JPH0523876A - 有機絶縁層の微細パターン形成方法 - Google Patents
有機絶縁層の微細パターン形成方法Info
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- JPH0523876A JPH0523876A JP3205645A JP20564591A JPH0523876A JP H0523876 A JPH0523876 A JP H0523876A JP 3205645 A JP3205645 A JP 3205645A JP 20564591 A JP20564591 A JP 20564591A JP H0523876 A JPH0523876 A JP H0523876A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な工程で有機絶縁層に微細パターンを形
成することができるとともに危険な薬品や排液処理施設
を不要として有機絶縁層に微細パターンを形成可能とし
た。 【構成】 高絶縁性有機物からなる絶縁層２にフォトレ
ジスト膜３を形成し、所望のパターンを露光，現像して
絶縁層２の不要部分を露出させ、エキシマレーザ４を照
射して絶縁層２を蒸散させ、パターニングした後、フォ
トレジスト膜３を除去する。
成することができるとともに危険な薬品や排液処理施設
を不要として有機絶縁層に微細パターンを形成可能とし
た。 【構成】 高絶縁性有機物からなる絶縁層２にフォトレ
ジスト膜３を形成し、所望のパターンを露光，現像して
絶縁層２の不要部分を露出させ、エキシマレーザ４を照
射して絶縁層２を蒸散させ、パターニングした後、フォ
トレジスト膜３を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高絶縁性有機物を絶縁層
とする回路基板に適用して有効な有機絶縁層の微細パタ
ーン形成方法に関するものである。
とする回路基板に適用して有効な有機絶縁層の微細パタ
ーン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の有機絶縁層の微細パターン
形成方法を説明する工程の断面図である。同図におい
て、図２（ａ）に示すように基板１上に高絶縁性有機物
からなる絶縁層２を形成する。次に図２（ｂ）に示すよ
うに絶縁層２の表面にフォトレジスト膜３を被着した
後、このフォトレジスト膜３を露光，現像して絶縁層２
の不要部分を露出させる。次に図２（ｃ）に示すように
基板１をヒドラジン液５の中に浸漬し、絶縁層２の不要
部分をエッチングし、図２（ｄ）に示すようにフォトレ
ジスト膜３を除去する。
形成方法を説明する工程の断面図である。同図におい
て、図２（ａ）に示すように基板１上に高絶縁性有機物
からなる絶縁層２を形成する。次に図２（ｂ）に示すよ
うに絶縁層２の表面にフォトレジスト膜３を被着した
後、このフォトレジスト膜３を露光，現像して絶縁層２
の不要部分を露出させる。次に図２（ｃ）に示すように
基板１をヒドラジン液５の中に浸漬し、絶縁層２の不要
部分をエッチングし、図２（ｄ）に示すようにフォトレ
ジスト膜３を除去する。
【０００３】このように高絶縁性有機物を絶縁層とする
回路基板においては、絶縁層の微細パターンを形成する
方法としてヒドラジン液５等の強アルカリ溶液による湿
式エッチング法が用いられていた。
回路基板においては、絶縁層の微細パターンを形成する
方法としてヒドラジン液５等の強アルカリ溶液による湿
式エッチング法が用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の有機絶縁層の微
細パターン形成方法では、有機絶縁層のエッチングにヒ
ドラジン液５等の強アルカリ溶液による湿式エッチング
法が用いられているため、エッチング液の温度やエッチ
ング時間の管理の他、エッチング後の洗浄工程，乾燥工
程等が必要なため、工程が繁雑となる上、腐食性の強い
危険な薬品を使用しなければならない等の問題があっ
た。また、エッチング液，洗浄液の処理施設が必要とな
る等の問題もあった。
細パターン形成方法では、有機絶縁層のエッチングにヒ
ドラジン液５等の強アルカリ溶液による湿式エッチング
法が用いられているため、エッチング液の温度やエッチ
ング時間の管理の他、エッチング後の洗浄工程，乾燥工
程等が必要なため、工程が繁雑となる上、腐食性の強い
危険な薬品を使用しなければならない等の問題があっ
た。また、エッチング液，洗浄液の処理施設が必要とな
る等の問題もあった。
【０００５】したがって本発明は、前述した従来の問題
に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡単な工程
でしかも危険な薬品や排気処理施設を使用しないで有機
絶縁層の微細パターンが得られる有機絶縁層の微細パタ
ーン形成方法を提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡単な工程
でしかも危険な薬品や排気処理施設を使用しないで有機
絶縁層の微細パターンが得られる有機絶縁層の微細パタ
ーン形成方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明による有機絶縁層の微細パターン形成方
法は、基板上に高絶縁性有機物からなる絶縁層を形成
し、この絶縁層の表面にフォトレジスト膜を被着した
後、このフォトレジスト膜を露光，現像してこの絶縁層
の不要部分を露出させ、この露出部分の絶縁層にエキシ
マレーザを照射し、絶縁層を蒸散させてパターンを形成
し、しかる後、前記フォトレジスト膜を除去するように
したものである。
るために本発明による有機絶縁層の微細パターン形成方
法は、基板上に高絶縁性有機物からなる絶縁層を形成
し、この絶縁層の表面にフォトレジスト膜を被着した
後、このフォトレジスト膜を露光，現像してこの絶縁層
の不要部分を露出させ、この露出部分の絶縁層にエキシ
マレーザを照射し、絶縁層を蒸散させてパターンを形成
し、しかる後、前記フォトレジスト膜を除去するように
したものである。
【０００７】
【作用】本発明においては、簡単な工程で有機絶縁層の
微細パターンが形成される。
微細パターンが形成される。
【０００８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は本発明による有機絶縁層の微細パター
ン形成方法の一実施例を説明する工程の断面図である。
同図において、まず、図１（ａ）に示すようにアルミナ
セラミック等の基板１上に高絶縁性有機物からなる絶縁
層２を形成する。次に図１（ｂ）に示すように基板１上
の全面上にスピンコート法，スプレーコート法，ロール
コート法等の手段を用いてポリイミド前駆体ワニスを均
一に塗布した後、３５０℃〜４００℃で１０分〜２０分
間熱処理すると、基板１上に高絶縁性有機物であるポリ
イミド樹脂の絶縁層２が形成できる。なお、高絶縁性有
機物としては、ポリイミドの他にポリアミド，フッ化エ
チレンプロピレン等を使用することができる。次に図１
（ｂ）に示すように絶縁層２の全面にフォトレジスト液
をスピンナ法等で５μｍ〜１０μｍの厚さに均一に被着
させ、これを７０℃〜１００℃で加熱して硬化させ、絶
縁層２の表面にフォトレジスト膜３を被着した後、所望
のパターンを露光，現像して絶縁層２の不要部分を露出
させる。次に図１（ｃ）に示すように基板１上の全面に
エキシマレーザ４を照射し、フォトレジスト膜３をエッ
チングマスクとして露出した絶縁層２の不要部分をエッ
チングする。ここで高絶縁性有機物からなる絶縁層２に
エキシマレーザ４が照射されると、紫外線のエネルギに
よって炭素結合が切断され、蒸散してしまう。エッチン
グマスクとしてフォトレジスト膜３が被着している部分
の絶縁層２は、エキシマレーザ４が当たらないため、エ
ッチングされずに残るが、フォトレジスト膜３が被着し
ていない部分の絶縁層はエキシマレーザ４が当たるた
め、エッチングされるので、所望のパターンを生成する
ことができる。次に図（ｄ）に示すように絶縁層２上に
被着しているフォトレジスト膜３を除去する。この場
合、エキシマレーザ４を照射することによって蒸散した
高絶縁性有機物は煤となって照射部分の周囲に付着す
る。このため、高絶縁性有機物の煤を除去する工程が必
要となるが、この実施例の方法によれば、高絶縁性有機
物の煤はエッチングマスクであるフォトレジスト膜３の
表面に付着しているので、フォトレジスト膜３を除去す
る時に同時に除去することができる。
説明する。図１は本発明による有機絶縁層の微細パター
ン形成方法の一実施例を説明する工程の断面図である。
同図において、まず、図１（ａ）に示すようにアルミナ
セラミック等の基板１上に高絶縁性有機物からなる絶縁
層２を形成する。次に図１（ｂ）に示すように基板１上
の全面上にスピンコート法，スプレーコート法，ロール
コート法等の手段を用いてポリイミド前駆体ワニスを均
一に塗布した後、３５０℃〜４００℃で１０分〜２０分
間熱処理すると、基板１上に高絶縁性有機物であるポリ
イミド樹脂の絶縁層２が形成できる。なお、高絶縁性有
機物としては、ポリイミドの他にポリアミド，フッ化エ
チレンプロピレン等を使用することができる。次に図１
（ｂ）に示すように絶縁層２の全面にフォトレジスト液
をスピンナ法等で５μｍ〜１０μｍの厚さに均一に被着
させ、これを７０℃〜１００℃で加熱して硬化させ、絶
縁層２の表面にフォトレジスト膜３を被着した後、所望
のパターンを露光，現像して絶縁層２の不要部分を露出
させる。次に図１（ｃ）に示すように基板１上の全面に
エキシマレーザ４を照射し、フォトレジスト膜３をエッ
チングマスクとして露出した絶縁層２の不要部分をエッ
チングする。ここで高絶縁性有機物からなる絶縁層２に
エキシマレーザ４が照射されると、紫外線のエネルギに
よって炭素結合が切断され、蒸散してしまう。エッチン
グマスクとしてフォトレジスト膜３が被着している部分
の絶縁層２は、エキシマレーザ４が当たらないため、エ
ッチングされずに残るが、フォトレジスト膜３が被着し
ていない部分の絶縁層はエキシマレーザ４が当たるた
め、エッチングされるので、所望のパターンを生成する
ことができる。次に図（ｄ）に示すように絶縁層２上に
被着しているフォトレジスト膜３を除去する。この場
合、エキシマレーザ４を照射することによって蒸散した
高絶縁性有機物は煤となって照射部分の周囲に付着す
る。このため、高絶縁性有機物の煤を除去する工程が必
要となるが、この実施例の方法によれば、高絶縁性有機
物の煤はエッチングマスクであるフォトレジスト膜３の
表面に付着しているので、フォトレジスト膜３を除去す
る時に同時に除去することができる。
【０００９】次に本発明の他の実施例としてドライフィ
ルムレジストを使用した場合について説明する。ドライ
フィルムレジストは市販のアクリル樹脂系フォトドライ
フィルムであり、露光された部分が重合して現像液には
溶解せず、露光されなかった部分だけが現像液に溶解剥
離するものを使用すれば良い。そしてこのドライフィル
ムレジストを熱圧着し、高絶縁性有機物からなる絶縁層
２上に被着する。次に前述した図１（ｂ）と同様に露
光，現像して絶縁層２の不要部分を露出させる。次にこ
のドライフィルムレジストをエッチングマスクとしてエ
キシマレーザ４を照射すれば、前述した図１（ｃ）のよ
うに露出した不要部分の絶縁層が蒸散し、所望のパター
ンが生成できる。しかる後、絶縁層２上に被着したドラ
イフィルムレジストを剥離すれば、前述した図１（ｄ）
と同様なパターンを有する絶縁層２が得られる。このド
ライフィルムレジストの実施例は、レジスト液を使用す
る場合に比べ、簡単な工程で膜厚が厚いレジスト膜を得
ることができる。
ルムレジストを使用した場合について説明する。ドライ
フィルムレジストは市販のアクリル樹脂系フォトドライ
フィルムであり、露光された部分が重合して現像液には
溶解せず、露光されなかった部分だけが現像液に溶解剥
離するものを使用すれば良い。そしてこのドライフィル
ムレジストを熱圧着し、高絶縁性有機物からなる絶縁層
２上に被着する。次に前述した図１（ｂ）と同様に露
光，現像して絶縁層２の不要部分を露出させる。次にこ
のドライフィルムレジストをエッチングマスクとしてエ
キシマレーザ４を照射すれば、前述した図１（ｃ）のよ
うに露出した不要部分の絶縁層が蒸散し、所望のパター
ンが生成できる。しかる後、絶縁層２上に被着したドラ
イフィルムレジストを剥離すれば、前述した図１（ｄ）
と同様なパターンを有する絶縁層２が得られる。このド
ライフィルムレジストの実施例は、レジスト液を使用す
る場合に比べ、簡単な工程で膜厚が厚いレジスト膜を得
ることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
基板上に高絶縁性有機物からなる絶縁層を形成し、この
絶縁層の表面にフォトレジスト膜を被着した後、このフ
ォトレジスト膜を露光，現像してこの絶縁層の不要部分
を露出させ、この露出部分の絶縁層にエキシマレーザを
照射し、絶縁層を蒸散させてパターンを形成し、しかる
後、前記フォトレジスト膜を除去するようにしたことに
より、高絶縁性有機物絶縁層の微細パターンを簡単な工
程で得ることができ、また、この危険な薬品や排液処理
施設を使用しない乾式エッチング方法である等その実用
上の効果は極めて大きい。
基板上に高絶縁性有機物からなる絶縁層を形成し、この
絶縁層の表面にフォトレジスト膜を被着した後、このフ
ォトレジスト膜を露光，現像してこの絶縁層の不要部分
を露出させ、この露出部分の絶縁層にエキシマレーザを
照射し、絶縁層を蒸散させてパターンを形成し、しかる
後、前記フォトレジスト膜を除去するようにしたことに
より、高絶縁性有機物絶縁層の微細パターンを簡単な工
程で得ることができ、また、この危険な薬品や排液処理
施設を使用しない乾式エッチング方法である等その実用
上の効果は極めて大きい。
【図１】 本発明による有機絶縁層の微細パターン形成
方法の一実施例を説明する工程の断面図である。
方法の一実施例を説明する工程の断面図である。
【図２】 従来の有機絶縁層の微細パターン形成方法を
説明する工程の断面図である。
説明する工程の断面図である。
１ 基板
２ 絶縁層
３ レジスト膜
４ エキシマレーザ
５ ヒドラジン液
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に高絶縁性有機物からなる絶縁層
を形成し、前記絶縁層の表面にフォトレジスト膜を被着
した後、前記フォトレジスト膜を露光，現像して前記絶
縁層の不要部分を露出させ、前記露出部分の絶縁層にエ
キシマレーザを照射し、絶縁層を蒸散させてパターンを
形成し、しかる後、前記フォトレジスト膜を除去するこ
とを特徴とする有機絶縁層の微細パターン形成方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記フォトレジスト
膜の膜厚を前記絶縁層の膜厚よりも厚くすることを特徴
とする有機絶縁層の微細パターン形成方法。 - 【請求項３】 請求項１において、前記フォトレジスト
膜をドライフィルムレジスト膜とし、前記ドライフィル
ムレジスト膜を熱圧着して被着することを特徴とする有
機絶縁層の微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205645A JPH0523876A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 有機絶縁層の微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205645A JPH0523876A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 有機絶縁層の微細パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0523876A true JPH0523876A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16510326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3205645A Pending JPH0523876A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 有機絶縁層の微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0523876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07314162A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-05 | Nec Corp | 成膜方法 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3205645A patent/JPH0523876A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07314162A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-05 | Nec Corp | 成膜方法 |
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