JPS5863177A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5863177A JPS5863177A JP56161605A JP16160581A JPS5863177A JP S5863177 A JPS5863177 A JP S5863177A JP 56161605 A JP56161605 A JP 56161605A JP 16160581 A JP16160581 A JP 16160581A JP S5863177 A JPS5863177 A JP S5863177A
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- JP
- Japan
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- film
- voltage
- substrate
- layer
- gate electrode
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ＰＮ接合を有する半導体装置の構造に関す
るものである。
るものである。
従来この種の装置として第１図に示すものがあった。第
１図において、（１）ハシリコン基板、（２）は寄生チ
ャネルを防止する目的でシリコン基板＋１１中に形成さ
れシリコン基板ｆｌ）と同じ導電型を有する不純物拡散
層、（３）は他の拡散層等と分離するためにシリコン基
板（１）上に形成された比較的厚いフィールド酸化シリ
コン膜である。（４）は配線等に用いられシリコン基板
（１）と反対導電型を有する不純物拡散層、（５）は配
線間を絶縁する目的で形成される酸化シリコン膜、（０
）は不純物拡散層（６）にオーミックコンタクトした配
線等となるアルミである。
１図において、（１）ハシリコン基板、（２）は寄生チ
ャネルを防止する目的でシリコン基板＋１１中に形成さ
れシリコン基板ｆｌ）と同じ導電型を有する不純物拡散
層、（３）は他の拡散層等と分離するためにシリコン基
板（１）上に形成された比較的厚いフィールド酸化シリ
コン膜である。（４）は配線等に用いられシリコン基板
（１）と反対導電型を有する不純物拡散層、（５）は配
線間を絶縁する目的で形成される酸化シリコン膜、（０
）は不純物拡散層（６）にオーミックコンタクトした配
線等となるアルミである。
以上のような従来技術により形成された半導体装置にお
いて、シリコン基板（１）と不純物拡散層（４）との間
のＰＮ接合部に逆方向電圧を印加した時のＰＮ接合破壊
電圧は、よく知られているように、ＰＮ接合部で発生す
る空乏層の広さに関係し、ＰＮ接合部で発生する空乏層
が広いほどＰＮ接合破壊電圧は増加する。この逆方向電
圧を印加した時のＰＮ接合部で発生する空乏層の拡がり
は、シリコン基板ｆｉ＋及び不純物拡散層（４）の不純
物濃度によって決まシ、とれらシリコン基板（１）又は
不純物拡散層（４）の不純物濃度が高くなると、空乏層
は拡がらなくなり、ＰＮ接合破壊電圧は低下する。
いて、シリコン基板（１）と不純物拡散層（４）との間
のＰＮ接合部に逆方向電圧を印加した時のＰＮ接合破壊
電圧は、よく知られているように、ＰＮ接合部で発生す
る空乏層の広さに関係し、ＰＮ接合部で発生する空乏層
が広いほどＰＮ接合破壊電圧は増加する。この逆方向電
圧を印加した時のＰＮ接合部で発生する空乏層の拡がり
は、シリコン基板ｆｉ＋及び不純物拡散層（４）の不純
物濃度によって決まシ、とれらシリコン基板（１）又は
不純物拡散層（４）の不純物濃度が高くなると、空乏層
は拡がらなくなり、ＰＮ接合破壊電圧は低下する。
又、ここで言うシリコン基板（１１側の空乏層の最も狭
い所は不純物濃度の最も高くなる所、すなわち寄生チャ
ネルを防止する目的で形成される不純物拡散層（２）の
部分である。
い所は不純物濃度の最も高くなる所、すなわち寄生チャ
ネルを防止する目的で形成される不純物拡散層（２）の
部分である。
最近の半導体装置は集積度が大巾に高くなり、不純物拡
散層（４）の拡散深さは、増々浅くなって来ている。こ
の不純物拡散層（４）が浅くなっても従来と同様の配線
抵抗を有するためには不純物濃度を高めなければならず
、そうすると前記の如（ＰＮ接合破壊電圧が低下するな
どの欠点があった。
散層（４）の拡散深さは、増々浅くなって来ている。こ
の不純物拡散層（４）が浅くなっても従来と同様の配線
抵抗を有するためには不純物濃度を高めなければならず
、そうすると前記の如（ＰＮ接合破壊電圧が低下するな
どの欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めにガされたもので、半導体基板と反対導電型を有する
不純物領域のまわりにゲート電極を設けて、このゲート
をある電位に保つことによりゲート電極下の空乏層を拡
げて、ＰＮ接合破壊電圧を向上させることを目的として
いる。
めにガされたもので、半導体基板と反対導電型を有する
不純物領域のまわりにゲート電極を設けて、このゲート
をある電位に保つことによりゲート電極下の空乏層を拡
げて、ＰＮ接合破壊電圧を向上させることを目的として
いる。
以下、この発明の一実施例を製造工程順に説明する。第
２図（ａ）において、従来技術と同様にシリコン基板［
１１の表面付近にシリコン基板＋１１と同じ導電型の不
純物拡散層（２）及び比較的厚い酸化シリコン膜（３）
を形成する。次に比較的薄いゲート酸化シリコン膜（７
）及びゲート電極となる多結晶シリコン膜＋８１ ｆｉ
ｃ生成し、第２図（ｂ）に示すように不純物拡散層（４
）の周囲のシリコン基板（り上に於て、比較的厚い酸化
シリコン膜（３）の縁にそって、比較的厚い酸化シリコ
ン膜（３）及び不純物拡散層（４）の両方に跨るように
、多結晶シリコン膜（８）及び比較的薄い酸化シリコン
膜（７）ヲパターエングする。しかる後、従来技術と同
様に、不純物拡散層（４）、配線間を絶縁する目的で形
成される酸化シリコン膜（６）、及び不純物拡散層（４
）とオーミックコンタクトした配線となるアルミ（６）
吟を形成する。
２図（ａ）において、従来技術と同様にシリコン基板［
１１の表面付近にシリコン基板＋１１と同じ導電型の不
純物拡散層（２）及び比較的厚い酸化シリコン膜（３）
を形成する。次に比較的薄いゲート酸化シリコン膜（７
）及びゲート電極となる多結晶シリコン膜＋８１ ｆｉ
ｃ生成し、第２図（ｂ）に示すように不純物拡散層（４
）の周囲のシリコン基板（り上に於て、比較的厚い酸化
シリコン膜（３）の縁にそって、比較的厚い酸化シリコ
ン膜（３）及び不純物拡散層（４）の両方に跨るように
、多結晶シリコン膜（８）及び比較的薄い酸化シリコン
膜（７）ヲパターエングする。しかる後、従来技術と同
様に、不純物拡散層（４）、配線間を絶縁する目的で形
成される酸化シリコン膜（６）、及び不純物拡散層（４
）とオーミックコンタクトした配線となるアルミ（６）
吟を形成する。
以上のように形成された半導体装置において、第２図（
ａ）に示す如く、不純物拡散層（４）はまわりをゲート
電極となる多結晶シリコン膜（８）でかこまれ、かつ不
純物拡散層（４）とシリコン基板１１＋との境界はゲー
ト電極となる多結晶シＩＪ Ｑン膜（８）の下に形成さ
れている。したがって、とのゲート電極となる多結晶シ
リコン膜（８）に不純物拡散層（４）に印加される電圧
と同じ極性の、ある↑と圧を印加すると、多結晶シリコ
ン膜（８）に印加された電界により、多結晶シリコン膜
（８）下のシリコン基板（１）表面付近で空乏層が広が
る。以上のように従来最も不純物濃度が高く空乏層の広
が９がおさえられていたシリコン基板［１１の表面付近
の空乏層を広げることによりＰＮ゛接合破壊耐圧を向上
させることができる。
ａ）に示す如く、不純物拡散層（４）はまわりをゲート
電極となる多結晶シリコン膜（８）でかこまれ、かつ不
純物拡散層（４）とシリコン基板１１＋との境界はゲー
ト電極となる多結晶シＩＪ Ｑン膜（８）の下に形成さ
れている。したがって、とのゲート電極となる多結晶シ
リコン膜（８）に不純物拡散層（４）に印加される電圧
と同じ極性の、ある↑と圧を印加すると、多結晶シリコ
ン膜（８）に印加された電界により、多結晶シリコン膜
（８）下のシリコン基板（１）表面付近で空乏層が広が
る。以上のように従来最も不純物濃度が高く空乏層の広
が９がおさえられていたシリコン基板［１１の表面付近
の空乏層を広げることによりＰＮ゛接合破壊耐圧を向上
させることができる。
尚、上記実施例では多結晶シリコン膜（８）ヲ用いたが
、これは通常ＭＯ５型トランジスタのゲート電極になり
得る物質なら同様の効果を奏する。
、これは通常ＭＯ５型トランジスタのゲート電極になり
得る物質なら同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、不純物濃度が高くな
っても十分高いＰＮ接合破壊耐圧を有するように構成し
たので、電気特性が良くかつ信頼性の高い半導体装置が
得られる効果がある。
っても十分高いＰＮ接合破壊耐圧を有するように構成し
たので、電気特性が良くかつ信頼性の高い半導体装置が
得られる効果がある。
に１図は従来の半導体装置を示す側断面図、第２図（１
）はこの発明の一実施例による半導体装置を示す側断面
図、第２図（ｂ）はこの発明の一実施例による半導体装
置を示す平面図であり、第２図（ｂ）中に示すｌ１ａ−
１１ａ線での断面図が第２図−）である。 図において、（ｌ）・・・シリコン基板（半導体基板）
、（２）・・・シリコン基板ｆｌ）と同じ導電型の不純
物拡散層、（３）・・・フィールド酸化シリコンＩＩ、
＋４）・・・シリコン基板［１）と反対導電型の不純物
拡散層（不純物領域）、（５）・・・酸化シリコン膜、
（６）・・・アルミ（コンタクト）、（７）・・・ゲー
ト酸化シリコン膜（絶縁膜） 、（８１・・・多結晶シ
リコン膜（！極）。 尚図中、同一符号に同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛野信−
）はこの発明の一実施例による半導体装置を示す側断面
図、第２図（ｂ）はこの発明の一実施例による半導体装
置を示す平面図であり、第２図（ｂ）中に示すｌ１ａ−
１１ａ線での断面図が第２図−）である。 図において、（ｌ）・・・シリコン基板（半導体基板）
、（２）・・・シリコン基板ｆｌ）と同じ導電型の不純
物拡散層、（３）・・・フィールド酸化シリコンＩＩ、
＋４）・・・シリコン基板［１）と反対導電型の不純物
拡散層（不純物領域）、（５）・・・酸化シリコン膜、
（６）・・・アルミ（コンタクト）、（７）・・・ゲー
ト酸化シリコン膜（絶縁膜） 、（８１・・・多結晶シ
リコン膜（！極）。 尚図中、同一符号に同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛野信−
Claims (1)
- 所定導電型を有する半導体基板、この半導体基板の一主
面に形成され上記導電型とは反対の導電型を有する不純
物領域、この不純物領域に所定極性の電圧を印加するコ
ンタクト、上記不純物領域の周囲に於ける上記−主面上
に絶縁膜を介して設けられた電極を備え、上記電極に上
記所定極性のある電圧を印加するようにした半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161605A JPS5863177A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161605A JPS5863177A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863177A true JPS5863177A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15738331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56161605A Pending JPS5863177A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291860A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | パワー半導体素子 |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP56161605A patent/JPS5863177A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291860A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | パワー半導体素子 |
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