JPS5847204A - 微小領域検出器 - Google Patents
微小領域検出器Info
- Publication number
- JPS5847204A JPS5847204A JP56145712A JP14571281A JPS5847204A JP S5847204 A JPS5847204 A JP S5847204A JP 56145712 A JP56145712 A JP 56145712A JP 14571281 A JP14571281 A JP 14571281A JP S5847204 A JPS5847204 A JP S5847204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detected
- region
- photoelectric conversion
- thin film
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/926—Elongated lead extending axially through another elongated lead
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、不透明物体の所定の寸法以上の欠落部分ある
いは所定の寸法以上の微小不透明物体の検出ができる微
小領域検出器に関する。
いは所定の寸法以上の微小不透明物体の検出ができる微
小領域検出器に関する。
このような検出器は、例えばの９（海苔）の穴、かけを
検出して品質管理をするのに利用される。
検出して品質管理をするのに利用される。
従来のこの種の検出器としては、投光器より出て被検出
体を照射した光を多数のフォトダイオードよりなるイメ
ージセンサ受光器で受光して検出するものがあるが、元
を検出するイメージセンサ部が小さいので、光をしばっ
た形で被検出体にあて・る必要があり、元をしぼるため
の光学系の性能によって検出精度が大きく左右されるこ
と着こなる。
体を照射した光を多数のフォトダイオードよりなるイメ
ージセンサ受光器で受光して検出するものがあるが、元
を検出するイメージセンサ部が小さいので、光をしばっ
た形で被検出体にあて・る必要があり、元をしぼるため
の光学系の性能によって検出精度が大きく左右されるこ
と着こなる。
従ってのすなどのように穴、かけが位置に３いても、形
状に８いても、大きさにおいても不規則に存在するもの
を高い精度で検出するには、光学系３よびイメージセン
サが高価になる。
状に８いても、大きさにおいても不規則に存在するもの
を高い精度で検出するには、光学系３よびイメージセン
サが高価になる。
本発明はこれに対して大面積のものも製作可能な薄膜太
陽電池を利用して、簡単な構造で検出精度の高い微小領
域検出器を構成することを目的とする。
陽電池を利用して、簡単な構造で検出精度の高い微小領
域検出器を構成することを目的とする。
この目的は、微小領域検出器が互に隣接して同一平面上
に一線に配列された薄膜半導体を有する複数の光電変換
素子からなり、その光電変換素子は配列方向に直角な方
向から見て所定の長さだけ互に隣接素子と重なる形状を
有することによって達成される。
に一線に配列された薄膜半導体を有する複数の光電変換
素子からなり、その光電変換素子は配列方向に直角な方
向から見て所定の長さだけ互に隣接素子と重なる形状を
有することによって達成される。
以下図面を引用して本発明ｔこついて説明する。
本発明による微小領域検出器は基本的には従来のイメー
ジ七ン？ｌこＢけるフォトダイオードを薄膜太陽電池と
同様に形成したものである。第１図および第２図はその
ような検出器としての当然考えられる構造を示す。すな
わち、例えばガラスからなる透明基板１の上にＩＴＯ（
インシュウ１２すず酸化物）からなる透明導電膜２を被
着し、その上をこンランガスのグロー放電分解法により
生成したアモルファスシリコンからなるシリコン薄膜３
を重ねる。シリコン薄膜３はＰＮ）１合あるいは表面障
壁による光電変換活性領域を有する。シリコン薄膜３の
上面にはアルミニウム蒸着膜からなる複数の方形電極４
が僅かな間隔を明けて隣接して一線上に配列されている
。電極４に接読される端子５：Ｆ６よび透明導電膜２の
接地電極６も電極４と同時番こ作成される。端子５を有
する各電極４と共通電極となる透明導電膜２の間に″Ｉ
ｔ、電変換素子７が形成され、鎖線でハツチングして示
した検出部分に基板１を通して入射した光により光起電
力が生じ、その起電力は端子５よジ外部へ引き出される
。索子７に入射する光が被検出体をこより局部的にさえ
ぎられるかあるいは被検出体の穴またはかけを透過した
光が局部的に索子７に入射すれば、いずれかの素子の出
力信号をこ変化を生ずる。被検出体またはその穴あるい
はかけの大きさはこの出力信号の変化の大きさにより検
出できる。しかしそのような遮光部あるいは入射光部が
第２図の符号８のように二つの隣接素子７の中間を１市
遇すると、それら素子の出力信号の変化は検出対象領域
である遮光部あるいは入射光部の半分・以下の大きさに
相当し、検出すべき大きさとかけ離れたもの壷こなる。
ジ七ン？ｌこＢけるフォトダイオードを薄膜太陽電池と
同様に形成したものである。第１図および第２図はその
ような検出器としての当然考えられる構造を示す。すな
わち、例えばガラスからなる透明基板１の上にＩＴＯ（
インシュウ１２すず酸化物）からなる透明導電膜２を被
着し、その上をこンランガスのグロー放電分解法により
生成したアモルファスシリコンからなるシリコン薄膜３
を重ねる。シリコン薄膜３はＰＮ）１合あるいは表面障
壁による光電変換活性領域を有する。シリコン薄膜３の
上面にはアルミニウム蒸着膜からなる複数の方形電極４
が僅かな間隔を明けて隣接して一線上に配列されている
。電極４に接読される端子５：Ｆ６よび透明導電膜２の
接地電極６も電極４と同時番こ作成される。端子５を有
する各電極４と共通電極となる透明導電膜２の間に″Ｉ
ｔ、電変換素子７が形成され、鎖線でハツチングして示
した検出部分に基板１を通して入射した光により光起電
力が生じ、その起電力は端子５よジ外部へ引き出される
。索子７に入射する光が被検出体をこより局部的にさえ
ぎられるかあるいは被検出体の穴またはかけを透過した
光が局部的に索子７に入射すれば、いずれかの素子の出
力信号をこ変化を生ずる。被検出体またはその穴あるい
はかけの大きさはこの出力信号の変化の大きさにより検
出できる。しかしそのような遮光部あるいは入射光部が
第２図の符号８のように二つの隣接素子７の中間を１市
遇すると、それら素子の出力信号の変化は検出対象領域
である遮光部あるいは入射光部の半分・以下の大きさに
相当し、検出すべき大きさとかけ離れたもの壷こなる。
従って検出すべき大きさを有する領域を検知できないこ
とが起きる。
とが起きる。
第３図は本発明の一実施例を示し、第１．第２図と共通
の部分着こは同一の符号が付されている。
の部分着こは同一の符号が付されている。
この場合電極４は曲折した形状を有し、隣接素子７はそ
の配列方向に延びた部分４１が矢印Ｐで示す被検出体の
移動方向から見て互に６重なるように位置している。電
極形状ならびに配置をこのようよう憂こすることによｐ
１検出対象領域の寸法が隣接素子の重なり幅Ｘおよび電
極の被検出体の移動方向の幅ｙよ）小さければ、その領
域の基板１の側からの投影はある時点に５いてその全部
がいずれかの素子７の検出部分に葛きまるごとｌこなり
、その大きさに対応した出力信号の変化がいずれかの素
子の端子５にあられれる。すなわち所定の寸法以上の領
域はいずれかの素子に生ずる所定の値以上の出力信号の
変化によシ検出できる。
の配列方向に延びた部分４１が矢印Ｐで示す被検出体の
移動方向から見て互に６重なるように位置している。電
極形状ならびに配置をこのようよう憂こすることによｐ
１検出対象領域の寸法が隣接素子の重なり幅Ｘおよび電
極の被検出体の移動方向の幅ｙよ）小さければ、その領
域の基板１の側からの投影はある時点に５いてその全部
がいずれかの素子７の検出部分に葛きまるごとｌこなり
、その大きさに対応した出力信号の変化がいずれかの素
子の端子５にあられれる。すなわち所定の寸法以上の領
域はいずれかの素子に生ずる所定の値以上の出力信号の
変化によシ検出できる。
第４図は本発明の別の実施例で、この場合電極４は被検
出体の移動方向Ｐに対して斜めに延びていて、移動方向
から見て互に重なっている。従って電極４に内接する円
の直径２までの大きさの検出対象領域を精度よく検出す
ることができる。
出体の移動方向Ｐに対して斜めに延びていて、移動方向
から見て互に重なっている。従って電極４に内接する円
の直径２までの大きさの検出対象領域を精度よく検出す
ることができる。
第３図、あるいはｗＩ４図に示すようなＸ極４の形状は
、アル＜ニウムなどの蒸着時に対応した形状のマスクを
用いることによシ容易ｌこ形成することができる。
、アル＜ニウムなどの蒸着時に対応した形状のマスクを
用いることによシ容易ｌこ形成することができる。
第５図に示す別の実施例に２いては、第３図に示すよう
な本発明による光電変換素子の列１１′Ｊ６よび１２が
平行して配置されている。このような複数列の配置によ
）、−万の列の電池に欠損が生 ５− じても他の列の電池により欠損電池を補なうことができ
る。一つの基板上に薄膜光電変換素子を多数形成する場
合、その内の一つの素子が不良でも検出器全体が不良に
なってしまうが、予備となる索子を有することにより、
良品素子のみを選択して用いればよく、製造歩留９の大
幅な向上を図ることができる。
な本発明による光電変換素子の列１１′Ｊ６よび１２が
平行して配置されている。このような複数列の配置によ
）、−万の列の電池に欠損が生 ５− じても他の列の電池により欠損電池を補なうことができ
る。一つの基板上に薄膜光電変換素子を多数形成する場
合、その内の一つの素子が不良でも検出器全体が不良に
なってしまうが、予備となる索子を有することにより、
良品素子のみを選択して用いればよく、製造歩留９の大
幅な向上を図ることができる。
第６図は本発明による微小領域検出器の使用状態を示し
、光源２１と本発明による検出器２２の間に、例えばの
りのような被検出体２３を矢印Ｐの方向に移動させる。
、光源２１と本発明による検出器２２の間に、例えばの
りのような被検出体２３を矢印Ｐの方向に移動させる。
被検出体２３に穴あるいはかけかあって光源２１からの
元２４の一部が透過した場合に検出器２２の光電変換素
子に生ずる出力信号の変化を判別回路２５によって判別
し、許容できない大きさの穴または力）けのあるものを
不良品として除外する。
元２４の一部が透過した場合に検出器２２の光電変換素
子に生ずる出力信号の変化を判別回路２５によって判別
し、許容できない大きさの穴または力）けのあるものを
不良品として除外する。
以上述べたように、本発明は薄膜半導体からなる複数の
光電変換素子を被検出体の移動方向から見て互に重なる
ような形状にして移動方向に直角に配列することによｐ
所定の寸法以上の微小領域 ６− による遮光あるいは透光を精度よく検出するものである
。従っての９のような不透明物体の所定の大きさ以上の
穴、かけなどの検出８はじめ微小物体中にまじる所定の
大きざ以上の物体の検出などに有効（こ１史用できる。
光電変換素子を被検出体の移動方向から見て互に重なる
ような形状にして移動方向に直角に配列することによｐ
所定の寸法以上の微小領域 ６− による遮光あるいは透光を精度よく検出するものである
。従っての９のような不透明物体の所定の大きさ以上の
穴、かけなどの検出８はじめ微小物体中にまじる所定の
大きざ以上の物体の検出などに有効（こ１史用できる。
しかもこのような検出器は半導体薄膜上の電極の形状を
選定することにまってのみ得られ、構造簡単で製作容易
であり、幅の広い・ｂのも装作可能である１こめ大きい
被検出体の場合にも適用できるので本発明の効果は極め
て大きい。
選定することにまってのみ得られ、構造簡単で製作容易
であり、幅の広い・ｂのも装作可能である１こめ大きい
被検出体の場合にも適用できるので本発明の効果は極め
て大きい。
第１図は薄膜シリコン太陽電池を利用した微小領域検出
器の一例の断面図、第２商はその平面図、第３図は本発
明の一実施例の半面図、第４図、第５図はそれぞれ異な
る実施例の半面図、第６図は本発明による検出器の使用
状態の一例を示す斜視図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明導電膜、３・・・シ
リコン薄膜、４・・・電極、７・・・九′に変換素子、
ｌ １，１２九電変換素子列、Ｘ・・・東なＶ幅。 −７−イ、ワ７、カツオ山口 鳥 第２図 Ｐ第３図
器の一例の断面図、第２商はその平面図、第３図は本発
明の一実施例の半面図、第４図、第５図はそれぞれ異な
る実施例の半面図、第６図は本発明による検出器の使用
状態の一例を示す斜視図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明導電膜、３・・・シ
リコン薄膜、４・・・電極、７・・・九′に変換素子、
ｌ １，１２九電変換素子列、Ｘ・・・東なＶ幅。 −７−イ、ワ７、カツオ山口 鳥 第２図 Ｐ第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）互に１ｉｉＩ接して同一平面上に一線に配列された
薄膜半導体を有する複数の光電変換素子からなり、該変
換素子は配列方向と直角な方向から見て所定の長さだけ
互に重なる形状を有することを特徴とする微小領域検出
器。 ２、特許請求の範囲第１項記載の検出器に旧いて、光電
変換素子の配列が平行して複数列設けられたことを特徴
とする微小領域検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145712A JPS5847204A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 微小領域検出器 |
| US06/417,944 US4555636A (en) | 1981-09-16 | 1982-09-14 | Pattern detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145712A JPS5847204A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 微小領域検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5847204A true JPS5847204A (ja) | 1983-03-18 |
Family
ID=15391374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145712A Pending JPS5847204A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 微小領域検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4555636A (ja) |
| JP (1) | JPS5847204A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6331161A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-09 | Tokyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
| USRE36047E (en) * | 1988-09-26 | 1999-01-19 | Picker International, Inc. | Multi-mode TDI/raster-scan television camera system |
| US5149955A (en) * | 1989-07-26 | 1992-09-22 | Nippon Steel Corporation | Full contact image sensor device with light blocking means |
| JPH0522516A (ja) * | 1991-07-17 | 1993-01-29 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ |
| US8953088B2 (en) * | 2011-02-24 | 2015-02-10 | Prebesh Pavithran | Low profile camera module packaging |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3164721A (en) * | 1962-04-23 | 1965-01-05 | Barnes Eng Co | Non-scanning edge detector |
| US3683193A (en) * | 1970-10-26 | 1972-08-08 | Rca Corp | Bucket brigade scanning of sensor array |
| US3717770A (en) * | 1971-08-02 | 1973-02-20 | Fairchild Camera Instr Co | High-density linear photosensor array |
| US3833762A (en) * | 1973-06-04 | 1974-09-03 | Rockwell International Corp | Solid state integrating, image motion compensating imager |
| US4242700A (en) * | 1979-01-22 | 1980-12-30 | Rca Corporation | Line transfer CCD imagers |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP56145712A patent/JPS5847204A/ja active Pending
-
1982
- 1982-09-14 US US06/417,944 patent/US4555636A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4555636A (en) | 1985-11-26 |
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