JPS5848984A - セラミツク配線板とその製造方法 - Google Patents
セラミツク配線板とその製造方法Info
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- JPS5848984A JPS5848984A JP14622181A JP14622181A JPS5848984A JP S5848984 A JPS5848984 A JP S5848984A JP 14622181 A JP14622181 A JP 14622181A JP 14622181 A JP14622181 A JP 14622181A JP S5848984 A JPS5848984 A JP S5848984A
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- Japan
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- green sheet
- wiring
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック配線板とその製造方法に係り、特に
湿式法で製作した配線部を具備したセラミック配線板と
その製造方法に関する。
湿式法で製作した配線部を具備したセラミック配線板と
その製造方法に関する。
半導体素子等の搭載用配線板として、一般にアルミナを
主成分としたセラミックスにＷ、Ｍｅ。
主成分としたセラミックスにＷ、Ｍｅ。
Ｗ −Ｎｏ 、 Ｆ −Ｍｎ 等の高融点金属で配線を
施したセライック配線板が使用されている。この配線板
は以下のプロセスで湿式性製造される。
施したセライック配線板が使用されている。この配線板
は以下のプロセスで湿式性製造される。
アルミナ微粉末的９０のｔ％、焼結補助剤となるマグネ
シア、シリカ等の微粉末的１ｏωｔ％を均一に混合し、
さらにこれに有機バインダー、有機溶剤を添加し、これ
をボールミルで十分に湿式混合してスラリーな得る。次
にこのスラリーをドクタープレイド法等のキャスティン
グ装置を用いてシート化する。このシートはグリーンシ
ートと呼ばれ、配線基板の素材となる。次に。
シア、シリカ等の微粉末的１ｏωｔ％を均一に混合し、
さらにこれに有機バインダー、有機溶剤を添加し、これ
をボールミルで十分に湿式混合してスラリーな得る。次
にこのスラリーをドクタープレイド法等のキャスティン
グ装置を用いてシート化する。このシートはグリーンシ
ートと呼ばれ、配線基板の素材となる。次に。
このグリーンシート上に、スクリーン印刷等の手法によ
り導体ペーストを用いて配線パターンを形成する。導体
ペース）Ｋ含まれる導体材料トＬテ）Ｘ、一般にＦ 、
Ｍｅ 、 Ｆ−Ｍｏ、 Ｗ−Ｍｎ 、 Ｍｏ −Ｍｎ
等の金属または合金が用いられる。これらの金属または
合金が用いられる理由は、これらの融点がグリーンシー
トの焼結温度より高く、また電気抵抗が比較的低いがら
である。
り導体ペーストを用いて配線パターンを形成する。導体
ペース）Ｋ含まれる導体材料トＬテ）Ｘ、一般にＦ 、
Ｍｅ 、 Ｆ−Ｍｏ、 Ｗ−Ｍｎ 、 Ｍｏ −Ｍｎ
等の金属または合金が用いられる。これらの金属または
合金が用いられる理由は、これらの融点がグリーンシー
トの焼結温度より高く、また電気抵抗が比較的低いがら
である。
導体ペーストは１次のようＫＭＣ作る。すなわち、Ｗ導
体ペーストを例とした場合、０，５〜５．０μｍ程度の
Ｗ微粉末、有機バインダーをそれぞれ３ Ｑｍｔ％、２
０のｔ％の割合で、らいかい機などを用いて混合した後
、Ｓ本ロールなどを用いて十分に混線する。混線後、適
量の溶剤を加えて粘度を調整し印刷用の導体ペーストと
する。配線パターンは、前記グリーンシートを印刷機に
セットシ、前記導体ペーストを印刷インクとし【印刷し
て形成する。配線パターンが印刷されたグリーンシート
は、焼成炉中において１５００５１６００υの高温度に
加熱されセラミック配線板となる。
体ペーストを例とした場合、０，５〜５．０μｍ程度の
Ｗ微粉末、有機バインダーをそれぞれ３ Ｑｍｔ％、２
０のｔ％の割合で、らいかい機などを用いて混合した後
、Ｓ本ロールなどを用いて十分に混線する。混線後、適
量の溶剤を加えて粘度を調整し印刷用の導体ペーストと
する。配線パターンは、前記グリーンシートを印刷機に
セットシ、前記導体ペーストを印刷インクとし【印刷し
て形成する。配線パターンが印刷されたグリーンシート
は、焼成炉中において１５００５１６００υの高温度に
加熱されセラミック配線板となる。
上記のセラミック配線板の製造プロセスにおいて、基板
の特性に最も大きな影響を及ぼす工程は、印刷配線パタ
ーンを形成したグリーンシートの焼成工程である。
の特性に最も大きな影響を及ぼす工程は、印刷配線パタ
ーンを形成したグリーンシートの焼成工程である。
丁なわち、上記のグリーンシートは、グリーンシートと
導体材料が同時に焼結されるために以下の欠点を持つ。
導体材料が同時に焼結されるために以下の欠点を持つ。
（１１セラミック配線板の反りの発生
セランツク配線＠に要求される特性の１つに、平担性が
ある。すなわち、セラミック基板の平担性は、モジュー
ル製作時に１例えば前記セラミック基板上に乾式法で新
たに配線。
ある。すなわち、セラミック基板の平担性は、モジュー
ル製作時に１例えば前記セラミック基板上に乾式法で新
たに配線。
抵抗体、誘電体等を形成する場合、接続の信頼性が要求
されるＬＳＩチップを搭載する場合、または外部回路と
ＦＰＣまたは導電性ゴム等で接続をする場合等で特に重
要となり、出来る限りの平担性が要求される。
されるＬＳＩチップを搭載する場合、または外部回路と
ＦＰＣまたは導電性ゴム等で接続をする場合等で特に重
要となり、出来る限りの平担性が要求される。
しかしながら、焼成工程においては材料、丁なわちグリ
ーンシートとＷ等の導体材料を同時に焼成する際の１両
者の焼結収縮率の差異によって必然的に反りが発生する
、これら。
ーンシートとＷ等の導体材料を同時に焼成する際の１両
者の焼結収縮率の差異によって必然的に反りが発生する
、これら。
クリーンシートとＷの焼結収縮を図に示す。
図において１はグリーンシートの焼成収縮率。
２はＷの焼成収縮率である。セラミック基板は、 １
５０（１−１６０ｔｌで焼成されるから、この温度範囲
においては図からＷの収縮率の方が小さいために１反り
が必然的に発生する。
５０（１−１６０ｔｌで焼成されるから、この温度範囲
においては図からＷの収縮率の方が小さいために１反り
が必然的に発生する。
（２１配線の低抵抗化の困難さ
最近、セラミック基板が電子計算機モジ島−ル用、高周
波機器モジー−ル用として盛んに用いられるようになっ
てきている。電子計算機用としては、より高速演算を可
能とするために、また高周波機器としてより周波数特性
な良くするために１抵抗値を下げようと盛んな研究が行
なわれている。しかしながら。
波機器モジー−ル用として盛んに用いられるようになっ
てきている。電子計算機用としては、より高速演算を可
能とするために、また高周波機器としてより周波数特性
な良くするために１抵抗値を下げようと盛んな研究が行
なわれている。しかしながら。
導体材料は前述した理由によってＷ、Ｍｏ、Ｍ％。
等忙限定される。ところが、セラミック基板の焼結温度
でこれら導体材料を焼結させようとしても焼結が進まず
、配線抵抗を下げることが困難な状態である。
でこれら導体材料を焼結させようとしても焼結が進まず
、配線抵抗を下げることが困難な状態である。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなりシ１反
りが低減し平担性が良く、かつ配線の抵抗値が低いセラ
ミック配線板とその製造方法を提供するにある。
りが低減し平担性が良く、かつ配線の抵抗値が低いセラ
ミック配線板とその製造方法を提供するにある。
上記目的は、セラミック基板の焼結源ｒＩＩＬＫ出米る
限り接近した焼成温度の導体材料を用いれば達成される
。
限り接近した焼成温度の導体材料を用いれば達成される
。
焼結温度が下がることによって、導体材料の焼結収縮カ
ーブがグリーンシートの焼結収縮カーブに接近し、焼結
収縮カーブの差に基づく反りが低減する。また、焼結温
度の低下は焼結性の向上につながり、低抵抗化がはかれ
る。
ーブがグリーンシートの焼結収縮カーブに接近し、焼結
収縮カーブの差に基づく反りが低減する。また、焼結温
度の低下は焼結性の向上につながり、低抵抗化がはかれ
る。
さらにくわしく述べれば、導体材料ＫＦ 、 Ｍｏ・Ｍ
ｎから選ばれた少なくとも１種類の金属と、その酸化物
の混合物を用いる。たとえば、Ｗ・ＭＯ・Ｍｎには夫々
Ｗの酸化物１Ｍ・の酸化物、 Ｍｎの酸化物を混合し、
Ｗ＋ｋｂ 、Ｗ＋Ｍｎ 、 Ｍｏ＋Ｍｎ ＫｋＺ夫々
ＷとＭｏの酸化物、ＷとＭｎの酸化物、ＭｅとＭｎの酸
化物を混合し、Ｗ’＋Ｍｏ＋ｕｎにはＷとＭＯとｋｉｎ
の酸化物を混合する。
ｎから選ばれた少なくとも１種類の金属と、その酸化物
の混合物を用いる。たとえば、Ｗ・ＭＯ・Ｍｎには夫々
Ｗの酸化物１Ｍ・の酸化物、 Ｍｎの酸化物を混合し、
Ｗ＋ｋｂ 、Ｗ＋Ｍｎ 、 Ｍｏ＋Ｍｎ ＫｋＺ夫々
ＷとＭｏの酸化物、ＷとＭｎの酸化物、ＭｅとＭｎの酸
化物を混合し、Ｗ’＋Ｍｏ＋ｕｎにはＷとＭＯとｋｉｎ
の酸化物を混合する。
さらＫくわしく述べればこれら高融点金属と酸化物を比
べた場合、酸化物の方が低融点である。例えば、Ｗの融
点は約５４００℃であるのに対し、酸化タングステンで
あるＷＯｓの融点は約１５００℃、 ＷＯ２）Ｘ約２０
００ ｔ トかなり融点が下っ【いる。一般に焼結性を
良くするために取られる方法として、低融点の焼結助剤
を添加する方法がある。すなわち１本発明では高融点金
属の酸化物が焼結助剤の役割を果た丁。従って１図に示
すＷ粉末の焼結収縮率も金属酸化粉末を加えることによ
って焼結開始温度が下がり、ｆＦにＷＯ５の場合では、
グリーンシートの焼結収縮率に接近することがわかる。
べた場合、酸化物の方が低融点である。例えば、Ｗの融
点は約５４００℃であるのに対し、酸化タングステンで
あるＷＯｓの融点は約１５００℃、 ＷＯ２）Ｘ約２０
００ ｔ トかなり融点が下っ【いる。一般に焼結性を
良くするために取られる方法として、低融点の焼結助剤
を添加する方法がある。すなわち１本発明では高融点金
属の酸化物が焼結助剤の役割を果た丁。従って１図に示
すＷ粉末の焼結収縮率も金属酸化粉末を加えることによ
って焼結開始温度が下がり、ｆＦにＷＯ５の場合では、
グリーンシートの焼結収縮率に接近することがわかる。
従って、焼結収縮率の差圧起因するセラミック基板の反
りは像域する。また、導体材料の焼結忙ついても低融点
の焼結助剤を添加することによって焼結性が向上し金属
粉末間の接触面積が大きくなることと。
りは像域する。また、導体材料の焼結忙ついても低融点
の焼結助剤を添加することによって焼結性が向上し金属
粉末間の接触面積が大きくなることと。
粒成長が促進されることによって配線の抵抗値が低くな
る。
る。
次に・本発明で使用する材料などについて説明する。
セラミック配線基板の基板材料には、Ａｌ２Ｏ５を主成
分としたグリーンシートを用いる。グリーンシート中の
Ａｔ ２０Ｂ含有量は８５チ以上で、残りは５ｉ０２
、 ＭｇＯ、ＣＣＬＯ等ｆ）７ ラｙ ｌス成ｆ＋”Ｑ
ある。
分としたグリーンシートを用いる。グリーンシート中の
Ａｔ ２０Ｂ含有量は８５チ以上で、残りは５ｉ０２
、 ＭｇＯ、ＣＣＬＯ等ｆ）７ ラｙ ｌス成ｆ＋”Ｑ
ある。
導体材料は前述した通りであるが、ある金属に対する金
属酸化物の混合割合は、前者７０好ましくは前者９０〜
９９．７ｍｔ％に対して、後者１ＤＳα５ｅｔ ％、で
ある。そして、この配合割合は、二種又は三種の金属に
二種又は三種の金属酸化物を混合する場合もそれぞれの
金属に対する金属酸化物の混合割合は上述のとおりであ
る。
属酸化物の混合割合は、前者７０好ましくは前者９０〜
９９．７ｍｔ％に対して、後者１ＤＳα５ｅｔ ％、で
ある。そして、この配合割合は、二種又は三種の金属に
二種又は三種の金属酸化物を混合する場合もそれぞれの
金属に対する金属酸化物の混合割合は上述のとおりであ
る。
次に、この導体材料を有機ビヒクル、有機溶剤等と混合
して導体ペーストとし、スクリーン印刷等の手法によっ
て上記グリーンシート上に配線パターンを形成する。配
線パターンが形成されたグリーンシートは、 １５０
０．−１６５０υで１％３時間焼成されてセラミック配
線板となる。スクリーン印刷の条件は以下の通りである
・印刷圧力１１〜２勢− ギャップｔ １ Ｍ ２ ｖｍ スピード富４０雪ｍ屯、−′秒 ペースト粘度＋１０７−１５万ｃｐｓ スキージアタツク角＋１−５５度 また、印刷後の乾燥条件は、８０±１０ｖ、５０±５分
間である。
して導体ペーストとし、スクリーン印刷等の手法によっ
て上記グリーンシート上に配線パターンを形成する。配
線パターンが形成されたグリーンシートは、 １５０
０．−１６５０υで１％３時間焼成されてセラミック配
線板となる。スクリーン印刷の条件は以下の通りである
・印刷圧力１１〜２勢− ギャップｔ １ Ｍ ２ ｖｍ スピード富４０雪ｍ屯、−′秒 ペースト粘度＋１０７−１５万ｃｐｓ スキージアタツク角＋１−５５度 また、印刷後の乾燥条件は、８０±１０ｖ、５０±５分
間である。
以下１本発明を実施例により詳述する。
実施例１
粒子径数ｐｍ以下のＡｌ２Ｏ５、５ｉ０２． ＭＩＯ微
粉末を重量百分率にしてそれぞれ、９５％、５．２％、
ｔ８慢となるように秤量して、これに有機バインダート
シてポリビニルブチラールを上記混合粉末の全重量に対
して８．５％加え、さらに溶剤としてアゼオドロープを
同様の重量比で４５％加える。
粉末を重量百分率にしてそれぞれ、９５％、５．２％、
ｔ８慢となるように秤量して、これに有機バインダート
シてポリビニルブチラールを上記混合粉末の全重量に対
して８．５％加え、さらに溶剤としてアゼオドロープを
同様の重量比で４５％加える。
次いで、これらセラミック粉末、有機バインダー、有１
ａ＃剤の王者をボールミ７しにて十分混合し、セラミッ
ク粉末を均一に分散させたスラリー７作る６次にこのス
ラリーに数滴の脱泡剤を加え、攪拌しながら低圧で脱気
し、スラリー内部の気泡を除去する。このスラリーをド
クタープレイド法キャスティング装置を用いて薄板化し
、グリーンシートを得る。グリーンシートの厚さはドク
タープレイドの高さを調節することによって任意に変え
ることができる。本実施例では０．８−厚のグリーンシ
ートを作製した。
ａ＃剤の王者をボールミ７しにて十分混合し、セラミッ
ク粉末を均一に分散させたスラリー７作る６次にこのス
ラリーに数滴の脱泡剤を加え、攪拌しながら低圧で脱気
し、スラリー内部の気泡を除去する。このスラリーをド
クタープレイド法キャスティング装置を用いて薄板化し
、グリーンシートを得る。グリーンシートの厚さはドク
タープレイドの高さを調節することによって任意に変え
ることができる。本実施例では０．８−厚のグリーンシ
ートを作製した。
次に導体ペーストの作製法について説明する。
（１） 従来ペーストの作製法
導体材料として０．５μｍＦ粉末と０５μｍＷ粉末が重
量比で５１７の割合の混合粉末、ペースト用有機バイン
ダーとしてエチルセルロース、および有機溶剤としてジ
エチレングリコールをそれぞれ重量百分率にして８０％
、２，５％４１１５％を加え、アルミナ製の乳鉢と乳棒
からなるらいかい機で５時間混合する。続いて。
量比で５１７の割合の混合粉末、ペースト用有機バイン
ダーとしてエチルセルロース、および有機溶剤としてジ
エチレングリコールをそれぞれ重量百分率にして８０％
、２，５％４１１５％を加え、アルミナ製の乳鉢と乳棒
からなるらいかい機で５時間混合する。続いて。
この混合物を通常の３本゛ロールにかけ−（１分間混練
する。次に、配線印刷用に粘度を調整するためにブチル
カルピトールを加え粘度１０万ｃｐｓとする。
する。次に、配線印刷用に粘度を調整するためにブチル
カルピトールを加え粘度１０万ｃｐｓとする。
（２）金属酸化粉末を含む導体ペーストの作製法（Ｌ５
μｍＦ粉末と５．０μ、Ｗ粉末が５１７の割合の混合粉
末９８・ｔｑ６に０，５μｍのＷＯｓ粉末を２＃ｔｑ４
加えて、導体ペースト用の導体材料とする。以下、有模
渉剤、１１機）（インダーとの混合瞥混練を上記（１１
と同様の手順で行Ｘ、１導体ペーストを作製した。
μｍＦ粉末と５．０μ、Ｗ粉末が５１７の割合の混合粉
末９８・ｔｑ６に０，５μｍのＷＯｓ粉末を２＃ｔｑ４
加えて、導体ペースト用の導体材料とする。以下、有模
渉剤、１１機）（インダーとの混合瞥混練を上記（１１
と同様の手順で行Ｘ、１導体ペーストを作製した。
印刷工程で）Ｓ、 １３０箇角の大きさに外形切断なし
た前記０．８ｍｍ犀のグリーンシートを印刷機上にセッ
トする。印刷スクリーンとして、幅８５μｍ。
た前記０．８ｍｍ犀のグリーンシートを印刷機上にセッ
トする。印刷スクリーンとして、幅８５μｍ。
長さ１１５箇のラインを２ｗ間隔で５０本並べたパター
ンを肩するステンレス製のメタルマスクと。
ンを肩するステンレス製のメタルマスクと。
１００ｇ角の全面ベタ印刷とするためにエマルジ、ンマ
スクを用いた。次にグリーンシート上に。
スクを用いた。次にグリーンシート上に。
前記２種類の導体ペーストを用い導体印刷を行った。
印刷工程を終えたグリーンシートは焼成工程を経てセラ
ミック基板となる。焼成はＮＯを発熱体とする箱型電気
炉を用いて行った。焼成条件は通常のセラミック基板の
焼成方法と同じく。
ミック基板となる。焼成はＮＯを発熱体とする箱型電気
炉を用いて行った。焼成条件は通常のセラミック基板の
焼成方法と同じく。
室温から２００ ’Ｃ７時で昇温し、１０００℃で１時
間保持後、再び２００℃／時で１６００℃まで昇温し。
間保持後、再び２００℃／時で１６００℃まで昇温し。
その温度に１時間保持後冷却した。昇温時の雰囲気ガス
として黛素１０００４／時、水素４ＯＯ／／時の混合ガ
スを４５υに保持した水５０１のバブラーを通したもの
を、また冷却時には窒素１０００／／時。
として黛素１０００４／時、水素４ＯＯ／／時の混合ガ
スを４５υに保持した水５０１のバブラーを通したもの
を、また冷却時には窒素１０００／／時。
水素４００ｔ／時の混合ガスを用いた。得られた焼成セ
ラミック基板は、密度５．５ ｔ／ｃｄ 、収縮率１５
チであった。
ラミック基板は、密度５．５ ｔ／ｃｄ 、収縮率１５
チであった。
次に従頼導体ペーストと本実施例に示した酸化粉末を混
ぜた導体ペーストを印刷した場合での、全面ベタ印刷を
施したセラミック基板の反りと、配線ラインを印刷した
セラミック基板の配線抵抗を示す。なお、焼成後の配線
は１幅ニア５μ翼、厚さｔ ＩＱμｍである。
ぜた導体ペーストを印刷した場合での、全面ベタ印刷を
施したセラミック基板の反りと、配線ラインを印刷した
セラミック基板の配線抵抗を示す。なお、焼成後の配線
は１幅ニア５μ翼、厚さｔ ＩＱμｍである。
このように本発明によれば、従来法と比較し反りが小さ
くまた配線の電気抵抗の低いセラミック基板を得ること
ができる。これは前述したようにＷ粉末に比べＷＯｓ粉
末は融点が低くまた蒸気圧が高いことＫよる。丁なゎち
、セラミック基板を焼結した際に、導体ペースト中に混
合されているＷＯｓが溶融しＷの焼結を促進するととも
に、蒸気圧が低いために焼結の１つの機構である気化−
凝縮過程が進み、Ｗ粒子間のネック成長が促進されるこ
とによる。
くまた配線の電気抵抗の低いセラミック基板を得ること
ができる。これは前述したようにＷ粉末に比べＷＯｓ粉
末は融点が低くまた蒸気圧が高いことＫよる。丁なゎち
、セラミック基板を焼結した際に、導体ペースト中に混
合されているＷＯｓが溶融しＷの焼結を促進するととも
に、蒸気圧が低いために焼結の１つの機構である気化−
凝縮過程が進み、Ｗ粒子間のネック成長が促進されるこ
とによる。
丁なわち、Ｗの焼結が促進されることにまり。
焼結収縮率が増し、グリーンシートの焼結収縮率に近づ
くことによって反りは低減する。またＦ粒子間の接触面
積が増大することによって抵抗値が下がる。
くことによって反りは低減する。またＦ粒子間の接触面
積が増大することによって抵抗値が下がる。
なお、Ｆ０５は冷却時に雰囲気ガス中の水素によってほ
ぼ完全に還元されてＷとなる。
ぼ完全に還元されてＷとなる。
実施例２
導体ペーストに用いるＭｅ導体ペースト、およびＭｏと
Ｍ００５混合導体ペーストの作製法は以下の通りである
。始めにＭｅ導体ペーストの作製法について述べる。Ａ
ｆａ導体ペーストに用いるＮｏ混合粉末には、 １０μ
ｍＭＯ粉末と五〇μＩｎｔｏ粉末を重量比で２１８の割
合で混合したＪｆａ粉末を用いた。
Ｍ００５混合導体ペーストの作製法は以下の通りである
。始めにＭｅ導体ペーストの作製法について述べる。Ａ
ｆａ導体ペーストに用いるＮｏ混合粉末には、 １０μ
ｍＭＯ粉末と五〇μＩｎｔｏ粉末を重量比で２１８の割
合で混合したＪｆａ粉末を用いた。
なお、ペースト化は前述のＷ導体ペーストと同様の手順
で行った。また１Ｍ−とＭｏ５ｓ混合導体ペーストは、
上記の混合Ｍｅ粉末９８耐僑に１５μＨＭａＯ５粉末を
’ｌ ｅｎｔ ％加えたちのを用いて、前述と同様の手
順で作製した。このように作製したＭ＃導体ペーストお
よびＮｏとＭａｒｓ混合導混合導体ペーストチグリーン
シートメーンを形成して焼成を行った後、基板の反り、
配線抵抗の測定を行った。その結果、 ＭｏＱｓを混合
したペーストを用いて、片面に全面メタライズしたセラ
ミック基板の反りは、 Ｍｅのみのペーストを用いたセ
ラミック基板の反りと比べ約３に減少した。しかし。
で行った。また１Ｍ−とＭｏ５ｓ混合導体ペーストは、
上記の混合Ｍｅ粉末９８耐僑に１５μＨＭａＯ５粉末を
’ｌ ｅｎｔ ％加えたちのを用いて、前述と同様の手
順で作製した。このように作製したＭ＃導体ペーストお
よびＮｏとＭａｒｓ混合導混合導体ペーストチグリーン
シートメーンを形成して焼成を行った後、基板の反り、
配線抵抗の測定を行った。その結果、 ＭｏＱｓを混合
したペーストを用いて、片面に全面メタライズしたセラ
ミック基板の反りは、 Ｍｅのみのペーストを用いたセ
ラミック基板の反りと比べ約３に減少した。しかし。
配線抵抗は両者とも大差がなかった、
実施例３
導体ペーストに用いる（ Ｆ 、 Ｎｏ ） 導体ペー
スト、および（Ｗ 、 Ｎｏ ） ト（ＷＯ５、Ｍｏ５
ｓ ）混合導体ペーストの作製法は以下の通りである。
スト、および（Ｗ 、 Ｎｏ ） ト（ＷＯ５、Ｍｏ５
ｓ ）混合導体ペーストの作製法は以下の通りである。
（Ｗ。
Ｎｏ ）導体ペーストには、Ｆ粉末とＭＯ粉末を重量比
で９ｓｌの割合に混合したものを用いた。前述と同様、
Ｗ粉末はα５μｒｎＷ粉末と３．０μｍＷ粉末を３１７
で混合したものであり、 Ｍｅ粉末はｔＯμｍｈｏ粉末
と３．０μｍＭｏ粉末を２１８の割合で混合したもので
ある。（Ｗ 、 Ｎｏ ） ト（ＷＯ３，Ｍｏ０５）混
合導体ペーストには、前述と同様に、上記Ｗ粉末９８
ａｔ ％に０．５μｍＷＯ５粉末を２ｔｘｚｔ％混合し
たモノと、上記Ｍａ粉末９８ ｍｔ ％ Ｋ Ｏ，５μ
ｍ Ｍｏ５ｓ粉末を２ωｔ％混合したものを、９８１の
重量比で混合したものを用いた。以下、ペースト化、印
刷焼成、測定を前述と同様の手順で行った。その結果、
（ＷＯｓ 、 Ｍｏ５ｓ ）を混合した導体ペースト
を用いることくよって、 （Ｆ 、 Ｎｏ ）導体ペー
ストの場合と比べて、ａ；板の反り量は約４以下に低減
し、また配線抵抗値は約１割低下した。
で９ｓｌの割合に混合したものを用いた。前述と同様、
Ｗ粉末はα５μｒｎＷ粉末と３．０μｍＷ粉末を３１７
で混合したものであり、 Ｍｅ粉末はｔＯμｍｈｏ粉末
と３．０μｍＭｏ粉末を２１８の割合で混合したもので
ある。（Ｗ 、 Ｎｏ ） ト（ＷＯ３，Ｍｏ０５）混
合導体ペーストには、前述と同様に、上記Ｗ粉末９８
ａｔ ％に０．５μｍＷＯ５粉末を２ｔｘｚｔ％混合し
たモノと、上記Ｍａ粉末９８ ｍｔ ％ Ｋ Ｏ，５μ
ｍ Ｍｏ５ｓ粉末を２ωｔ％混合したものを、９８１の
重量比で混合したものを用いた。以下、ペースト化、印
刷焼成、測定を前述と同様の手順で行った。その結果、
（ＷＯｓ 、 Ｍｏ５ｓ ）を混合した導体ペースト
を用いることくよって、 （Ｆ 、 Ｎｏ ）導体ペー
ストの場合と比べて、ａ；板の反り量は約４以下に低減
し、また配線抵抗値は約１割低下した。
実施例４
導体ペーストに用いる（ Ｆ 、＊ Ｎｏ 、 ｕｎ
） 導体べ’−スト、 オヨび（１Ｆ’ 、 Ｎｏ 、
ｕｎ ） ＋ ＣＷ’Ｏｓ 、Ｍｏ５ｓ 、Ｍｎ０２
）混合導体ペーストの作製方法は以下の通りである。（
ｉＭ’ 、Ｍｎ）導体ヘース） ［４’！、 （ＩＩ）
ノ（Ｆ。
） 導体べ’−スト、 オヨび（１Ｆ’ 、 Ｎｏ 、
ｕｎ ） ＋ ＣＷ’Ｏｓ 、Ｍｏ５ｓ 、Ｍｎ０２
）混合導体ペーストの作製方法は以下の通りである。（
ｉＭ’ 、Ｍｎ）導体ヘース） ［４’！、 （ＩＩ）
ノ（Ｆ。
Ｎｏ）導体ペーストに用いるＷとＮｏの混合粉末と１μ
ｍ ｕｎ粉末を重量比で９９１の割合で混合した（Ｗ、
Ｍｅ、Ｍｎ）混合粉末を用いた。また（ｗ。
ｍ ｕｎ粉末を重量比で９９１の割合で混合した（Ｗ、
Ｍｅ、Ｍｎ）混合粉末を用いた。また（ｗ。
Ｎｏ 、Ｍｎ）＋（ＩＦＯｓ、ＭｏＯｓ、Ｍｎ０２）
［金導体ヘース）には、（ｍ）のＣ１Ｆ’ 、 Ｍｅ
）＋ＣＩＦＯ５，ｋｈＯ５） 混合導体ペーストに用い
る（Ｆ９Ｍｏ、Ｆｏ５０Ｍｏｏ５）混合粉末９９ｍｔ％
と１ ｐｍ ｕｎｎ粉末−９−ｔ ％ 、 （１５ｐｍ
ＭｎＯ２粉末Ｑ、ｆ ａｔ ％混合したものを用いた
。以下、ペースト化。印刷、焼成を前述と同様の手順で
行った。
［金導体ヘース）には、（ｍ）のＣ１Ｆ’ 、 Ｍｅ
）＋ＣＩＦＯ５，ｋｈＯ５） 混合導体ペーストに用い
る（Ｆ９Ｍｏ、Ｆｏ５０Ｍｏｏ５）混合粉末９９ｍｔ％
と１ ｐｍ ｕｎｎ粉末−９−ｔ ％ 、 （１５ｐｍ
ＭｎＯ２粉末Ｑ、ｆ ａｔ ％混合したものを用いた
。以下、ペースト化。印刷、焼成を前述と同様の手順で
行った。
その結果 （ＴＦＯｓ 、 Ｍａｒｓ 、 ＭｎＯ２）
を混合することによって１反り量は約１〜２割低減した
。しかしながら配線抵抗値には変化が認められなかった
。
を混合することによって１反り量は約１〜２割低減した
。しかしながら配線抵抗値には変化が認められなかった
。
以上述べたように、セラミック配線板の配線形成用の導
体ペーストして、高融点金属粉末とそれら高融点金属よ
り低融点のそれら高融点金属の酸化瞼を混合した導体ペ
ーストを用いることによって、基板の反りが低減し、配
、液抵抗値が下がったセラミック配線板が得られる。
体ペーストして、高融点金属粉末とそれら高融点金属よ
り低融点のそれら高融点金属の酸化瞼を混合した導体ペ
ーストを用いることによって、基板の反りが低減し、配
、液抵抗値が下がったセラミック配線板が得られる。
また、反りの低減はセラミック配線板の歩留りの向上に
つながる。
つながる。
図は、グリーンシートとタングステンの焼成収縮曲線を
示すフックである。 １１グリーンシートの焼成収縮率 ２１１Ｉｒの焼成収縮率
示すフックである。 １１グリーンシートの焼成収縮率 ２１１Ｉｒの焼成収縮率
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 基板と、基板上に設けられたＦ 、 Ｎｏ 、 Ｍ
ｕのうちから選ばれた少なくとも一種類の金属。 各金属の酸化物よりなる配線導体とからなることを特徴
とするセラミック配線板。 ２ アルミナを主成分とするグリーンシート上に、 Ｗ
、Ｎｏ 、Ｍｎのうちから選ばれた少なくとも一種類
の金属、各金属の酸化物を必須成分とする導体ペースト
を印刷し、その後上記グリーンシートと上記導体ペース
トを同時焼成することを特徴とするセラミック配線板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14622181A JPS5848984A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | セラミツク配線板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14622181A JPS5848984A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | セラミツク配線板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848984A true JPS5848984A (ja) | 1983-03-23 |
Family
ID=15402842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14622181A Pending JPS5848984A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | セラミツク配線板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848984A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045096A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | 日立化成工業株式会社 | セラミツク多層配線板 |
| US6217990B1 (en) | 1997-05-07 | 2001-04-17 | Denso Corporation | Multilayer circuit board having no local warp on mounting surface thereof |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14622181A patent/JPS5848984A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045096A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | 日立化成工業株式会社 | セラミツク多層配線板 |
| US6217990B1 (en) | 1997-05-07 | 2001-04-17 | Denso Corporation | Multilayer circuit board having no local warp on mounting surface thereof |
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