JPS5848953A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS5848953A JPS5848953A JP57152730A JP15273082A JPS5848953A JP S5848953 A JPS5848953 A JP S5848953A JP 57152730 A JP57152730 A JP 57152730A JP 15273082 A JP15273082 A JP 15273082A JP S5848953 A JPS5848953 A JP S5848953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- lead
- frame
- tab lead
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置のリードフレームに関するものであ
る。
る。
樹脂封止型半導体装置として、例えば特公昭４８（１）
一３９８６７号公報に記載されたように、複数の半導体
集積回路装置に用いるリードを一体に形成してなる長尺
のリードフレームを使用し、このリードフレームの各半
導体素子（ペレット）接続部（タブ）にペレットを接続
し、次いで各ペレット電極と対応リードとをワイヤボン
ディングし、その後、ペレットおよびワイヤポンディン
グ部を包囲するように樹脂封止してなるものかあ乞。
集積回路装置に用いるリードを一体に形成してなる長尺
のリードフレームを使用し、このリードフレームの各半
導体素子（ペレット）接続部（タブ）にペレットを接続
し、次いで各ペレット電極と対応リードとをワイヤボン
ディングし、その後、ペレットおよびワイヤポンディン
グ部を包囲するように樹脂封止してなるものかあ乞。
ところで、上記樹脂封止をする場合、封止部の周囲から
樹脂が硬化し、硬化部は周囲部から中央部に向かって徐
々に移行する。そして、タブ部周辺の樹脂が硬化すると
きはタブ部が温度が高く、その周囲部が低いことになり
、温度差が生じる。
樹脂が硬化し、硬化部は周囲部から中央部に向かって徐
々に移行する。そして、タブ部周辺の樹脂が硬化すると
きはタブ部が温度が高く、その周囲部が低いことになり
、温度差が生じる。
したがって、その場合、第４図に示すようにタブ部５．
タブ部支持部（タブリード）８が熱膨張し、下方にまた
は同図のように上方に湾曲する。タブ部、タブリードが
下方に湾曲する場合は問題がないが、上方に湾曲して浮
き上る場合は、タブリード８と隣接するリード４に接続
されるコネクタ用ワイヤ７とが極めて接触しやすい状況
になり、短（２） 絡不良が発生した。
タブ部支持部（タブリード）８が熱膨張し、下方にまた
は同図のように上方に湾曲する。タブ部、タブリードが
下方に湾曲する場合は問題がないが、上方に湾曲して浮
き上る場合は、タブリード８と隣接するリード４に接続
されるコネクタ用ワイヤ７とが極めて接触しやすい状況
になり、短（２） 絡不良が発生した。
そのため、本願出願人の特開昭４９−５８７６１号公報
（特願昭４７−９９０６２号）において、明細書９図面
に記載したように、タブリードを波型に形成し、これに
より温度差により生じる歪を吸収することが考えられる
。しかし、このような構造では温度差に基づいて生じる
歪によりタブリードが横方向にずれ、そのために局部加
熱処理によりタブ部を加熱してベレットボンディングを
行なう場合、タブが横方向に若干位置がずれることによ
りボンディングすべき位置がくるい、その結果、ボンデ
ィングの自動化に支障をきたすという問題を生した。
（特願昭４７−９９０６２号）において、明細書９図面
に記載したように、タブリードを波型に形成し、これに
より温度差により生じる歪を吸収することが考えられる
。しかし、このような構造では温度差に基づいて生じる
歪によりタブリードが横方向にずれ、そのために局部加
熱処理によりタブ部を加熱してベレットボンディングを
行なう場合、タブが横方向に若干位置がずれることによ
りボンディングすべき位置がくるい、その結果、ボンデ
ィングの自動化に支障をきたすという問題を生した。
本発明はこのような問題を解決すべくなされたもので、
その一つの目的はタブリードとコネクタ用ワイヤとの短
絡を防止することにあり、池の目的は加熱処理に基づく
タブの横方向へのずれをなくすことにある。
その一つの目的はタブリードとコネクタ用ワイヤとの短
絡を防止することにあり、池の目的は加熱処理に基づく
タブの横方向へのずれをなくすことにある。
以下、本発明を実施例により説明する。
第１図はリードフレーム１の形状を示すもので、２は外
枠（フレーム）、３は外枠に連設する樹脂流（３） れ防止のだめの枠で一般に「ダム」と称される。４はダ
ム３によって支持された外部引出しリード、５は半導体
素子（ペレット）を取り付けるための支持部材、すなわ
ちタブ、６は半導体素子、７は外部引出しリード４と半
導体素子６の電極との間を接続するためのコネクタ用ワ
イヤ、８．８’はタブ５を保持するための保持リード（
タブリード）・９はタブリード８と外枠（フレーム）２
との連結部に形成された歪吸収用貫通孔である。
枠（フレーム）、３は外枠に連設する樹脂流（３） れ防止のだめの枠で一般に「ダム」と称される。４はダ
ム３によって支持された外部引出しリード、５は半導体
素子（ペレット）を取り付けるための支持部材、すなわ
ちタブ、６は半導体素子、７は外部引出しリード４と半
導体素子６の電極との間を接続するためのコネクタ用ワ
イヤ、８．８’はタブ５を保持するための保持リード（
タブリード）・９はタブリード８と外枠（フレーム）２
との連結部に形成された歪吸収用貫通孔である。
このように、リードフレームのタブリードの一部に歪吸
収用貫通孔を設けることにより下記に示す理由によって
樹脂封止時（すなわち、第１図においで破線で示すよう
に樹脂が成形される時）の熱的歪を吸収することができ
る。すなわち、タブ部５およびタブリード７と、他の部
分との間に温度差が生じ、タブ部とタブリードが熱膨張
しようとした場合、第２図に破線で示すようにタブリー
ドと外枠との連結部が変形し、膨張歪を生じても、貫通
孔９の存在によってその歪は吸収される。つまり、第２
図において、タブリード８はそのタブ（４） リード８と直交する第１リード部材８ａとその第１リー
ド部材８ａの両端部に連結された前記タブリード８と１
↓ぼ平行な２つの第２リード部材８ｂとを有している。
収用貫通孔を設けることにより下記に示す理由によって
樹脂封止時（すなわち、第１図においで破線で示すよう
に樹脂が成形される時）の熱的歪を吸収することができ
る。すなわち、タブ部５およびタブリード７と、他の部
分との間に温度差が生じ、タブ部とタブリードが熱膨張
しようとした場合、第２図に破線で示すようにタブリー
ドと外枠との連結部が変形し、膨張歪を生じても、貫通
孔９の存在によってその歪は吸収される。つまり、第２
図において、タブリード８はそのタブ（４） リード８と直交する第１リード部材８ａとその第１リー
ド部材８ａの両端部に連結された前記タブリード８と１
↓ぼ平行な２つの第２リード部材８ｂとを有している。
このため、タブリード８に矢印方向の膨張歪が生じた時
、第１リード部材８ａは破線で示すように容易に変形す
る。したがって、タブが上方向に浮き上ることはない。
、第１リード部材８ａは破線で示すように容易に変形す
る。したがって、タブが上方向に浮き上ることはない。
また、外枠２とタブリード８との連結部において、タブ
リード８の中心軸を軸として線対称形に形成しであるの
で、熱による歪が生じた場合でもタブの位置が横へずれ
ることを防止することができる。
リード８の中心軸を軸として線対称形に形成しであるの
で、熱による歪が生じた場合でもタブの位置が横へずれ
ることを防止することができる。
なお、両タブリードと外枠との連結部の形状は上記実施
例のような形状と同一であることを要しない。例えば、
第３図に示すように歪吸収用の貫通孔を一力にだけ形成
してもよい。しかし、タブが左右どちらか一方向にずれ
ないようにするためには第１図に示したように両タブリ
ードと外枠との連結部の形状はほぼ等しくした方が好ま
しい。
例のような形状と同一であることを要しない。例えば、
第３図に示すように歪吸収用の貫通孔を一力にだけ形成
してもよい。しかし、タブが左右どちらか一方向にずれ
ないようにするためには第１図に示したように両タブリ
ードと外枠との連結部の形状はほぼ等しくした方が好ま
しい。
本発明は樹脂封止型半導体装置に使用する各種（５）
形状のり−ｒフレームに適用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は本発
明の作用効果を示す部分拡大平面図、第３図は本発明の
他の実施例を示す平面図である。 第４図（ａ）、 （ｂ）は従来例を示すもので、（ａ）
は平面図、（ｂ）は断面図である。 １−ｍ−リードフレーム、２−−一外枠、３−−−ダム
、４−−−リード、５−−一タブ、６一−−半導体素子
、７−−−フネクタ用ワイヤ、８．８’ −ｍ−タブリ
ード、９−ｍ−貫通孔、ｌｉ’）−ｍ−樹脂。 （６）
明の作用効果を示す部分拡大平面図、第３図は本発明の
他の実施例を示す平面図である。 第４図（ａ）、 （ｂ）は従来例を示すもので、（ａ）
は平面図、（ｂ）は断面図である。 １−ｍ−リードフレーム、２−−一外枠、３−−−ダム
、４−−−リード、５−−一タブ、６一−−半導体素子
、７−−−フネクタ用ワイヤ、８．８’ −ｍ−タブリ
ード、９−ｍ−貫通孔、ｌｉ’）−ｍ−樹脂。 （６）
Claims (1)
- タブと、前記タブの両側から引き出されたタブリードと
、前記タブ附近から延在する複数の外部引出しリードと
、前記外部リードの長さ方向とほぼ直角方向に前記外部
引出しリードを互いに連結するように設けたダムと、前
記タブリード、外部引出しリード、ダムとが一体に連結
されているフレームとを有するリードフレームにおいて
、少なくとも一方の前記タブリードはそのタブリードと
直交する第１リード部材と、その第１リード部材の両端
部に連結された前記タブリードとほぼ平行な２つの第２
リード部材とを有し、そしてその第２リード部材のそれ
ぞれ他端は前記フレームに連結されていることを特徴と
するリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152730A JPS5848953A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152730A JPS5848953A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | リ−ドフレ−ム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56174578A Division JPS57103340A (en) | 1981-11-02 | 1981-11-02 | Resin sealing method for semiconductor device and lead frame used therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848953A true JPS5848953A (ja) | 1983-03-23 |
Family
ID=15546899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57152730A Pending JPS5848953A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848953A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4862246A (en) * | 1984-09-26 | 1989-08-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device lead frame with etched through holes |
| US4870474A (en) * | 1986-12-12 | 1989-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame |
| US5637917A (en) * | 1995-09-20 | 1997-06-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame assembly for a semiconductor device |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP57152730A patent/JPS5848953A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4862246A (en) * | 1984-09-26 | 1989-08-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device lead frame with etched through holes |
| US4870474A (en) * | 1986-12-12 | 1989-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Lead frame |
| US5637917A (en) * | 1995-09-20 | 1997-06-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame assembly for a semiconductor device |
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