JPS6045089A - 回路配線用基板 - Google Patents
回路配線用基板Info
- Publication number
- JPS6045089A JPS6045089A JP58153511A JP15351183A JPS6045089A JP S6045089 A JPS6045089 A JP S6045089A JP 58153511 A JP58153511 A JP 58153511A JP 15351183 A JP15351183 A JP 15351183A JP S6045089 A JPS6045089 A JP S6045089A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- plating layer
- copper foil
- thickness
- circuit wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば、混成集積回路の配線構体として利用
することが可能な銅箔導体層を有する回路配線用基板に
関する。
することが可能な銅箔導体層を有する回路配線用基板に
関する。
従来例の構成とその問題点
従来、基板材料に、紙基材エポキシ、ガラス布基材エポ
キシ、ガラスマット基材エポキシあるいは表面を絶縁し
た金属基板を用い、その基板上に銅箔を付着して導電層
とした回路配線用基板が周知である。ところが、銅箔導
体層は金細線のボッディング適応性に欠ける難点を有し
、直接のワイヤボッディングが牲可能である。そこで、
銅箔導体層表面にニッケルめっき層を被設し、これを介
して、金細線のワイヤボッディングを行なうのが一般的
である。このとき、ニッケルめっき層を被設した銅箔導
電層を所望の配線パターンに加工形成するには、予め、
二層形成したのち、これをレジストマスクでおおって、
そのレジストマスクの開口部を通じて、化学エツチノグ
を施すのが標準的手法であるが、この場合、ニッケルめ
っき層と銅箔とでエツチング液に対する溶解速度が異な
ることに起因する配線パター／の乱れが生じることもあ
る。しかし、これにも増して、エッチ７グエ程でニッケ
ルめっき層の表面が銅成分によって汚染され、この結果
、ボッディフグ強度が低下するのが大きな難点である。
キシ、ガラスマット基材エポキシあるいは表面を絶縁し
た金属基板を用い、その基板上に銅箔を付着して導電層
とした回路配線用基板が周知である。ところが、銅箔導
体層は金細線のボッディング適応性に欠ける難点を有し
、直接のワイヤボッディングが牲可能である。そこで、
銅箔導体層表面にニッケルめっき層を被設し、これを介
して、金細線のワイヤボッディングを行なうのが一般的
である。このとき、ニッケルめっき層を被設した銅箔導
電層を所望の配線パターンに加工形成するには、予め、
二層形成したのち、これをレジストマスクでおおって、
そのレジストマスクの開口部を通じて、化学エツチノグ
を施すのが標準的手法であるが、この場合、ニッケルめ
っき層と銅箔とでエツチング液に対する溶解速度が異な
ることに起因する配線パター／の乱れが生じることもあ
る。しかし、これにも増して、エッチ７グエ程でニッケ
ルめっき層の表面が銅成分によって汚染され、この結果
、ボッディフグ強度が低下するのが大きな難点である。
発明の目的
本発明は前述の問題点を解消するものであり、ワイヤボ
ッディングに好適な配線構体を提供するものである。
ッディングに好適な配線構体を提供するものである。
発明の構成
本発明は、要約するに、基板上に樹脂接着層を介して付
設きれた銅箔導体層の所定部分に、選択的に形成された
厚き２〜７μｍのニッケル層とこれに重ねて形成された
銀めっき層とをそなえた回路配線用基板であり、これに
より、高いワイヤボッディング強度と安定な電気的接続
性が得られる。
設きれた銅箔導体層の所定部分に、選択的に形成された
厚き２〜７μｍのニッケル層とこれに重ねて形成された
銀めっき層とをそなえた回路配線用基板であり、これに
より、高いワイヤボッディング強度と安定な電気的接続
性が得られる。
実施例の説明
第１図は本発明実施例の回路配線用基板に回路素子を組
み込んだ構体の断面図である。すなわち、厚さ１．０μ
ｍのアルミニウム板１の片面に、厚さ５０±５μｍのエ
ポキシ樹脂とポリアミド・イミド樹脂との混合樹脂接着
層２を介して、公称厚さ３６μｍの電着銅箔３を付設し
、との銅箔３上に、厚σ３ ／７ ｍのニッケルめっき
層４を選択的に形成し、をらに、このニッケルめっき層
４に重ねて、厚さ３μｍの銀めっき層６を形成し、これ
に、半導体回路素子６を載置し、各電極と配線部とを金
細線子でボンディングしたものである。
み込んだ構体の断面図である。すなわち、厚さ１．０μ
ｍのアルミニウム板１の片面に、厚さ５０±５μｍのエ
ポキシ樹脂とポリアミド・イミド樹脂との混合樹脂接着
層２を介して、公称厚さ３６μｍの電着銅箔３を付設し
、との銅箔３上に、厚σ３ ／７ ｍのニッケルめっき
層４を選択的に形成し、をらに、このニッケルめっき層
４に重ねて、厚さ３μｍの銀めっき層６を形成し、これ
に、半導体回路素子６を載置し、各電極と配線部とを金
細線子でボンディングしたものである。
第２図ａ −ａは、本発明実施例の回路配線用基板を製
造工程順に示す断面図である。
造工程順に示す断面図である。
まず、第２図１のように、アルミニウム板１の表面に、
エポキシ樹脂とポリアミド・イミド樹脂とからなる接着
材２を介して、厚さ３６μｍの電着銅箔３を破着する。
エポキシ樹脂とポリアミド・イミド樹脂とからなる接着
材２を介して、厚さ３６μｍの電着銅箔３を破着する。
次に、電着銅箔３にレジストマスク８を形成し次いで、
レジストマスク８を除去したのち、配線パターンの一部
を露出させた耐め−きマスク９を付着し、これを通じて
、配線バター／の一部にニッケルめっき層４を形成し、
続いて、同じ耐なお、ニッケルめっき層４は、通常の硫
酸二。
レジストマスク８を除去したのち、配線パターンの一部
を露出させた耐め−きマスク９を付着し、これを通じて
、配線バター／の一部にニッケルめっき層４を形成し、
続いて、同じ耐なお、ニッケルめっき層４は、通常の硫
酸二。
ケル溶液を用いる電解めっき法で形成され、銀Ｖ〕つき
層６ば、シアノ化銀溶液を用いる電解めっき法が適用で
き、そねぞね、電流密度ないしはめ−き処理条件の制御
によって、最適のめっき層厚を得ることができる。
層６ば、シアノ化銀溶液を用いる電解めっき法が適用で
き、そねぞね、電流密度ないしはめ−き処理条件の制御
によって、最適のめっき層厚を得ることができる。
耐めっきマスク９は、合成ゴムなどのゴム質弾性体が適
し、絶縁性と併せて、基板面に対する密着性ならびに電
解めっき液に対する十分な面ｊ性のあるものを用いれば
よい。
し、絶縁性と併せて、基板面に対する密着性ならびに電
解めっき液に対する十分な面ｊ性のあるものを用いれば
よい。
第３図は、ニッケルめっき層４の厚みを変化させたとき
のボンディング強度を実験値の】！犬、最小の幅で概略
的に示す特性図であり、このとき、銀めっき層５の厚み
は３μｍに一定としだ。なお、ワイヤボンディングには
、直径３０μｍの金細線を用い、２００℃で超音波熱圧
着法を用いた。この第３図でみると、ニッケルめっき層
４の厚みは２μｍ以上であれば、ボンディング強度６ノ
以上が実現可能であり、また、７μｍをこえると、ボン
ディング強度が低下する傾向を呈し、”ｙを割る条件も
出る。したがって、ニッケルめっきの厚みは、２μｍ〜
７μｍであれば、特性を十分に満たすものになる。
のボンディング強度を実験値の】！犬、最小の幅で概略
的に示す特性図であり、このとき、銀めっき層５の厚み
は３μｍに一定としだ。なお、ワイヤボンディングには
、直径３０μｍの金細線を用い、２００℃で超音波熱圧
着法を用いた。この第３図でみると、ニッケルめっき層
４の厚みは２μｍ以上であれば、ボンディング強度６ノ
以上が実現可能であり、また、７μｍをこえると、ボン
ディング強度が低下する傾向を呈し、”ｙを割る条件も
出る。したがって、ニッケルめっきの厚みは、２μｍ〜
７μｍであれば、特性を十分に満たすものになる。
ワイヤボンディング技術の面でみると、通常の熱圧着法
では、基板温度を３００℃〜３５０℃に加熱しておかな
いと十分なボンディング強度が得られない。しかし、か
かる高い加熱温度は、基板上の樹脂接米層を含む絶縁物
にとって不都合であり、好ましくは、加熱温度を２００
℃以下にしたい。この点に関してみると、超音波を併用
した熱圧着法、いわゆる、超音波熱圧着法によれば、加
熱温度も、１５０℃〜２００℃でボンディングが可能で
ある。とりわけ、本発明実施例では、銅箔上に二・ｌケ
ルめっき層を設けることによって、銅箔の超音波吸収作
用を軽減させ、ボンディングを確実に行なうことができ
る。
では、基板温度を３００℃〜３５０℃に加熱しておかな
いと十分なボンディング強度が得られない。しかし、か
かる高い加熱温度は、基板上の樹脂接米層を含む絶縁物
にとって不都合であり、好ましくは、加熱温度を２００
℃以下にしたい。この点に関してみると、超音波を併用
した熱圧着法、いわゆる、超音波熱圧着法によれば、加
熱温度も、１５０℃〜２００℃でボンディングが可能で
ある。とりわけ、本発明実施例では、銅箔上に二・ｌケ
ルめっき層を設けることによって、銅箔の超音波吸収作
用を軽減させ、ボンディングを確実に行なうことができ
る。
他の実施例として、基板材料に、厚さ５０μｍのポリイ
ミドフィルムを用い、その片面に、厚さ１６±５μｍの
ポリアミド・イミド樹脂を含む絶縁層を介して、公称厚
さ３６μｍの圧延銅箔を付着させたものに対しても、ｔ
の銅箔の一部に、ニッケルめっき層を２〜７μｍならび
に銀めっき層を３μｍ、それぞれ、選択的に被設するこ
とで、ホンティング強度の十分なワイヤボンディングを
達成することができた。
ミドフィルムを用い、その片面に、厚さ１６±５μｍの
ポリアミド・イミド樹脂を含む絶縁層を介して、公称厚
さ３６μｍの圧延銅箔を付着させたものに対しても、ｔ
の銅箔の一部に、ニッケルめっき層を２〜７μｍならび
に銀めっき層を３μｍ、それぞれ、選択的に被設するこ
とで、ホンティング強度の十分なワイヤボンディングを
達成することができた。
発明の効果
本発明によれば、銅箔導体層上に１厚さ２〜７μｍの二
・ｌケルめっき層および銀めっき層を設けたことにより
、ワイヤボンディングの可能な回路配線用基板を実現す
ることができる。まだ、かかる二・ｌケルめっき層の選
択的形成によって、同二・ｌケルめっき層が銅箔の工・
ｌチンダニ程にさらされて汚染されることもなく、シか
も、超音波熱圧着法が適用でき、ワイヤボンディングに
よって配線接続が十分なボンディング強度で達成できる
。
・ｌケルめっき層および銀めっき層を設けたことにより
、ワイヤボンディングの可能な回路配線用基板を実現す
ることができる。まだ、かかる二・ｌケルめっき層の選
択的形成によって、同二・ｌケルめっき層が銅箔の工・
ｌチンダニ程にさらされて汚染されることもなく、シか
も、超音波熱圧着法が適用でき、ワイヤボンディングに
よって配線接続が十分なボンディング強度で達成できる
。
したがって、本発明の回路配線用基板は、半導体回路素
子（半導体チップ）を、直接、配線層上に載置し、同回
路素子の各電極を基板上の導体層とワイヤボンディング
によって結続することができるので、混成集積回路の高
密度実装に有益である。
子（半導体チップ）を、直接、配線層上に載置し、同回
路素子の各電極を基板上の導体層とワイヤボンディング
によって結続することができるので、混成集積回路の高
密度実装に有益である。
硯へＣ
第１図は本発明実施例の断面図、第２Ｗ同実施例の工程
順断面図、第３図はボンディング強度特性図である。 １・・・・・・・・・基板、２−・、・・・・樹脂接着
層、３・・・・・・・・銅箔、４ ・・−・・−ニッケ
ルめっき層、５・・・・・・・・・銀めっき層。 第２図
順断面図、第３図はボンディング強度特性図である。 １・・・・・・・・・基板、２−・、・・・・樹脂接着
層、３・・・・・・・・銅箔、４ ・・−・・−ニッケ
ルめっき層、５・・・・・・・・・銀めっき層。 第２図
Claims (1)
- 基板」二に樹脂接着層を介して付設された銅箔導体層の
所定部分に、選択的に形成きれた厚さ２〜７μｍのニッ
ケル層とこれに重ねて形成された銀めっき層とをそなえ
た回路配線用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153511A JPS6045089A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 回路配線用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153511A JPS6045089A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 回路配線用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045089A true JPS6045089A (ja) | 1985-03-11 |
| JPH0158860B2 JPH0158860B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15564137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153511A Granted JPS6045089A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 回路配線用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045089A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453918A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-01 | Mutou Kk | Substance assortment method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150292A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Fujitsu Ltd | Method of fabricating printed circuit board |
| JPS5815905A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-01-29 | Ichimaru Fuarukosu Kk | 可溶化シルクペプチド含有皮膚化粧料 |
| JPS5852836A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | 複合集積回路 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58153511A patent/JPS6045089A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150292A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Fujitsu Ltd | Method of fabricating printed circuit board |
| JPS5852836A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | 複合集積回路 |
| JPS5815905A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-01-29 | Ichimaru Fuarukosu Kk | 可溶化シルクペプチド含有皮膚化粧料 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6453918A (en) * | 1987-08-25 | 1989-03-01 | Mutou Kk | Substance assortment method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0158860B2 (ja) | 1989-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4993148A (en) | Method of manufacturing a circuit board | |
| JPH0697225A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3952129B2 (ja) | 半導体装置、実装基板及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JPWO2000049655A1 (ja) | 半導体装置、実装基板及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP3482850B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JPH11233531A (ja) | 電子部品の実装構造および実装方法 | |
| JPS6127089Y2 (ja) | ||
| JPH0158860B2 (ja) | ||
| JPH10125817A (ja) | ２層配線基板 | |
| JP2652222B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2787230B2 (ja) | 電子部品塔載用基板 | |
| JPH05235498A (ja) | 突起電極付プリント回路基板および接合方法 | |
| JPH0735389Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2784209B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59215753A (ja) | 回路部品の封止方法 | |
| JPH05327156A (ja) | プリント回路基板 | |
| JPS6149499A (ja) | フレキシブル多層配線基板 | |
| JPS6293993A (ja) | 電子回路装置とその実装方法 | |
| JP4396862B2 (ja) | 半導体装置、回路基板および電子機器 | |
| JP4396863B2 (ja) | 半導体装置、実装基板及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP4400755B2 (ja) | 半導体装置、実装基板及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JPH1012987A (ja) | ２層配線基板 | |
| JPH10209593A (ja) | ２層配線基板、及びその製造方法 | |
| JPS59204298A (ja) | 印刷回路板の形成方法 | |
| JPH0297042A (ja) | 電子部品搭載用基板 |