JPS584957A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS584957A
JPS584957A JP57107432A JP10743282A JPS584957A JP S584957 A JPS584957 A JP S584957A JP 57107432 A JP57107432 A JP 57107432A JP 10743282 A JP10743282 A JP 10743282A JP S584957 A JPS584957 A JP S584957A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
semiconductor device
thickness
frame
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57107432A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Kubota
茂 久保田
Hisao Furuichi
久雄 古市
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP57107432A priority Critical patent/JPS584957A/ja
Publication of JPS584957A publication Critical patent/JPS584957A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W76/10—Containers or parts thereof
    • H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関し、特に半導体素子固着部周縁
の側壁のセラミ、り層を改良したセラミ、り積層型半導
体装置に関する。
従来のセラミック積層型半導体装置は略中央部に半導体
素子ｆｉｉｄ看部を有する周縁のセラミック枠層、半尋
体素子固着部のセラミック層、半導体素子に配線され、
外部リードに導出するための金属細線を保諌するセラミ
ック枠層とから成り、各々のセラミ、り胸の厚さは略同
−厚さで形成し、全綱蓋部材を用いて封止し半導体装置
を形成しているＯ しかしながら、最近の半導体素子はウェハーの拡大に伴
ない素子の厚さは増々厚くなり、素子固着部から内部リ
ードまでの高さと略等Ｃく、あるいはより高くなってく
る。又、素子の夾装集積度を向上せしめるために半導体
装置厚すなわち外形寸法は規定さ九ている。
従って％素子の厚さは素子固着部から内部１７−ドまで
の為さと略等しく、あるいは高くなってくるために、金
属細線の配線形状をループ状に作ることがむずかしく、
直線的に結ぶことになり、金属細線が半導体素子の端部
に接触したり、あるいは素子の厚さが非常に厚くなると
金属細線の配線の一部が全綱蓋部材に接触することがあ
った。
第１図は従来のセラミック積層製半導体装置の１例の断
面図である。
セラミック積層１は略中央部に一素子固着部２を有する
セラミックｍｌ　ａ％内部リードメタライズ３を形成し
たセラミ、り枠場１ｂ、基材となるセランツク層ＩＣ，
半導体累子４をろう材５を介して素子固着部２へ固着し
、金属細線６で半導体素子４と内部リードメタライズ３
とを配線し、金属細線６を保線するセラミック枠層１ｄ
とから成る。
このセラミック横ｍｌには金属蓋部材７を封止するため
の金属枠８及び外部リード９がろう付は材１０を介して
ろう付けされている。セラミック積層部を形成する各々
のセラミ、り枠場、セラミック層の厚さは略同−寸法で
形成している。
この様な構造のセラミ、り積層型半導体装置は素子固着
部から内部リードまでの高さはセライック層の淳に依シ
決定する。従って、従来の半導体装置の場合、半導体素
子の厚さが非常に厚くなると、素子固着部から内部リー
ドメタライズまての高さより高くなるから、金属細線の
配線時に半導体素子の端部に金属細線の接触あるいは全
綱蓋部材に接触することがしばしばある。しかし、セラ
ミ、り積層部の各セラミック層の厚みを半導体素子の厚
さに合う様に設計すると従来のセラミ、り積層型半導体
装置は各セラミック層を厚くするが。
各セラミ、り層を厚くすると半導体装置の外形寸法をは
ずれてしまう。このためウェハーの拡大に伴なう半導体
素子厚の厚いものに安定した配線を得るセラミ、り積層
型半導体装置を得ることが出来なかった。
本発明は、″従来のセラミック積層型半導体装置を改良
し、半導体素子厚さの厚いものを安定に配線せしめる半
導体装置を提供するものである。
本発明の半導体装置は、金属蓋部材にて封止するセラミ
、り積層型半導体装置において、素子固着部周縁の側壁
のセラミック層の厚さを他のセラミ、り層の厚さよシ厚
く形成したことを特徴とするＯ これｋよって側壁セラミ、り層の厚さを半導体素子の厚
さよシ厚くすることも可能になる。
以下、本発明を実施例によシ説明する。
第２図は本発明の１実施例の半導体装置の断面図である
。
セラミ、り積層部１１は、略中央部に素子固着部１２を
有するセラミ、り層１１ａ、内部リードメタライズ１３
を形成したセラミック枠層１１ｂ。
基板となるセラミ、り層１１ｃ、半導体素子１４をろう
材１５を介して素子固着部１″２へ固着し、金属細線１
６で半導体素子１４と内部リードメタライズ１３とを配
線し、全綱細１１Ｍ１６を保錬するセラミック枠層ｌｉ
ｄから成シ、これに金ｍｉｉ部＠１７を封止する九めの
全綱枠１８と外部リード１９がろう材２０を介してろう
付けされている。
セラミック積１部の各々のセラミ、り層の厚み／Ｉｉ素
子固着部から内部リードメタライズまでの高さとなる内
部リードメタライズを形成しているセラミック枠層だけ
厚く形成している。従って、半導体素子厚さが厚くなっ
ても素子固着部から内部リードメタライズまでの高さが
高いので、金属細線の配線時に半導体素子の端部に接触
あるいは全綱ａｍ材に接触することは々い。又、セラミ
、り積層部の内部リードメタライズを形成するセラミ、
り枠珈だけ厚く形成しているので、半導体装置の外形寸
法をはずれることＦｉ人い。これにょシ、信頼性の良い
半導体装置を得ることが出来る。
以上詳細にｉ！１２ＢＡシたように１本発明によれば電
気的短絡のない優れた半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のセラミック積層型半導体装置の１例の断
面図、＃１２図は本発明の１実施例の半導体装置の断面
図でめる。 なお図において、１．１１・・・・・・セラミック積層
部、１　ａ　、　１１　ＩＩ””・・セ５ン、り層、１
　ｂ　、　ｌｌｂ・・・・・・セラミ、り枠Ｌ１’ｅｌ
ｌＣ・旧・・セラミ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 全綱自部材にて封止するセラミック積層型半導体装置に
    おいて、半尋体素子ｔ＆ＩＮ部周縁の１Ｉｌｌｌ徽のセ
    ラミ、り階の厚さｔ他のセラミック層の厚さより厚く形
    成したことを特徴とする半導体装置。
JP57107432A 1982-06-22 1982-06-22 半導体装置 Pending JPS584957A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57107432A JPS584957A (ja) 1982-06-22 1982-06-22 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57107432A JPS584957A (ja) 1982-06-22 1982-06-22 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS584957A true JPS584957A (ja) 1983-01-12

Family

ID=14458987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57107432A Pending JPS584957A (ja) 1982-06-22 1982-06-22 半導体装置

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JP (1) JPS584957A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291426A (ja) * 1990-11-13 1993-11-05 Gold Star Electron Co Ltd 半導体素子パッケージの組立方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4859775A (ja) * 1971-11-15 1973-08-22

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4859775A (ja) * 1971-11-15 1973-08-22

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291426A (ja) * 1990-11-13 1993-11-05 Gold Star Electron Co Ltd 半導体素子パッケージの組立方法

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