JPS5863142A - ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法 - Google Patents

ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法

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JPS5863142A
JPS5863142A JP56162197A JP16219781A JPS5863142A JP S5863142 A JPS5863142 A JP S5863142A JP 56162197 A JP56162197 A JP 56162197A JP 16219781 A JP16219781 A JP 16219781A JP S5863142 A JPS5863142 A JP S5863142A
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bonding
dending
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bonding wire
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Hideharu Egawa
江川 英晴
Katsuya Okumura
勝弥 奥村
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は新規なデンディングワイヤおよびこのデンデ
ィングワイヤを用いたがンディング方法に関する。
大規模集積回路(LSI )が高機能化してくるに従い
、信号の入出力のための端子数は増加の一途をたど9、
現在では100本を越すものもでてきた。このように端
子数が増加してくると。
デンディングワイヤが互いに近接しているため、がンデ
ィングワイヤどうしがポンディング時またはその後の工
程で接触し、電気的にショートしてし1うことが考えら
れる。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
ポンディング細線どうしが接触しても電気的にショート
しないようにし信頼性を向上きせることができるデンデ
ィングワイヤおよびこのデンディングワイヤを用いたデ
ンディング方法を提供することを目的とする。
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。第1
図はこの発明に使用されるゲンディング装甑の一実施例
である。図中、21はポンディング部分を拡大して見る
ための顕微鏡で、21gの部分に接眼レンズが設けられ
ている。
22はポンディング部分を照らす照明、23はポンディ
ングワイヤが収納されているワイヤケース、24はデン
ディングワイヤ、25はデンディングワイヤ24をクラ
ンプするワイヤクランパ、26はキャピラリ、27はチ
ップが載置されるフィーダ、28はフィーダ用モータ、
29はXY7″−プル、30はXYテーブル29をX方
向に移動させるためのモータ、31は2方向(垂直方向
)にデンディングヘッド部分を移動させるためのモータ
である。
第2図はワイヤケース23からフィーダ27へ至る部分
の拡大図である。丙申、32.33はポンディングワイ
ヤ24をガイドするワイヤガイド、25.34dワイヤ
クランパ、35はがンディングワイヤ24に絶縁被膜を
形成する絶縁被膜形成部である。また、36はがンディ
ングヘッド部、26はキャピラリで、このキャピラリ2
6に超音波ボンディング法の場合超音波が加えられる。
なお、ネイルヘッドデンディング法でデンディングする
場合には、図中破線で示すようにキャピラリ26の下部
に水素トーチ37を設ける必要かある。
第3図は、第2図における絶縁被膜形成部35の拡大断
面図である。図中、24はがンディングワイヤ、38は
例えばガラス等からなる耐熱性部材である。この耐熱性
部材38は円柱状テあり、その中心軸に沿ってポンディ
ングワイヤ24を貫通させることができるような貫通孔
38aか形成されている。この貫通孔38aは、土から
下へ向って徐々に径が小さくされ、貫通孔381の下端
部の直径はポンディングワイヤ24の直径よシもわずか
に大きい程度に形成されている。また、この円柱状の耐
熱性部材38の外周部にはヒータ39が設けられている
40は絶縁被膜形成用の粒状の樹脂41が溜められた樹
脂溜部である。この樹脂溜部40から粒状の樹脂41が
、前記貫通孔38hの上部から耐熱性部材38とがンデ
ィングワイヤ24とから形成される、間隙に供給される
ようになっている。したがって、がンディングワイヤ2
4と耐熱性部材38とから形成される間隙に供給された
粒状の樹脂4ノは、ヒータ39により耐熱性部材38を
介して熱せられ、溶融され液状となる。そして、ポンデ
ィングワイヤ24が下方へ移動させられることによシ、
耐熱性部材38全通過したデンディングワイヤ24には
絶縁被膜42が形成されている。
なお、この絶縁被膜形成部35は、デンディング時にデ
ンディングワイヤの表面にノズル等から溶融された絶縁
物を流し、絶縁液j反を形成するような構成にしてもよ
いものである。
第4図は、上記絶縁被膜形成ll335において絶縁被
膜が形成されたデンディングワイヤの一実施例の横断面
図である。図中、1は直径25μmのAu (金)細線
で、このAui線1の表面には、200℃〜300℃で
熱分解する例えは共重合ポリエステル等の絶縁ワニス2
が数μmの厚さに塗布され、乾燥されており、被膜が形
成されている。この絶縁被膜が形成されたデンディング
ワイヤを用いて、ネイルヘッドポンディング法でポンデ
ィングした時のデンディング部分のデンディングワイヤ
の縦断面が第5図に示されている。すなわち、水系トー
チ37で、& −ル3を形成する時に、熱によってポー
ル3の表向およびが一ル3から数10μmにわたってA
u細線1の表面に形成されていた絶縁ワニス2が5− 熱分解して飛散してしまい、ポール3の表面には清浄な
Auが出現している。このため、従来に比較してデンデ
ィング特性が損われるようなことはなかった。
第6図はこの発明の他の実施例のデンディングワイヤの
横断面図である。第3図において、4は直径20μmの
Aj’ (アルミニウム)[1で、このA/細1iJ4
の表面には、200℃〜300℃で熱分解してしまう例
えばポリスチレン等の絶縁ワニス5が数μmの厚さに塗
布され、乾燥されてお勺、被膜が形成されている。この
デンディデンディングした時の縦断面図が第卓図に示さ
れている。すなわち、がンディング時のAl細線4とA
J膜6の超音波振動のすベシ摩擦による熱と機械的な力
によりて、Al細線4の表面に形成されていた絶縁ワニ
ス5が剥ぎとるようにして取られてしまい、Al細線4
の先端部には清浄なA7表面が出現して、AI!膜6と
のデンディングがなされる。
6一 なお、この超音波ポンディングの際に、絶縁ワニスによ
る絶縁膜が形成されていない従来のp、1mHを用いた
場合に比較して、10〜20チの超音波振動の増加ある
いは印加圧力の増加を行なった方が、日rンディング特
性はよくなった。
上記のような絶縁被膜が形成されポンディングワイヤを
用いてデンディングした半導体装置の平面図が第8図に
示されている。すなわち、図において、1ノはI C(
Integrated C1rcuit )チップで、
このチツflJに設けられた電極取り出し用の各がンデ
ィングノ母ツド12と、各リードフレーム13は絶縁被
膜が形成されたデンディングワイヤ14によりデンディ
ングされている。
なお、上記実施例では、がンディング時にデンディング
ワイヤの表面に絶縁膜Mを絶縁被膜形成部35において
形成するようにしたが、最初からポンディングワイヤの
表面に絶縁被膜か形成されているがンディングワイヤを
用いてデンディングするようにしてもよいものである。
以上述べたようにこの発明によれは、がンディング用金
属細線に絶縁被膜が形成されているため、ポンディング
細線どうしが機械的に接触しても電気的にショートする
ことがなく信頼性を向上させることができるデンディン
グワイヤおよびこのポンディングワイヤを用いたがンデ
ィング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に使用されるがンディング装置の概観
図、第2図は上記ポンディング装置の部分拡大図、第3
図は同じく絶縁被膜形成部の拡大断面図、第4図はこの
発明の一実施例のデンディングワイヤの横断面図、第5
図は第4図に示したデンディングワイヤをネイルヘッド
デンディング法を用いてデンディングを行なった場合の
縦断面図、第6図はこの発明の他の実施例のデンディン
グ→イヤの横断面図、第7図は第6図に示したポンディ
ングワイヤを超音波デンディング法を用いてがンディン
グヲ行なった場合の縦断面図、第8図は上記実施例のデ
ンディングワイヤを用いてデンディングがなされた半導
体装置の平面図である。 1・・・Au細線、2・・・絶縁ワニス、3・・・ポー
ル、4・・・)l細線、5・・・絶縁ワニス、6・・・
Au膜、11・・・チップ、12・・・がンディングi
4ッド、13・・・リードフレーム、14.24・・・
デンディングワイヤ、35・・・絶縁被膜形成部、38
・・・耐熱性部材、39・・・ヒータ、40・・・樹脂
溜部、41・・・粒状の樹脂、42・・・絶縁被膜。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦−I9−= 第1図 第3図 第4図 第5図 ・ 第7図 第8図 11 192−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)表面に絶縁被膜が形成されていることを特徴とす
    るデンディングワイヤ。
  2. (2)表面に絶縁被膜が形成されたポンディングワイヤ
    の先端部の絶縁被膜を剥離し、この絶縁被膜の剥離され
    たデンディングワイヤの先端部とパッドとを接着するよ
    うにしたことを特徴とするポンディング方法。
JP56162197A 1981-10-12 1981-10-12 ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法 Pending JPS5863142A (ja)

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US06/423,283 US4488674A (en) 1981-10-12 1982-09-24 Bonding wire, semiconductor device having the same, and bonding method using the same
US06/664,373 US4678114A (en) 1981-10-12 1984-10-24 Method of wire bonding with applied insulative coating

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5396104A (en) * 1989-03-28 1995-03-07 Nippon Steel Corporation Resin coated bonding wire, method of manufacturing the same, and semiconductor device

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5863142A (ja) * 1981-10-12 1983-04-14 Toshiba Corp ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法
US4993622A (en) * 1987-04-28 1991-02-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor integrated circuit chip interconnections and methods
EP0355955A3 (en) * 1988-07-25 1991-12-27 Hitachi, Ltd. Connection for semiconductor devices or integrated circuits by coated wires and method of manufacturing the same
JP2766369B2 (ja) * 1990-03-20 1998-06-18 新日本製鐵株式会社 半導体用ボンディング細線
JPH08330346A (ja) * 1995-05-31 1996-12-13 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の製造方法
US20040124545A1 (en) * 1996-12-09 2004-07-01 Daniel Wang High density integrated circuits and the method of packaging the same
US6670214B1 (en) * 2000-10-12 2003-12-30 Lsi Logic Corporation Insulated bonding wire for microelectronic packaging
US20040119172A1 (en) * 2002-12-18 2004-06-24 Downey Susan H. Packaged IC using insulated wire
KR100762873B1 (ko) * 2003-06-10 2007-10-08 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 발생기
WO2007107964A1 (en) * 2006-03-23 2007-09-27 Nxp B.V. Electrically enhanced wirebond package

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3673681A (en) * 1969-04-01 1972-07-04 Inforex Electrical circuit board wiring
US3646367A (en) * 1970-01-05 1972-02-29 Collins Radio Co Electrical switch
US3646307A (en) * 1970-09-24 1972-02-29 Ibm Wiring apparatus
US4013212A (en) * 1972-01-21 1977-03-22 Universal Manufacturing Corporation Soldering method
GB1536872A (en) * 1975-05-15 1978-12-20 Welding Inst Electrical inter-connection method and apparatus
JPS5247704A (en) * 1975-10-13 1977-04-15 Yaskawa Electric Mfg Co Ltd Magnetic recording emdium for inspecting an inclination of the cap of a magnetic head and regulating the same
US4002282A (en) * 1976-03-25 1977-01-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Insulation of microcircuit interconnecting wires
JPS54128270A (en) * 1978-03-29 1979-10-04 Fujitsu Ltd Bonding method of covered wire
JPS5863142A (ja) * 1981-10-12 1983-04-14 Toshiba Corp ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5396104A (en) * 1989-03-28 1995-03-07 Nippon Steel Corporation Resin coated bonding wire, method of manufacturing the same, and semiconductor device

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Publication number Publication date
US4678114A (en) 1987-07-07
US4488674A (en) 1984-12-18

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