JPS585359U - 半導体論理装置 - Google Patents

半導体論理装置

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JPS585359U
JPS585359U JP6685782U JP6685782U JPS585359U JP S585359 U JPS585359 U JP S585359U JP 6685782 U JP6685782 U JP 6685782U JP 6685782 U JP6685782 U JP 6685782U JP S585359 U JPS585359 U JP S585359U
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semiconductor logic
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JP6685782U
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長橋　靖彦
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の実施例に使用する５ＢＧＦＥＴの構
造を示す断面図で、１１は高抵抗ｐ型シリコン基板、１
２は低抵抗ｎ型シリコン層、１゛３はソース電極、１４
はゲート電極、１５はドレイン電極をそれぞれ示してい
る。 第２図ａはこの考案を説明するための半導体論理回路の
回路図であり、Ｒ工は負荷抵抗、ＱＡ、　ＱＥ。 Ｑｃは５ＢＧＦＥＴ、Ｖ□、Ｖ２は電源、Ａ、Ｂ、Ｃは
入力端子、Ｄは出力端子をそれぞれ示し、同図すは真理
値表であり、Ｘは１または０を示している。 第３図はこの考案の一実施例の構成図であり、ａは上面
図を、ｂはＡ−Ａ’線による断面図を示している。４（
）１，４０２，４０３はそれぞれ５ＢＧＦＥＴの各ソー
ス電極であり、４１４は５ＢＧＦＥＴの共通ゲート電極
であり、４１５は５ＢＧＦＥＴの共通ドレイン電極であ
る。４２０はｎ型シリコン層であり、４５０は環状ショ
ットキ接触電極であり、４８０は高抵抗シリコン基板で
ある。また、４９０は環状ショットキ接触電極４５０に
よる空乏層である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 高抵抗基板の表面上に形成された半導体層が前記半導体
    層上に環状ショットキ接触電極を備え、前記環状ショッ
    トキ接触電極で分離された前記半導体層を共用して形成
    される複数のショットキ障壁ゲート型電界効果トランジ
    スタと、負荷素子とを備えた半導体論理装置において、
    前記複数のショットキ障壁ゲート型電界効果トランジス
    タは、各ソース電極が各ゲート電極によりそれぞれ取り
    囲まれ、互いに分離され、各ゲート電極は共通に一定電
    位に保持され、ドレイン電極を共用し、前記各ソース電
    極をそれぞれ入力端子とし、前記ドレイン電極を出力端
    子とすることを特徴とする半導体論理装置。
JP6685782U 1982-05-07 1982-05-07 半導体論理装置 Granted JPS585359U (ja)

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JPS585359U true JPS585359U (ja) 1983-01-13
JPS6240450Y2 JPS6240450Y2 (ja) 1987-10-16

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