JPS5863152A - 半導体素子封止用材料 - Google Patents
半導体素子封止用材料Info
- Publication number
- JPS5863152A JPS5863152A JP56161395A JP16139581A JPS5863152A JP S5863152 A JPS5863152 A JP S5863152A JP 56161395 A JP56161395 A JP 56161395A JP 16139581 A JP16139581 A JP 16139581A JP S5863152 A JPS5863152 A JP S5863152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz
- gas
- semiconductor element
- silicon compound
- epoxy resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/20—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons
- H10W42/25—Arrangements for protection of devices protecting against electromagnetic or particle radiation, e.g. light, X-rays, gamma-rays or electrons against alpha rays, e.g. for outer space applications
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、線障害の少ない半導体素子封止用材料に関
する。
する。
従来、ＬＳＩなどの半導体素子の封止にはセラミック・
パックージ、サーディツプφパッケージなどつ比較的コ
ストの高い方法が採用されてきた。
パックージ、サーディツプφパッケージなどつ比較的コ
ストの高い方法が採用されてきた。
ところが、これら素子を安価に提供するために、最近コ
ストの低いプラスチック争パッケージが川られ著也り、
ｇｔＩＫビットＲＡＭなどにもプラスチック・パッケー
ジが採用されはじめている。
ストの低いプラスチック争パッケージが川られ著也り、
ｇｔＩＫビットＲＡＭなどにもプラスチック・パッケー
ジが採用されはじめている。
プラスチック・パッケージに用いられる封止樹脂として
は、石英（Ｓｉｆｔ）粉末を充填材として大陸に（約７
０％）充填したエポキシ樹脂がほとんどである。
は、石英（Ｓｉｆｔ）粉末を充填材として大陸に（約７
０％）充填したエポキシ樹脂がほとんどである。
ところが、このプラスチック・パッケージによって封止
されたＩＣメモリーが、封止樹脂から放射される微量の
ａｍによって誤動作する現象が見い出され、大きな問題
となっている。この現象を引き起す−ｍは、エポキシ樹
脂中の充填材の石英に微１１に混在する放射性元素Ｄト
リウム（Ｔｈ ）やウラン（Ｕ）などの不純物などから
放射されるものと言わｔｚでいる。
されたＩＣメモリーが、封止樹脂から放射される微量の
ａｍによって誤動作する現象が見い出され、大きな問題
となっている。この現象を引き起す−ｍは、エポキシ樹
脂中の充填材の石英に微１１に混在する放射性元素Ｄト
リウム（Ｔｈ ）やウラン（Ｕ）などの不純物などから
放射されるものと言わｔｚでいる。
したがって、上記誤動作を防止し、ＩＣメモリー等の半
導体素子の信頼性を高めるために、−ｍつ放射の少ない
プラスチック・パッケージ用封止材料が要望されている
。
導体素子の信頼性を高めるために、−ｍつ放射の少ない
プラスチック・パッケージ用封止材料が要望されている
。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、−ｍの放
射が少なく、ＩＣメモリーなどの半導体素子の信頼性？
高めることができる半導体素子封止用材料を提供するこ
とを目的とし、高純度シリコン化合物を熱分解または化
学分１＋がして得られた合成石英を充填したエポキシ４
１１１１１ｆよりなることを特徴とするものである。
射が少なく、ＩＣメモリーなどの半導体素子の信頼性？
高めることができる半導体素子封止用材料を提供するこ
とを目的とし、高純度シリコン化合物を熱分解または化
学分１＋がして得られた合成石英を充填したエポキシ４
１１１１１ｆよりなることを特徴とするものである。
以下、この発明の詳細な説明する〇
この発明に用いられる合成Ｇ英は次υようシこして得ら
れる。まず、Ｓ ｉ Ｃ１４ｒ Ｓ ｉ ｉＩ’、、ｓ
ｉ １３ ｒ ４ａＳｉ１４，５ｊＨ４＋８ｉＨＣ１
３，８ｉ１１ｔＣＡ’＊＋８１１４ｘＣｌなどＤ一般式
５ｉＸｎＨ４−ｎ（式中Ｘけへロゲン元索、ｎはＯ−
グア）整数を示す）で表わされるシリコン化合物ｔ−精
密蒸留法、イ詞ン交換法、溶媒抽出法、クロマトグラフ
法などの高純化手段によって高純化する。得られたシリ
コン化合物中の不純物な１ｉはｌｆ１％以下とする必要
がある。こυようにして得られた高純化シリコン化合物
ｌは、図面に示すように容器２に貯えられる。容器２内
ＣＨｆ８を経て、ｌ−１、ガス、０．ガス、 ｌｉｅガ
ス。
れる。まず、Ｓ ｉ Ｃ１４ｒ Ｓ ｉ ｉＩ’、、ｓ
ｉ １３ ｒ ４ａＳｉ１４，５ｊＨ４＋８ｉＨＣ１
３，８ｉ１１ｔＣＡ’＊＋８１１４ｘＣｌなどＤ一般式
５ｉＸｎＨ４−ｎ（式中Ｘけへロゲン元索、ｎはＯ−
グア）整数を示す）で表わされるシリコン化合物ｔ−精
密蒸留法、イ詞ン交換法、溶媒抽出法、クロマトグラフ
法などの高純化手段によって高純化する。得られたシリ
コン化合物中の不純物な１ｉはｌｆ１％以下とする必要
がある。こυようにして得られた高純化シリコン化合物
ｌは、図面に示すように容器２に貯えられる。容器２内
ＣＨｆ８を経て、ｌ−１、ガス、０．ガス、 ｌｉｅガ
ス。
Ａｒガスなどの不活性気体からなるキャリアガスが吹き
込まれ、シリコン化合物１７）蒸気が発生させられる。
込まれ、シリコン化合物１７）蒸気が発生させられる。
このシリコン化合物１７）＃気は、管４を通り、分解炉
５に送り込まれるが、その途中で、管６を経て高純度０
２ ガスおよび管７を経て高純度Ｈ２ガスが上記蒸気
に混合される。こつようをこして、管４の開口端４ａよ
り分解炉６内（こ、シリコン化合物１７）蒸気、キャリ
アガス、０２ ガス。
５に送り込まれるが、その途中で、管６を経て高純度０
２ ガスおよび管７を経て高純度Ｈ２ガスが上記蒸気
に混合される。こつようをこして、管４の開口端４ａよ
り分解炉６内（こ、シリコン化合物１７）蒸気、キャリ
アガス、０２ ガス。
Ｈ２ガスの混合ガスが噴出される。ついで、管４の開口
端４ａ７）近傍に設けられた点大用フィラメント８１．
：通嵐し、上記ｌ屋舎ガスに点火する。かくして、混合
ガスは燃焼しはじめる。この燃焼によって、混合ガス中
のシリコン化合物ｌは、火炎中で熱分解または化学分解
を受けて、石英（ＳｉＯｚ）の微粉末９となり分解炉５
つ下方に落下しつつ冷却され、分解炉５７）底部に推檀
する。
端４ａ７）近傍に設けられた点大用フィラメント８１．
：通嵐し、上記ｌ屋舎ガスに点火する。かくして、混合
ガスは燃焼しはじめる。この燃焼によって、混合ガス中
のシリコン化合物ｌは、火炎中で熱分解または化学分解
を受けて、石英（ＳｉＯｚ）の微粉末９となり分解炉５
つ下方に落下しつつ冷却され、分解炉５７）底部に推檀
する。
こつようにして得られた合成石英９は、原料のシリコン
化合物ｌが礪めて高純化されているので、合成石英９中
に混在する放射性元素量は極めて少なくなり、約ｊ’０
ｐｐｂ以下となる。従来７）硅酸ソーダ水溶液に鉱ｒｎ
を加えて製する通常の石英中υ放射性元素量は、／〜、
２ｐｐｍ程度であり、この方法による合成石英は、従来
品に比べて凶０〜′／４．７１放射性元素しか含まない
ことになる。また、この合成石英９は、シリコン化合物
ｌの蒸気の分解炉５への供給線、キャリアガス、０．ガ
ス、Ｈ。
化合物ｌが礪めて高純化されているので、合成石英９中
に混在する放射性元素量は極めて少なくなり、約ｊ’０
ｐｐｂ以下となる。従来７）硅酸ソーダ水溶液に鉱ｒｎ
を加えて製する通常の石英中υ放射性元素量は、／〜、
２ｐｐｍ程度であり、この方法による合成石英は、従来
品に比べて凶０〜′／４．７１放射性元素しか含まない
ことになる。また、この合成石英９は、シリコン化合物
ｌの蒸気の分解炉５への供給線、キャリアガス、０．ガ
ス、Ｈ。
ガスの流速および成分比、反応温度を変化させることに
よって、その粒径？任意に変化させることができるとと
もに粒径り均一性が良いと言う特Ｉψを有している。こ
υため、従来υ石英を充填材として使用する＋ｔＮに行
なわれていたふるい分け、混合という作業が不要となる
。
よって、その粒径？任意に変化させることができるとと
もに粒径り均一性が良いと言う特Ｉψを有している。こ
υため、従来υ石英を充填材として使用する＋ｔＮに行
なわれていたふるい分け、混合という作業が不要となる
。
以上りようにして得られた合成石英は、通常の手段によ
ってエポキシ樹脂に添加され、封止用材料となる。添加
作業時、放射性元巣の混入を防止するため、使用する器
材などは充分吟味する必要がある。合成石英の添加酸は
′ｌ１１１１′Ｐ−限定されるものではないが、半導体
素子の放熱性を考Ｊａして５０〜１０重量％が好ましい
。
ってエポキシ樹脂に添加され、封止用材料となる。添加
作業時、放射性元巣の混入を防止するため、使用する器
材などは充分吟味する必要がある。合成石英の添加酸は
′ｌ１１１１′Ｐ−限定されるものではないが、半導体
素子の放熱性を考Ｊａして５０〜１０重量％が好ましい
。
また、ここでｆＩＪ！用されるエポキシ樹脂としては、
ベースレジンにノボラック型、ビスフェノールＡ型、脂
Ａ型、複素環型、エビクロンノボラック型などのエポキ
シレジンが、硬化剤としては、酸無水物、アミン、フェ
ノールノボラックなどが用いなかでも、脂環型エポキシ
レジンと酸無水物との組合せ）こよって耐熱性７）１．
ＩＪれたエポキシ樹脂が得られるので好ましい。
ベースレジンにノボラック型、ビスフェノールＡ型、脂
Ａ型、複素環型、エビクロンノボラック型などのエポキ
シレジンが、硬化剤としては、酸無水物、アミン、フェ
ノールノボラックなどが用いなかでも、脂環型エポキシ
レジンと酸無水物との組合せ）こよって耐熱性７）１．
ＩＪれたエポキシ樹脂が得られるので好ましい。
以上のようにして得られたエポキシ樹脂よりなる封止用
材料は、高純化シリコン化合物を熱分解または化学分解
して得られた合成石英を充填材としているため、充填材
に混在する放射性元素が従来りものに比べてＶｔａ〜／
４゜となるため、封止用材料より放射されるａｍは極め
て少なくなる。
材料は、高純化シリコン化合物を熱分解または化学分解
して得られた合成石英を充填材としているため、充填材
に混在する放射性元素が従来りものに比べてＶｔａ〜／
４゜となるため、封止用材料より放射されるａｍは極め
て少なくなる。
よって、この発明の封止用材料で封止されたＩＣメモリ
ーなどの半導体素子は、ａ線放射に起因する誤動作の発
生率が極めて小さくなり、半導体素子の信頼性が向上す
る。
ーなどの半導体素子は、ａ線放射に起因する誤動作の発
生率が極めて小さくなり、半導体素子の信頼性が向上す
る。
次表に従来り石英を充填材として充填したエポキシ樹脂
で封止した２種つ３２にビットＲＡＭ（Ａ ／ 、 −
％ ２ ）と、本発明り封止用材料で封止した３２にビ
ットｌ（ＡＭ（Ａ３）と、ＩＣチップ表面？シリコーン
樹脂膜でコーテングし、さらに本発明の封止用材料で封
止した３２にピッ）１（ＡＭ（屋グ）７）誤動作率を示
す。
で封止した２種つ３２にビットＲＡＭ（Ａ ／ 、 −
％ ２ ）と、本発明り封止用材料で封止した３２にビ
ットｌ（ＡＭ（Ａ３）と、ＩＣチップ表面？シリコーン
樹脂膜でコーテングし、さらに本発明の封止用材料で封
止した３２にピッ）１（ＡＭ（屋グ）７）誤動作率を示
す。
表
図面はこの発明υ封止１１１祠料にｉＩＩいられる合成
石英υ製危装置ｆの一例を下す概略構成図である。 ■・・・・・・縞線化シリコン化合物、５・・・・・・
分解炉、９・・・・・・合成石英。
石英υ製危装置ｆの一例を下す概略構成図である。 ■・・・・・・縞線化シリコン化合物、５・・・・・・
分解炉、９・・・・・・合成石英。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ％式％ （式中Ｘはハ四ゲン元素、ｎは０〜４の整数を示す） で表わされる高純化シリコン化合物を熱分解または化学
分解して得られた合成石英を充填したエポキシ樹脂より
なる半導体素子封止用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161395A JPS5863152A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体素子封止用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161395A JPS5863152A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体素子封止用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863152A true JPS5863152A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15734272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56161395A Pending JPS5863152A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体素子封止用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863152A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58102546A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
| JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
| JPH02265953A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び硬化物 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698845A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
| JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
| JPS57187956A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-18 | Siemens Ag | Electric insulating sealer for semiconductor device |
| JPS57195151A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Low-radioactive resin composition |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP56161395A patent/JPS5863152A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698845A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
| JPS56116647A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Hitachi Ltd | Manufacturing of silica-alumina type filler for semiconductor memory element covering resin |
| JPS57187956A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-18 | Siemens Ag | Electric insulating sealer for semiconductor device |
| JPS57195151A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Low-radioactive resin composition |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58102546A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
| JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
| JPH02265953A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び硬化物 |
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