JPS5852233A - パラタ−シヤリブチルフエノ−ルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ｎｏ−ブテン類を含むインブチレンと７ヱノール
からパラターシャリブチルフェノールを簡単に収率よ〈
高選択率で製造する方法に関する。

パラターシャリブチルフェノールが、通常ナフサ分解の
際に副生ずるＣ４炭化水素からブタジェンを除去したブ
タン−ブテン類を含む炭化水素（以下「混合ブテン」と
略記する。）を硫酸処理、精製蒸留して得られているイ
ンブチレンとフェノールから製造されることは知られて
いる。

例えば了り−ルスルホン酸を触媒としてフェノールにイ
ソブチレンを反応させると比較的好収率でパラターシャ
リブチルフェノールが得られる（　ＵＳＰ　３，９３２
．５３７　）。また硫酸、三弗化ホウ素、塩化アルミニ
ウム等の触媒を用いてパラターシャリブチルフェノール
を製造することもよく知られている。

しかしインブチレンは混合ブテンに比べて高価であり、
安価表混合ブテンが７エノールのアルキル化にそのｔま
利用できればパラターシャリブチルフェノールの製造コ
ストを低減できるから工業的に極めて有益である。とこ
ろが通常使われている触媒及び上記アリールスルホン酸
では、イソブチレンを原料として使用しパラターシャリ
ブチルフェノールが比較的好収率で得られる条件下て混
合ブテンを使用し反応を行なうと、目的としない１−ブ
テンが反応するためパラターシャリブチルフェノールの
収率が大きく低下するばがシでなく、分離精製の困難々
セカンダリブチル化された副生物を生成するため、この
方法は高純度パラターシャリブチルフェノールの製、造
には著るしく不利である。それ故混合ブテンを原料とす
る方法が種々提案された。

例えば混合ブテンを使用するものとしてアルミニウムフ
ェノキサイドを触媒とする方法（ＢＰｌ、０６２．２９
８　）　、チタンと亜鉛の混合酸化物を触媒とする方法
（特開昭５４−１４９３３号公報）がある。

しかし前者の方法は触媒の調製、触媒の除去が複雑で軽
済的なパラターシャリブチルフェノールの製法とは云い
難い。また後者の方法では大気圧下ではオルソターシャ
リブチルフェノールの生成が多く、加圧下ではセカンダ
リブチルフェノールの生成があり、工業的実施は困難で
ある。

本発明者らは、安価な混合ブテンを原料としてセカンダ
リブチルフェノールの副生φ；少なく高純度バラタ−ブ
チルフェノールを容易がっ高収率で収得てきる方法を確
立することを目的として種々研究を重ねた。

その結果、混合ブテンをアルキル化剤としてアリールス
ルホン酸の存在下、比較的低温でフェノールと反応させ
ると混合ブテン中のイソブチレンのみが選択的に反応（
第１段反応）シ、この反応物をシリカアルミナ、活性白
土等の触媒の存在下、やや高温で転位反応（第２段反応
）を行なわせることＫより、上記目的を達成し得ること
を見出し、かかる知見に基づいて本発明を達成した。

即ち本発明は、アリールスルホン酸触媒の存在下、ｎ−
ブテン類を含むイソブチレンとフェノールを２０〜１２
０℃においてイソブチレンを選択的に反応させ、次いで
上記触媒を除去または除去することなく、シリカアルミ
ナ、活性白土、ケイソウ土、稀土類置換ゼオライト、硫
酸、イオン交換樹脂およびツク化ホウ素よりなる群から
選ばれた少なくとも１種の触媒の存在下、８０〜２００
℃において転位反応させることを特徴とする高純度パラ
ターシャリブチルフェノールの製造方法である。

本発明方法によつて混合ブテンを反応させれば、実質的
にブテン−１、ブテン−２が反応することなく、インプ
チレ／のみ反応させることが可能である。このようにし
てインブチレンのみ反応したインブチレン化フェノール
（パラターシャリブチルフェノール、オルソターシャリ
ブチルフェノール、２．６−ジターシャリブチルフェノ
ール、２．４、−ジターシャリブチルフェノール、２．
４．６−ドリターシヤリプチルフエノール、ターシャリ
ブチルフェニルエーテル）を第２反応触媒によって転位
反応を行えば、高い収率及び選択率を本ってパラターシ
ャリブチルフェノールを製造することが可能である。

さらに、本発明方法の優れた点は第２段反応に先立つて
第１段反応の触媒を除去する必要の々いことである。ｆ
過等によって活性白土等の第２段反応の触媒を除去する
際、第１段反応に使用された触媒も反応系外に除去され
る。

通常これらのスルフォン酸触媒を使用する場合、中和洗
浄の廃水の発生はさけられず、パラターシャリブチルフ
ェノール製造時未反応フェノールを含む系では廃水中に
フェノールの混入が避けられない。本発明はかかる観点
からも工業的実施を容易にする方法である。

本発明方法に使用される原料ｌ混合ブテンは、ナフサお
よび軽油のスチームクラッキングならびに接触クラッキ
ングの工程より産出するＣ４炭化水素からブタジェンを
抽出したＣ４炭化水素が使用可能であり、重量でイソブ
チレンを加ないし６ｏチ含んでいる。この混合ブテンは
インブチレン以外の成分としてｌ−ブテン、２−ブテン
、カーブタン、イソブタンを含んでいる。混合ブテンは
、触媒とフェノールを仕込んだ反応槽に連続または一括
して仕込むことが可能であるが、反応に関与しないＣ４
炭化水素を除去するため、連続または間欠的に導入、排
気を組み合せて反応させることが望ましい。また、触媒
を含むフェノールを塔内で交流または並流で混合ブテン
と反応させることが可能である。また混合ブテンの使用
量は、純イソブチレン量としてフェノールに対して、モ
ル比でＩＡないし３／１、好ましくは１／３〜ＩＡであ
る。

本発明方法の第１段反応に使用される触媒のアリールス
ルホン酸は次の如きものである。すなわちベンゼン、ナ
フタリン、アントラセン、フェナントレンのスルホン酸
、ジスルホン酸、トリスルホン酸、テトラスルホン酸等
で、これらの芳香族核はアルキル基、シクロアルキル基
、アミノ基、水酸基、ハロゲン基、ニトロ基およびフッ
化アルキル基の一種以上で置換されていてもよい。

具体的にベンゼンスルホン酸系としては、例えばパラト
ルエンスルホン酸、オルソトルエンスルホン酸、メタト
ルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ジメチルベン
ゼンスルホン！（２，５−ジメチルベンゼンスルホン酸
など）、トリメチルベンゼンスルホン酸、フェノールス
ルホン酸（ハラフェノールスルホン酸など）、ベンゼン
ジスルホン酸、ベンゼントリスルホン酸、メチルベンゼ
ンジスルホン酸、フェノールジスルホン酸、クレゾール
スルホン酸、クロルベンゼンスルホン酸（ハラクロルベ
ンゼンスルホン酸なト）、フルオルベンゼンスルホン酸
、トリフルオルメチルベンゼンスルホン酸、ジクロルベ
ンゼンスルホン酸、フロムベンゼンスルホン酸、クロル
トルエンスルホン酸、フェノールトリスルホン酸、オキ
シトルエンスルホン酸、ピロカテキンスルホン酸、レゾ
ルシンジスルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、ニト
ロベンゼンジスルホン酸、ニトロトルエンスルホン酸、
ニトロキシレンスルホン酸、ジニトロベンゼンジスルホ
ン酸、ジニトロトルエンスルホン酸、シクロヘキシルベ
ンゼンスルホン酸、アミノベンゼンスルホン酸などがあ
る。

さらにナフタリンスルホン酸系としては、例えばα−ナ
フタリンスルホン酸、β−ナフタリンスルホン酸、１．
５−ナフタリンジスルホン酸、２，５−ナフタリンジス
ルホン酸、２．６−ナフタリンジスルホン酸、１．３−
５−ナフタリントリスルホン酸、２．５．７−ナフタリ
ントリスルホン酸、２．４．６−ナフタリントリスルホ
ン酸、２．４．６．８−ナフタリンテトラスルホン酸、
ＮＷ酸（α−ナフトール−４−スルホン酸）、シェファ
ー酸（β−ナフトール−６−スルホン酸）、クロセイン
酸（β−す７）−ルー８−スルホン酸）、トビアスＩＩ
（２−＋７チルアミンー１−スルホン酸）、Ｒ酸（β−
ナツト−ルー３．６−ジスルホン酸）、Ｇ酸（β−ナフ
トール−６，８−ジスルホン酸）、ナフチオン酸（１−
ナフチルア２ンー４−スルホン酸）、２Ｓ酸（１−アミ
ノ−β−ナフトール−４−スルホン酸）Ｈ酸（８−アミ
ノ−α−ナフトール−３，６−ジスルホン酸）、γ酸（
２−アミノ−８−ナフトール−６−スルホン酸）、Ｊ酸
（３−アミノ−８−ナフトール−６−スルホン酸）、ア
ミノＧ酸（２−ナフチルアミン−６，８−ジスルホン酸
）、フレンド酸（４−ナフチルアミン−２，７−ジスル
ホン酸）ベリー酸（８−ナフチルアミン−１−スルホン
酸）５−ナフチルアミン−１−スルホン酸、１−ナフチ
ルアミン−８−スルホン酸、１−ナフチルアミン−４，
８−ジスルホン酸、１−ナフチルアミン−２，４，８＝
＝　）ジスルホン酸、１−ナフチルアミン−Ｂ−ｆフト
ール−４−スルホン酸、１−ニトロナフタリン−２−ス
ルホン酸、２−ニトロナフタリン−１−スルホン酸、１
−ニトロナフタリン−３−ｘルホｙｌ！Ｌ　１−一トロ
ナフタリンー４−スルホン酸、１−ニトロナフタリン−
５−スルホン酸、２−ニトロナフタリン−５−スルホン
酸、１−二トロナフタリン−６−スルホン酸、１−二ト
ロナフタリン−７−スルホン酸、１−ニトロナフタリン
　ノー８−スルホン酸、２−二トロナフタリン−８−ス
ルホン酸、６−メチル−１−二トロナフタリン−５−ス
ルホン酸、８−メチル−１−二トロナフタリン−５−ス
ルホン酸、５−メチル−１−二トロナフタリン−８−ス
ルホン酸、７−メチル−１−二トロナフタリン−８−ス
ルホン酸、１．３−１　ジニトロナフタリン−５−スル
ホン酸、１．５−ジゝ　ニトロナフタリン−３−スルホ
ン酸、１．８−ジニトロナフタリン−３−スルホン酸、
１１８−ジニトロナフタリン−４−スルホン酸、１−二
トロナフタリン−３，６−ジスルホン酸、１−二トロナ
フタ゛リン−３，７−ジスルホン酸、１−ニトロナフタ
リンー３．８−　ジスルホン酸、１−二トロナフタリン
−４，８−−／スルホン酸、２−ニトロナフタリン−４
，８−ジスルホン酸、１−ニトロナフタリン−５，８−
ジスルホン酸、１−二トロナフタリン−３，６，８−ト
リスルホン酸、１−二トロナフタリン−４，６，８−ト
リスルホン酸などがある。その他アントラセンスルホン
酸、フェナントレンスルホンＩＩ　等力６る。

これらのアリールスルホン酸は単独で、あるいは２種以
上組合せて用いることができる。使用量は、仕込みフェ
ノールに対して０．０１〜２０重量％、好ましくは０．
０５〜５％である。

第２段反応の転移反応の触媒は、シリカアルミナ、活性
白土、ケイソウ土、稀土類置換ゼオライト、硫酸、イオ
ン交換樹脂または／およびフッ化ホウ素であるが、これ
らの使用ｔｉｔ仕込フェノールに対して０．０５〜２０
重量％、好ましくは０．１〜５−である。

本発明において第１段の反応ｄ２０〜１２０℃、好まし
くは５０〜８０℃で行なわれる。第２段の反応はこれよ
りやや高く８０〜２００℃、好ましくは１００〜１５０
℃で行なわれる。圧力は常圧ないし１５　Ｋｌｉ／ｃｓ
＋”以下、好ましくは５　Ｋｙ’ｃｓｍ”以下の加圧下
が適当である。

本発明方法は原料以外、炭化水素溶媒、エーテル溶媒等
不活性溶媒、窒素、炭酸ガス等、不活性ガス存在下で反
応することも可能である。

本発明方法による第１段反応生成物であるアルキル化フ
ェノール生成物は第１段反応触媒を残したまま、または
必要に応じて吸着または水洗により除去後、次の２段反
応に供せられる。

本方法におけるアルキル化反応または異性化（転位）反
応時、本発明方法によって副生するオルソターシャリブ
チルフェノール、２．４−ジターシャリブチルフェノー
ル、２．４．６−　）ジターシャリブチルフェノールを
加えて反応しても良い。また、異性化反応時折たにフェ
ノールを追加【７ても良い。

次に実施例により本発明を更に具体的に説明する。なお
以下の実施例、比較例におけるパーセントは重量による
。

実施例１ 〔第１段反応〕 １ｔのＳＵＲ製オートクレーブにフェノール３７８ｔ１
パラトルエンスルホン酸０．３８ｆを仕込ミ、カきまぜ
ながら昇温して５０〜５８℃に保ち、混合ブテン〔組成
（重量）：イソブチレン４８．４−１１−プテン２６．
７１１．２−ブテン１６．３Ｊ、ブタン７．８１１Ｉ。

ブタジェン０．１％、プロパジエン０．１１１Ｇ、プロ
ピレンｏ、１嗟）を１７５　ｆｉｂ　ｒの流速で導入し
、３．３時間反応した。反応は２ψ−Ｇ下で行い、未反
応混合ブテンは出口より排気し九。

このときの反応したイソブチレンのフェノールに対する
モル比Ｆｉｏ、ｓで、反応生成物の組成はフェノール４
９−１１Ｇ％オルソターシャリブチルフェノールｔ４．
ｉ＊％パラターシャリブチルフェノール３．９−１２．
４−ジターシャリブチルフェノール７．５−１２．６−
ジターシャリブチルフェノール３．０　％、２．４．６
−　）ジターシャリブチルフェノール２−９−、パラタ
ーシャリブチルタージャリプチルフェニルエーテル１．
８１Ｇ、ターシャリブチルフェニルエーテル１７．７１
Ｇ　、セカンダリブチルフェニルエーテルは０．０３−
であった。

〔第２段反応〕 上記反応生成物を１ｔフラスコに移し、活性白土１１・
３ｔを加えてかきまぜながら昇温し、１５０℃で１時間
反応させた。反応生成物４８９ｔの組成はフェノールを
除くと、オルソターシャリブチルフェノール２．９５％
　、パラターシャリブチルフェノール９４．２％、　２
．４−ジターシャリブチルフェノール２．７４憾、２．
６−ジターシャリブチルフェノール０゜２．４．６−　
）ジターシャリブチルフェノール０．１２−、セカンダ
リブチルフェノールは認められなかった。

反応後活性白土を除去した生成物中には、パラトルエン
スルホン酸の存在は認められなかった。

実施例２ 〔第１段反応〕 ＩＬのステンレス製オートクレーブにフェノール３０４
Ｆ、α−ナフタリンスルホン酸０．１５Ｆを加え、かき
まぜながら昇温して６８〜７７℃に保ち、実施例１の混
合ブテンを４２．５　ｆ／ｂｙの流速で導入し、４．５
時間反応した。反応は２１１ｃｍ”Ｇの加圧下で行い、
未反応混合ブテンは、出口より排気し良。

このときの反応したインブチレンのフェノールに対する
モル比Ｆｉ０．４４で、反応生成物の組成はフェノール
４９．４１Ｇ、オルソターシャリブチルフェノール２３
．３１Ｇ　、パラターシャリブチルフェノール８．９−
１２．４−ジターシャリブチルフェノール１２．７１１
１．２．６−ジターシャリブチルフェノール２−８１’
Ｇ％　２ｅ４ｅ６−　）　リｆｉ　−シャリ１ｆＡｔ　
７　ｚ　／−ル２．８ｍ、パラターシャリブチルタージ
ャリプチルフェニルエーテル０．２１１ｆ４りた。

〔第２段反応〕 上記反応生成物を１ｔフラスコに移し、吸着剤（キヨワ
ード５００８Ｈ’）　２．５　Ｆを使用し、α−ナフタ
リンスルホン酸を除去した。この混合物を８１０゜７５
％、　ＡＩ、０．２５−の組成よりなるシリカアルミナ
触媒３００ｔを充填したｇｏ　ｘ　ｓｏｏ　ａｓの大き
さの管式固定床反応器に導き、反応温度１７０℃接触時
間１を触媒／ｌ・ｈｒ原料の割合で原料を供給した。

得られた反応生成物３８６ｆの組成はフェノール４４．
２−、オルソターシャリブチルフェノール１．６−、ハ
ラターシャリブチルフェノール５２．６１　。

２．４−ジターシャリブチルフェノール−１，５９１，
２，６−ジターシャリブチルフェノール０．２．４．６
−ドリターシヤリブチルフエノール０．１−、セカンダ
リブチルフェノールは認められなかった。

シリカアルミナの代りに稀土類金属で置換したゼオライ
トを用いた反応でも、はぼ同様の結果を得た。

実施例３ 〔第１反応〕 １ｔのＳＵＳ製オートクレーブにフェノール２９６．８
Ｆ、２．５−ジメチルベンゼンスルホン酸０．１５Ｆ　
ヲ−仕込み、かきまぜながら昇温して７０〜７９℃に保
ち、実施例１の混合ブテンを４９９７／ｂｙの流速で導
入し４時間反応した。反応は２　Ｋｆ／ｌｘ意の加圧下
で行い、未反応混合ブテンは出口よ）排気した。

このときの反応したインブチレンのフェノールに対する
モル比は０．４４で、反応生成物の組成はフェノール５
２−１−、オルソターシャリブチルフェノール２３．４
１！、パラターシャリブチルフェノール８．７％、２．
４−ジターシャリブチルフェノール１０．８１１＆、２
．６−ジターシャリブチルフェノール２．６−１２．４
．６−　）ジターシャリブチルフェノール２．２１ｇ、
全セカンダリブチルフェノール０．２−であった。

〔第２段反応〕 上記反応生成物を１ｔフラスコに移し、濃硫酸１６０　
Ｆを加えてかきまぜ女から昇温し、１１０℃で１時間反
応させた。反応生成物３７５ｆの組成は、フェノール３
９．Ｏｌ、オルソターシャリブチルフェノール２．７１
Ｇ、パラターシャリブチルフェノール５６．９−１２．
４−ジターシャリブチルフェノール１．３−１２．６−
ジターシャリブチルフェノール０．２．４．６−ドリタ
ーシヤリブチルフエノール０．１％。

全セカンダリブチルフェノール０．１　−　以下であっ
た。

実施例４ 〔第１段反応〕 ＩＬのガラス反応器にフェノール３７６．６Ｆ。

２．４．６−　）リニトロベンゼンスルホン酸０．３８
Ｆを仕込み、かきまぜながら昇温して５５〜６０に保ち
、実施例１の混合ブテンを１８８１Ｆ／ｈｒ　　の流速
で導入し、３時間反応した。反応は常圧下で行い、未反
応混合ブテンは出口より排気した。

このときの反応したインブチレンのフェノールに対する
モル比は１．１８で、反応生成物の組成はフェノール１
５・４１．オルソターシャリブチルフェノール１９−９
５１Ｇ％パラターシャリブチルフェノール８・４１１Ｇ
、２．４−ジターシャリブチルフェノール４６４１．２
．６−ジターシャリブチルフェノール２．４　％、２．
４．６−　）リターシャリブチルフェノー＃４．ＯＩＧ
、全セカンダリブチルフェノール１．５嘔であった。

〔第２段反応〕 上記反応生成物中に７エノール５０８　ｆと三フッ化ホ
ウ素エーテル錯塩（ＢＰ　純分４７％　’）　９．４　
ｆを加えてかきまぜながら昇温し、１１０℃で１時間反
応させた。反応生成物１１４ｔの組成は、フェノール３
７．３１Ｇ　、オルソターシャリブチルフェノール９．
５−、パラターシャリブチルフェノール４６．３＊、２
．４−ジターシャリブチルフェノール６．８憾、２．６
−ジターシャリブチルフェノールＧ１１Ｇ、全セカンダ
リブチルフェノール１．３　ｍであった。

実施例５ 〔第１段反応〕 １ｔのガラス反応器にフェノール３０３．５　？　、パ
ラクロルベンゼンスルホン酸０．１５ｆを仕込み、かき
まぜながら昇温して６５〜７０　’Ｃに保ち、実施例１
の混合ブテンを５１−２　ｆ／ｈｒの流速で導入し４時
間反応した。反応は常圧下で行い、未反応混合ブテンは
出口より排気した。

このときの反応したイソブチレンのフェノールに対する
モル比は０．４８で、反応生成物の組成はフェノール５
０．７％　、オルソターシャリブチルフェノール２０．
：Ｍ、ノ引うターシャリブチルフェノール９．１１Ｇ、
２．４−ジターシャリブチルフェノール１３．０−、　
２．６−ジターシャリブチルフェノール２．８チ、２．
４．６−　）ジターシャリブチルフェノール２．６１１
、パラターシャリブチルタージャリプチルフェニルエー
テル１．５　％であった。

〔第２段反応〕 上記反応生成物中に吸着剤（キョーワード５ｏ。

Ｓ　Ｈ）　ａ、ｏ　ｒを添加後、活性ケイソウ土９．１
１を加えてかきまぜながら昇温し、１５０℃で１時間反
応させた。反応生成物から触媒除去した生成物３７０ｔ
の組成は、フェノール３８．７慢、オルソターシャリブ
チルフェノール２．３　％　、パラターシャリブチルフ
ェノール５６．１％、　２．４−ジターシャリブチルフ
ェノール１．３＊、２．６−ジターシャリブチルフェノ
ール０．２．４．６−　）ジターシャリブチルフェノー
ル０・１チ、その他１．５　％であった。

実施例６ 〔第１段反応〕 １ｔ１７）ガラス反応器に７エノール２９９．９？、パ
ラフェノールスルホン酸０．２０ｆを加えかきまぜなが
ら昇温して７０〜．７５℃に保ち、実施例１の混合ブテ
ンを５１□ｒの流速で導入し６時間反応した。

反応は常圧下で行い、未反応混合ブテンは出口よシ排気
した。

反応生成物の組成は、フェノール５０．ａ＊　％オルソ
ターシャリブチルフェノール２５．４１Ｇ　、パラター
シャリブチルフェノールｌＯ，１％、２．４−ジターシ
ャリブチルフェノール１（１，３１Ｇ、２．６−ジター
シャリブチルフェノール１．９−１２．４．６−ドリタ
ーシヤリブチルフエノール２．０１Ｇ、パラターシャリ
ブチルターシャリブチルフェニルエーテル１．４−であ
った。

〔第２段反応〕 王妃反応生成物中に活性白土９．Ｏｆを加えてかきまぜ
ながら昇温し、１３０℃で１時間反応させ友。

反応生成物から触媒除去した生成物の組成はフェノール
３８．４−、オルソターシャリブチルフェノール１７１
Ｇ、パラタージャリブデルフェノール５８．１−１２．
４−ジターシャリブチルフェノール１．６−１２．４．
６−ドリターシヤリプチルフエノール０．２ｓであった
。

実施例７ 〔第１段反応〕 ｌｔのＳＵＢ製オートクレーブにフェノール３７６ｔ１
パラトルエンスルホン酸１．８８ｆを仕込み、かきまぜ
ながら昇温して５０〜５９℃に保ち、実施例１の混合ブ
テンを２９３　ｆ／ｂ　ｒの流速で導入し３時間反応し
た。反応１ｄ　２　ｖｉＧで行い未反応混合ブテンは出
口より排気した＠ このとき反応したイソブチレンのフェノールに対するモ
ル比は１．０３で、反応生成物の組成は、フェノール２
５．６％　、オルソターシャリブチルフェノール２０．
９ｓ′、ハラターシャリブチルフェノール４．７−１２
．６−ジターシャリブチルフェノール１１．２５６．２
．４−ジターシャリブチルフェノール１９．２優、　２
．４．６−　）ジターシャリブチルフェノール１６・３
％、タージャリフチルフェニルエーテル０．０１チ、セ
カンダリブチルフェニルエーテル０．２−であった。

〔第２段反応〕 上記反応生成物を１ｔフラスコに移し、活性白土１１．
３ｆを仕込み１５０℃で１時間反応させた。反応生成物
から触媒を除去した後の反応液組成はフェノール６．９
Ｌｓ、オルソターシャリブチルフェノ−ル２．４’ｌｌ
、パラターシャリブチルフェノール７６．６−１２．４
−ジターシャリブチルフェノール１３．７−１２．４．
６−ドリターシヤリプチルフエノール０．３１Ｇ、セカ
ンダリブチルフェノールは認められなかった。

比較例１（第１段反応にアリールスルホン酸を使用しな
い例） 実施例１と同様な実験装置にフェノール３３２．８１１
活性白土１１．１Ｆを仕込み、１２０℃に昇温し２５０
　ｆ／ｈｒ　　の流速で実施例１の混合ブテンを導入し
、１時間反応させた。

このときの反応生成物の組成は、フェノール３３．２１
Ｇ　、オルソターシャリブチルフェノール３．３−、ハ
ラターシャリブチルフェノール３１．３１Ｇ、２．４−
ジターシャリブチルフェノール３．０１オルンセカンダ
リープチルフエノールＳ、ＳＳ、パラセカンダリブチル
フェノール１４．４％、２．４−ジセカンダリブチルフ
ェノール５．９チであった。

比較例２（第１段反応を比較的高温で行う例）実施例１
と同様な実験装置にフェノール３６６Ｆ。

２．４．６−　）リニトロトルエンスルホン酸０．３７
ｆを仕込み１５０℃に昇温し、２２０１Ｆ／ｈｒの流速
で実施例１０混合ブテンを導入し、１時間反応させた。

このときの反応生成物の組成はフェノール２９．６嘩、
オルソターシャリブチルフェノール２％、パラターシャ
リブチルフェノール３０．４１１．２．４−ジターシャ
リブチルフェノール２−、オルソセカンダリブチルフェ
ノール１０１　、パラセカンダリブチルフェノール７１
Ｇ、２．４−ジセカンダリブチルフェノール１２チであ
うた。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. アリールスルホン酸触媒の存在下、カーブテン類を含む
   インブチレンとフェノールヲ２０−１２０℃においてイ
   ソブチレンを選択的に反応させ、次いで上記触媒を除去
   または除去することなくシリカアルミナ、活性白土、ケ
   イソウ土、稀土類置換ゼオライト、硫酸、イオン交換樹
   脂およびフッ化ホウ素よりなる群から選ばれた少壜くと
   も１種の触媒の存在下、８０〜２００℃において転位反
   応させることを特徴とする高純度パラターシャリブチル
   フェノールの製造方法。