JPS5863142A - ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法 - Google Patents
ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法Info
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は新規なデンディングワイヤおよびこのデンデ
ィングワイヤを用いたがンディング方法に関する。
ィングワイヤを用いたがンディング方法に関する。
大規模集積回路(LSI )が高機能化してくるに従い
、信号の入出力のための端子数は増加の一途をたど9、
現在では100本を越すものもでてきた。このように端
子数が増加してくると。
、信号の入出力のための端子数は増加の一途をたど9、
現在では100本を越すものもでてきた。このように端
子数が増加してくると。
デンディングワイヤが互いに近接しているため、がンデ
ィングワイヤどうしがポンディング時またはその後の工
程で接触し、電気的にショートしてし1うことが考えら
れる。
ィングワイヤどうしがポンディング時またはその後の工
程で接触し、電気的にショートしてし1うことが考えら
れる。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
ポンディング細線どうしが接触しても電気的にショート
しないようにし信頼性を向上きせることができるデンデ
ィングワイヤおよびこのデンディングワイヤを用いたデ
ンディング方法を提供することを目的とする。
ポンディング細線どうしが接触しても電気的にショート
しないようにし信頼性を向上きせることができるデンデ
ィングワイヤおよびこのデンディングワイヤを用いたデ
ンディング方法を提供することを目的とする。
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。第1
図はこの発明に使用されるゲンディング装甑の一実施例
である。図中、21はポンディング部分を拡大して見る
ための顕微鏡で、21gの部分に接眼レンズが設けられ
ている。
図はこの発明に使用されるゲンディング装甑の一実施例
である。図中、21はポンディング部分を拡大して見る
ための顕微鏡で、21gの部分に接眼レンズが設けられ
ている。
22はポンディング部分を照らす照明、23はポンディ
ングワイヤが収納されているワイヤケース、24はデン
ディングワイヤ、25はデンディングワイヤ24をクラ
ンプするワイヤクランパ、26はキャピラリ、27はチ
ップが載置されるフィーダ、28はフィーダ用モータ、
29はXY7″−プル、30はXYテーブル29をX方
向に移動させるためのモータ、31は2方向(垂直方向
)にデンディングヘッド部分を移動させるためのモータ
である。
ングワイヤが収納されているワイヤケース、24はデン
ディングワイヤ、25はデンディングワイヤ24をクラ
ンプするワイヤクランパ、26はキャピラリ、27はチ
ップが載置されるフィーダ、28はフィーダ用モータ、
29はXY7″−プル、30はXYテーブル29をX方
向に移動させるためのモータ、31は2方向(垂直方向
)にデンディングヘッド部分を移動させるためのモータ
である。
第2図はワイヤケース23からフィーダ27へ至る部分
の拡大図である。丙申、32.33はポンディングワイ
ヤ24をガイドするワイヤガイド、25.34dワイヤ
クランパ、35はがンディングワイヤ24に絶縁被膜を
形成する絶縁被膜形成部である。また、36はがンディ
ングヘッド部、26はキャピラリで、このキャピラリ2
6に超音波ボンディング法の場合超音波が加えられる。
の拡大図である。丙申、32.33はポンディングワイ
ヤ24をガイドするワイヤガイド、25.34dワイヤ
クランパ、35はがンディングワイヤ24に絶縁被膜を
形成する絶縁被膜形成部である。また、36はがンディ
ングヘッド部、26はキャピラリで、このキャピラリ2
6に超音波ボンディング法の場合超音波が加えられる。
なお、ネイルヘッドデンディング法でデンディングする
場合には、図中破線で示すようにキャピラリ26の下部
に水素トーチ37を設ける必要かある。
場合には、図中破線で示すようにキャピラリ26の下部
に水素トーチ37を設ける必要かある。
第3図は、第2図における絶縁被膜形成部35の拡大断
面図である。図中、24はがンディングワイヤ、38は
例えばガラス等からなる耐熱性部材である。この耐熱性
部材38は円柱状テあり、その中心軸に沿ってポンディ
ングワイヤ24を貫通させることができるような貫通孔
38aか形成されている。この貫通孔38aは、土から
下へ向って徐々に径が小さくされ、貫通孔381の下端
部の直径はポンディングワイヤ24の直径よシもわずか
に大きい程度に形成されている。また、この円柱状の耐
熱性部材38の外周部にはヒータ39が設けられている
。
面図である。図中、24はがンディングワイヤ、38は
例えばガラス等からなる耐熱性部材である。この耐熱性
部材38は円柱状テあり、その中心軸に沿ってポンディ
ングワイヤ24を貫通させることができるような貫通孔
38aか形成されている。この貫通孔38aは、土から
下へ向って徐々に径が小さくされ、貫通孔381の下端
部の直径はポンディングワイヤ24の直径よシもわずか
に大きい程度に形成されている。また、この円柱状の耐
熱性部材38の外周部にはヒータ39が設けられている
。
40は絶縁被膜形成用の粒状の樹脂41が溜められた樹
脂溜部である。この樹脂溜部40から粒状の樹脂41が
、前記貫通孔38hの上部から耐熱性部材38とがンデ
ィングワイヤ24とから形成される、間隙に供給される
ようになっている。したがって、がンディングワイヤ2
4と耐熱性部材38とから形成される間隙に供給された
粒状の樹脂4ノは、ヒータ39により耐熱性部材38を
介して熱せられ、溶融され液状となる。そして、ポンデ
ィングワイヤ24が下方へ移動させられることによシ、
耐熱性部材38全通過したデンディングワイヤ24には
絶縁被膜42が形成されている。
脂溜部である。この樹脂溜部40から粒状の樹脂41が
、前記貫通孔38hの上部から耐熱性部材38とがンデ
ィングワイヤ24とから形成される、間隙に供給される
ようになっている。したがって、がンディングワイヤ2
4と耐熱性部材38とから形成される間隙に供給された
粒状の樹脂4ノは、ヒータ39により耐熱性部材38を
介して熱せられ、溶融され液状となる。そして、ポンデ
ィングワイヤ24が下方へ移動させられることによシ、
耐熱性部材38全通過したデンディングワイヤ24には
絶縁被膜42が形成されている。
なお、この絶縁被膜形成部35は、デンディング時にデ
ンディングワイヤの表面にノズル等から溶融された絶縁
物を流し、絶縁液j反を形成するような構成にしてもよ
いものである。
ンディングワイヤの表面にノズル等から溶融された絶縁
物を流し、絶縁液j反を形成するような構成にしてもよ
いものである。
第4図は、上記絶縁被膜形成ll335において絶縁被
膜が形成されたデンディングワイヤの一実施例の横断面
図である。図中、1は直径25μmのAu (金)細線
で、このAui線1の表面には、200℃〜300℃で
熱分解する例えは共重合ポリエステル等の絶縁ワニス2
が数μmの厚さに塗布され、乾燥されており、被膜が形
成されている。この絶縁被膜が形成されたデンディング
ワイヤを用いて、ネイルヘッドポンディング法でポンデ
ィングした時のデンディング部分のデンディングワイヤ
の縦断面が第5図に示されている。すなわち、水系トー
チ37で、& −ル3を形成する時に、熱によってポー
ル3の表向およびが一ル3から数10μmにわたってA
u細線1の表面に形成されていた絶縁ワニス2が5− 熱分解して飛散してしまい、ポール3の表面には清浄な
Auが出現している。このため、従来に比較してデンデ
ィング特性が損われるようなことはなかった。
膜が形成されたデンディングワイヤの一実施例の横断面
図である。図中、1は直径25μmのAu (金)細線
で、このAui線1の表面には、200℃〜300℃で
熱分解する例えは共重合ポリエステル等の絶縁ワニス2
が数μmの厚さに塗布され、乾燥されており、被膜が形
成されている。この絶縁被膜が形成されたデンディング
ワイヤを用いて、ネイルヘッドポンディング法でポンデ
ィングした時のデンディング部分のデンディングワイヤ
の縦断面が第5図に示されている。すなわち、水系トー
チ37で、& −ル3を形成する時に、熱によってポー
ル3の表向およびが一ル3から数10μmにわたってA
u細線1の表面に形成されていた絶縁ワニス2が5− 熱分解して飛散してしまい、ポール3の表面には清浄な
Auが出現している。このため、従来に比較してデンデ
ィング特性が損われるようなことはなかった。
第6図はこの発明の他の実施例のデンディングワイヤの
横断面図である。第3図において、4は直径20μmの
Aj’ (アルミニウム)[1で、このA/細1iJ4
の表面には、200℃〜300℃で熱分解してしまう例
えばポリスチレン等の絶縁ワニス5が数μmの厚さに塗
布され、乾燥されてお勺、被膜が形成されている。この
デンディデンディングした時の縦断面図が第卓図に示さ
れている。すなわち、がンディング時のAl細線4とA
J膜6の超音波振動のすベシ摩擦による熱と機械的な力
によりて、Al細線4の表面に形成されていた絶縁ワニ
ス5が剥ぎとるようにして取られてしまい、Al細線4
の先端部には清浄なA7表面が出現して、AI!膜6と
のデンディングがなされる。
横断面図である。第3図において、4は直径20μmの
Aj’ (アルミニウム)[1で、このA/細1iJ4
の表面には、200℃〜300℃で熱分解してしまう例
えばポリスチレン等の絶縁ワニス5が数μmの厚さに塗
布され、乾燥されてお勺、被膜が形成されている。この
デンディデンディングした時の縦断面図が第卓図に示さ
れている。すなわち、がンディング時のAl細線4とA
J膜6の超音波振動のすベシ摩擦による熱と機械的な力
によりて、Al細線4の表面に形成されていた絶縁ワニ
ス5が剥ぎとるようにして取られてしまい、Al細線4
の先端部には清浄なA7表面が出現して、AI!膜6と
のデンディングがなされる。
6一
なお、この超音波ポンディングの際に、絶縁ワニスによ
る絶縁膜が形成されていない従来のp、1mHを用いた
場合に比較して、10〜20チの超音波振動の増加ある
いは印加圧力の増加を行なった方が、日rンディング特
性はよくなった。
る絶縁膜が形成されていない従来のp、1mHを用いた
場合に比較して、10〜20チの超音波振動の増加ある
いは印加圧力の増加を行なった方が、日rンディング特
性はよくなった。
上記のような絶縁被膜が形成されポンディングワイヤを
用いてデンディングした半導体装置の平面図が第8図に
示されている。すなわち、図において、1ノはI C(
Integrated C1rcuit )チップで、
このチツflJに設けられた電極取り出し用の各がンデ
ィングノ母ツド12と、各リードフレーム13は絶縁被
膜が形成されたデンディングワイヤ14によりデンディ
ングされている。
用いてデンディングした半導体装置の平面図が第8図に
示されている。すなわち、図において、1ノはI C(
Integrated C1rcuit )チップで、
このチツflJに設けられた電極取り出し用の各がンデ
ィングノ母ツド12と、各リードフレーム13は絶縁被
膜が形成されたデンディングワイヤ14によりデンディ
ングされている。
なお、上記実施例では、がンディング時にデンディング
ワイヤの表面に絶縁膜Mを絶縁被膜形成部35において
形成するようにしたが、最初からポンディングワイヤの
表面に絶縁被膜か形成されているがンディングワイヤを
用いてデンディングするようにしてもよいものである。
ワイヤの表面に絶縁膜Mを絶縁被膜形成部35において
形成するようにしたが、最初からポンディングワイヤの
表面に絶縁被膜か形成されているがンディングワイヤを
用いてデンディングするようにしてもよいものである。
以上述べたようにこの発明によれは、がンディング用金
属細線に絶縁被膜が形成されているため、ポンディング
細線どうしが機械的に接触しても電気的にショートする
ことがなく信頼性を向上させることができるデンディン
グワイヤおよびこのポンディングワイヤを用いたがンデ
ィング方法を提供することができる。
属細線に絶縁被膜が形成されているため、ポンディング
細線どうしが機械的に接触しても電気的にショートする
ことがなく信頼性を向上させることができるデンディン
グワイヤおよびこのポンディングワイヤを用いたがンデ
ィング方法を提供することができる。
第1図はこの発明に使用されるがンディング装置の概観
図、第2図は上記ポンディング装置の部分拡大図、第3
図は同じく絶縁被膜形成部の拡大断面図、第4図はこの
発明の一実施例のデンディングワイヤの横断面図、第5
図は第4図に示したデンディングワイヤをネイルヘッド
デンディング法を用いてデンディングを行なった場合の
縦断面図、第6図はこの発明の他の実施例のデンディン
グ→イヤの横断面図、第7図は第6図に示したポンディ
ングワイヤを超音波デンディング法を用いてがンディン
グヲ行なった場合の縦断面図、第8図は上記実施例のデ
ンディングワイヤを用いてデンディングがなされた半導
体装置の平面図である。 1・・・Au細線、2・・・絶縁ワニス、3・・・ポー
ル、4・・・)l細線、5・・・絶縁ワニス、6・・・
Au膜、11・・・チップ、12・・・がンディングi
4ッド、13・・・リードフレーム、14.24・・・
デンディングワイヤ、35・・・絶縁被膜形成部、38
・・・耐熱性部材、39・・・ヒータ、40・・・樹脂
溜部、41・・・粒状の樹脂、42・・・絶縁被膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−I9−= 第1図 第3図 第4図 第5図 ・ 第7図 第8図 11 192−
図、第2図は上記ポンディング装置の部分拡大図、第3
図は同じく絶縁被膜形成部の拡大断面図、第4図はこの
発明の一実施例のデンディングワイヤの横断面図、第5
図は第4図に示したデンディングワイヤをネイルヘッド
デンディング法を用いてデンディングを行なった場合の
縦断面図、第6図はこの発明の他の実施例のデンディン
グ→イヤの横断面図、第7図は第6図に示したポンディ
ングワイヤを超音波デンディング法を用いてがンディン
グヲ行なった場合の縦断面図、第8図は上記実施例のデ
ンディングワイヤを用いてデンディングがなされた半導
体装置の平面図である。 1・・・Au細線、2・・・絶縁ワニス、3・・・ポー
ル、4・・・)l細線、5・・・絶縁ワニス、6・・・
Au膜、11・・・チップ、12・・・がンディングi
4ッド、13・・・リードフレーム、14.24・・・
デンディングワイヤ、35・・・絶縁被膜形成部、38
・・・耐熱性部材、39・・・ヒータ、40・・・樹脂
溜部、41・・・粒状の樹脂、42・・・絶縁被膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−I9−= 第1図 第3図 第4図 第5図 ・ 第7図 第8図 11 192−
Claims (2)
- (1)表面に絶縁被膜が形成されていることを特徴とす
るデンディングワイヤ。 - (2)表面に絶縁被膜が形成されたポンディングワイヤ
の先端部の絶縁被膜を剥離し、この絶縁被膜の剥離され
たデンディングワイヤの先端部とパッドとを接着するよ
うにしたことを特徴とするポンディング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162197A JPS5863142A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法 |
| US06/423,283 US4488674A (en) | 1981-10-12 | 1982-09-24 | Bonding wire, semiconductor device having the same, and bonding method using the same |
| US06/664,373 US4678114A (en) | 1981-10-12 | 1984-10-24 | Method of wire bonding with applied insulative coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56162197A JPS5863142A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863142A true JPS5863142A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15749831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56162197A Pending JPS5863142A (ja) | 1981-10-12 | 1981-10-12 | ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4488674A (ja) |
| JP (1) | JPS5863142A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5396104A (en) * | 1989-03-28 | 1995-03-07 | Nippon Steel Corporation | Resin coated bonding wire, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863142A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Toshiba Corp | ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法 |
| US4993622A (en) * | 1987-04-28 | 1991-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit chip interconnections and methods |
| EP0355955A3 (en) * | 1988-07-25 | 1991-12-27 | Hitachi, Ltd. | Connection for semiconductor devices or integrated circuits by coated wires and method of manufacturing the same |
| JP2766369B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1998-06-18 | 新日本製鐵株式会社 | 半導体用ボンディング細線 |
| JPH08330346A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| US6670214B1 (en) * | 2000-10-12 | 2003-12-30 | Lsi Logic Corporation | Insulated bonding wire for microelectronic packaging |
| US20040119172A1 (en) * | 2002-12-18 | 2004-06-24 | Downey Susan H. | Packaged IC using insulated wire |
| KR100762873B1 (ko) * | 2003-06-10 | 2007-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부 전압 발생기 |
| WO2007107964A1 (en) * | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Nxp B.V. | Electrically enhanced wirebond package |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3673681A (en) * | 1969-04-01 | 1972-07-04 | Inforex | Electrical circuit board wiring |
| US3646367A (en) * | 1970-01-05 | 1972-02-29 | Collins Radio Co | Electrical switch |
| US3646307A (en) * | 1970-09-24 | 1972-02-29 | Ibm | Wiring apparatus |
| US4013212A (en) * | 1972-01-21 | 1977-03-22 | Universal Manufacturing Corporation | Soldering method |
| GB1536872A (en) * | 1975-05-15 | 1978-12-20 | Welding Inst | Electrical inter-connection method and apparatus |
| JPS5247704A (en) * | 1975-10-13 | 1977-04-15 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | Magnetic recording emdium for inspecting an inclination of the cap of a magnetic head and regulating the same |
| US4002282A (en) * | 1976-03-25 | 1977-01-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Insulation of microcircuit interconnecting wires |
| JPS54128270A (en) * | 1978-03-29 | 1979-10-04 | Fujitsu Ltd | Bonding method of covered wire |
| JPS5863142A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Toshiba Corp | ボンデイズグワイヤおよびボンデイング方法 |
-
1981
- 1981-10-12 JP JP56162197A patent/JPS5863142A/ja active Pending
-
1982
- 1982-09-24 US US06/423,283 patent/US4488674A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-10-24 US US06/664,373 patent/US4678114A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5396104A (en) * | 1989-03-28 | 1995-03-07 | Nippon Steel Corporation | Resin coated bonding wire, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4678114A (en) | 1987-07-07 |
| US4488674A (en) | 1984-12-18 |
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