JPS5842162U - 反応性スパツタエツチング装置 - Google Patents
反応性スパツタエツチング装置Info
- Publication number
- JPS5842162U JPS5842162U JP13676281U JP13676281U JPS5842162U JP S5842162 U JPS5842162 U JP S5842162U JP 13676281 U JP13676281 U JP 13676281U JP 13676281 U JP13676281 U JP 13676281U JP S5842162 U JPS5842162 U JP S5842162U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputter etching
- reactive sputter
- etching equipment
- alloy
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案による実施例の断面図、第２図は同実施
例を説明するための金属汚染分布を示す図である。 ′１：支持台、２：エツチング室、３：気密容器、４：
真空装置、５．６：電極、７：半導体基板。
例を説明するための金属汚染分布を示す図である。 ′１：支持台、２：エツチング室、３：気密容器、４：
真空装置、５．６：電極、７：半導体基板。
Claims (1)
- 気溝ガスが導入された気密容器内でグロー放電を生じさ
せて、半導体基板自身又は半導体基板上の絶縁層を化学
反応によってエツチングする反応性スパッタエツチング
装置において、気密容器壁、半導体支持部材、電極等の
グロー放電による反応生成物が付着し得る部材をＡ１及
び１又はＡ１合金で形成してなることを特徴とする反応
性スパッタエツチング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13676281U JPS5842162U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 反応性スパツタエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13676281U JPS5842162U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 反応性スパツタエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842162U true JPS5842162U (ja) | 1983-03-19 |
Family
ID=29930076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13676281U Pending JPS5842162U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 反応性スパツタエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842162U (ja) |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP13676281U patent/JPS5842162U/ja active Pending
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