JPS5852836A - 複合集積回路 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上に固着された半導体素子への配線が基
板上に設けられた配線導体と半導体素子チップの電極と
の直線の豪続ならびFc*続導線による倣続によって行
われる複合集積回踏に関する。
板上に設けられた配線導体と半導体素子チップの電極と
の直線の豪続ならびFc*続導線による倣続によって行
われる複合集積回踏に関する。
豪合集′Ia回路の配線導体は、例えばセライック基板
に導体を印刷焼成するか、あるいは金属基板Kja縁し
て接着された金llI4櫓をエツチングすることなどに
より形成される。第1図は後者の例を示し、プルミニク
ムの、よつな良熱伝導性金属基板lの上に絶縁性嵌着剤
層2e介して爾@3を貼着し、鋼箔3の上にアルミニウ
ム線のワイヤポンディングが可能な、例えば金あるいは
ニッケルのめっき層4を設けた後、エツチング法によp
所望の配線バター7を形成する。あるいは鋼箔3を所望
のパターンにエツチングしたのち、蛍続に必要な場所の
みに部分めっきを施してもよい。めっき層4の上にはん
だ層5を介して半導体素子チップ6を固定し、その上面
のアル<=りム電極と別の配−導体のめっき層41とを
フル建エクムの接続導1ilI7の超音am−法による
ワイヤボンディングによって!I続する。半導体素子チ
ップ6がパワー)9yジスタテツブのような放熱量の大
きなものの場合には、めっき層4の上に金属の放熱体8
をはさんでチップ6をそれぞれはんだ層5を用いて固着
する。そして同様にアルミニりム線7のワイヤボンディ
ングによp4出した配線導体のめっき層41とチップ6
のフルンニウム電極と接続する。
に導体を印刷焼成するか、あるいは金属基板Kja縁し
て接着された金llI4櫓をエツチングすることなどに
より形成される。第1図は後者の例を示し、プルミニク
ムの、よつな良熱伝導性金属基板lの上に絶縁性嵌着剤
層2e介して爾@3を貼着し、鋼箔3の上にアルミニウ
ム線のワイヤポンディングが可能な、例えば金あるいは
ニッケルのめっき層4を設けた後、エツチング法によp
所望の配線バター7を形成する。あるいは鋼箔3を所望
のパターンにエツチングしたのち、蛍続に必要な場所の
みに部分めっきを施してもよい。めっき層4の上にはん
だ層5を介して半導体素子チップ6を固定し、その上面
のアル<=りム電極と別の配−導体のめっき層41とを
フル建エクムの接続導1ilI7の超音am−法による
ワイヤボンディングによって!I続する。半導体素子チ
ップ6がパワー)9yジスタテツブのような放熱量の大
きなものの場合には、めっき層4の上に金属の放熱体8
をはさんでチップ6をそれぞれはんだ層5を用いて固着
する。そして同様にアルミニりム線7のワイヤボンディ
ングによp4出した配線導体のめっき層41とチップ6
のフルンニウム電極と接続する。
しかしこのような複合集積回路においては、アルミニウ
ムm7を半導体素子チップ6のアルミニウム電砺と銅i
3の上のムUあるいはNlめつき層41とにワイヤボン
デインブレなければならず、双方の材質2表面状廊が異
るため、最適ボンディングを行つためにはそれぞれのポ
ンディング条件を調整する面倒がある。同じ材質にする
ために鋼箔3の上にhtめつきを施すことは技術的に離
しい。また放熱体8を用いるときは、チップ6の上の電
極面と配線導体上のめつき層41の面との間に段差を生
ずるため、アル1=クム線フが放熱体8の側面に像触し
て短絡する虞があ夛、信頼性が十分でない。
ムm7を半導体素子チップ6のアルミニウム電砺と銅i
3の上のムUあるいはNlめつき層41とにワイヤボン
デインブレなければならず、双方の材質2表面状廊が異
るため、最適ボンディングを行つためにはそれぞれのポ
ンディング条件を調整する面倒がある。同じ材質にする
ために鋼箔3の上にhtめつきを施すことは技術的に離
しい。また放熱体8を用いるときは、チップ6の上の電
極面と配線導体上のめつき層41の面との間に段差を生
ずるため、アル1=クム線フが放熱体8の側面に像触し
て短絡する虞があ夛、信頼性が十分でない。
本発明はこのような欠点を除去し、導線による接続が容
易で、信頼性の高い複合集積回路を提供することを目的
とする。
易で、信頼性の高い複合集積回路を提供することを目的
とする。
この目的は、半導体素子チップの電極が、基板上に設け
られた配線導体の上に固着され少くとも上側が前記電極
と同種の材料からなる補助体の上面と導−によって硬−
続されたことによって遍成される。チップがアルミニウ
ム電極を有するときは補助体はアルミニウムあるいはア
ルミニウム合金により作られ、基体上の配線導体に固着
される側は銅めっきされることが望ましい。
られた配線導体の上に固着され少くとも上側が前記電極
と同種の材料からなる補助体の上面と導−によって硬−
続されたことによって遍成される。チップがアルミニウ
ム電極を有するときは補助体はアルミニウムあるいはア
ルミニウム合金により作られ、基体上の配線導体に固着
される側は銅めっきされることが望ましい。
以下、図を引用して本発明の実施例について説明する。
第2図に8いて第1図と共通の部分には同一の符号が付
されている。基板l上の配線パターンを形成する銅箔3
の上にはめっき層4を設けず、半導体素子チップ6は銅
箔3に直接はんだ層5を介して固着される。このチップ
6の上部のアル<ニウム電極と接続されるべき配線導体
の場所には、補助体9がはんだ層5によってろう付けさ
れる。補助体9はチップ6の電極の材料と同種のアルミ
ニウムあるいはアルミニウム合金からなるが、第3図に
示すようにアルミニウム板ICの一面に銅めつき層11
を有する。従って容易にめっき層11の例で銅箔3とは
んだ付けできる。ついで、アルミニウム線7の超音波振
動によるワイヤボンディングによりチップ6の上向のア
ルミニクム電惚ト補助体9の上側のアルミニウム向とを
接続する。接続部が双方ともアルミニウムであるので、
ボンディングは同じ条件で容易に行っことができる。半
導体素子の放熱量が多(、放熱体8を介して配線導体に
固着するときは、素子チップ6の上部IE極と接続され
る配線導体の場所に、放熱体8の厚さに匹適する厚さb
補助体91をろつ付けする。それによりアルミニウム線
7による接続は、同種の材料に対しほぼ同一水平面内K
gいて行つことができる。従ってアル1ニウム−7の長
さは最短となり、放熱体8の測量にアルミニウムーが触
れる真がなく、短絡が起きない。
されている。基板l上の配線パターンを形成する銅箔3
の上にはめっき層4を設けず、半導体素子チップ6は銅
箔3に直接はんだ層5を介して固着される。このチップ
6の上部のアル<ニウム電極と接続されるべき配線導体
の場所には、補助体9がはんだ層5によってろう付けさ
れる。補助体9はチップ6の電極の材料と同種のアルミ
ニウムあるいはアルミニウム合金からなるが、第3図に
示すようにアルミニウム板ICの一面に銅めつき層11
を有する。従って容易にめっき層11の例で銅箔3とは
んだ付けできる。ついで、アルミニウム線7の超音波振
動によるワイヤボンディングによりチップ6の上向のア
ルミニクム電惚ト補助体9の上側のアルミニウム向とを
接続する。接続部が双方ともアルミニウムであるので、
ボンディングは同じ条件で容易に行っことができる。半
導体素子の放熱量が多(、放熱体8を介して配線導体に
固着するときは、素子チップ6の上部IE極と接続され
る配線導体の場所に、放熱体8の厚さに匹適する厚さb
補助体91をろつ付けする。それによりアルミニウム線
7による接続は、同種の材料に対しほぼ同一水平面内K
gいて行つことができる。従ってアル1ニウム−7の長
さは最短となり、放熱体8の測量にアルミニウムーが触
れる真がなく、短絡が起きない。
本発明によれば配線導体の上に高価なム賛めっきのよう
なめつき層を設ける必要がなく、接続場所にのみ補助体
を設けるので最小限の材料ですむ。
なめつき層を設ける必要がなく、接続場所にのみ補助体
を設けるので最小限の材料ですむ。
な8、本発明は上述の金属基板の複合集積回路に限らず
、セライック基板に印刷焼成導体により配−するものに
て適用できる。
、セライック基板に印刷焼成導体により配−するものに
て適用できる。
以上述べたように、本発明は複合集積回路の基板上に固
定された半導体素子チップの電極と少くとも一部は同種
の材料の補助体を用いて、同棟材料関を導線により接続
するものであり、導線の固着が同一条件でできるため!
i続作業が容易で信頼性が高く、また放熱体使用の素子
との接続が同一水平面内でできるような厚さの補助体を
用いることもできるので短絡の防止が可111!である
など、得られる効果は極めて大きい。
定された半導体素子チップの電極と少くとも一部は同種
の材料の補助体を用いて、同棟材料関を導線により接続
するものであり、導線の固着が同一条件でできるため!
i続作業が容易で信頼性が高く、また放熱体使用の素子
との接続が同一水平面内でできるような厚さの補助体を
用いることもできるので短絡の防止が可111!である
など、得られる効果は極めて大きい。
第1図は従来の複合集積回路の一例の要部の断面図、第
2図は本発明の一実施例の豊S断m図、第3図はその補
助体の一実施例の断面図である。 1−・金属基板、2・・・絶縁性接着剤層、3−・・銅
箔、5・・・はんだ層、6−半導体素子チップ、)・・
・接続導線、9.91・・・補助体、i o ・・・ア
ルミニウム板、11−・・鋼めつき層。
2図は本発明の一実施例の豊S断m図、第3図はその補
助体の一実施例の断面図である。 1−・金属基板、2・・・絶縁性接着剤層、3−・・銅
箔、5・・・はんだ層、6−半導体素子チップ、)・・
・接続導線、9.91・・・補助体、i o ・・・ア
ルミニウム板、11−・・鋼めつき層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l)半導体素子チップの電極が、基板上に設けられた配
−導体の上K111着され、少くとも上側が前記電極と
同種の材料からなる襠麹体の上面と、導線によって畿続
されたξとを特徴とする複合集積回踏。 2、特許請求の範囲第1項記載の集積回路において、チ
ップの電極はアルミニり^からなp1補助体はアル建二
つ^あるいはアルミニウム線金からなって配線導体上K
11lji!される側か鋼めっきされたことを特徴とす
る複合集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150942A JPS5852836A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 複合集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56150942A JPS5852836A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 複合集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852836A true JPS5852836A (ja) | 1983-03-29 |
| JPH0131689B2 JPH0131689B2 (ja) | 1989-06-27 |
Family
ID=15507779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56150942A Granted JPS5852836A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 複合集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852836A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151039A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 混成集積回路基板 |
| JPS6045089A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 回路配線用基板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5317747A (en) * | 1976-08-02 | 1978-02-18 | Sasaki Mooru Kk | Natural light inlet tube |
| JPS5396668A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Wire bonding method and auxiliary plate for the same |
| JPS5396667A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Wire bonding method |
| JPS55158654A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-10 | Aichi Steel Works Ltd | Manufacture of heat sink in aluminum |
| JPS5610941A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5623763A (en) * | 1979-08-04 | 1981-03-06 | Aichi Steel Works Ltd | Aluminum heat sink and manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56150942A patent/JPS5852836A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5317747A (en) * | 1976-08-02 | 1978-02-18 | Sasaki Mooru Kk | Natural light inlet tube |
| JPS5396668A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Wire bonding method and auxiliary plate for the same |
| JPS5396667A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Wire bonding method |
| JPS55158654A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-10 | Aichi Steel Works Ltd | Manufacture of heat sink in aluminum |
| JPS5610941A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5623763A (en) * | 1979-08-04 | 1981-03-06 | Aichi Steel Works Ltd | Aluminum heat sink and manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151039A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 混成集積回路基板 |
| JPS6045089A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | 松下電器産業株式会社 | 回路配線用基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0131689B2 (ja) | 1989-06-27 |
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