JPS5868036A - フオト又は放射線レジスト用感光剤 - Google Patents
フオト又は放射線レジスト用感光剤Info
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- JPS5868036A JPS5868036A JP16580881A JP16580881A JPS5868036A JP S5868036 A JPS5868036 A JP S5868036A JP 16580881 A JP16580881 A JP 16580881A JP 16580881 A JP16580881 A JP 16580881A JP S5868036 A JPS5868036 A JP S5868036A
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- compound
- enhanced
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はネカ型のフォト又は放射線レジストに用いる新
規なビスアジド系感光剤に関する。
規なビスアジド系感光剤に関する。
本発明による感光剤と信造的に関連している化合物とし
ては米国特許第２９４０８５３号に記載されている２、
６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）ンクロヘキサノン
、２，６−ビス（Ｐ−アジドベンジ１）デン）−４−メ
チルシクロヘキサノンあるいは米国特許第３７４９７１
３号に記載されている２゜６−ビス（ｐ−アジドベンジ
リデン）−４−ヒドロキシンクロヘキサノン、２，６−
ビス（ｐ−アジドシンナミＩＩデン）−４−ヒドロキシ
ンクロへギサノンなどが挙げられるが、シクロヘキサノ
ン環の４位（一般式ＣＩ）で表わされる化合物のＸ）の
置換基の違いに於いて本発明と異なっている。
ては米国特許第２９４０８５３号に記載されている２、
６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）ンクロヘキサノン
、２，６−ビス（Ｐ−アジドベンジ１）デン）−４−メ
チルシクロヘキサノンあるいは米国特許第３７４９７１
３号に記載されている２゜６−ビス（ｐ−アジドベンジ
リデン）−４−ヒドロキシンクロヘキサノン、２，６−
ビス（ｐ−アジドシンナミＩＩデン）−４−ヒドロキシ
ンクロへギサノンなどが挙げられるが、シクロヘキサノ
ン環の４位（一般式ＣＩ）で表わされる化合物のＸ）の
置換基の違いに於いて本発明と異なっている。
半導体工業における累子微細加工技術の分野などにおい
て、ビスアジド化合物は微細パターンの形成に腺して使
用されるフォト又は放射線レジストの感光剤として有用
に用いられてｌＡる。近年の半導体工業の急速な進歩に
伴ない、フォトレジストの製造に於いても広範な機能１
％性回上が求められているが初め引用しにビスアジド化
合物群は有機溶剤に対Ｔる溶解性およびベース樹脂との
相溶性の制約からポ１１イソプレン、ボ１１ブタジン等
のゴム糸フォトレジストに使用が限られていた。
て、ビスアジド化合物は微細パターンの形成に腺して使
用されるフォト又は放射線レジストの感光剤として有用
に用いられてｌＡる。近年の半導体工業の急速な進歩に
伴ない、フォトレジストの製造に於いても広範な機能１
％性回上が求められているが初め引用しにビスアジド化
合物群は有機溶剤に対Ｔる溶解性およびベース樹脂との
相溶性の制約からポ１１イソプレン、ボ１１ブタジン等
のゴム糸フォトレジストに使用が限られていた。
第２に引用したイじ合物群は溶解性の観、壱から前記ビ
ス了５２ドに数置に加えたものであるが、前駆体たる４
−ヒドロギシンクロヘキサノンの市販原料からの収率が
著しく低い（１６５％、 Ｄ、Ｅ Ｅｍｍｅｒｔａｎｄ
Ｄ、 Ｌｅｄｎｉｃｅｒ、 ｏｒＢ、 Ｐｒｅｐ、
Ｐｒｏｃｅｄｌ、 １（２）、 １２７−１２９（１９
６９）ことなどから実用性に問題があった。
ス了５２ドに数置に加えたものであるが、前駆体たる４
−ヒドロギシンクロヘキサノンの市販原料からの収率が
著しく低い（１６５％、 Ｄ、Ｅ Ｅｍｍｅｒｔａｎｄ
Ｄ、 Ｌｅｄｎｉｃｅｒ、 ｏｒＢ、 Ｐｒｅｐ、
Ｐｒｏｃｅｄｌ、 １（２）、 １２７−１２９（１９
６９）ことなどから実用性に問題があった。
この佃にも現用のビスアジド化合物には以下の、Ｑに改
善又は特性向上が望まれている。
善又は特性向上が望まれている。
アルカ１１水溶液による現像はレジスト膨潤が少ないた
め微細パターン形成に有効な方法として知られているが
、手配ビスアジド化合物はアルカ１）水溶液に対重る浴
ｍ性が乏しいためこの埃稼法を用いることができない。
め微細パターン形成に有効な方法として知られているが
、手配ビスアジド化合物はアルカ１）水溶液に対重る浴
ｍ性が乏しいためこの埃稼法を用いることができない。
父、半導体基板とレジストとの接着性は素子微バー１１
加工の祐黒゛１歩止りに中要な役割を果丁ので向上の望
１れている特性であるが、功用ビス了シト化合物は基８
ｉ表面（無機質）との相互作用に乏しいため接着性の面
では寄与が少ない。
加工の祐黒゛１歩止りに中要な役割を果丁ので向上の望
１れている特性であるが、功用ビス了シト化合物は基８
ｉ表面（無機質）との相互作用に乏しいため接着性の面
では寄与が少ない。
ヌ、ビスアジド化合物は光のみならず放射線に対しても
感応下るが、エネルギーの吸収効率が低いためこれ？用
いにレジストは感度が低い。
感応下るが、エネルギーの吸収効率が低いためこれ？用
いにレジストは感度が低い。
本発明の目的に、上記した駅用ビスアジド化合物の欠点
をなくしたフォトヌは放射線レジスト用感光剤を提供す
るにある。
をなくしたフォトヌは放射線レジスト用感光剤を提供す
るにある。
上記目的を達ｆｆＴるｋめに鋭意検討した結果、一般式
％式％
−３ｉＲ；、−ＯＲ’、ハロゲン（Ｒ玉低級了ルキレン
基、Ｒ２は水素又は低級アルキル基、Ｒ５、Ｒｔは低級
アルキル基を表わす。）から選択されに基、Ｙ、Ｚは水
素又は−Ｎ、又は−３ｏ２Ｎ、を表ゎり、 Ｙが水素
の時１ｆｆ−Ｎ、ヌは一３ｏ２Ｎ、、 Ｚが水素の時
Ｙｆｌ−Ｎ３又１ｄ−３ｏ２Ｎ、である。〕で表わされ
るビスアジド化合物が置換基Ｘの違いによって前述した
個々の目的に合致したフォト又は放射線レジスト用感光
剤となることを見い出し、これらを合成した。
基、Ｒ２は水素又は低級アルキル基、Ｒ５、Ｒｔは低級
アルキル基を表わす。）から選択されに基、Ｙ、Ｚは水
素又は−Ｎ、又は−３ｏ２Ｎ、を表ゎり、 Ｙが水素
の時１ｆｆ−Ｎ、ヌは一３ｏ２Ｎ、、 Ｚが水素の時
Ｙｆｌ−Ｎ３又１ｄ−３ｏ２Ｎ、である。〕で表わされ
るビスアジド化合物が置換基Ｘの違いによって前述した
個々の目的に合致したフォト又は放射線レジスト用感光
剤となることを見い出し、これらを合成した。
以下１本発明について詳細に説明下る。
置換基Ｘを−Ｒ’−ＯＨ（但し Ｒ１は低級アルキレン
基を表わ丁。）とした場合１分子内に極性な水酸基が導
入されるため、Ｘがアルキルの場合に比べて化合物ＣＩ
）の極性溶剤に対する溶解性は大幅に向上する。この場
合ＣＩ）は１級アルコールであるので、２級アルコール
であるＸ＝−ＯＨの場合に片べてもより極性が高まり、
極性溶剤に対する溶解性が大幅に向上すると共に極性ポ
リマとの相溶性も艮くなっｆｃｏ この結果、フォト又
は放射線レレスト用ベースボ１１７も極性ボ１】マを含
んだ広い範囲から選択できるようになった。
基を表わ丁。）とした場合１分子内に極性な水酸基が導
入されるため、Ｘがアルキルの場合に比べて化合物ＣＩ
）の極性溶剤に対する溶解性は大幅に向上する。この場
合ＣＩ）は１級アルコールであるので、２級アルコール
であるＸ＝−ＯＨの場合に片べてもより極性が高まり、
極性溶剤に対する溶解性が大幅に向上すると共に極性ポ
リマとの相溶性も艮くなっｆｃｏ この結果、フォト又
は放射線レレスト用ベースボ１１７も極性ボ１】マを含
んだ広い範囲から選択できるようになった。
置換基Ｘ ’ｆ−ＣＯＯＨとした場合、ビスアジド化合
物の分子内に酸性基が導入されるためアルカリ水溶液に
対Ｔる溶解性が大きくなる。このため、従来のビスアジ
ド化合物を用いたフォトレジストでは問題点のあったア
ルカ１１現像が本化合物を用いることにより極めて容易
となった。
物の分子内に酸性基が導入されるためアルカリ水溶液に
対Ｔる溶解性が大きくなる。このため、従来のビスアジ
ド化合物を用いたフォトレジストでは問題点のあったア
ルカ１１現像が本化合物を用いることにより極めて容易
となった。
置換基Ｘを一３ｉＲ： （但し Ｒ３は低級アルキル基
を表わ丁。）とした場合、基板下地の無機質との相互作
用が有機成分のみからなるビスアジド化合物に片べて増
大するためこれを感光剤とするレジストは半導体基板と
の接着性が大幅に同上する。
を表わ丁。）とした場合、基板下地の無機質との相互作
用が有機成分のみからなるビスアジド化合物に片べて増
大するためこれを感光剤とするレジストは半導体基板と
の接着性が大幅に同上する。
置換基Ｘを一０Ｒ４（但し、 Ｒ’ｆｌ低級アルキル基
を表わ丁。）とし女湯合１分子内に極性なメトキシ基が
導入されるためＸがアルキル基に比べて化合物ＣＩ）の
榛性溶剤に対重る溶解性、極性ポリマに対する相溶性が
向上する。但し、Ｘが水酸基の場合に比べると上記のい
ずれの特徴においてもその効果は若干低い傾向にある。
を表わ丁。）とし女湯合１分子内に極性なメトキシ基が
導入されるためＸがアルキル基に比べて化合物ＣＩ）の
榛性溶剤に対重る溶解性、極性ポリマに対する相溶性が
向上する。但し、Ｘが水酸基の場合に比べると上記のい
ずれの特徴においてもその効果は若干低い傾向にある。
しかしながら本化合物が大きな％徴とするところに前駆
体の収率が極めて萬い点にあり工業的観、壱からの効果
は極めて大きい。即ち、前駆体である４−メトキシシク
ロヘキサノンはＰ−メトキシフェノールから水素添加と
それにわｔくクロム酸酸化によって７０％以上の高収藁
で得ることができる。
体の収率が極めて萬い点にあり工業的観、壱からの効果
は極めて大きい。即ち、前駆体である４−メトキシシク
ロヘキサノンはＰ−メトキシフェノールから水素添加と
それにわｔくクロム酸酸化によって７０％以上の高収藁
で得ることができる。
＃換基Ｘをハロゲンとした場合、従来のビスアシト化合
物とに異なって分子を構成する原子群の中に密度の高い
屯絆子ハロゲンを含むｋめ、′市午ｉ、Ｘ＆！なとの放
射線エイ・ルキー吸収効率が増大−「る。このｆｃＷ＞
放射線しｔンスト用感元剤として用いたＪＺ３合にはか
・射線感応性が大きくなりハロゲンを含寸ないものに比
べしｉンスト感度が向上する。
物とに異なって分子を構成する原子群の中に密度の高い
屯絆子ハロゲンを含むｋめ、′市午ｉ、Ｘ＆！なとの放
射線エイ・ルキー吸収効率が増大−「る。このｆｃＷ＞
放射線しｔンスト用感元剤として用いたＪＺ３合にはか
・射線感応性が大きくなりハロゲンを含寸ないものに比
べしｉンスト感度が向上する。
り下、木ヅ己明によって１Ｒ−供されるビス了亡ンド化
合物とその合成法を実施例によって説明する。
合物とその合成法を実施例によって説明する。
実施例１２．６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−ヒ
ドロキンメチルンクロヘキサノンｔｔＥ、 ｊｕｎｇ、
Ｒ，Ｗ Ｂｒｏｗｎらの方法（Ｔｅｔｒａｈａｄｒｏ
ｎＬｅｔ、ｔ、、、２７７１〜２７７４（１９７８））
に従って合成した４−ヒトロギンメチルンクロへギザノ
ン１ｇ。
ドロキンメチルンクロヘキサノンｔｔＥ、 ｊｕｎｇ、
Ｒ，Ｗ Ｂｒｏｗｎらの方法（Ｔｅｔｒａｈａｄｒｏ
ｎＬｅｔ、ｔ、、、２７７１〜２７７４（１９７８））
に従って合成した４−ヒトロギンメチルンクロへギザノ
ン１ｇ。
バラ了シトベンヌ゛了ルデヒ）’ ３ ｉ ’ｘエタノ
ール１０ｍ犯に溶乃・９し、０．４９の水酸化ナトＩＩ
ウムを０４ｍ１（１）／ＫＭこｆｃ４ Ｖ Ｌ ｆｃ溶
液ｗ１７５ｉｉ−加え、かっ色フラスコ中室温で２日間
反応させた。吸引口過によって化１ノｌｊ Ｌ ｆｃ結
晶を分は収り、エタノール洗浄後エチルセロソルブから
再結晶して分解点１４５−１５５℃（示差熱分析法、昇
温速度５℃／ｍ１ｎ）の黄色結晶０５Ｉを得た。この生
成物はスペクトル分析により題記の化合物であることを
確認しに０以下に生成物の構造に特徴的な赤外吸収スペ
クトルのデータ及び元素分析値を示Ｔ。赤外吸収。
ール１０ｍ犯に溶乃・９し、０．４９の水酸化ナトＩＩ
ウムを０４ｍ１（１）／ＫＭこｆｃ４ Ｖ Ｌ ｆｃ溶
液ｗ１７５ｉｉ−加え、かっ色フラスコ中室温で２日間
反応させた。吸引口過によって化１ノｌｊ Ｌ ｆｃ結
晶を分は収り、エタノール洗浄後エチルセロソルブから
再結晶して分解点１４５−１５５℃（示差熱分析法、昇
温速度５℃／ｍ１ｎ）の黄色結晶０５Ｉを得た。この生
成物はスペクトル分析により題記の化合物であることを
確認しに０以下に生成物の構造に特徴的な赤外吸収スペ
クトルのデータ及び元素分析値を示Ｔ。赤外吸収。
１６ｏｏｃｍ’（＼Ｃ＝Ｏ）、２１３０ｃｍ ’（Ｎ３
）。元素／ 分析” ２１Ｈ１８０２Ｎ６ としての計算値： Ｃ
，６５，３；Ｈ。
）。元素／ 分析” ２１Ｈ１８０２Ｎ６ としての計算値： Ｃ
，６５，３；Ｈ。
４．７；Ｎ、２１．８夫験値：Ｃ，６５，５；Ｈ，４，
７；Ｎ；２２．０゜２．６−ジ（４′−７ジドベンザル
）−４−ヒドロキシンクロヘキサノンに比べ１本生成物
は６倍以上のメチルセロソルブに対する溶解性を示し女
。
７；Ｎ；２２．０゜２．６−ジ（４′−７ジドベンザル
）−４−ヒドロキシンクロヘキサノンに比べ１本生成物
は６倍以上のメチルセロソルブに対する溶解性を示し女
。
実ｔｓ例２２．６−ジ（４′−アジドシンナミリデン）
−４−とドロキシメチルシクロヘキサノン４−ヒドロキ
シメチルｉノグロへキサノン１２゜バラ７ジドケイ皮ア
ルテヒ）’ ３．５ ｇ 、エタノール１５ｍ２から成
るけん濁液に水酸化す１・ＩＩウム・ ７ ０５２、水０．８ｙから成る溶液を加えかっ色フラスコ
中室温２日間檀拌した。生成した紗晶を吸引口過ＫＬっ
て分は収りエタノールで洗浄しに後、エチルセロソルブ
から再結晶して分解点１６０−１６５℃（示差熱分析法
、昇温速度５℃／ｍ１ｎ）の橙色結晶０．６ 、ｑ ’
ｌｔｒ、ｊた。この生成物にスペクトル分析により題Ｈ
１の化合物であること乞確認しに０赤外吸収： １６０
０ｃｍ ’ （＼Ｃ＝Ｏ） 、２１５０ｃｍ ’（−Ｎ
３）。
−４−とドロキシメチルシクロヘキサノン４−ヒドロキ
シメチルｉノグロへキサノン１２゜バラ７ジドケイ皮ア
ルテヒ）’ ３．５ ｇ 、エタノール１５ｍ２から成
るけん濁液に水酸化す１・ＩＩウム・ ７ ０５２、水０．８ｙから成る溶液を加えかっ色フラスコ
中室温２日間檀拌した。生成した紗晶を吸引口過ＫＬっ
て分は収りエタノールで洗浄しに後、エチルセロソルブ
から再結晶して分解点１６０−１６５℃（示差熱分析法
、昇温速度５℃／ｍ１ｎ）の橙色結晶０．６ 、ｑ ’
ｌｔｒ、ｊた。この生成物にスペクトル分析により題Ｈ
１の化合物であること乞確認しに０赤外吸収： １６０
０ｃｍ ’ （＼Ｃ＝Ｏ） 、２１５０ｃｍ ’（−Ｎ
３）。
／
元素分析” ２ＳＨ２２０２Ｎｄとしての計算値：Ｃ，
６８，５；Ｈ、５，Ｏｉ Ｎ 、 １ ９． ２
’４ノ；ｆ験イ＠ ： Ｃ，６８，７；Ｈ，４
，７；Ｈ，１８，９゜２．６−ジ（４′−７ジドンンナ
ミ１１テン）−４−ヒドロキシンクロへキサノンに比べ
１本生成物は２倍り」−のメチルセロソルブに対する溶
解性を示しに０ 実施ｆｌ１３ ２ 、６−ジ（４′−７，ンドベンザル
）−４−カルポギノルノグロヘキザノン ４−メトキンカルボニルシクロへキサノン５２゜パラア
ジドベンズテルデヒド１０１１を５０ｍＡのエタノール
に溶解し、２ｔの水酸化ナトリウムを４ｍ２ の水に溶
解した溶液を加え、かっ色フラスコ中で６時間還流し女
。吸引口過によって生成した結晶を分は取り、次いでこ
れを希塩酸で数回処理しに０水による洗浄の後、メタノ
ールから再結晶して分解点１５０〜１５５℃（示差熱分
析法、昇温速度５℃／ｍ１ｎ）の黄橙色結晶ｔ ｅ １
ｙ、、（得に０この生成物はスペクトル分析１允素分
析、ブロモチモールブルーによるカルボキシル基の比色
試験により頭記の化合物であること乞確認した。赤外吸
収：１６００ｃｍ’（”Ｃ＝０）、２１３０ｃｍ ’
（−Ｎ５）。元素／ 分析゛Ｃ２１Ｈ４６０，Ｎ６としての計算値：Ｃ，６３
，［ｌ；Ｈ。
６８，５；Ｈ、５，Ｏｉ Ｎ 、 １ ９． ２
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，７；Ｈ，１８，９゜２．６−ジ（４′−７ジドンンナ
ミ１１テン）−４−ヒドロキシンクロへキサノンに比べ
１本生成物は２倍り」−のメチルセロソルブに対する溶
解性を示しに０ 実施ｆｌ１３ ２ 、６−ジ（４′−７，ンドベンザル
）−４−カルポギノルノグロヘキザノン ４−メトキンカルボニルシクロへキサノン５２゜パラア
ジドベンズテルデヒド１０１１を５０ｍＡのエタノール
に溶解し、２ｔの水酸化ナトリウムを４ｍ２ の水に溶
解した溶液を加え、かっ色フラスコ中で６時間還流し女
。吸引口過によって生成した結晶を分は取り、次いでこ
れを希塩酸で数回処理しに０水による洗浄の後、メタノ
ールから再結晶して分解点１５０〜１５５℃（示差熱分
析法、昇温速度５℃／ｍ１ｎ）の黄橙色結晶ｔ ｅ １
ｙ、、（得に０この生成物はスペクトル分析１允素分
析、ブロモチモールブルーによるカルボキシル基の比色
試験により頭記の化合物であること乞確認した。赤外吸
収：１６００ｃｍ’（”Ｃ＝０）、２１３０ｃｍ ’
（−Ｎ５）。元素／ 分析゛Ｃ２１Ｈ４６０，Ｎ６としての計算値：Ｃ，６３
，［ｌ；Ｈ。
４．０ ；Ｎ 、 ２ ＋、ｏ 、実測値：Ｃ，６２，
６；Ｈ，３，９；Ｈ，２０，６゜実施例４２，６−ジ（
４′−アジドシンナミリデン）−４−カルボキシルンク
ロへキサノン４−メトキシカルボニルシクロへキサノン
１２、パラアジドケイ皮アルデヒド２ｙ’、ｒ１０Ｊ２
のエタ７ノールに’ｆＲ岸ｆＬ、０．４ ｐ（７）Ｎａ
ＯＨ乞４ｍＲの水に浴厘〔した浴液を加え、かっ色フラ
スコ中で５０℃６時間反応させた。吸引口過に、Ｕっで
生成した結晶を分は取り、次いでこれに希塩酸で数回処
理した。水による洗浄の後ノヂルセロソルブかう再結晶
して分解点１６５−１７０℃（示差熱分析法、昇温、’
＋ｌ ＋＝ ５℃／ｍ１ｎ）の橙色結晶０３１？得に０
この生成物（ｒｌスベグトル分分析９素素析、ブロモチ
モールブルーによる１ヒ色試験により連記の化合物であ
ること”ｅ ６（ｔｌ認しに、赤外吸収 １５９５ｃｍ
’（ゝｃ ＝ｏ） 。
６；Ｈ，３，９；Ｈ，２０，６゜実施例４２，６−ジ（
４′−アジドシンナミリデン）−４−カルボキシルンク
ロへキサノン４−メトキシカルボニルシクロへキサノン
１２、パラアジドケイ皮アルデヒド２ｙ’、ｒ１０Ｊ２
のエタ７ノールに’ｆＲ岸ｆＬ、０．４ ｐ（７）Ｎａ
ＯＨ乞４ｍＲの水に浴厘〔した浴液を加え、かっ色フラ
スコ中で５０℃６時間反応させた。吸引口過に、Ｕっで
生成した結晶を分は取り、次いでこれに希塩酸で数回処
理した。水による洗浄の後ノヂルセロソルブかう再結晶
して分解点１６５−１７０℃（示差熱分析法、昇温、’
＋ｌ ＋＝ ５℃／ｍ１ｎ）の橙色結晶０３１？得に０
この生成物（ｒｌスベグトル分分析９素素析、ブロモチ
モールブルーによる１ヒ色試験により連記の化合物であ
ること”ｅ ６（ｔｌ認しに、赤外吸収 １５９５ｃｍ
’（ゝｃ ＝ｏ） 。
／
２１４０ｃｍ−’（−Ｎ５）。元素分析 Ｃ２，Ｈ２ｏ
Ｏ３Ｎ６ としての３１ ｐ“１１白 Ｃ，６６，
４；Ｈ，４，４；を寸 、１８．６． 実測イｐ
Ｃ。
Ｏ３Ｎ６ としての３１ ｐ“１１白 Ｃ，６６，
４；Ｈ，４，４；を寸 、１８．６． 実測イｐ
Ｃ。
５９．９：Ｈ，４，５；Ｎ、１８．２゜実施イ列５ ２
．６−、／（４’−アジドベンザル）−４−工１−キン
カルボニルシクロヘキサノン実施例５でイ１、；られに
２，６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルホキジ
ルカルボニルシクロへキサノン０．８１を１０ｍＲのエ
タノールに加えてけん濁液とした。次に畠硫酸？数滴加
えた後ろ時間還流した。冷却後、得られた結晶を吸引口
過によって分は収り、水洗浄の後アルコールから再結晶
して分解点１５０−１５５℃（示差熱分析法、昇温速度
５℃／ｍ１ｎ）の黄橙色の結晶０．５ ｆ’ｌａｘ得た
。この生成物はスペクトル分析９兄素分析から連記の化
合物であることを確認した。赤外吸収 １５９５ｃｍ’
（′Ｃ−０） 、 ２１４０ｃｍ ’（−Ｎ５）。元素
分析’ Ｃ２７Ｈ２４０５／ Ｎとしての利算値 Ｃ，６７，５，Ｈ，５，Ｏ；Ｎ、１
７．５゜実測価：Ｃ，６７，３；Ｈ，４，９；Ｎ、１６
．９゜実施例６２，６−ジ（４′〜アジドベンザル）−
４−トリメチルシリルンクロへキサノン４−トリメチル
シリルシクロへキサノン１７ｔ。
．６−、／（４’−アジドベンザル）−４−工１−キン
カルボニルシクロヘキサノン実施例５でイ１、；られに
２，６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルホキジ
ルカルボニルシクロへキサノン０．８１を１０ｍＲのエ
タノールに加えてけん濁液とした。次に畠硫酸？数滴加
えた後ろ時間還流した。冷却後、得られた結晶を吸引口
過によって分は収り、水洗浄の後アルコールから再結晶
して分解点１５０−１５５℃（示差熱分析法、昇温速度
５℃／ｍ１ｎ）の黄橙色の結晶０．５ ｆ’ｌａｘ得た
。この生成物はスペクトル分析９兄素分析から連記の化
合物であることを確認した。赤外吸収 １５９５ｃｍ’
（′Ｃ−０） 、 ２１４０ｃｍ ’（−Ｎ５）。元素
分析’ Ｃ２７Ｈ２４０５／ Ｎとしての利算値 Ｃ，６７，５，Ｈ，５，Ｏ；Ｎ、１
７．５゜実測価：Ｃ，６７，３；Ｈ，４，９；Ｎ、１６
．９゜実施例６２，６−ジ（４′〜アジドベンザル）−
４−トリメチルシリルンクロへキサノン４−トリメチル
シリルシクロへキサノン１７ｔ。
パラアジドベンズアルデヒド２２＃’＆１００ｎ１２の
エタノールに溶解し、１ｔの水酸化ナトリウムを１ １ｍＲの水に’Ａｉｉ ｊＱすＩ した浴液を加え、か
っ色フラスコ中室温で２日間反応させＲ０吸引口過によ
って生成した結晶を分は収り、エタノールとエチルセロ
ソルブの混合液から再結晶して分解小１４５−１５０℃
（示差熱分析法、昇温速度５℃／ｍ１ｎ）の黄色結晶４
．２９”；ｌ ｆ７ｉ°に０この生成物はスペクトル分
析及び元素分析（でより連記の化合物であること馨確認
した。赤外吸収：１６００ｃｍ’（ゝＣ＝０） 、 ２
１３０ａｍｌ’／ （−旧）。元素分析 Ｃ，Ｈ２４ＯＮ６Ｓ工としての計
算価。
エタノールに溶解し、１ｔの水酸化ナトリウムを１ １ｍＲの水に’Ａｉｉ ｊＱすＩ した浴液を加え、か
っ色フラスコ中室温で２日間反応させＲ０吸引口過によ
って生成した結晶を分は収り、エタノールとエチルセロ
ソルブの混合液から再結晶して分解小１４５−１５０℃
（示差熱分析法、昇温速度５℃／ｍ１ｎ）の黄色結晶４
．２９”；ｌ ｆ７ｉ°に０この生成物はスペクトル分
析及び元素分析（でより連記の化合物であること馨確認
した。赤外吸収：１６００ｃｍ’（ゝＣ＝０） 、 ２
１３０ａｍｌ’／ （−旧）。元素分析 Ｃ，Ｈ２４ＯＮ６Ｓ工としての計
算価。
Ｃ，６４，５；Ｈ，５，６；Ｎ、 １９６ 、 実
験イ面 ：Ｃ，６４，７；Ｈ。
験イ面 ：Ｃ，６４，７；Ｈ。
５．２；Ｎ、１９．５゜
実施例７２．６−ジ（４′−アジドシンナミリデン）−
４−トリフチルシクロヘキサノン４−トリメチルシリル
ンクロへキサノン１５２゜バラアジドケイ皮アルデヒド
２．５ｙ、エタノール１５ｍ２から成るけん濁液に水酸
化ナトリウノｓｏ、２ｙｔ水０４９から成る溶液ン加え
、かっ色フラスコ中・ １２ 室温で２日間攪拌し女。生成した結晶を吸引口過によっ
て分は取りエタノールで洗浄後、エチルセロソルブから
再結晶して分解、ｌ、１．１１６５−１７０℃（示差熱
分析法、昇温速度５℃／ｍ１ｎ）の橙色結晶０４２を得
た。この生成物はスペクトル分析及び元素分析により連
記の化合物であることを確認した。赤外吸収： １５９
５ｃｍ ’ （ゝＣ＝０） 、 ２１５０ｃｍ ’（−
Ｎ、）。
４−トリフチルシクロヘキサノン４−トリメチルシリル
ンクロへキサノン１５２゜バラアジドケイ皮アルデヒド
２．５ｙ、エタノール１５ｍ２から成るけん濁液に水酸
化ナトリウノｓｏ、２ｙｔ水０４９から成る溶液ン加え
、かっ色フラスコ中・ １２ 室温で２日間攪拌し女。生成した結晶を吸引口過によっ
て分は取りエタノールで洗浄後、エチルセロソルブから
再結晶して分解、ｌ、１．１１６５−１７０℃（示差熱
分析法、昇温速度５℃／ｍ１ｎ）の橙色結晶０４２を得
た。この生成物はスペクトル分析及び元素分析により連
記の化合物であることを確認した。赤外吸収： １５９
５ｃｍ ’ （ゝＣ＝０） 、 ２１５０ｃｍ ’（−
Ｎ、）。
／
元素分析゛Ｃ２７Ｈ２８ＯＮ６Ｓ１としての計算値：Ｃ
，６７，５ｉＨ，５，８；Ｎ、１７．５．実験値 Ｃ，
６７，４，Ｈ，５，７：Ｎ。
，６７，５ｉＨ，５，８；Ｎ、１７．５．実験値 Ｃ，
６７，４，Ｈ，５，７：Ｎ。
１７２゜
実施例８２．６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−メ
トキシンクロヘキサノン ４−メトキンシクロへキサノン１０＃、バラアジドベン
ズアルデヒド３０＃をエタノール１００ｍｆ！。
トキシンクロヘキサノン ４−メトキンシクロへキサノン１０＃、バラアジドベン
ズアルデヒド３０＃をエタノール１００ｍｆ！。
に溶解し、１ｔの水酸化ナトリウム７１ｎＪの水に溶解
した溶液？加え、かっ色フラスコ中室温で２日間々応さ
せた。吸引口過によって生成した結晶ヶ分けＩＩＹす、
エタノール洗浄後エチルセロソルブからＦＳ Ｍｒ□品
して分ｌ？１Ｉ（ｙ：、ｉ １４５−１５０℃（示差熱
分析法、Ｙ１温斗度５℃／ｎｎ１ｎ）の黄色結晶４７１
を得几。
した溶液？加え、かっ色フラスコ中室温で２日間々応さ
せた。吸引口過によって生成した結晶ヶ分けＩＩＹす、
エタノール洗浄後エチルセロソルブからＦＳ Ｍｒ□品
して分ｌ？１Ｉ（ｙ：、ｉ １４５−１５０℃（示差熱
分析法、Ｙ１温斗度５℃／ｎｎ１ｎ）の黄色結晶４７１
を得几。
この主成物はスペクトル分析及び元素分析により題３１
′の化合物であること”ｘ １ｍ： Ｗ２しに０赤外吸
収１６００ｃｍ’−’（＼［：＝Ｏ） 、２１３０ｃｍ
’（−Ｎ３）。元素分／ （ブｌ” Ｃ２１Ｈ１８０２Ｎ６としての泪算領： Ｃ
，６５，３；Ｈ，４，７；Ｎ、２１．８．実験値 Ｃ，
６５，１；Ｈ，４，７；Ｎ、２１．５゜実施例９２．６
〜ジ（４′−アジドシンナミリデン）−４−メトギ７ン
ク口へキサノン ４−メトキシンクロへキサノン１！、バラアジドケイ皮
アルデヒド３５Ｆ、エタノール１５ｍρから成るけんン
蜀１＋に水酸化ナトリウム０５ｔ、水０８ｇからＩＪＹ
るＭＵ？加えかっ色フラスコ中２日間攪拌しｆｃ、生成
した結晶？吸引１７過によって分は収りエタノールで洗
浄した後、エチルセロソルブから再結晶して分力’ｆ、
Ｉ、’、、ｉ ＋ ６５ １７０℃（示差熱分析法）。
′の化合物であること”ｘ １ｍ： Ｗ２しに０赤外吸
収１６００ｃｍ’−’（＼［：＝Ｏ） 、２１３０ｃｍ
’（−Ｎ３）。元素分／ （ブｌ” Ｃ２１Ｈ１８０２Ｎ６としての泪算領： Ｃ
，６５，３；Ｈ，４，７；Ｎ、２１．８．実験値 Ｃ，
６５，１；Ｈ，４，７；Ｎ、２１．５゜実施例９２．６
〜ジ（４′−アジドシンナミリデン）−４−メトギ７ン
ク口へキサノン ４−メトキシンクロへキサノン１！、バラアジドケイ皮
アルデヒド３５Ｆ、エタノール１５ｍρから成るけんン
蜀１＋に水酸化ナトリウム０５ｔ、水０８ｇからＩＪＹ
るＭＵ？加えかっ色フラスコ中２日間攪拌しｆｃ、生成
した結晶？吸引１７過によって分は収りエタノールで洗
浄した後、エチルセロソルブから再結晶して分力’ｆ、
Ｉ、’、、ｉ ＋ ６５ １７０℃（示差熱分析法）。
昇温速度５℃／ｍ１ｎ）の橙色結晶０５１を得Ｒ０この
生成物はスペクトル分析９九素分析によって連記のイじ
合物であること乞確認した。赤外吸収。
生成物はスペクトル分析９九素分析によって連記のイじ
合物であること乞確認した。赤外吸収。
１１００ｃｍ’（−０ＣＨｘ）、１６００ｃｍ （／
Ｃ＝０）。
Ｃ＝０）。
２１５０ｃｍ ’ （−Ｎａ）。元素分析’ Ｃ２５Ｈ
２２０２Ｎ／、 としての計算値 Ｃ，６８，５ｉＨ
，５，ＯｉＮ、１９．２．実験値。
２２０２Ｎ／、 としての計算値 Ｃ，６８，５ｉＨ
，５，ＯｉＮ、１９．２．実験値。
Ｃ，６８，１；Ｈ，４，８；Ｎ、１９．０゜実施例１０
２．６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−クロロシ
クロ−キサノン ４−クロロシクロへギザノン１ｆ、バラアジドベンズア
ルデヒド３ｔｒエタノール１０ｍβに溶解し、０．１ｆ
の水酸化ナトリウムを０．１ｍｌの水に溶触した溶液を
加え、かっ色フラスコ中室温で２日ｍ１反応させに０吸
引口過によって生成しん結晶を分は取り、エタノール洗
浄後エタノールとエチルセロソルブの混液から再結晶し
て分解点１４５−１５０℃（示差熱分析広、契温速度５
℃／ｍ ｉ ｎ ）の黄色結５ 晶０ろｔ 馨１１ｒ ｆｔ ａ この生成物にバイルン
ユタインテスト（陽性を示しＩＣ）、スペクトル分析に
工Ｖ題配り１し合物であることを確認し声。赤外吸収１
５９５ｃｍ ’ （、ｃ＝ｏ ） 、２已Ｇｅｍ’（−
Ｎ３）。
２．６−ジ（４′−アジドベンザル）−４−クロロシ
クロ−キサノン ４−クロロシクロへギザノン１ｆ、バラアジドベンズア
ルデヒド３ｔｒエタノール１０ｍβに溶解し、０．１ｆ
の水酸化ナトリウムを０．１ｍｌの水に溶触した溶液を
加え、かっ色フラスコ中室温で２日ｍ１反応させに０吸
引口過によって生成しん結晶を分は取り、エタノール洗
浄後エタノールとエチルセロソルブの混液から再結晶し
て分解点１４５−１５０℃（示差熱分析広、契温速度５
℃／ｍ ｉ ｎ ）の黄色結５ 晶０ろｔ 馨１１ｒ ｆｔ ａ この生成物にバイルン
ユタインテスト（陽性を示しＩＣ）、スペクトル分析に
工Ｖ題配り１し合物であることを確認し声。赤外吸収１
５９５ｃｍ ’ （、ｃ＝ｏ ） 、２已Ｇｅｍ’（−
Ｎ３）。
′実施例１１ ２，６−ジ（４′−アジドベンザル）−
４−ブ自モンク［Ｊ−＼キサノン ４−）゛自モ７り［１ヘキサン１ｇ、バラアジドベンズ
アルデヒド３３をエタノール１０ｍＲに溶解し、０１２
水酸化ナトリウノ４ Ｙ ｏ、 １ ｍρの水に溶解し
ｋＣ賓液？加え、かっ色フラスコ中室温で２日間反応さ
せた。吸引口過によって生成した結晶を分は取り、エタ
ノール洗浄後エタノールとエチルセロソルブの混液から
再結晶して分解、＋ｊ、５１４０１５０℃（示差熱分析
法、昇１１．１速度５℃／ｍ１ｎ）の黄色結晶０３１
’ｌ ？’ｊ ｆｔ： ０ この生成物はパイルンユタ
インテスト（陽性）、スペクトル分析にエリｔＬＭｅの
化合物であることｑ （１゛ｌ＋謔した。赤外吸収：ｉ
６０Ｄｃｍ’°１６ （＼Ｃ＝Ｏ） 、 ２１３０ｃｍ ’ （−Ｎｇ）。
４−ブ自モンク［Ｊ−＼キサノン ４−）゛自モ７り［１ヘキサン１ｇ、バラアジドベンズ
アルデヒド３３をエタノール１０ｍＲに溶解し、０１２
水酸化ナトリウノ４ Ｙ ｏ、 １ ｍρの水に溶解し
ｋＣ賓液？加え、かっ色フラスコ中室温で２日間反応さ
せた。吸引口過によって生成した結晶を分は取り、エタ
ノール洗浄後エタノールとエチルセロソルブの混液から
再結晶して分解、＋ｊ、５１４０１５０℃（示差熱分析
法、昇１１．１速度５℃／ｍ１ｎ）の黄色結晶０３１
’ｌ ？’ｊ ｆｔ： ０ この生成物はパイルンユタ
インテスト（陽性）、スペクトル分析にエリｔＬＭｅの
化合物であることｑ （１゛ｌ＋謔した。赤外吸収：ｉ
６０Ｄｃｍ’°１６ （＼Ｃ＝Ｏ） 、 ２１３０ｃｍ ’ （−Ｎｇ）。
／
以上詳述し几ように本発明により極性浴剤に対する溶解
性、アルカリ現像性、無機角基板との接層性、放射線感
応性などの応で大幅に特性向上のなされるフォト又は放
射線レジヌト用感光剤？提供することができた。
性、アルカリ現像性、無機角基板との接層性、放射線感
応性などの応で大幅に特性向上のなされるフォト又は放
射線レジヌト用感光剤？提供することができた。
第１頁の続き
＠発 明 者 横野中
横浜市戸塚区吉田町２９２番地株
式会社日立製作所生産技術研究
所内
＠発 明 者 磯貝時男
横浜市戸塚区吉田町２９２番地株
式会社日立製作所生産技術研究
所内
Ｑ）発 明 者 児嶋充雅
日立市東町四丁目１３番１号日立
化成工業株式会社山崎工場内
０出 願 人 日立化成工業株式会社
東京都新宿区西新宿２丁目１番
１号
２１０−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ％式％ −８ｉＲ５，−ＯＲ’ 、ハロゲン（Ｒ１に低級了ルギ
レン基、Ｒ２は水素ヌに低級アルギル基、 Ｒ’、Ｒ’
は低級アルギル基を表わ丁。）から遷択された基、Ｙ。 Ｚに水素又は−Ｎ、ヌに一３ｏ２Ｎ、 を表わｌ、Ｙ
が水素の１１、〒Ｚに−Ｎ、ヌに一３Ｏ２Ｎ、、 Ｚ
が水素の時Ｙは−Ｎ、又は−３Ｏ２Ｎ、である。〕で表
わされる化合物！ＩＴから選択されたフォー・ヌは紗射
線レジスト用ＩＩへ光削。 ２一般式ＣＩ）においてＲ１は−ＣＨ２−、Ｒ２に水素
父に−ＣＨ，ヌに−Ｃ２Ｈ５，Ｒ’、Ｒ’に−ＣＨ，、
ハロケンとしてはＢｒ 又にＣ２である特許請求の範囲
第１１”４記載のフＡト又は放射線レジスト用感光剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16580881A JPS5868036A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | フオト又は放射線レジスト用感光剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16580881A JPS5868036A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | フオト又は放射線レジスト用感光剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868036A true JPS5868036A (ja) | 1983-04-22 |
| JPH0151171B2 JPH0151171B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=15819383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16580881A Granted JPS5868036A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | フオト又は放射線レジスト用感光剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868036A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60238827A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物 |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP16580881A patent/JPS5868036A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60238827A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性樹脂組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0151171B2 (ja) | 1989-11-01 |
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