JPS5842230A - 半導体ウエハを用いた写真の製造方法 - Google Patents
半導体ウエハを用いた写真の製造方法Info
- Publication number
- JPS5842230A JPS5842230A JP56139770A JP13977081A JPS5842230A JP S5842230 A JPS5842230 A JP S5842230A JP 56139770 A JP56139770 A JP 56139770A JP 13977081 A JP13977081 A JP 13977081A JP S5842230 A JPS5842230 A JP S5842230A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor wafer
- photograph
- manufacturing
- etching
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/705—Compositions containing chalcogenides, metals or alloys thereof, as photosensitive substances, e.g. photodope systems
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は長期間変色褪色することがない写真の製造方法
に係シ、特にシリコンなどの半導体ウェハを印画紙用の
基体として用いた写真の製造方法に関する。
に係シ、特にシリコンなどの半導体ウェハを印画紙用の
基体として用いた写真の製造方法に関する。
従来の写真は印画紙に焼きつけられたものであり、５〜
ｌＯ年経過すると一般に褪色、変色する欠点を有してい
る。従来の写真の原理は、化学変化を利用するものであ
シ、褪色、変色を防ぐためには、厳重な製作工程におけ
る工程管理を必要とする。又、写真が出来あがった後の
保存条件のよしあしが褪色、変色に大きな影響を及ぼす
。
ｌＯ年経過すると一般に褪色、変色する欠点を有してい
る。従来の写真の原理は、化学変化を利用するものであ
シ、褪色、変色を防ぐためには、厳重な製作工程におけ
る工程管理を必要とする。又、写真が出来あがった後の
保存条件のよしあしが褪色、変色に大きな影響を及ぼす
。
本発明の目的は、長期間変色や褪色せず、しかも簡単な
製造工程によシ製作出来、且つ高温多湿あるいは直射日
光等にｉたっても変褪色しない良好な写真を実現するた
めの製造方法を提供するにある。
製造工程によシ製作出来、且つ高温多湿あるいは直射日
光等にｉたっても変褪色しない良好な写真を実現するた
めの製造方法を提供するにある。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図■〜伽）は、第１の実施例の製造工程を示す図で
、半導体ウェハとしてシリコンを用いた場合を示す。シ
リコンウェハはトランジスタや半導体集積回路等の製造
の素材となるものであシ、半導体業界においては、極め
て一般的な材料である。
、半導体ウェハとしてシリコンを用いた場合を示す。シ
リコンウェハはトランジスタや半導体集積回路等の製造
の素材となるものであシ、半導体業界においては、極め
て一般的な材料である。
ウニ・・寸法は直径が３〜６インチのものが現状では一
般的である。
般的である。
まず、第１図（４）に示すようにウェノ・１上に熱酸化
または気相成長などの方法で形成した均一な被膜２を設
ける。次に第１図（Ｂ）に示すように、被膜２を選択エ
ツチングして画像をターン・１上に得るために、ネガ又
はポジフィルムなどの写真原版をマスクとして用い、周
知のフォトリソグラフィ技術によシ段差を有する凹部３
を形成する。
または気相成長などの方法で形成した均一な被膜２を設
ける。次に第１図（Ｂ）に示すように、被膜２を選択エ
ツチングして画像をターン・１上に得るために、ネガ又
はポジフィルムなどの写真原版をマスクとして用い、周
知のフォトリソグラフィ技術によシ段差を有する凹部３
を形成する。
半導体集積回路技術において周知のマスク合せ技術を用
いる事によシ、異なった段差を有するノ母ターンがウェ
ハ１上に形成される。このようにしてウェハ１上に形成
された画像ツヤターンは、深さに差のある凹部３を有し
ているため、被膜２の反射率の相違による干渉色によっ
て映像を具象化することが出来る。単に濃淡のみの画像
を得る場合には、写真原版として網目模様状フィルム（
以下メツシュフィルムという）を用いれば良い。
いる事によシ、異なった段差を有するノ母ターンがウェ
ハ１上に形成される。このようにしてウェハ１上に形成
された画像ツヤターンは、深さに差のある凹部３を有し
ているため、被膜２の反射率の相違による干渉色によっ
て映像を具象化することが出来る。単に濃淡のみの画像
を得る場合には、写真原版として網目模様状フィルム（
以下メツシュフィルムという）を用いれば良い。
なお、通常の３５ｍ等の写真のネガフィルムから、メツ
シュフィルムへの画像の転写は周知の写真技術によシ極
めて容易に行なうことが出来る。
シュフィルムへの画像の転写は周知の写真技術によシ極
めて容易に行なうことが出来る。
また、ウェハ１上に形成する被膜２としては、シリコン
の酸化膜、窒化膜あるいはポリシリコン膜又は、とれら
の複合膜が利用出来る。
の酸化膜、窒化膜あるいはポリシリコン膜又は、とれら
の複合膜が利用出来る。
第２図囚〜（Ｃ）は、第２の実施例の製造工程を示した
図である。なお以下の図面においては、第１図に示した
と同一部分は同一符号によシ示し、説明を省略する。
図である。なお以下の図面においては、第１図に示した
と同一部分は同一符号によシ示し、説明を省略する。
ウェハ１上の被膜２としてシリコン酸化膜４と、との上
面に被着したＮｉＣｒＡｕ又はＡｔ５との複合膜を用い
た場合の製造方法を示している。本実施例においては、
ＮｉＣｒＡｕ又はＡｔ ５のみをエツチングするエッチ
ャントを用いれば、第２図（Ｑに示すように酸化膜４を
のこして画像パターンを得ることが出来る。
面に被着したＮｉＣｒＡｕ又はＡｔ５との複合膜を用い
た場合の製造方法を示している。本実施例においては、
ＮｉＣｒＡｕ又はＡｔ ５のみをエツチングするエッチ
ャントを用いれば、第２図（Ｑに示すように酸化膜４を
のこして画像パターンを得ることが出来る。
第３図（Ａ）〜０）は、第３の実施例の製造工程を示し
た図である。
た図である。
ウニ・・１上の被膜２としてシリコン酸化膜４と、この
上面に被着したＴｉ６を被着して複合膜としている。第
２の実施と同様なエツチングしてＡ’ターン形成を終了
した後に第４図（９）に示すように熱酸化処理を行なっ
てＴｉ６の表面に酸化被膜７を形成することによシ、画
像の色が経時変化しないようにしている。
上面に被着したＴｉ６を被着して複合膜としている。第
２の実施と同様なエツチングしてＡ’ターン形成を終了
した後に第４図（９）に示すように熱酸化処理を行なっ
てＴｉ６の表面に酸化被膜７を形成することによシ、画
像の色が経時変化しないようにしている。
第４図（４）〜（Ｃ）は、第４の実施例の製造工程を示
した図である。、ウェノ・１上に直接Ｔｉ６を被着して
被膜２とし、エツチングしてノ４ターン形成を終了した
後に、第４図（Ｃ）に示すように陽極化成によって酸化
被膜７を形成した。
した図である。、ウェノ・１上に直接Ｔｉ６を被着して
被膜２とし、エツチングしてノ４ターン形成を終了した
後に、第４図（Ｃ）に示すように陽極化成によって酸化
被膜７を形成した。
第５図（４）〜（Ｃ）は、第５の実施例の製造工程を示
した図である。本実施例では、被膜２のエツチングの後
、さらにウェノ・１を被膜２をマスクにしてエツチング
することによシ凹部８をもうけて画像がうきあがるよう
にした、深ぼシボターンを得ることが出来る。
した図である。本実施例では、被膜２のエツチングの後
、さらにウェノ・１を被膜２をマスクにしてエツチング
することによシ凹部８をもうけて画像がうきあがるよう
にした、深ぼシボターンを得ることが出来る。
なお、保存性をよシ完全にしようとする時には、ウェハ
表面に画像形成後保護用／４’シペーシヨン膜を形成す
れば良い。
表面に画像形成後保護用／４’シペーシヨン膜を形成す
れば良い。
また、写真原版のよごれを防ぐためには、その表面に保
護用の膜を塗布しておく方が良い。
護用の膜を塗布しておく方が良い。
以上説明したように本発明によれば、シリコン酸化膜等
の被膜に半導体ホトリソグラフィ技術を応用して、凹部
を設けることによシ、画像を具象化することが出来るも
のであるから、次の利点がある。
の被膜に半導体ホトリソグラフィ技術を応用して、凹部
を設けることによシ、画像を具象化することが出来るも
のであるから、次の利点がある。
第１に、極めて安定なシリコン酸化膜等の被膜やウニ・
・基板に加工したものであるので、変質・褪色等の問題
が生じない。これはレリーフ等戸外に長期間量いておく
必要のあるものに極めて適した効果を生ずる。
・基板に加工したものであるので、変質・褪色等の問題
が生じない。これはレリーフ等戸外に長期間量いておく
必要のあるものに極めて適した効果を生ずる。
第２に高解像度が容易に得られる。通常の写真の場合メ
ツシュ径が１００μ〜３００μ程度であるが半導体の微
細加工技術の応用によ９１〜２桁メツシュ径を小さくす
ることが可能である。
ツシュ径が１００μ〜３００μ程度であるが半導体の微
細加工技術の応用によ９１〜２桁メツシュ径を小さくす
ることが可能である。
第３に被膜を適当に選択することによシカラー化が容易
に実現出来る。即ちメツシュ径が小さくできること及び
酸化膜等の被膜に設ける段差の種類を赤、青、緑等の波
長に対応したものに選択することによシ容易に行うこと
ができる利点がある。
に実現出来る。即ちメツシュ径が小さくできること及び
酸化膜等の被膜に設ける段差の種類を赤、青、緑等の波
長に対応したものに選択することによシ容易に行うこと
ができる利点がある。
第１図〜第５図はそれぞれ本発明の第１〜第５の実施例
の製造方法を示すための図である。 １・・・ウェハ、２・・・被膜、３・・・凹部。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
の製造方法を示すための図である。 １・・・ウェハ、２・・・被膜、３・・・凹部。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (4)
- （１）半導体ウェハ上に均一な被膜を形成する工程と、
写真原版を用いて前記被膜を選択的にエツチングして凹
部を形成する工程とを具備してなる半導体ウェハを用い
た写真の製造方法。 - （２）網目模様状に形成された前記写真原版を使用した
特許請求の範囲第（１）項記載の半導体ウェハな用いた
写真の製造方法。 - （３）半導体ウェハ上に均一な被膜を形成する工程と、
写真原版を用いて前記被膜を選択的に工、ツチンダして
凹部を形成する工程と、前記被膜をマスクとして前記半
導体ウェハを表面から一定の深さまでエツチングする工
程とを具備してなる半導体ウェハを用いた写真の製造方
法。 - （４）網目模様状に形成された前記写真原版を使用した
特許請求の範囲第（３）項記載の半導体ウニ・・を用い
た写真の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56139770A JPS5842230A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 半導体ウエハを用いた写真の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56139770A JPS5842230A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 半導体ウエハを用いた写真の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842230A true JPS5842230A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15252991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56139770A Pending JPS5842230A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 半導体ウエハを用いた写真の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842230A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50105073A (ja) * | 1974-01-22 | 1975-08-19 | ||
| JPS5167071A (ja) * | 1974-12-09 | 1976-06-10 | Suwa Seikosha Kk | |
| JPS52125217A (en) * | 1976-04-14 | 1977-10-20 | Nec Corp | Data transfer transceivers |
| JPS53101416A (en) * | 1976-12-23 | 1978-09-04 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Recording material for reproducing high resolving pattern |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP56139770A patent/JPS5842230A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50105073A (ja) * | 1974-01-22 | 1975-08-19 | ||
| JPS5167071A (ja) * | 1974-12-09 | 1976-06-10 | Suwa Seikosha Kk | |
| JPS52125217A (en) * | 1976-04-14 | 1977-10-20 | Nec Corp | Data transfer transceivers |
| JPS53101416A (en) * | 1976-12-23 | 1978-09-04 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Recording material for reproducing high resolving pattern |
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