ングする。なおＭＩＭ素子に使用される金属であればＴ
ａＫ限るものではなＬ’％ｅこのとき配線５とＭＵＭ素
子電極為は同時に形成される。
以後液晶の配向処理として通常行われている方法、すな
わちラビングやａ（Ｏ等Ｏ無機物質の斜方蒸着ある偽は
ポリイミド、有機シラン化合物やテフロン等の有機化合
物質を被着して配向膜としラビング処理して液晶パネル
基板となす。
わちラビングやａ（Ｏ等Ｏ無機物質の斜方蒸着ある偽は
ポリイミド、有機シラン化合物やテフロン等の有機化合
物質を被着して配向膜としラビング処理して液晶パネル
基板となす。
以上本発明に１れば、陽極酸化時に尭生じ欠陥の要因と
なる導電性のゴムの付着物が付くこともｎ＜、ｔたフォ
トエツチング工程や金１１１膜形成時忙発生するゴミ、
ケバ、ピンホール等の欠陥−因に影響されることなく陽
極酸化が出来る工うＫなり容易にその歩留りを向上する
ことが可能となった。
なる導電性のゴムの付着物が付くこともｎ＜、ｔたフォ
トエツチング工程や金１１１膜形成時忙発生するゴミ、
ケバ、ピンホール等の欠陥−因に影響されることなく陽
極酸化が出来る工うＫなり容易にその歩留りを向上する
ことが可能となった。
第１図及び第２図はＢａｒｔｘｆｆ、ＤｍＲらの輩工Ｍ
素子の構成を示す。 第３図はＭｘ輩素子の電圧−電流特性を示す。 第４図はＭＸＭ素子を用％Ａ表い場合と用いた場合の電
圧−コントラスト特性の差を示す。 第５図は液晶衰示基板の配線を示す。 第６図−１〜ｔｇ１は本発明の１！施例の各工程の断面
図である。 第７■ｌａｌ〜ｔｇ＞は本発明の実施例の各工程の平面
図である。 以 上 − ０１図 第２１ｘ１ ｔ；１３図 第４図 （＄１ 第６図 ＜５Ｉ そ （）フ 第７図
素子の構成を示す。 第３図はＭｘ輩素子の電圧−電流特性を示す。 第４図はＭＸＭ素子を用％Ａ表い場合と用いた場合の電
圧−コントラスト特性の差を示す。 第５図は液晶衰示基板の配線を示す。 第６図−１〜ｔｇ１は本発明の１！施例の各工程の断面
図である。 第７■ｌａｌ〜ｔｇ＞は本発明の実施例の各工程の平面
図である。 以 上 − ０１図 第２１ｘ１ ｔ；１３図 第４図 （＄１ 第６図 ＜５Ｉ そ （）フ 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１金属−絶縁体−金属構造を有する液晶表示基板の
製造方法において、透明基板上に透明導電薄膜を形成し
、前記導電薄膜上にさらに嬉−の金属簿膜を形成して所
定の形状にエツチングしてバターニングしたのち、前記
第一〇金属薄膜を陽極酸化して前記第一の金属薄膜表面
に絶縁膜を形成してのち前記透明導電薄膜をエツチング
してパターンエラグすゐ工程を含むことを特徴とする液
晶表示基板の製造方法。 伐）透明基板がソーダガラス、バイレツタスガラス、石
英ガラスとＶｈ−）た＾わゆるガラスであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示基板の製造
方法。 （３）透明導電薄膜がＸガ０．あるいは８１％０．であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表
示基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137415A JPS5838923A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 液晶表示基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137415A JPS5838923A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 液晶表示基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838923A true JPS5838923A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15198095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56137415A Pending JPS5838923A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | 液晶表示基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838923A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274482A (en) * | 1990-11-21 | 1993-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Matrix array using MIM device and α and β tantalum electrodes |
-
1981
- 1981-09-01 JP JP56137415A patent/JPS5838923A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274482A (en) * | 1990-11-21 | 1993-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Matrix array using MIM device and α and β tantalum electrodes |
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