JPS5843501A - 薄膜回路素子の製造方法 - Google Patents
薄膜回路素子の製造方法Info
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- JPS5843501A JPS5843501A JP14116881A JP14116881A JPS5843501A JP S5843501 A JPS5843501 A JP S5843501A JP 14116881 A JP14116881 A JP 14116881A JP 14116881 A JP14116881 A JP 14116881A JP S5843501 A JPS5843501 A JP S5843501A
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Landscapes
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜回路素子OJI造方法、特に金属薄膜抵抗
器の製造方法に関する4のでるる。
器の製造方法に関する4のでるる。
白金、鋼、ニッケル、Iンダステン、白金・コバルト合
金等の嵐導電性金属は正の高い比抵抗温度係数を利用し
て高分解な測温抵抗器等を提供できる利点を有し、%に
白金は蛾も安定でTo9%再現性が高く%標準温置セシ
管など高性能を要する分野に実用化されている6例えば
固体状の白金は+3850ppm/υの比抵蛛温度係数
!有し、白金の抵抗値は温度とともに%惟ぼ直線的に変
化する。
金等の嵐導電性金属は正の高い比抵抗温度係数を利用し
て高分解な測温抵抗器等を提供できる利点を有し、%に
白金は蛾も安定でTo9%再現性が高く%標準温置セシ
管など高性能を要する分野に実用化されている6例えば
固体状の白金は+3850ppm/υの比抵蛛温度係数
!有し、白金の抵抗値は温度とともに%惟ぼ直線的に変
化する。
しかしながら1.薄膜状に付着された金属薄膜の比抵抗
温度係−は、一般に固体状の金属の一合と比較して低い
値を示し、例えばスバ、 J IJング法によ)付着さ
れた白金の比抵抗温匿係数は約+2800ppm /
”0で6!Jhla体状の、場合の値よりも1000p
芦〆℃以上も小さい値を示した。従りて製造される測温
抵抗器9分解、能は低いものであり九、tた。・付着さ
れた該薄膜の比抵抗は固、体状の場合と5、比較して約
1.・5倍、も高吟値を示し、而も高温度に長時間放置
−されると比抵抗が小さくなシ、比抵抗温直係数が高、
ぐな4七いう不安定性を有し、製造される薄1lllI
緻抗器の信頼性は低−ものでめりた。
温度係−は、一般に固体状の金属の一合と比較して低い
値を示し、例えばスバ、 J IJング法によ)付着さ
れた白金の比抵抗温匿係数は約+2800ppm /
”0で6!Jhla体状の、場合の値よりも1000p
芦〆℃以上も小さい値を示した。従りて製造される測温
抵抗器9分解、能は低いものであり九、tた。・付着さ
れた該薄膜の比抵抗は固、体状の場合と5、比較して約
1.・5倍、も高吟値を示し、而も高温度に長時間放置
−されると比抵抗が小さくなシ、比抵抗温直係数が高、
ぐな4七いう不安定性を有し、製造される薄1lllI
緻抗器の信頼性は低−ものでめりた。
本発明の3、目的ヰ、かかる従来の欠点を除去し、高精
直で而、も経・時的に安定な薄膜回路素子CAM造方法
管提供することにある。
直で而、も経・時的に安定な薄膜回路素子CAM造方法
管提供することにある。
本発明の薄fi11回路素子の製造方法は回路素、子!
形成すべ龜基板上の金属薄膜に誘電体−膜を付着形成し
、この誘電体薄膜を外気雰曲気に対する保護膜として金
属薄11(合金を含む)を高温熱処理τる工程を含むこ
とt%黴とす6・ 以下%#A*を参−して本Il!明の一実施例を説明す
る。
形成すべ龜基板上の金属薄膜に誘電体−膜を付着形成し
、この誘電体薄膜を外気雰曲気に対する保護膜として金
属薄11(合金を含む)を高温熱処理τる工程を含むこ
とt%黴とす6・ 以下%#A*を参−して本Il!明の一実施例を説明す
る。
#I1図はスパッタリング法によシ薄膜状に白金を付着
させたときの白金比抵抗温度係数と熱処理温度との関係
1%外気雰−気に対する保護膜の有無の場合を比較して
示し赤ものであハ保@I[/Iiスパッタリング法によ
る二酸化シリコン薄膜とした。
させたときの白金比抵抗温度係数と熱処理温度との関係
1%外気雰−気に対する保護膜の有無の場合を比較して
示し赤ものであハ保@I[/Iiスパッタリング法によ
る二酸化シリコン薄膜とした。
図よシ明らか門ように′、白金薄膜の比抵抗温度係数ゆ
熱エエヵ8′高<’eA&。え。、2、
゛ なり汽力j保−膜を有しない白金薄膜の比抵抗温度係数
は熱I&理温[800〜1!QO”0・の範囲では熱処
理温度にかかわらず、保瞼膜を有する白金薄膜に較ぺて
約1100pp/’0小g&値でToりた。tた。
熱エエヵ8′高<’eA&。え。、2、
゛ なり汽力j保−膜を有しない白金薄膜の比抵抗温度係数
は熱I&理温[800〜1!QO”0・の範囲では熱処
理温度にかかわらず、保瞼膜を有する白金薄膜に較ぺて
約1100pp/’0小g&値でToりた。tた。
薄膜の比抵抗も熱処理温fが高くなるに従って小さな値
となシ、最大約40−□::不さな値とな=た。
となシ、最大約40−□::不さな値とな=た。
比抵抗の減少率は保−属を有する白金薄膜の場合が大き
かつた。
かつた。
このように本発明は、大気中の諸気体や他の元素と反応
しにくい極めて安定な白金の場合であっても表面に保I
IjIIt−付着させた後に熱処理するこ・ とくよ
ハ製造される薄膜の諸特性管固体状の場!に示す##特
性に近づけるものでめハ従りて本i#4は再現性や経時
的安定性等の信頼性に優れた゛ 高精度な薄11回路票
子を提供できるものである。
しにくい極めて安定な白金の場合であっても表面に保I
IjIIt−付着させた後に熱処理するこ・ とくよ
ハ製造される薄膜の諸特性管固体状の場!に示す##特
性に近づけるものでめハ従りて本i#4は再現性や経時
的安定性等の信頼性に優れた゛ 高精度な薄11回路票
子を提供できるものである。
表面に形成された保−膜の機能は現時点で明確ではない
が、熱処理によって白金の結晶粒径が約200人から約
60OAに成長し七−ること、白金−め結晶構造である
面心立方格子定数が熱処理に2って3.92ムから数−
増大していること、及び格子定数の膨張は保護膜を有5
シ、な、−薄、膜?、場合が大きいこと等を考慮すると
、白金薄膜と一板との関”に挿入した接着層であるチタ
ン、クロム、アル2ニウム、−ンIル等の金属層が熱処
理によって白金結晶格子中に固溶し元こと1表面の保護
膜はこの固溶反応を抑制する一1来がTo47.結晶粒
の成長を助長していること等の効果があったものと考え
ることができる。
が、熱処理によって白金の結晶粒径が約200人から約
60OAに成長し七−ること、白金−め結晶構造である
面心立方格子定数が熱処理に2って3.92ムから数−
増大していること、及び格子定数の膨張は保護膜を有5
シ、な、−薄、膜?、場合が大きいこと等を考慮すると
、白金薄膜と一板との関”に挿入した接着層であるチタ
ン、クロム、アル2ニウム、−ンIル等の金属層が熱処
理によって白金結晶格子中に固溶し元こと1表面の保護
膜はこの固溶反応を抑制する一1来がTo47.結晶粒
の成長を助長していること等の効果があったものと考え
ることができる。
以上に記述した集施鉤はiんの一例にすぎず、実験によ
れば、鏑、ニッケル、□−ンダ誠テン等数多く6M4i
用いて着成さ五九貞導電性薄−に対して本発ll14管
集論すると前述の効果tjlす・ることが明らかに−り
九、従り七本発明が゛前述め効果を−する=′i−’
ii笈fi−成は−に限定されゐべ龜ものではな□<
、 ’ip++えハ′前記材゛料にシ゛リコ゛ン% コ
バルト、アル建゛エウ五等数参・°くの不一物′を添加
するこiがで龜ることi当然′ciる。★た―・良°導
・電−性薄−9′付着方法1も゛特に限定舊゛れ:)べ
きも′め゛で°はなく、活性スバ、タリンダ法−反応佳
堆−法、プラズ讐気相成長法等)用いる′ととができ゛
・る゛ということは勿論である。また、良導電性薄膜の
用途も一時に限′定ざ□れるべき亀のではe’< 、’
測温篭ン゛す、流量測定セ゛ンサ尋の他に通常の抵抗器
h石いは補整用紙□抗器尋をして用いること□も1然で
龜るも゛のである。tた、熱処理温度中時間畝所望とす
べ龜比抵抗一度係数ある仏は比抵抗を得暮ための条件と
すべ龜ものであ〕、゛特に限定され慝べきものではない
ことは論を痔たなう、パ また1本実施例では保膜iiとして二酸化シリコン薄膜
を用いたがアル建す、窒化シリコン尋の高融点材料管用
いることができるもので奉る。tた、その膜厚も特に限
定されるもの9ではないtIX、−案に上2000ム以
上が望ましい。
れば、鏑、ニッケル、□−ンダ誠テン等数多く6M4i
用いて着成さ五九貞導電性薄−に対して本発ll14管
集論すると前述の効果tjlす・ることが明らかに−り
九、従り七本発明が゛前述め効果を−する=′i−’
ii笈fi−成は−に限定されゐべ龜ものではな□<
、 ’ip++えハ′前記材゛料にシ゛リコ゛ン% コ
バルト、アル建゛エウ五等数参・°くの不一物′を添加
するこiがで龜ることi当然′ciる。★た―・良°導
・電−性薄−9′付着方法1も゛特に限定舊゛れ:)べ
きも′め゛で°はなく、活性スバ、タリンダ法−反応佳
堆−法、プラズ讐気相成長法等)用いる′ととができ゛
・る゛ということは勿論である。また、良導電性薄膜の
用途も一時に限′定ざ□れるべき亀のではe’< 、’
測温篭ン゛す、流量測定セ゛ンサ尋の他に通常の抵抗器
h石いは補整用紙□抗器尋をして用いること□も1然で
龜るも゛のである。tた、熱処理温度中時間畝所望とす
べ龜比抵抗一度係数ある仏は比抵抗を得暮ための条件と
すべ龜ものであ〕、゛特に限定され慝べきものではない
ことは論を痔たなう、パ また1本実施例では保膜iiとして二酸化シリコン薄膜
を用いたがアル建す、窒化シリコン尋の高融点材料管用
いることができるもので奉る。tた、その膜厚も特に限
定されるもの9ではないtIX、−案に上2000ム以
上が望ましい。
1ゝ(へ
【図面の簡単な説明】
菖1図は白金薄膜や、比抵抗温度係数と一時1!温度と
の閤at、外気雰囲気、に対する保麺−の有無の場合を
比較して示した図である。
の閤at、外気雰囲気、に対する保麺−の有無の場合を
比較して示した図である。
Claims (1)
- 回路素子を形成すべき基板上の金属11111に誘電″
″ エ、t工61..エエ、□エャヵする保am
として前記金属*mを熱処埴す・る、工程を含むこと1
−e黴とする薄膜回路素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14116881A JPS5843501A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 薄膜回路素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14116881A JPS5843501A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 薄膜回路素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843501A true JPS5843501A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15285711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14116881A Pending JPS5843501A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 薄膜回路素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843501A (ja) |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP14116881A patent/JPS5843501A/ja active Pending
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