JPS5867050A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS5867050A JPS5867050A JP56165334A JP16533481A JPS5867050A JP S5867050 A JPS5867050 A JP S5867050A JP 56165334 A JP56165334 A JP 56165334A JP 16533481 A JP16533481 A JP 16533481A JP S5867050 A JPS5867050 A JP S5867050A
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- stress
- sealing
- buffer
- semiconductor device
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- H10W74/141—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed the encapsulations being on at least the sidewalls of the semiconductor body
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- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置の構造に関するものであ
る。
る。
樹脂封止型半導体装置は、そこに使用されている封止樹
脂とリードフレーム、あるいは半導体素子(以下単Kl
子と呼ぶ)等の部材の熱膨張係数が大きく異なるため、
半導体装置の内部でひずみが起っている。特に封止樹脂
の熱膨張係数拡大きく、又その製造工程上150℃以上
の高温で封止樹N管硬化させるため、半導体装置を使用
する時Oii度即ち常温では封止樹脂が収縮し、かなシ
の応力が素子に加わっている。この封止樹脂の応力によ
り素子の電気的峙性、4Iに抵抗値は樹脂封止前と封止
後とでは大きく変動し1時には封止後のi1度変化で素
子の破、IIKK至ることがある。素子の集積度が向上
してきた現在、高熱伝導率の封止樹脂は不可欠なものと
なっている。しかし高熱伝導率の封止樹脂はどその成分
の関係から熱膨張率も高くなって匹るのが現状である。
脂とリードフレーム、あるいは半導体素子(以下単Kl
子と呼ぶ)等の部材の熱膨張係数が大きく異なるため、
半導体装置の内部でひずみが起っている。特に封止樹脂
の熱膨張係数拡大きく、又その製造工程上150℃以上
の高温で封止樹N管硬化させるため、半導体装置を使用
する時Oii度即ち常温では封止樹脂が収縮し、かなシ
の応力が素子に加わっている。この封止樹脂の応力によ
り素子の電気的峙性、4Iに抵抗値は樹脂封止前と封止
後とでは大きく変動し1時には封止後のi1度変化で素
子の破、IIKK至ることがある。素子の集積度が向上
してきた現在、高熱伝導率の封止樹脂は不可欠なものと
なっている。しかし高熱伝導率の封止樹脂はどその成分
の関係から熱膨張率も高くなって匹るのが現状である。
この封止樹脂による応力t−緩和するために、従来の半
導体装置は第1図の断面図に示すように、素子マウント
部2に接着された素子lt皺衝用樹M4で被覆して封止
樹脂の応力を防ぐ方法や、おるーは応力が加わること管
計算に入れ素子の回路上で抵抗値等をM!1して回路を
設計する方法等が考えられてiるが、第1図による方法
は緩衝効果というその性質上、Il衝吊用樹脂熱膨張係
数は大きくせざるを得ない、そのため素子1と接@線3
との接続部、即ち、第1図の点Aの部分が樹脂封止後の
温ff化により離脱する危険性がめる・さらにこの緩衝
用樹脂4t−設ける作業は、素子lと外部との接続線3
と會接続した後に行なう几め1作業中この接続m3e破
壊する危険性がある。又回路設計上で抵抗恒等t−調整
する方法は封止樹脂応力による特性変動の割合が一定し
ないため、非常に困難な方法である。
導体装置は第1図の断面図に示すように、素子マウント
部2に接着された素子lt皺衝用樹M4で被覆して封止
樹脂の応力を防ぐ方法や、おるーは応力が加わること管
計算に入れ素子の回路上で抵抗値等をM!1して回路を
設計する方法等が考えられてiるが、第1図による方法
は緩衝効果というその性質上、Il衝吊用樹脂熱膨張係
数は大きくせざるを得ない、そのため素子1と接@線3
との接続部、即ち、第1図の点Aの部分が樹脂封止後の
温ff化により離脱する危険性がめる・さらにこの緩衝
用樹脂4t−設ける作業は、素子lと外部との接続線3
と會接続した後に行なう几め1作業中この接続m3e破
壊する危険性がある。又回路設計上で抵抗恒等t−調整
する方法は封止樹脂応力による特性変動の割合が一定し
ないため、非常に困難な方法である。
本発明はかかる欠点を除去した樹脂封止型半導体装置を
提供することにある。
提供することにある。
以下本発明の要旨を実施例に基づいて説明する。
本発明の要旨は半導体素子の側面(回路面を上面とする
)のみに緩衝用樹脂を設けることによシ封止樹廁の応力
會緩和し、素子に前述のような影響を与えないようにす
ることにある。第2図は本発明の第1の実施例を示すも
ので(ωは断面図、伽)は平面図である。封止樹脂の膨
張収縮は等方的に起こるものであり、それ故素子に加わ
る応力は封止w脂の厚さに比例することになる。すなわ
ち第2図(−においてB方向の樹脂の厚さが薄くC方向
半を占めることになる。このことよシ樹脂応力の緩和に
は、素子の側面のみに緩衝用樹脂として封止樹脂よりも
柔らかい材料を用いた緩衝部を設けることによ)、その
効果を十分発揮するものである。
)のみに緩衝用樹脂を設けることによシ封止樹廁の応力
會緩和し、素子に前述のような影響を与えないようにす
ることにある。第2図は本発明の第1の実施例を示すも
ので(ωは断面図、伽)は平面図である。封止樹脂の膨
張収縮は等方的に起こるものであり、それ故素子に加わ
る応力は封止w脂の厚さに比例することになる。すなわ
ち第2図(−においてB方向の樹脂の厚さが薄くC方向
半を占めることになる。このことよシ樹脂応力の緩和に
は、素子の側面のみに緩衝用樹脂として封止樹脂よりも
柔らかい材料を用いた緩衝部を設けることによ)、その
効果を十分発揮するものである。
本発明の第1の実施例は、第2図(b)に示すように1
回路面5を上面とした場合、素子1の露出面のうち側面
全体に緩衝用樹脂を設けたものである。
回路面5を上面とした場合、素子1の露出面のうち側面
全体に緩衝用樹脂を設けたものである。
このようにすると、前述のような樹脂封止後の樹脂の収
縮による応力は直接素子に伝わらなくな)、電気特性等
の変動を防ぐどとが出来る。又、封止後の温度変化に対
しても同様に封止樹脂の膨張又は収縮による応力が素子
1に、伝わらず、素子lの破壊を防ぐことが出来る。さ
らに封止後の温度変化で接続線3が離脱するような危険
性は全くない、その上この緩衝用樹脂の被覆は素子1を
マウント後、外部との接続Ii3を設ける前に行なえる
ため、接続線3を破壊するような危険性は全くない、そ
れ故従来の製造方法を変えることなく歩留シを向上させ
ることが出来る。さらに樹脂系の素子マウント剤を用い
た製造方法においては、その欠点である素子マウント強
度が弱いという点も補うことが出来、かつマウント剤が
素子周辺部にはみ出し電流の漏れが起るような時でも緩
衝用樹脂によりて被覆されるため漏電の心配もなくすこ
とが出来、高信頼度の半導体装置を得ることが出来る。
縮による応力は直接素子に伝わらなくな)、電気特性等
の変動を防ぐどとが出来る。又、封止後の温度変化に対
しても同様に封止樹脂の膨張又は収縮による応力が素子
1に、伝わらず、素子lの破壊を防ぐことが出来る。さ
らに封止後の温度変化で接続線3が離脱するような危険
性は全くない、その上この緩衝用樹脂の被覆は素子1を
マウント後、外部との接続Ii3を設ける前に行なえる
ため、接続線3を破壊するような危険性は全くない、そ
れ故従来の製造方法を変えることなく歩留シを向上させ
ることが出来る。さらに樹脂系の素子マウント剤を用い
た製造方法においては、その欠点である素子マウント強
度が弱いという点も補うことが出来、かつマウント剤が
素子周辺部にはみ出し電流の漏れが起るような時でも緩
衝用樹脂によりて被覆されるため漏電の心配もなくすこ
とが出来、高信頼度の半導体装置を得ることが出来る。
この緩衝部を形成する緩衝用樹脂としては、東しシリコ
ーン社製JCR−6106,−6107,−610&−
6110,信越化学社製KJR−9010,−9020
゜−9030、−9031,−9034等が使用出来る
。
ーン社製JCR−6106,−6107,−610&−
6110,信越化学社製KJR−9010,−9020
゜−9030、−9031,−9034等が使用出来る
。
第3図は本発明の第2の実施例を示す平面図でおる。こ
れは半導体素子の対向2gA面のみに緩衝用樹脂4を設
け、半導体装置の長手方向からの封止樹脂応力を緩和し
たものである。樹脂封止型半導体装置の中でも、集積度
の高いものは該装置の幅に比べ長さが大のものが多い、
この嫌な半導体装置においては、第3図に示すC8方向
の応力に比べCI方向の応力が非常に大きい、それ故、
第2の実施例においても、封止樹脂応力に対する緩衝効
果は第1の実施例と同じとなることは明らかでるる、こ
の様にすると緩衝用樹脂の使用量が少ないため、コスト
の低減が行なえる。又、製造工程上も対向2側面のみに
緩衝用樹脂を使用すればよいため製造設備も簡略化出来
、歩留ルの向上及びコスト低減も行なえる。
れは半導体素子の対向2gA面のみに緩衝用樹脂4を設
け、半導体装置の長手方向からの封止樹脂応力を緩和し
たものである。樹脂封止型半導体装置の中でも、集積度
の高いものは該装置の幅に比べ長さが大のものが多い、
この嫌な半導体装置においては、第3図に示すC8方向
の応力に比べCI方向の応力が非常に大きい、それ故、
第2の実施例においても、封止樹脂応力に対する緩衝効
果は第1の実施例と同じとなることは明らかでるる、こ
の様にすると緩衝用樹脂の使用量が少ないため、コスト
の低減が行なえる。又、製造工程上も対向2側面のみに
緩衝用樹脂を使用すればよいため製造設備も簡略化出来
、歩留ルの向上及びコスト低減も行なえる。
第4図は本発明の第3の実施例を示す断面図である。こ
れは素子マウント部2が通常の位置よりも婢し下げられ
たリードフレームを使用したものである。
れは素子マウント部2が通常の位置よりも婢し下げられ
たリードフレームを使用したものである。
このようにすると緩衝用樹脂の塗布方法として素子の下
面方向より行なうことが出来1例えば素子iラント後緩
衝用樹脂を含んだローラーの上を通す等の方法が使用出
来、より自動化された設備を用いることが出来る。これ
によシコストの低減及び歩留夛の向上を計ることが出来
る。
面方向より行なうことが出来1例えば素子iラント後緩
衝用樹脂を含んだローラーの上を通す等の方法が使用出
来、より自動化された設備を用いることが出来る。これ
によシコストの低減及び歩留夛の向上を計ることが出来
る。
第1図は従来の緩衝用樹脂を設けた樹脂封止型半導体装
置の断面図、第2図(−は本発明の第1の実施例を示す
断面図及び(b)は平面図、第3図は本発明の第2の実
施例を示す断面図、第4図は本発明の第3の実施例を示
す断面図である。 1・・・・半導体素子、2・・・・素子マウント部、3
・・・・接続線、4・・・・緩衝用樹脂、5・・・・回
路面。 第2辺
置の断面図、第2図(−は本発明の第1の実施例を示す
断面図及び(b)は平面図、第3図は本発明の第2の実
施例を示す断面図、第4図は本発明の第3の実施例を示
す断面図である。 1・・・・半導体素子、2・・・・素子マウント部、3
・・・・接続線、4・・・・緩衝用樹脂、5・・・・回
路面。 第2辺
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置において、マウント部に接着され
専半導体素子の露出面のうち側面部の少なくとも対向す
る2餉面に封止樹脂応力に対する緩衝用樹脂を*覆した
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165334A JPS5867050A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165334A JPS5867050A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867050A true JPS5867050A (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=15810353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165334A Pending JPS5867050A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867050A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2617668A1 (fr) * | 1987-07-03 | 1989-01-06 | Radiotechnique Compelec | Dispositif comportant un circuit electronique monte sur un support souple et carte souple le comprenant |
| JP2012164697A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用パワーモジュール及び電力用半導体装置 |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP56165334A patent/JPS5867050A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2617668A1 (fr) * | 1987-07-03 | 1989-01-06 | Radiotechnique Compelec | Dispositif comportant un circuit electronique monte sur un support souple et carte souple le comprenant |
| JP2012164697A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用パワーモジュール及び電力用半導体装置 |
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