JPS5866314A - ロ−タリトランス - Google Patents
ロ−タリトランスInfo
- Publication number
- JPS5866314A JPS5866314A JP56164669A JP16466981A JPS5866314A JP S5866314 A JPS5866314 A JP S5866314A JP 56164669 A JP56164669 A JP 56164669A JP 16466981 A JP16466981 A JP 16466981A JP S5866314 A JPS5866314 A JP S5866314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- rotary transformer
- magnetic film
- film
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F38/00—Adaptations of transformers or inductances for specific applications or functions
- H01F38/18—Rotary transformers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁性材料から成りかつ巻き線が配設された一対
の基板を回転部及び固定部にそれぞれ取付けて前記一対
の基板及び巻き線を互いに対向配置させ、前記回転部と
前記固定部との間で信号を無接触で伝送するようにした
ロータリトランスに関し、特にＶＴＲにおける回転ヘッ
ドドラム等に用いで好適なものである。
の基板を回転部及び固定部にそれぞれ取付けて前記一対
の基板及び巻き線を互いに対向配置させ、前記回転部と
前記固定部との間で信号を無接触で伝送するようにした
ロータリトランスに関し、特にＶＴＲにおける回転ヘッ
ドドラム等に用いで好適なものである。
ＶＴＲの回転ヘッドドラムには、回転ドラムと固定ドラ
ムとの間で記録信号及び再生信号を無接触で伝送するた
めにロータリトランスが設けてある。ロータリトランス
は磁気的な傾合を利用したものであり、第１図はこのよ
うなロータリトランスに用いられているトランスコア（
１）の断面図を示すものである。なお第１図のトランス
コア（１）が固定ドラムの側に設けられると共に、同じ
ものが回転ドラムの側にも対向して設けられ、ロータリ
トランスが構成される。
ムとの間で記録信号及び再生信号を無接触で伝送するた
めにロータリトランスが設けてある。ロータリトランス
は磁気的な傾合を利用したものであり、第１図はこのよ
うなロータリトランスに用いられているトランスコア（
１）の断面図を示すものである。なお第１図のトランス
コア（１）が固定ドラムの側に設けられると共に、同じ
ものが回転ドラムの側にも対向して設けられ、ロータリ
トランスが構成される。
第１図のロータリトランスコア（１）は、例えばフエラ
イト材でもって環状に成型され、その表面には、コイル
装着用の同心円状の２つの溝（２）（３）が形成されて
いる。そしてこのトランスコア（１）は固定ドラム及び
回転ドラムにそれぞれ同心状に固着されている。これら
のコイル装着溝（２）（３）の夫々には、Ａヘッド及び
Ｂヘッド用の環状の巻き線（４）（５）が装着される。
イト材でもって環状に成型され、その表面には、コイル
装着用の同心円状の２つの溝（２）（３）が形成されて
いる。そしてこのトランスコア（１）は固定ドラム及び
回転ドラムにそれぞれ同心状に固着されている。これら
のコイル装着溝（２）（３）の夫々には、Ａヘッド及び
Ｂヘッド用の環状の巻き線（４）（５）が装着される。
なお、トランスコア（１）としてフエライト材を用いる
ようにしているのは、フエライト材は高透磁率でかつ周
波数特性が良いからである。
ようにしているのは、フエライト材は高透磁率でかつ周
波数特性が良いからである。
現在一般に用いられているロータリトランス及びフエラ
イトの特性は下記の表１及び表２に示す如くである。
イトの特性は下記の表１及び表２に示す如くである。
ところが、従来の２チヤンネルのロータリトランスでは
上述の如き諸特性を満足させるためには、少なくとも１
５０ｍｍ２以上の対向面積を持つことが必要である。な
お、対向面積とは各チャンネルに対応する磁路面積のこ
とを指すものであって、簡易的には第１チャンネル巻き
線から第２チャンネル巻き線との間の面積（第２図にお
いて斜線Ｓで示す部分の面積）の半分である。このため
ロータリトランスの外径寸法を直径３０ｍｍ以下にする
ことは困難である。
上述の如き諸特性を満足させるためには、少なくとも１
５０ｍｍ２以上の対向面積を持つことが必要である。な
お、対向面積とは各チャンネルに対応する磁路面積のこ
とを指すものであって、簡易的には第１チャンネル巻き
線から第２チャンネル巻き線との間の面積（第２図にお
いて斜線Ｓで示す部分の面積）の半分である。このため
ロータリトランスの外径寸法を直径３０ｍｍ以下にする
ことは困難である。
ところで、現在ではロータリトランスの小型化及び多チ
ャンネル化に対応し得るように、トランスコアとして現
在使用されているフエライト材を用いたものであって、
なおかつ１００ｍｍ２以下の対向面積のロータリトラン
スが必要とされている。
ャンネル化に対応し得るように、トランスコアとして現
在使用されているフエライト材を用いたものであって、
なおかつ１００ｍｍ２以下の対向面積のロータリトラン
スが必要とされている。
しかしながら従来のロータリトランス（２チヤンネルの
場合）の形状及び材質では、その外径寸法を直径２０ｍ
ｍ以下にすることは特性上から考えて非常に困難である
のが実状である。
場合）の形状及び材質では、その外径寸法を直径２０ｍ
ｍ以下にすることは特性上から考えて非常に困難である
のが実状である。
本発明は上述の如き実状に鑑みて発明されたものであっ
て、フエライト材をトランスコアとして使用しかつ回転
部と固定部との対向面に分割した磁性膜をそれぞれ設け
て磁気時性及び磁気効率を向上し得て、小型化及び多チ
ヤンネル化可能なロータリトランスを提供しようとする
ものである。
て、フエライト材をトランスコアとして使用しかつ回転
部と固定部との対向面に分割した磁性膜をそれぞれ設け
て磁気時性及び磁気効率を向上し得て、小型化及び多チ
ヤンネル化可能なロータリトランスを提供しようとする
ものである。
以下本発明をＶＴＲの回転ヘッドドラムに用いられるロ
ータリトランスに適用した一実施例を第３図〜第１０図
を参照して説明する。
ータリトランスに適用した一実施例を第３図〜第１０図
を参照して説明する。
第３図に示すように、本実施例のロータリトランスは従
来の如くロータ（回転部）（８）とステータ（固定部）
（９）とから構成されている。なお、ロータ（８）は図
外の回転ドラムの下面に配設され、一方、ステータ（９
）は固定ドラムの上面に配設されており、これら両者は
わずかな隙間を隔てて互いに対向している。これらのロ
ータ（８）及びステータ（９）はフエライト製のコア（
１０）（１１）をそれぞれ具備し、これらのコア（１０
）（１１）の中央部には回転軸が挿通される断面円形の
貫通孔（１２）（１３）がそれぞれ形成されている。
来の如くロータ（回転部）（８）とステータ（固定部）
（９）とから構成されている。なお、ロータ（８）は図
外の回転ドラムの下面に配設され、一方、ステータ（９
）は固定ドラムの上面に配設されており、これら両者は
わずかな隙間を隔てて互いに対向している。これらのロ
ータ（８）及びステータ（９）はフエライト製のコア（
１０）（１１）をそれぞれ具備し、これらのコア（１０
）（１１）の中央部には回転軸が挿通される断面円形の
貫通孔（１２）（１３）がそれぞれ形成されている。
次にロータ（８）及びステータ（９）の構造に付き更に
詳述するが、これら両者の構造は互いに同一であるので
、ここではロータ（８）のみの構造に付き説明し、ステ
ータ（９）に関する説明は省略する。
詳述するが、これら両者の構造は互いに同一であるので
、ここではロータ（８）のみの構造に付き説明し、ステ
ータ（９）に関する説明は省略する。
先ず第３図及び第５図に明示するように、ロータ（８）
のコア（１０）上にはフエライトより初期透磁率の大き
いパーマロイ、センダスト、アルパーム等から成りかつ
分割されている磁性膜（１５）が５〜１０μｍの膜厚で
形成されている。なお、このようにフエライトコア部上
にフエライトより初期透磁率の高い磁性体から成る磁性
膜（１５）を設けるようにしたのは磁気特性の向上を図
るためである。しかし、この磁性膜（１５）を均一に形
成した場合には磁性膜（１５）の比抵抗が小さい（２０
〜５０μΩｃｍ）ため渦電流損により透磁率の周波数特
性が劣化する。このため、本実施例においては見かけ上
の比抵抗を大きくし渦電流損を減少させるために、第７
図に示す如く、例えば同心円状に数μｍ（例えば２μｍ
）のオーダーで分割されている。磁性膜（１５）の分割
巾を数μｍのオーダーとしている理由は磁性膜の表皮深
度（スキン・デプス）が第８図に示す如き周波数依存性
を有しているからである。
のコア（１０）上にはフエライトより初期透磁率の大き
いパーマロイ、センダスト、アルパーム等から成りかつ
分割されている磁性膜（１５）が５〜１０μｍの膜厚で
形成されている。なお、このようにフエライトコア部上
にフエライトより初期透磁率の高い磁性体から成る磁性
膜（１５）を設けるようにしたのは磁気特性の向上を図
るためである。しかし、この磁性膜（１５）を均一に形
成した場合には磁性膜（１５）の比抵抗が小さい（２０
〜５０μΩｃｍ）ため渦電流損により透磁率の周波数特
性が劣化する。このため、本実施例においては見かけ上
の比抵抗を大きくし渦電流損を減少させるために、第７
図に示す如く、例えば同心円状に数μｍ（例えば２μｍ
）のオーダーで分割されている。磁性膜（１５）の分割
巾を数μｍのオーダーとしている理由は磁性膜の表皮深
度（スキン・デプス）が第８図に示す如き周波数依存性
を有しているからである。
また、第５図に示す如くこの磁性膜（１５）はＳｉＯ２
等から成る絶縁層（１６）で被覆されている。更に、こ
の絶縁層（１６）の上面には巻き線（１７）（１８）が
同心円上の箇所に設けられ、これらの巻き線（１７）（
１８）はそれぞれ渦状に形成されている。また、上述の
絶縁層（１６）の上面には絶縁層（１９）が形成されて
おり、この絶縁層（１９）により巻き線（１７）（１８
）がそれぞれ被覆されている。なお、巻き線（１７）の
両端部及び巻き線（１８）の両端部には、第４図〜第６
図に示す如く、蒸着、スパッタリング等の方法で設けら
れた薄膜状の電極（２１ａ）（２１ｂ）及び（２２ａ）
（２２ｂ）が電気的に接続されている。すなわち、第５
図に示す如く、電極（２１ａ）〜（２２ｂ）の谷リード
部（２３ａ）〜（２４ｂ）が絶縁層（１９）の窓部（２
０）を介して巻き線の両端に接続されており、それらの
他端部にはコア（１０）からはずれた位置に電極板部（
２５ａ）〜（２６ｂ）が形成されている。なお図示を省
略したが、Ａヘッドの２つの端子が上述の電極板部（２
５ａ）及び（２５ｂ）にリード線によってそれぞれ接続
され、またＢヘッドの２つの端子が１を極板部（２６ａ
）及び（２６ｂ）にリード線によってそれぞれ接続され
ている。
等から成る絶縁層（１６）で被覆されている。更に、こ
の絶縁層（１６）の上面には巻き線（１７）（１８）が
同心円上の箇所に設けられ、これらの巻き線（１７）（
１８）はそれぞれ渦状に形成されている。また、上述の
絶縁層（１６）の上面には絶縁層（１９）が形成されて
おり、この絶縁層（１９）により巻き線（１７）（１８
）がそれぞれ被覆されている。なお、巻き線（１７）の
両端部及び巻き線（１８）の両端部には、第４図〜第６
図に示す如く、蒸着、スパッタリング等の方法で設けら
れた薄膜状の電極（２１ａ）（２１ｂ）及び（２２ａ）
（２２ｂ）が電気的に接続されている。すなわち、第５
図に示す如く、電極（２１ａ）〜（２２ｂ）の谷リード
部（２３ａ）〜（２４ｂ）が絶縁層（１９）の窓部（２
０）を介して巻き線の両端に接続されており、それらの
他端部にはコア（１０）からはずれた位置に電極板部（
２５ａ）〜（２６ｂ）が形成されている。なお図示を省
略したが、Ａヘッドの２つの端子が上述の電極板部（２
５ａ）及び（２５ｂ）にリード線によってそれぞれ接続
され、またＢヘッドの２つの端子が１を極板部（２６ａ
）及び（２６ｂ）にリード線によってそれぞれ接続され
ている。
そして前記電極（２１ａ）〜（２２ｂ）間への塵埃の付
着及び短絡を防止するために、Ｓｉ３ん４、ＳｉＯ２等
から成る保護膜（２７）（第９図Ｇ参照）によつて電極
（２１ａ）〜（２２ｂ）が被覆されている。
着及び短絡を防止するために、Ｓｉ３ん４、ＳｉＯ２等
から成る保護膜（２７）（第９図Ｇ参照）によつて電極
（２１ａ）〜（２２ｂ）が被覆されている。
上述の如き構成のロータリトランスを製造する際の手順
につき説明する。
につき説明する。
先ずフエライト基板を円板状に加工し、次いで、第９図
Ａに示すように、フエライト基板（１０）の一面上に蒸
着、スパッタリング等によってパーマロイ、センダスト
、アルパーム等から成る薄状の磁性膜（１５）を均一に
形成する。しかる後にこの磁性膜（１５）をドライエツ
チング等の微細加工技術によって第７図及び第９図Ｂに
示す如く、例えば数μｍ単位（例えば２μｍ）で同心円
状に分割する。次いで、第９図Ｃに示す即くフエライト
基板（１０）上にＳｉＯ２等から成る絶縁層（１６）を
形成し、この絶縁層（１６）によって上述の分割された
磁性膜（１５）を被覆する。この後に、第４図及び第９
図Ｄに示す如く、前記絶縁層（１６）の上面の所定箇所
に渦巻状の巻き線（１７）（１８）を蒸着、スパッタリ
ング等によって同心円状に形成する。
Ａに示すように、フエライト基板（１０）の一面上に蒸
着、スパッタリング等によってパーマロイ、センダスト
、アルパーム等から成る薄状の磁性膜（１５）を均一に
形成する。しかる後にこの磁性膜（１５）をドライエツ
チング等の微細加工技術によって第７図及び第９図Ｂに
示す如く、例えば数μｍ単位（例えば２μｍ）で同心円
状に分割する。次いで、第９図Ｃに示す即くフエライト
基板（１０）上にＳｉＯ２等から成る絶縁層（１６）を
形成し、この絶縁層（１６）によって上述の分割された
磁性膜（１５）を被覆する。この後に、第４図及び第９
図Ｄに示す如く、前記絶縁層（１６）の上面の所定箇所
に渦巻状の巻き線（１７）（１８）を蒸着、スパッタリ
ング等によって同心円状に形成する。
そして、更に、第９図Ｅに示す如くＳｉＯ２等から成る
絶縁層（１９）によって巻き線（１７）（１８）を被覆
する。
絶縁層（１９）によって巻き線（１７）（１８）を被覆
する。
次に、第９図Ｆに示す如く、導電性の電極（２１ａ）〜
（２２ｂ）を被着すると共に、巻き線（１７）（１８）
の両端に対応する絶縁層（１９）の箇所に設けられた窓
部（２０）を介して前記電極（２１ａ）〜（２２ｂ）の
リード部（２５ａ）〜（２４ｂ）の一端を電気的に接続
する。最後に、電極（２１ａ）〜（２２ｂ）を保護膜（
２７）によって被覆する。
（２２ｂ）を被着すると共に、巻き線（１７）（１８）
の両端に対応する絶縁層（１９）の箇所に設けられた窓
部（２０）を介して前記電極（２１ａ）〜（２２ｂ）の
リード部（２５ａ）〜（２４ｂ）の一端を電気的に接続
する。最後に、電極（２１ａ）〜（２２ｂ）を保護膜（
２７）によって被覆する。
以上の如く構成したロータリトランスによれば、フエラ
イトコア（１０）の上面に、フエライトより初期透磁率
の高いパーマロイ、センダスト、アルパーム等の磁性体
から成りかつ数μｍ（例えば２μｍ）のオーダーで分割
されている磁性膜（１５）を設けたので、磁気特性の向
上及び磁気効率の向上を図ることが可能となる。すなわ
ち、従来のフエライト、均一に形成した磁性膜及び分割
した磁性膜の透磁率の周波数依存性を示す第１０図のグ
ラフから明らかなように、分割した磁性膜の場合には、
広範囲の周波数帯域に亘って非常に高い透磁率を維持す
るようになる。このためロータリトランスの結合係数を
大きくとれる。また、磁性膜を分割したのでロータリト
ランスの実質的な対向面積（表面積）を広くとることが
できる。従って、フエライトコア（１０）の対向面積を
小さくしたとしても所定の諸特性を得ることができる。
イトコア（１０）の上面に、フエライトより初期透磁率
の高いパーマロイ、センダスト、アルパーム等の磁性体
から成りかつ数μｍ（例えば２μｍ）のオーダーで分割
されている磁性膜（１５）を設けたので、磁気特性の向
上及び磁気効率の向上を図ることが可能となる。すなわ
ち、従来のフエライト、均一に形成した磁性膜及び分割
した磁性膜の透磁率の周波数依存性を示す第１０図のグ
ラフから明らかなように、分割した磁性膜の場合には、
広範囲の周波数帯域に亘って非常に高い透磁率を維持す
るようになる。このためロータリトランスの結合係数を
大きくとれる。また、磁性膜を分割したのでロータリト
ランスの実質的な対向面積（表面積）を広くとることが
できる。従って、フエライトコア（１０）の対向面積を
小さくしたとしても所定の諸特性を得ることができる。
この結果、ロータリトランスの小型化及び多チャンネル
化を図ることが可能となる。
化を図ることが可能となる。
また、本実施例では巻き線（１７）（１８）及び電極（
２１ａ）〜（２２ｂ）を薄状の導電膜にて構成するよう
にしたことにより渦電流損の低減化を図ることかできる
ので全体的な磁気効率を一段と同上させることができる
。
２１ａ）〜（２２ｂ）を薄状の導電膜にて構成するよう
にしたことにより渦電流損の低減化を図ることかできる
ので全体的な磁気効率を一段と同上させることができる
。
また第１１図は本発明の第２の実施例を示すものであっ
て、本実施例においては巻き線（１７）（１８）及び分
割された磁性膜（１５）がともにフエライトコア（１０
）の上面に形成され、これらの巻き線（１７）（１８）
が所定の分割磁性膜の間に配置されている。なお、この
場合にも前記第一の実施例の場合と同様に前記巻き線（
１７）（１８）及び磁性膜（１５）を絶縁する絶縁層（
１６）が形成され、またこの絶縁層（１６）に設けられ
た窓（２０）を介して電極（２１ａ）〜（２２ｂ）のリ
ード部（２５ａ）〜（２４ｂ）の一端が巻き線（１７）
（１８）の両端にそれぞれ接続されている。
て、本実施例においては巻き線（１７）（１８）及び分
割された磁性膜（１５）がともにフエライトコア（１０
）の上面に形成され、これらの巻き線（１７）（１８）
が所定の分割磁性膜の間に配置されている。なお、この
場合にも前記第一の実施例の場合と同様に前記巻き線（
１７）（１８）及び磁性膜（１５）を絶縁する絶縁層（
１６）が形成され、またこの絶縁層（１６）に設けられ
た窓（２０）を介して電極（２１ａ）〜（２２ｂ）のリ
ード部（２５ａ）〜（２４ｂ）の一端が巻き線（１７）
（１８）の両端にそれぞれ接続されている。
そして保護膜（２７）によって電極（２１ａ）〜（２２
ｂ）が被覆されている。
ｂ）が被覆されている。
以上の如く構成した場合にも既述の第一の実施例と全く
同様の作用効果を奏することになる。
同様の作用効果を奏することになる。
以上本発明を実施例に付き述べたが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想
に基づいて各種の変形及び変更が可能である。
実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想
に基づいて各種の変形及び変更が可能である。
例えば、既述の実施例においては磁性膜（１５）を同心
円状の分割パターンとしたが、第１２図に示す如く、格
子状パターンとしても良く、第１３図に示すように放射
状パターンとしても良い。また、第１４図に示すように
格子状パターン及び放射状パターンを組合わせた形状の
分割パターンであっても良く、更にその他各種の分割パ
ターンを採用することが可能である。
円状の分割パターンとしたが、第１２図に示す如く、格
子状パターンとしても良く、第１３図に示すように放射
状パターンとしても良い。また、第１４図に示すように
格子状パターン及び放射状パターンを組合わせた形状の
分割パターンであっても良く、更にその他各種の分割パ
ターンを採用することが可能である。
以上の如く本発明は磁性材料から成りかつ巻き線が配設
された一対の基板を回転部及び固定部にそれぞれ取付け
て前記一対の基板及び巻き線を互いに対向配置させ、前
記回転部と前記固定部との間で信号を無接触で伝送する
ようにしたロータリトランスにおいて、前記一対の基板
のうち少なくとも一方の対向面に、前記基板の初期透磁
率よりも高い初期透磁率を有しかつ多数区画に細分割さ
れている磁性膜を形成すると共に、前記巻き線と前記磁
性膜とを互いに絶縁した状態で配設したものである。故
に、本発明によれば、高透磁率でかつ多数区画を細分割
された磁性膜を磁性材基板上に設けるようにしたので、
渦電流が分断されて渦電流損が大巾に低減されることに
なる。従って、透磁率の周波数依存性を大巾改善でき、
固定部と回転部との磁気結合係数を大きくとることがで
きる。しかも、磁性膜を分割したのでロータリトランス
の実質的な対向面積（表面積）を広くとることができる
。この結果、磁性材基材の対向面積を小さくしたとして
も所定の諸特性を得ることができ、ひいてはロータリト
ランスの大巾な小型化及び多チャンネル化を図ることが
できる。
された一対の基板を回転部及び固定部にそれぞれ取付け
て前記一対の基板及び巻き線を互いに対向配置させ、前
記回転部と前記固定部との間で信号を無接触で伝送する
ようにしたロータリトランスにおいて、前記一対の基板
のうち少なくとも一方の対向面に、前記基板の初期透磁
率よりも高い初期透磁率を有しかつ多数区画に細分割さ
れている磁性膜を形成すると共に、前記巻き線と前記磁
性膜とを互いに絶縁した状態で配設したものである。故
に、本発明によれば、高透磁率でかつ多数区画を細分割
された磁性膜を磁性材基板上に設けるようにしたので、
渦電流が分断されて渦電流損が大巾に低減されることに
なる。従って、透磁率の周波数依存性を大巾改善でき、
固定部と回転部との磁気結合係数を大きくとることがで
きる。しかも、磁性膜を分割したのでロータリトランス
の実質的な対向面積（表面積）を広くとることができる
。この結果、磁性材基材の対向面積を小さくしたとして
も所定の諸特性を得ることができ、ひいてはロータリト
ランスの大巾な小型化及び多チャンネル化を図ることが
できる。
第１図はＶＴＲの従来のロータリトランスコアの断面図
、第２図は同上の平面図、第３図〜第１０図は本発明の
第１の実施例を説明するためのものであって、第３図は
本発明のロータリトランスの組立縦断面図、第４図はロ
ータリトランスのロータの平面図、第５図は前記ロータ
の構造を説明するための部分拡大断面図、第６図は巻き
線と電極の接続関係を示すための平面図、第７図はフエ
ライトコア上に被着された磁性膜の分割形状を示すため
の平面図、第８図はパーマロイの表皮深度と周波数との
関係を示すグラフ、第９図Ａ〜Ｇは本発明の一実施例の
ロータリトランスを作製する手順を示す断面図、第１０
図はフエライト、均一に形成し磁性膜及び分割した磁性
膜のそれぞれの透磁率の周波数依存性を示すグラフ、第
１１図は本発明の第２の実施例を示す第５図と同様の断
面図、第１２図〜１４図は磁性膜の分割パターンの変形
例をそれぞれ示す平面図である。 なお図面に用いた符号において、 （８）………ロータ （９）………ステータ （１０）（１１）………フエライトコア（１５）………
磁性膜 （１６）………絶縁層 （１７）（１８）………巻き線 である。 代理人 土屋 勝 第１図 ２ ３ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 周波ｆＬ ＜ＭＨｚ） 第１０図 周波数（Ｍｌｈ） 第９図 第１□図 ””″””′°°−“°°“°°′。 （自発）手続補正書 特許庁長官殿 １、事件の表示 Ｆ＠１５６１Ｆ−特許願第１６４６６９号２、発明の名
称 事件との関係 特許出願人 コ ロ 補正により増加する発明の数 ？、？ｉ＠ＩＥ′′）”１明細書の発明の詳細な説明の
−及び図面８、補正の内容 （１）、明細書第４頁、表２Ｊとおいて［比抵抗ＰＪを
「比抵抗ｐ」と訂正します・ （２）、同一４頁、３行の「１５〇−以上の対向面積Ｊ
を「１５〇−以上の各チャンネルにおける対向面積」と
訂正します〇 （３）、同第７頁、１３〜１５行の「同心円上の・・・
・・・・・・に形成されている。」を［第４図に示すよ
うに同心円状に設けられている。」と訂正します。 Ｃ４１、図面の第４！ｉ！Ｊ、第５図及び第６図を別紙
添附の如く補正しすす。 一以 上− 乃４ 刀２ １ノ 第５図 ５ 第６図
、第２図は同上の平面図、第３図〜第１０図は本発明の
第１の実施例を説明するためのものであって、第３図は
本発明のロータリトランスの組立縦断面図、第４図はロ
ータリトランスのロータの平面図、第５図は前記ロータ
の構造を説明するための部分拡大断面図、第６図は巻き
線と電極の接続関係を示すための平面図、第７図はフエ
ライトコア上に被着された磁性膜の分割形状を示すため
の平面図、第８図はパーマロイの表皮深度と周波数との
関係を示すグラフ、第９図Ａ〜Ｇは本発明の一実施例の
ロータリトランスを作製する手順を示す断面図、第１０
図はフエライト、均一に形成し磁性膜及び分割した磁性
膜のそれぞれの透磁率の周波数依存性を示すグラフ、第
１１図は本発明の第２の実施例を示す第５図と同様の断
面図、第１２図〜１４図は磁性膜の分割パターンの変形
例をそれぞれ示す平面図である。 なお図面に用いた符号において、 （８）………ロータ （９）………ステータ （１０）（１１）………フエライトコア（１５）………
磁性膜 （１６）………絶縁層 （１７）（１８）………巻き線 である。 代理人 土屋 勝 第１図 ２ ３ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 周波ｆＬ ＜ＭＨｚ） 第１０図 周波数（Ｍｌｈ） 第９図 第１□図 ””″””′°°−“°°“°°′。 （自発）手続補正書 特許庁長官殿 １、事件の表示 Ｆ＠１５６１Ｆ−特許願第１６４６６９号２、発明の名
称 事件との関係 特許出願人 コ ロ 補正により増加する発明の数 ？、？ｉ＠ＩＥ′′）”１明細書の発明の詳細な説明の
−及び図面８、補正の内容 （１）、明細書第４頁、表２Ｊとおいて［比抵抗ＰＪを
「比抵抗ｐ」と訂正します・ （２）、同一４頁、３行の「１５〇−以上の対向面積Ｊ
を「１５〇−以上の各チャンネルにおける対向面積」と
訂正します〇 （３）、同第７頁、１３〜１５行の「同心円上の・・・
・・・・・・に形成されている。」を［第４図に示すよ
うに同心円状に設けられている。」と訂正します。 Ｃ４１、図面の第４！ｉ！Ｊ、第５図及び第６図を別紙
添附の如く補正しすす。 一以 上− 乃４ 刀２ １ノ 第５図 ５ 第６図
Claims (1)
- 磁性材料から成りかつ巻き線が配設された一対の基板を
回転部及び固定部にそれぞれ取付けて前記一対の基板及
び巻き線を互いに対向配置させ、前記回転部と前記固定
部との間で信号を無接触で伝送するようにしたロータリ
トランスにおいて、前記一対の基板のうちの少なくとも
一方の対内面に、前記基板の初期透磁率よりも高い初期
陶磁率を有しかつ多数区画に細分割されている磁性膜を
形成すると共に、前記巻き線と前起磁性膜とを互いに絶
縁した状態で配設したことを特徴とするロータリトラン
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164669A JPS5866314A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | ロ−タリトランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164669A JPS5866314A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | ロ−タリトランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866314A true JPS5866314A (ja) | 1983-04-20 |
| JPH0225244B2 JPH0225244B2 (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=15797571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56164669A Granted JPS5866314A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | ロ−タリトランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866314A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197807A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Tdk Corp | ロータリートランスの製造方法 |
| JPS58197806A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Tdk Corp | ロ−タリ−トランス |
| JPS5984410A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | ロ−タリトランス |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP56164669A patent/JPS5866314A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58197807A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Tdk Corp | ロータリートランスの製造方法 |
| JPS58197806A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Tdk Corp | ロ−タリ−トランス |
| JPS5984410A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | ロ−タリトランス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0225244B2 (ja) | 1990-06-01 |
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