JPS586568A - メモリ装置 - Google Patents
メモリ装置Info
- Publication number
- JPS586568A JPS586568A JP57107430A JP10743082A JPS586568A JP S586568 A JPS586568 A JP S586568A JP 57107430 A JP57107430 A JP 57107430A JP 10743082 A JP10743082 A JP 10743082A JP S586568 A JPS586568 A JP S586568A
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- JP
- Japan
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- signal
- decoder
- ram
- input
- chip
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- Granted
Links
- 101100328887 Caenorhabditis elegans col-34 gene Proteins 0.000 abstract description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Storage Device Security (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメ4り装置m4?に読み出し書き込み可能メ毫
り素子を含むメモリ装置に関する。
り素子を含むメモリ装置に関する。
従来読み出し書き込み可能メモリ(以下8ムMという)
ボード上に実装されたRAM素子を、プログツム開発時
にプログラム格納領域として使用しこのRAM評にプロ
グラム命令を書き込み、その後プログ2ムデバ、り等を
実行した時グログツムによ〕予め決められた処理手順と
、#!表っ九処理手順を中央演算処理装置(CPU)が
実行することがある、これは主に雑音中プレグ2ム々ス
によって書き込み信号が加わる事に起因するのであるが
ヒの雑音やプログラム命令によってプログラム格納領域
として使用しているRAMK書き込まれた正規のプログ
ラムデータまでが書き替えられてしまうという欠点があ
った。
ボード上に実装されたRAM素子を、プログツム開発時
にプログラム格納領域として使用しこのRAM評にプロ
グラム命令を書き込み、その後プログ2ムデバ、り等を
実行した時グログツムによ〕予め決められた処理手順と
、#!表っ九処理手順を中央演算処理装置(CPU)が
実行することがある、これは主に雑音中プレグ2ム々ス
によって書き込み信号が加わる事に起因するのであるが
ヒの雑音やプログラム命令によってプログラム格納領域
として使用しているRAMK書き込まれた正規のプログ
ラムデータまでが書き替えられてしまうという欠点があ
った。
本発明の目的は、RAM素子に書き込まれたプログラム
命令が雑音中プログラムミスにより誤り九プログ2ム情
報に書き替えられる仁とがないRAM装置を提供すると
とにある。
命令が雑音中プログラムミスにより誤り九プログ2ム情
報に書き替えられる仁とがないRAM装置を提供すると
とにある。
本発明はメモリーボード上のRAMチ、プを非選択状態
にする制御回路を設け、この制御回路から非選択信号を
RAMチップに与える仁とによ)、所定の書き込み時以
外にRAMチップにデータが書き込まれ衾いようKする
ように構成される。
にする制御回路を設け、この制御回路から非選択信号を
RAMチップに与える仁とによ)、所定の書き込み時以
外にRAMチップにデータが書き込まれ衾いようKする
ように構成される。
本発明によれば、所定の期間以外IIcFi制御回路か
らの非選択信号によj)RAMへのデータの書き込みが
禁止されるので、所定の期間kRAMK書き込まれた正
規のプ四グラムが雑音やプログラムミス勢によって誤っ
た情報に書き替えられることはない。
らの非選択信号によj)RAMへのデータの書き込みが
禁止されるので、所定の期間kRAMK書き込まれた正
規のプ四グラムが雑音やプログラムミス勢によって誤っ
た情報に書き替えられることはない。
以下1図面を参照して本発明をよシ詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すメモリ装置の一部を表
わすブロック図である。メモリーボード上のRAMチッ
プ4はデータバスDSの入出力端子k及びアドレスバス
ABの入力端子jを有し、端子息に書き込み信号8.が
入力され、端子lにデコーダ3のチップセレクト端子り
からチップセレクト信号が入力される。一方デコーダ3
にはチ、プセレクト用のアドレス信号の上位ビット人B
′(本実施例では上位2ビツト)が端子f9gに入力さ
れる。端子eにi;jANDゲート2の出力端子mから
デコーダ制御信号が入力され、ANDゲート2の入力端
子c、dは夫々インバータ1の出力端子すと、データ読
み出し信号8.に接続されインバータlの入力端子1は
抵抗Bを介して+5vの電圧が印加されるとともにスイ
ッチSWを介して接地される。
わすブロック図である。メモリーボード上のRAMチッ
プ4はデータバスDSの入出力端子k及びアドレスバス
ABの入力端子jを有し、端子息に書き込み信号8.が
入力され、端子lにデコーダ3のチップセレクト端子り
からチップセレクト信号が入力される。一方デコーダ3
にはチ、プセレクト用のアドレス信号の上位ビット人B
′(本実施例では上位2ビツト)が端子f9gに入力さ
れる。端子eにi;jANDゲート2の出力端子mから
デコーダ制御信号が入力され、ANDゲート2の入力端
子c、dは夫々インバータ1の出力端子すと、データ読
み出し信号8.に接続されインバータlの入力端子1は
抵抗Bを介して+5vの電圧が印加されるとともにスイ
ッチSWを介して接地される。
かかる構成の本実施例によれば、スイッチSWがOFF
状態の時インバータの入力端子aは抵抗Rを介して+5
vにプルアップされているので、Illレベルが入力さ
れ、インバータ1の出力端子すからはIQルベルが出力
され、この信号が2人力ANDゲート2の一方の入力端
子Cに入る。
状態の時インバータの入力端子aは抵抗Rを介して+5
vにプルアップされているので、Illレベルが入力さ
れ、インバータ1の出力端子すからはIQルベルが出力
され、この信号が2人力ANDゲート2の一方の入力端
子Cに入る。
即ち2人力ANDゲート2の出力端子mに絋I Q ル
ベルが出力され、この信号がデコーダ3のチップセレク
ト端子eに入るので、デコーダ3は能動状態になる。一
方、2人力ANDゲート20入力端子CはスイッチSW
がOFFしている限ft@Qmレベルであるから、2人
力ANDゲート2のもう一方の入力端子dのデータ読み
出し信号SsがIQIであるか11−であるかに関係な
く常に端子mlcは・0−レベルが出力されるので、デ
コーダ3は能動状態にある。能動状態にあるデコーダ3
の入力端子f1gには、各々上位ビットアドレス信号人
B′が入力され、入力される信号のレベルの組み合せに
よシ、デコーダ3の複数出力端子の内上位アドレス信号
ムB′で指定され九lケ所のチップセレクト信号出力端
子りからe6sレベルが8λM4のチップセレクト端子
jに入力され、8λMチップ4は能動状JllKなる。
ベルが出力され、この信号がデコーダ3のチップセレク
ト端子eに入るので、デコーダ3は能動状態になる。一
方、2人力ANDゲート20入力端子CはスイッチSW
がOFFしている限ft@Qmレベルであるから、2人
力ANDゲート2のもう一方の入力端子dのデータ読み
出し信号SsがIQIであるか11−であるかに関係な
く常に端子mlcは・0−レベルが出力されるので、デ
コーダ3は能動状態にある。能動状態にあるデコーダ3
の入力端子f1gには、各々上位ビットアドレス信号人
B′が入力され、入力される信号のレベルの組み合せに
よシ、デコーダ3の複数出力端子の内上位アドレス信号
ムB′で指定され九lケ所のチップセレクト信号出力端
子りからe6sレベルが8λM4のチップセレクト端子
jに入力され、8λMチップ4は能動状JllKなる。
RAMアドレスλカ端子jKはCPUから出力されるア
ドレス情報がアドレス情報ムBを通して入力され、凡ム
M4の入出力制御端子1へ入力されるデータ書き込み信
号8゜のレベル状II(本am例では1o@レベルの時
)によ如几ムM4のデータ入方端子hヘデータがデータ
バス’DBを介して入力される。
ドレス情報がアドレス情報ムBを通して入力され、凡ム
M4の入出力制御端子1へ入力されるデータ書き込み信
号8゜のレベル状II(本am例では1o@レベルの時
)によ如几ムM4のデータ入方端子hヘデータがデータ
バス’DBを介して入力される。
一方、スイッチ8WがON状MKなるとインバータlの
入力端子aは#o@レベルになるのでインバータ出力端
子tl”l−レベルになり2人力ANDゲート20入力
端子Cに入る。この時ANDゲート20入力端子dic
データ読み出し信号8.が入力された場合、(読み出し
信号はCPUがRAM4の内容を読む動作時のみ@Oa
レベルK fk ’) bそれ以外の動作時には11−
レベルの信号であるとする。)ANDゲート出力端子m
はCPUがメモリの内部を読む動作時のみ、10ルベル
になシそれ以外の時は11留レベルの信号が出力されデ
コーダ3のチップセレクト端子eへ入力される。チップ
セレクト端子・が61ルベル時即ちデータ読み出し期間
以外ではデコーダ3は禁止状態にな夛、デコーダ出力端
子りからは11ルベルがRAM4のチ、プセレクト端子
lK入力され、’RAMメモリ4は禁止状態になる。ま
た・読み出し信号uO蕾レベルが端子dに入力されると
デコーダ3のチップセレクト端子eには一0ルベルが出
力され、デコーダ3は能動状態になシ、デコーダ出力端
子りからはアドレス信号上位ビットλB′によル指定さ
れたチ、プセレクト信号ぐ0・レベル信轟選択すべきR
AMチ、プ4に出力され、RAMメモリ4のチップセレ
クト端子i t−10°m’べ/’に−する0−t’R
AM4は能動状態となシ、アドレス信号ABで指定され
た番地に格納されているデータがデータバスDBを通し
て読み出される。RAM40入力制御端子1にはCPU
がRAM4ヘデータを−き込む時のみIQルベルが出力
され、それ以外の動作時には。
入力端子aは#o@レベルになるのでインバータ出力端
子tl”l−レベルになり2人力ANDゲート20入力
端子Cに入る。この時ANDゲート20入力端子dic
データ読み出し信号8.が入力された場合、(読み出し
信号はCPUがRAM4の内容を読む動作時のみ@Oa
レベルK fk ’) bそれ以外の動作時には11−
レベルの信号であるとする。)ANDゲート出力端子m
はCPUがメモリの内部を読む動作時のみ、10ルベル
になシそれ以外の時は11留レベルの信号が出力されデ
コーダ3のチップセレクト端子eへ入力される。チップ
セレクト端子・が61ルベル時即ちデータ読み出し期間
以外ではデコーダ3は禁止状態にな夛、デコーダ出力端
子りからは11ルベルがRAM4のチ、プセレクト端子
lK入力され、’RAMメモリ4は禁止状態になる。ま
た・読み出し信号uO蕾レベルが端子dに入力されると
デコーダ3のチップセレクト端子eには一0ルベルが出
力され、デコーダ3は能動状態になシ、デコーダ出力端
子りからはアドレス信号上位ビットλB′によル指定さ
れたチ、プセレクト信号ぐ0・レベル信轟選択すべきR
AMチ、プ4に出力され、RAMメモリ4のチップセレ
クト端子i t−10°m’べ/’に−する0−t’R
AM4は能動状態となシ、アドレス信号ABで指定され
た番地に格納されているデータがデータバスDBを通し
て読み出される。RAM40入力制御端子1にはCPU
がRAM4ヘデータを−き込む時のみIQルベルが出力
され、それ以外の動作時には。
Illレベル信号8tが入力される。この信号がIol
となりてもR,AM4のチップセレクト端子轟が一1ル
ベルである時、即ちスイッチがON状態で、かつ読み出
し信号S□が一1ルベルの時は。
となりてもR,AM4のチップセレクト端子轟が一1ル
ベルである時、即ちスイッチがON状態で、かつ読み出
し信号S□が一1ルベルの時は。
RAMチップ4は禁止状11になるのでデータの書き込
みが禁止される。従ってこの時はRAMチップ4は読み
出し専用となる。
みが禁止される。従ってこの時はRAMチップ4は読み
出し専用となる。
以上のようIIC%本夾施例実施ればRAMチ、プ4へ
のデータの書き込みはスイッチSWをOFF l。
のデータの書き込みはスイッチSWをOFF l。
ている時に限られ、スイッチをON状態にするとRAM
チップ4は読み出し専用メモリとして動作する。仁のた
め、プログラムデパック時勢に生じる雑音やプ曹グ九1
ス等による%RAMRAMチップヘ九データの書き込み
はスイッチをOFFしておくととkより防止できる。
チップ4は読み出し専用メモリとして動作する。仁のた
め、プログラムデパック時勢に生じる雑音やプ曹グ九1
ス等による%RAMRAMチップヘ九データの書き込み
はスイッチをOFFしておくととkより防止できる。
尚1本実施例において、スイッチとして手動スイッチを
使用したがプログラム制御によ如データの書き込み状態
の時のみOFF状態に&るよう表ゲート胞路であっても
よい。又1本実施例ではデコーダのチップセレクト信号
を制御することKよ!llRAMチップを禁止状態にし
たが、デコーダな介さず直接RAMチップを非選択にす
る信号を加えてやって4よい。
使用したがプログラム制御によ如データの書き込み状態
の時のみOFF状態に&るよう表ゲート胞路であっても
よい。又1本実施例ではデコーダのチップセレクト信号
を制御することKよ!llRAMチップを禁止状態にし
たが、デコーダな介さず直接RAMチップを非選択にす
る信号を加えてやって4よい。
又1本発明の応用としてマイクロコンビ、−タ・システ
ムに於いてプログラム開発時のプログラムやデータの格
納領域として本発明のRAMチップ及び制御回路を使用
すれば、I#4動作によって、格納しているプログラム
が破壊され石拳がなく表るだけでなく、キー人力等でプ
ルグラム内容が簡単に変更できHFROMへの書換えの
必要奄なく能率が上る。
ムに於いてプログラム開発時のプログラムやデータの格
納領域として本発明のRAMチップ及び制御回路を使用
すれば、I#4動作によって、格納しているプログラム
が破壊され石拳がなく表るだけでなく、キー人力等でプ
ルグラム内容が簡単に変更できHFROMへの書換えの
必要奄なく能率が上る。
第1図は本発明の一実施例によるメモリ装置の一部を示
すプElyり図である。
すプElyり図である。
Claims (1)
- 読み出し信号および書き込み信号によル制御されて情報
の授受を行なうメモリ装置において、制御信号を発生す
ることによシ、その発生期間紘前記書き込み信号を受け
つけないようにする手段を有することを特徴とするメモ
リ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107430A JPS6012660B2 (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107430A JPS6012660B2 (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | メモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586568A true JPS586568A (ja) | 1983-01-14 |
| JPS6012660B2 JPS6012660B2 (ja) | 1985-04-02 |
Family
ID=14458939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57107430A Expired JPS6012660B2 (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012660B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152599A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Omron Tateisi Electronics Co | メモリ制御回路 |
| JPS62138258U (ja) * | 1986-02-26 | 1987-08-31 | ||
| JPS62266602A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | システムパラメ−タの設定ガ−ド装置 |
-
1982
- 1982-06-22 JP JP57107430A patent/JPS6012660B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152599A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Omron Tateisi Electronics Co | メモリ制御回路 |
| JPS62138258U (ja) * | 1986-02-26 | 1987-08-31 | ||
| JPS62266602A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | システムパラメ−タの設定ガ−ド装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6012660B2 (ja) | 1985-04-02 |
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