JPS5855747A - 硝酸イオン選択性電極用応答膜及びその製造方法 - Google Patents
硝酸イオン選択性電極用応答膜及びその製造方法Info
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- JPS5855747A JPS5855747A JP56155351A JP15535181A JPS5855747A JP S5855747 A JPS5855747 A JP S5855747A JP 56155351 A JP56155351 A JP 56155351A JP 15535181 A JP15535181 A JP 15535181A JP S5855747 A JPS5855747 A JP S5855747A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン選択性応答物質を高分子物質からなる
支持体に保持させた固体膜型の硝酸イオン選択性電極用
応答膜及びその製造方法に関し、その目的は、機械的強
度が太き(且つ高感度で直線応答の範囲が広く、ヨウ素
や過塩素酸等の共存イオンによる妨害影響も少なく、し
かも、電極ボディに取り付けるにあたり、エポキシ樹脂
系の接着剤を使用できるため電極ボディの材質に制約を
受けない応答膜を実現するにある。
支持体に保持させた固体膜型の硝酸イオン選択性電極用
応答膜及びその製造方法に関し、その目的は、機械的強
度が太き(且つ高感度で直線応答の範囲が広く、ヨウ素
や過塩素酸等の共存イオンによる妨害影響も少なく、し
かも、電極ボディに取り付けるにあたり、エポキシ樹脂
系の接着剤を使用できるため電極ボディの材質に制約を
受けない応答膜を実現するにある。
硝酸イオン選択性電極としては、次の(il) 、 (
b) I(C) I (d)のものが既に知られている
。
b) I(C) I (d)のものが既に知られている
。
(1) 応答物質を適当な有機溶媒に溶かし、これを
セラミック等の多孔質の支持体に保持させた(いわゆる
液膜型の)応答膜を用いたもの。応答物質としては、オ
ルトフェナントロリン誘導体のニッケル塩が用いられる
。
セラミック等の多孔質の支持体に保持させた(いわゆる
液膜型の)応答膜を用いたもの。応答物質としては、オ
ルトフェナントロリン誘導体のニッケル塩が用いられる
。
このタイプの電極は、応答物質を含む有機層が応答膜か
ら絶えず流出して行くため、寿命がせいぜい数ケ月であ
る。有機層を補充することによって繰返し使用が可能で
あるが、有機層の入れ換え作業が難しく、トラブルが発
生しやすい欠点がある。また、応答の直線範囲がlo
、Nos〜10 MNO;程度で感度が悪く、機械
的強度も小さく、殊に振動に弱い等の欠点がある。
ら絶えず流出して行くため、寿命がせいぜい数ケ月であ
る。有機層を補充することによって繰返し使用が可能で
あるが、有機層の入れ換え作業が難しく、トラブルが発
生しやすい欠点がある。また、応答の直線範囲がlo
、Nos〜10 MNO;程度で感度が悪く、機械
的強度も小さく、殊に振動に弱い等の欠点がある。
(b) 応答物質を適当な有機溶媒と共に、あるいは
応答物質のみをポリ塩化ビニルよりなる支持体に保持さ
せた応答膜を用いたもの。
応答物質のみをポリ塩化ビニルよりなる支持体に保持さ
せた応答膜を用いたもの。
■ 例えば、米国特許第4,059,499号明細書に
は、応答物質を有機溶媒と共にポリ塩化ビニルに保持さ
せた応答膜が開示されている。
は、応答物質を有機溶媒と共にポリ塩化ビニルに保持さ
せた応答膜が開示されている。
ここで、応答物質としては、例えばテトラオクチルアン
モニウムニドラードやテトラドデシルアンモニウムニト
ラートなど、 R,NNO,(4級アンモニウム塩のニドラード型)k
″CNC 9虐17 が使用され、有機溶媒としては、ジアルキルフタレート
又はジアルキルアジペートが使用されている。
モニウムニドラードやテトラドデシルアンモニウムニト
ラートなど、 R,NNO,(4級アンモニウム塩のニドラード型)k
″CNC 9虐17 が使用され、有機溶媒としては、ジアルキルフタレート
又はジアルキルアジペートが使用されている。
この電極は、固体膜型であるため、(3)の液膜型に比
べて取扱い等が簡便で且つ有機層の補給が不要である等
々の利点を有している。しかし、応答膜の主材が軟質塩
ビであるため、強度的に弱(、膜厚が徐々に薄くなるこ
とが知られている。また、軟質塩ビであるため、応答膜
を電極ボディに取り付ける接着剤としてテトラヒドロフ
ラン(有機溶媒)を用いる必要があり、従って、電極ボ
ディの材質も塩ビに限られることになり、しかも、応答
膜全体を均一かつ強固に接着することはかなり困難であ
る。また、感度についても、ネルンスト応答範囲は偽)
と同様にIQ ’21NO−,までである。
べて取扱い等が簡便で且つ有機層の補給が不要である等
々の利点を有している。しかし、応答膜の主材が軟質塩
ビであるため、強度的に弱(、膜厚が徐々に薄くなるこ
とが知られている。また、軟質塩ビであるため、応答膜
を電極ボディに取り付ける接着剤としてテトラヒドロフ
ラン(有機溶媒)を用いる必要があり、従って、電極ボ
ディの材質も塩ビに限られることになり、しかも、応答
膜全体を均一かつ強固に接着することはかなり困難であ
る。また、感度についても、ネルンスト応答範囲は偽)
と同様にIQ ’21NO−,までである。
◎ 特開昭55−136950号公報には、応答物質の
みをポリ塩化eニルに保持させた応答膜を用いた電極が
開示されている。
みをポリ塩化eニルに保持させた応答膜を用いた電極が
開示されている。
ここで、応答物質としては、例えば、)IJ−n−ドデ
シルメチルアンモニウムクロライド、トリーn−オクチ
ルメチルアンモニウムクロライド、トリテトラデシルメ
チルアンモニウムクロライド、テトラ−n−オクチルア
ンモニウムクロライドなど、 14Ncノ(4級アンモニウム塩のクロライド型)R:
C,〜Cユ。
シルメチルアンモニウムクロライド、トリーn−オクチ
ルメチルアンモニウムクロライド、トリテトラデシルメ
チルアンモニウムクロライド、テトラ−n−オクチルア
ンモニウムクロライドなど、 14Ncノ(4級アンモニウム塩のクロライド型)R:
C,〜Cユ。
が使用され、ポリ塩化ビニル中に15〜30重量%混合
されている。
されている。
この電極においても、応答膜の主材が塩ビであるため、
Φと同様な欠点があり、しかも、!−9Cノ0:イオン
による妨害が大きいことが知られている。
Φと同様な欠点があり、しかも、!−9Cノ0:イオン
による妨害が大きいことが知られている。
(d) 応答物質をジベンザルソルビトールでゲル化
し、これをエポキシ樹脂に内蔵させて固化した応答膜を
用いたもの。
し、これをエポキシ樹脂に内蔵させて固化した応答膜を
用いたもの。
この電極は、応答膜の機械的強度が大きく、且つ、応答
膜を電極ボディに取り付ける接着剤としてエポキシ樹脂
系の接着剤を使用できるので、電極ボディの材質に対す
る制約が小さいといった利点を有していると推定できる
が、共存イオン、特にI−イオンによる妨害が大きいこ
とが知られている。
膜を電極ボディに取り付ける接着剤としてエポキシ樹脂
系の接着剤を使用できるので、電極ボディの材質に対す
る制約が小さいといった利点を有していると推定できる
が、共存イオン、特にI−イオンによる妨害が大きいこ
とが知られている。
このような現状に鑑み、本発明は、応答物質の支持体を
、塩化ビニル樹脂とエポキシ樹脂の混合物とすることに
よって、上述した(a)〜(d)の有する欠点を解消し
、高強度、高感度で、しかも、I−。
、塩化ビニル樹脂とエポキシ樹脂の混合物とすることに
よって、上述した(a)〜(d)の有する欠点を解消し
、高強度、高感度で、しかも、I−。
Cノ0−イオンによる妨害が小さい応答膜とその製遣方
法を開発したものである。
法を開発したものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は、本発明に係る応答膜を備えた硝酸イオン選択
性電極の一例を示す。1は応答膜であり、エポキシ樹脂
と塩化ビニル樹脂の混合物を応答物質の支持体としある
。
性電極の一例を示す。1は応答膜であり、エポキシ樹脂
と塩化ビニル樹脂の混合物を応答物質の支持体としある
。
応答膜1の配合は次の通りである。
Oエポキシ樹脂と塩化ビニル樹脂の混合比が重量比で、
Oこの中に、応答物質が両者の樹脂の合計との重量比で
、 Oまた、この中に溶媒が両者の樹脂の合計との重量比で
、 Oエポキシ樹脂の硬化剤がエポキシ樹脂六の重量比で、 また、エポキシ樹脂としては、ビスフェノールタイプの
ものを用いている。
、 Oまた、この中に溶媒が両者の樹脂の合計との重量比で
、 Oエポキシ樹脂の硬化剤がエポキシ樹脂六の重量比で、 また、エポキシ樹脂としては、ビスフェノールタイプの
ものを用いている。
応答物質としては、
R,Net (4級アンモニウム塩のクロライド型)又
はR4NN03(4級アンモニウム塩のニドラード型)
R: C,〜C16 例えば、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド(
又はニドラード)、トリドデシルメチルアンモニウムク
ロライド(又はニドラード)、テトラオクチルアンモニ
ウムクロライド(又はニドラード)等が使用される。
はR4NN03(4級アンモニウム塩のニドラード型)
R: C,〜C16 例えば、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド(
又はニドラード)、トリドデシルメチルアンモニウムク
ロライド(又はニドラード)、テトラオクチルアンモニ
ウムクロライド(又はニドラード)等が使用される。
溶媒としては、ジアルキルフタレート又はジアルキルア
ジペート等の7タル酸エステル、例えばジ−n−オクチ
ルフタレート、ジ−n−オクチルアジペート等が使用さ
れる。
ジペート等の7タル酸エステル、例えばジ−n−オクチ
ルフタレート、ジ−n−オクチルアジペート等が使用さ
れる。
第1図中、2は電極ボディで・ある。電極ボディ2の材
質としては、エポキシ系の接着剤が使えるものであれば
如何なるものでもよく、その例としては、エポキシ、フ
ェノール、塩化ビニル、 AB S1ガラスなどを挙げ
ることができる。3は内部極であり、例えば銀、塩化銀
が使用される。4は内部液であり、例えばIQ mo
l/ノ〜3.33mol/j (7)塩化カリウム液が
使用される。5はリード線である。
質としては、エポキシ系の接着剤が使えるものであれば
如何なるものでもよく、その例としては、エポキシ、フ
ェノール、塩化ビニル、 AB S1ガラスなどを挙げ
ることができる。3は内部極であり、例えば銀、塩化銀
が使用される。4は内部液であり、例えばIQ mo
l/ノ〜3.33mol/j (7)塩化カリウム液が
使用される。5はリード線である。
上記の応答膜1は、上記配合の混合物を30〜50℃の
温度に保って72〜120時間で硬化させることにより
製造されるものである。
温度に保って72〜120時間で硬化させることにより
製造されるものである。
次に製造方法の具体例を図面に基づいて説明する。 −
塩化ビニル樹脂2.52をテトラヒドロフラン35−に
溶かし、これにジ−n−オクチルフタレート3.5P及
び)リオクチルメチルアンモニウムクロライド0.8F
を混入すると共に、エポキシ樹脂2.5F及び硬化剤1
.259を混入し、攪拌後、この混合物を第2図に示す
ように、テフロン(商品名)製(四フッ化エチレン樹脂
製)のシャ1−レ6に移し、シャーレ6を閉塞する気密
性の蓋(例えばガラス板が使用される。)7とシャーレ
6の開口縁との間に濾紙8を挾んだ状態で、これらを3
0〜50℃(好ましくは40℃)の恒温槽に入れ、72
〜120時間(好ましくは96時間)で硬化させて応答
膜1を得る。この場合、シャーレ6を気密性の蓋7で閉
塞しであるため、溶媒は濾紙8を経て徐々に蒸発し、鉄
相状態で乾燥硬化が行なわれ、気泡や変質が生じない。
溶かし、これにジ−n−オクチルフタレート3.5P及
び)リオクチルメチルアンモニウムクロライド0.8F
を混入すると共に、エポキシ樹脂2.5F及び硬化剤1
.259を混入し、攪拌後、この混合物を第2図に示す
ように、テフロン(商品名)製(四フッ化エチレン樹脂
製)のシャ1−レ6に移し、シャーレ6を閉塞する気密
性の蓋(例えばガラス板が使用される。)7とシャーレ
6の開口縁との間に濾紙8を挾んだ状態で、これらを3
0〜50℃(好ましくは40℃)の恒温槽に入れ、72
〜120時間(好ましくは96時間)で硬化させて応答
膜1を得る。この場合、シャーレ6を気密性の蓋7で閉
塞しであるため、溶媒は濾紙8を経て徐々に蒸発し、鉄
相状態で乾燥硬化が行なわれ、気泡や変質が生じない。
図示しないが、蓋7自体に、濾紙8に匹敵する微細な通
気孔を設けてもよい。
気孔を設けてもよい。
このようにして製造された応答膜1は厚さ2〜4讃であ
り、抵抗も10〜10Ωのオーダーである。
り、抵抗も10〜10Ωのオーダーである。
上記の応答膜1を用いた硝酸イオン選択性電極の応答性
について、硝酸カリウムを用いて調整した標準液を用い
て試験したところ、第3図に示すような結果を得た。応
答は、1〜IQ−’(mol/))の硝酸イオン濃度に
ついて示し、10 〜10 (mo l/))の範囲
でネルンストの式に従う直線応答を示した。同図から明
らかなように、応答の直線範囲が広く、10 ’〜No
−No−5(/j)の低濃度域に、おいても、ノイズが
発生せず、高感度であった。
について、硝酸カリウムを用いて調整した標準液を用い
て試験したところ、第3図に示すような結果を得た。応
答は、1〜IQ−’(mol/))の硝酸イオン濃度に
ついて示し、10 〜10 (mo l/))の範囲
でネルンストの式に従う直線応答を示した。同図から明
らかなように、応答の直線範囲が広く、10 ’〜No
−No−5(/j)の低濃度域に、おいても、ノイズが
発生せず、高感度であった。
また、 No (mol/j)の硝酸イオン濃度の場
合における他の陰イオンに対する選択係数を調べたとこ
ろ次の表の如き結果を得た。
合における他の陰イオンに対する選択係数を調べたとこ
ろ次の表の如き結果を得た。
す―このにτが大きいほど妨害が大きむ1゜E、=E+
2.303R工lOg (シ。; ” ”13 ’ ”
x−)・ F −呵 : 硝酸イオン濃度 1x−二 妨害イオン濃度 尚、上記の表に詔いて、(a)、(b)、(C)、(d
)は、冒頭に例示した従来品であり、それらの数値は文
献に発表された数値を転載したものである。(1)〜(
d)のうち、(亀)〜(C)は測定対象イオンが不明で
ある。また、(d)は測定対象イオン濃度が本発明の測
定条件と相違しているが、選択係数はNO’;濃度が小
さくなるほど大きくなる。つまり、妨害を多く受けるの
で、同じ電極でも10−〜NO7で測定したく1は、1
0−’)4くで測定したものより太き(なる。
2.303R工lOg (シ。; ” ”13 ’ ”
x−)・ F −呵 : 硝酸イオン濃度 1x−二 妨害イオン濃度 尚、上記の表に詔いて、(a)、(b)、(C)、(d
)は、冒頭に例示した従来品であり、それらの数値は文
献に発表された数値を転載したものである。(1)〜(
d)のうち、(亀)〜(C)は測定対象イオンが不明で
ある。また、(d)は測定対象イオン濃度が本発明の測
定条件と相違しているが、選択係数はNO’;濃度が小
さくなるほど大きくなる。つまり、妨害を多く受けるの
で、同じ電極でも10−〜NO7で測定したく1は、1
0−’)4くで測定したものより太き(なる。
従って、上記の表の数値の比較結果から、本発明による
場合の方が、i−、cjo;イオンによる妨害が小さい
ことが推定できる。
場合の方が、i−、cjo;イオンによる妨害が小さい
ことが推定できる。
本発明は、上述した構成よりなり、応答物質の支持体が
エポキシ樹脂と塩化ビニル樹脂の混合物であるため、機
械的強度が太き(て長寿命であり、且つ、応答膜を電極
ボディに取り付ける接着剤として、エポキシ系の接着剤
を使用できるので、電極ボディの材質に対する制約が小
さく、シかも、感度が高く、10−4〜10−’MNo
−,の低濃度域においても直線応答を示し、さらに、一
般的に妨害が大−゛いI 、CtO,イオンによる妨害
も小さく1応答膜を実現できたのである。
エポキシ樹脂と塩化ビニル樹脂の混合物であるため、機
械的強度が太き(て長寿命であり、且つ、応答膜を電極
ボディに取り付ける接着剤として、エポキシ系の接着剤
を使用できるので、電極ボディの材質に対する制約が小
さく、シかも、感度が高く、10−4〜10−’MNo
−,の低濃度域においても直線応答を示し、さらに、一
般的に妨害が大−゛いI 、CtO,イオンによる妨害
も小さく1応答膜を実現できたのである。
また、重量比でl:10〜10:1のエポキシ樹脂及び
塩化ビニル樹脂と、フタル屹エステル、4級アンモニウ
ム塩、硬化剤等の混合物を30〜50℃、72〜120
時間で硬化させるため、上記の特性をもつ応答膜を製造
できたのであり、殊に、実施例のように、これらの混合
物をシャーレ等の容器に入れ、容器を閉塞する気密性の
蓋と容器の開口縁間に濾紙を介在させて硬化を行なわせ
ると、溶媒が飽和状態において徐々に蒸発し、気泡や変
質を生じることがない。
塩化ビニル樹脂と、フタル屹エステル、4級アンモニウ
ム塩、硬化剤等の混合物を30〜50℃、72〜120
時間で硬化させるため、上記の特性をもつ応答膜を製造
できたのであり、殊に、実施例のように、これらの混合
物をシャーレ等の容器に入れ、容器を閉塞する気密性の
蓋と容器の開口縁間に濾紙を介在させて硬化を行なわせ
ると、溶媒が飽和状態において徐々に蒸発し、気泡や変
質を生じることがない。
図面は本発明の実施例を示し、第1図は縦断面図、第2
図は製造方法を示す縦断面図、@3図は応答性の実験結
果を示すグラフである。 1・・・応答膜。 第1図 第2図
図は製造方法を示す縦断面図、@3図は応答性の実験結
果を示すグラフである。 1・・・応答膜。 第1図 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ エポキシ樹脂と塩化ビニル樹脂の混合物をイオン選
択性応答物質の支持体としたことを特徴とする硝酸イオ
ン選択性電極用応答膜。 ■ 重量比でl:10〜10:1としたエポキシ樹脂及
び塩化ビニル樹脂と、フタル酸エステルと、4級アンモ
ニウム塩と、エポキシ樹脂の硬化剤との混合物を30〜
50℃の温度に保って72〜120時間で硬化させるこ
とを特徴とする硝酸イオン選択性電極用etc膜の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155351A JPS5855747A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 硝酸イオン選択性電極用応答膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155351A JPS5855747A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 硝酸イオン選択性電極用応答膜及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855747A true JPS5855747A (ja) | 1983-04-02 |
| JPS6356941B2 JPS6356941B2 (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=15603992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155351A Granted JPS5855747A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 硝酸イオン選択性電極用応答膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855747A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103675068A (zh) * | 2013-03-28 | 2014-03-26 | 浙江大学 | 一种基于硝酸氧化铋的固体硝酸根电极及其制备方法 |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56155351A patent/JPS5855747A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103675068A (zh) * | 2013-03-28 | 2014-03-26 | 浙江大学 | 一种基于硝酸氧化铋的固体硝酸根电极及其制备方法 |
| CN103675068B (zh) * | 2013-03-28 | 2015-10-21 | 浙江大学 | 一种基于硝酸氧化铋的固体硝酸根电极及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6356941B2 (ja) | 1988-11-09 |
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