JPS5848487B2 - 高純度炭化珪素粉末の製造方法 - Google Patents
高純度炭化珪素粉末の製造方法Info
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- JPS5848487B2 JPS5848487B2 JP51035472A JP3547276A JPS5848487B2 JP S5848487 B2 JPS5848487 B2 JP S5848487B2 JP 51035472 A JP51035472 A JP 51035472A JP 3547276 A JP3547276 A JP 3547276A JP S5848487 B2 JPS5848487 B2 JP S5848487B2
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Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造用治具或いは均熱管の原料として適
した高純度炭化珪素粉末の製造方法に関するものである
。
した高純度炭化珪素粉末の製造方法に関するものである
。
従来、炭化珪素を大量に製造するには、珪石粉と炭素粉
にオガ屑食塩等を添加し、電気炉に充填した後、該炉内
のコアの抵抗発熱により珪石粉と炭素粉を反応させてい
る。
にオガ屑食塩等を添加し、電気炉に充填した後、該炉内
のコアの抵抗発熱により珪石粉と炭素粉を反応させてい
る。
しかし、この方法にあってはコア周辺が最高温度となり
外側の炉壁に向かって次第に温度が低下するため、外周
部に未反応層が残ったり、原料中の不純物が凝縮し易い
温度範囲が生じ、生或した炭化珪素中の不純物の量に不
均一な分布が発生したり、その炭化珪素がインコットと
呼ばれる多結晶集合体となったりする虞れがあった。
外側の炉壁に向かって次第に温度が低下するため、外周
部に未反応層が残ったり、原料中の不純物が凝縮し易い
温度範囲が生じ、生或した炭化珪素中の不純物の量に不
均一な分布が発生したり、その炭化珪素がインコットと
呼ばれる多結晶集合体となったりする虞れがあった。
したがって、一旦これを粉砕したり、攪拌混合してＣ
， Ｆｅ等の不純物の均一分布化を計る必要があるため
、該粉砕工程、攪拌工程時に不可避的に不純物が混入し
、純度の低い炭化珪素粉となる欠点があった。
， Ｆｅ等の不純物の均一分布化を計る必要があるため
、該粉砕工程、攪拌工程時に不可避的に不純物が混入し
、純度の低い炭化珪素粉となる欠点があった。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、粉末状で、二
次汚染を起こす粉砕工程、攪拌工程を一切行わずにその
まま各種の原料として使用できる高純度の炭化珪素粉を
得ようとするものである。
次汚染を起こす粉砕工程、攪拌工程を一切行わずにその
まま各種の原料として使用できる高純度の炭化珪素粉を
得ようとするものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
まず５ＣＩｆＬ以下の粒径の高純度珪石粉と５ｗＩｌ以
下の粒径の高純度炭素粉とをたとえば円筒状の黒鉛質容
器に充填して密封する。
下の粒径の高純度炭素粉とをたとえば円筒状の黒鉛質容
器に充填して密封する。
次いで、この容器を黒鉛管状炉に連続的に移動させ、炉
内に窒素ガス等の非酸化性ガスを流通させつつ、炉内温
度を著しい粒成長を起こすことなしに炭化珪素化できる
温度範囲すなわち１８００〜２２００℃に保持し珪石と
炭素とを反応せしめて炭化珪素粉を造る。
内に窒素ガス等の非酸化性ガスを流通させつつ、炉内温
度を著しい粒成長を起こすことなしに炭化珪素化できる
温度範囲すなわち１８００〜２２００℃に保持し珪石と
炭素とを反応せしめて炭化珪素粉を造る。
本発明に使用する高純度珪石粉としては、たとえば石英
ガラス用珪石を粉砕、篩別した後、塩酸で煮沸し脱水、
乾燥して純化処理したもの等である。
ガラス用珪石を粉砕、篩別した後、塩酸で煮沸し脱水、
乾燥して純化処理したもの等である。
また、本発明に使用する高純度炭素粉としては、たとえ
ば石油コークスを粉砕、篩別した後２６００〜２２００
℃の温度下で塩ガスを吹きつけて純化処理したもの等で
ある。
ば石油コークスを粉砕、篩別した後２６００〜２２００
℃の温度下で塩ガスを吹きつけて純化処理したもの等で
ある。
さらに、本発明における高純度珪石粉と高純度炭素粉と
のね径を５７１ｇＩ１以下に限定した理由はこれらの粒
径が５１ｍｌを越えると、粉末状の炭化珪素が収率よく
得られないからである。
のね径を５７１ｇＩ１以下に限定した理由はこれらの粒
径が５１ｍｌを越えると、粉末状の炭化珪素が収率よく
得られないからである。
なお、上記珪石粉と炭素粉との配合割合は、通常珪石粉
：炭素粉とのモル比が１：３となるようにすればよい。
：炭素粉とのモル比が１：３となるようにすればよい。
また、珪石粉、炭素粉を充填した黒鉛質容器の炉内にお
ける移動速度は充填量、炉内温度等により適宜選定すれ
ばよい。
ける移動速度は充填量、炉内温度等により適宜選定すれ
ばよい。
しかして、本発明によれば高純度珪石粉と高純度炭素粉
とを黒鉛容器内に密封し、これを管状炉内に移動させる
ことにより、該珪石粉と炭素粉とを均一に加熱して反応
できるとともに著しい粒成長を起こすことのない温度に
よって処理するため生威した炭化珪素が二次汚染を誘引
する粉砕工程、攪拌工程を一切行わずにそのまま各種の
原料として使用できる高純度炭化珪素粉として得ること
ができる。
とを黒鉛容器内に密封し、これを管状炉内に移動させる
ことにより、該珪石粉と炭素粉とを均一に加熱して反応
できるとともに著しい粒成長を起こすことのない温度に
よって処理するため生威した炭化珪素が二次汚染を誘引
する粉砕工程、攪拌工程を一切行わずにそのまま各種の
原料として使用できる高純度炭化珪素粉として得ること
ができる。
嘴骨 次に
本発明の実施例を説明する。
本発明の実施例を説明する。
実施例 １
石英ガラス用珪石を粉砕、篩別した後、これを塩酸溶液
に１時間浸漬煮沸し水洗脱水、乾燥して下記第１表に示
す粒度分布、不純物含有量の珪石粉を造った。
に１時間浸漬煮沸し水洗脱水、乾燥して下記第１表に示
す粒度分布、不純物含有量の珪石粉を造った。
一方、石油コークスを粉砕、篩別した後、これを２２０
０’Ｃに加熱しつつ塩素ガスを２時間吹き付けて同第１
表に示すね度分布、不純物含有量の炭素粉を造った。
０’Ｃに加熱しつつ塩素ガスを２時間吹き付けて同第１
表に示すね度分布、不純物含有量の炭素粉を造った。
次いで、上記珪石粉と炭素粉とを１：３のモル比で混合
し、この混合粉を円筒状黒鉛容器（外径１６０ｍ，内径
１３５７ＥＪ長さ１０００ｍ）に充填して密封した後、
この容器を内径１７０７１ｌＩＩｌ，発熱部の長さ２０
００７１ｇＩｌの黒鉛管状炉に入れ、該容器をプランジ
ャにより５ ０ ０ １１ｍ／ Ｈｒの速度で移※慟さ
せ、炉内に窒素ガスを供給しつつ炉内温度を１９００℃
±２０℃にして容器内の珪石と炭素とを反応せしめ炭化
珪素粉を得た。
し、この混合粉を円筒状黒鉛容器（外径１６０ｍ，内径
１３５７ＥＪ長さ１０００ｍ）に充填して密封した後、
この容器を内径１７０７１ｌＩＩｌ，発熱部の長さ２０
００７１ｇＩｌの黒鉛管状炉に入れ、該容器をプランジ
ャにより５ ０ ０ １１ｍ／ Ｈｒの速度で移※慟さ
せ、炉内に窒素ガスを供給しつつ炉内温度を１９００℃
±２０℃にして容器内の珪石と炭素とを反応せしめ炭化
珪素粉を得た。
得られた炭化珪素粉の収率は９１多で、その粒度分布お
よび不純物含有率を調べたところ、下記第２表の結果を
得た。
よび不純物含有率を調べたところ、下記第２表の結果を
得た。
上表より明らかな如く、本発明方法により得られた炭化
珪素は粉末状でかつ純度が高くそのまま各種の原料とし
て使用できることがわかる。
珪素は粉末状でかつ純度が高くそのまま各種の原料とし
て使用できることがわかる。
実施例 ２
前記第１表に示す珪石粉、炭素粉を充填した円＊水筒状
黒鉛容器の移動速度を４００ｍ／Ｈｒとし、かつ炉内温
度を２１００℃に設定した以外、前記実施例１と同様な
方法にて炭化珪素粉を得た。
黒鉛容器の移動速度を４００ｍ／Ｈｒとし、かつ炉内温
度を２１００℃に設定した以外、前記実施例１と同様な
方法にて炭化珪素粉を得た。
得られた炭化珪素粉のね度分布および不純物含有量を調
べた。
べた。
その結果を下記第３表に示す。以上詳述した如く、本発
明によれば粉末状でかつ不純物混入分布が均一な高純度
の炭化珪素を簡単かつ収率よく得ることができ、二次汚
染を起こす粉砕工程、攪拌混合工程を一切行うことなく
、そのまま半導体製造用治具、半導体製造用均熱管など
不純物の揮散を極端にきらう部材の原料として好適に利
用できる等顕著な効果を有する。
明によれば粉末状でかつ不純物混入分布が均一な高純度
の炭化珪素を簡単かつ収率よく得ることができ、二次汚
染を起こす粉砕工程、攪拌混合工程を一切行うことなく
、そのまま半導体製造用治具、半導体製造用均熱管など
不純物の揮散を極端にきらう部材の原料として好適に利
用できる等顕著な効果を有する。
Claims (1)
- １ ５ｍ以下の粒径の高純度珪石粉と同粒径の高純度
炭素粉とを混合し、これを黒鉛製密封容器に充填した後
、この容器を管状炉に連続的に移動させ、炉内温度を１
８００〜２２００℃に保持して該容器内の珪石と炭素と
を反応せしめることを特徴とする高純度炭化珪素粉末の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51035472A JPS5848487B2 (ja) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | 高純度炭化珪素粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51035472A JPS5848487B2 (ja) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | 高純度炭化珪素粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52117899A JPS52117899A (en) | 1977-10-03 |
| JPS5848487B2 true JPS5848487B2 (ja) | 1983-10-28 |
Family
ID=12442708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51035472A Expired JPS5848487B2 (ja) | 1976-03-31 | 1976-03-31 | 高純度炭化珪素粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848487B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060285U (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | ぺんてる株式会社 | 自動芯繰出式シヤ−プペンシル |
| WO2013027790A1 (ja) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化珪素粉末及びその製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1169895B (it) * | 1982-10-28 | 1987-06-03 | Toshiba Ceramics Co | Elemento stampato a base di carburo di silicio per l'uso nella fabbricazione di un semiconduttore |
| FI82231C (fi) * | 1988-11-30 | 1991-02-11 | Kemira Oy | Foerfarande foer framstaellning av keramraomaterial. |
| JP2660650B2 (ja) * | 1993-04-08 | 1997-10-08 | 大平洋ランダム株式会社 | α型炭化珪素の製造方法 |
-
1976
- 1976-03-31 JP JP51035472A patent/JPS5848487B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060285U (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | ぺんてる株式会社 | 自動芯繰出式シヤ−プペンシル |
| WO2013027790A1 (ja) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化珪素粉末及びその製造方法 |
| JPWO2013027790A1 (ja) * | 2011-08-24 | 2015-03-19 | 太平洋セメント株式会社 | 炭化珪素粉末及びその製造方法 |
| US9382121B2 (en) | 2011-08-24 | 2016-07-05 | Taiheiyo Cement Corporation | Silicon carbide powder and method for producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52117899A (en) | 1977-10-03 |
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