JPH03250619A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH03250619A JPH03250619A JP2045588A JP4558890A JPH03250619A JP H03250619 A JPH03250619 A JP H03250619A JP 2045588 A JP2045588 A JP 2045588A JP 4558890 A JP4558890 A JP 4558890A JP H03250619 A JPH03250619 A JP H03250619A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- layer
- etching
- resist
- baking
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野Ｊ
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に大規模
集積回路におけるパターン形成方法に関するものである
。
集積回路におけるパターン形成方法に関するものである
。
［従来の技術］
第２図はこの種の従来のパターン形成方法を示す側部断
面図であり、図において（１）は段差基板である。（２
）は段差基板（１）ｌに上面が平坦になるように塗布ベ
ーキングされた下層レジスト層であり、段差基板（１）
からの反射を防ぐため、露光光を吸収する色素を含んで
いる。（４）は下層レジスト層（２）上にＳＯＣ（スピ
ンオングラス）を塗布ベーキングして得られた中間層、
（５）は中間層（４）の上に薄く塗布されベータされた
上層レジスト層である。
面図であり、図において（１）は段差基板である。（２
）は段差基板（１）ｌに上面が平坦になるように塗布ベ
ーキングされた下層レジスト層であり、段差基板（１）
からの反射を防ぐため、露光光を吸収する色素を含んで
いる。（４）は下層レジスト層（２）上にＳＯＣ（スピ
ンオングラス）を塗布ベーキングして得られた中間層、
（５）は中間層（４）の上に薄く塗布されベータされた
上層レジスト層である。
このような配列のレジストの加工方法は次のように与え
られる。
られる。
第２図（ａ）に示したように段差基板（１）〜上層レジ
スト層（５）を形成した後、（ｂ）のように上層レジス
ト層（５）を露光、現像し、パターンを形成する。次に
、（Ｃ）に示したように、上層レジスト層（５）をマス
クとしてＣＦ４を主成分とするガスにより中間層（４）
を異方性プラズマエツチングする。
スト層（５）を形成した後、（ｂ）のように上層レジス
ト層（５）を露光、現像し、パターンを形成する。次に
、（Ｃ）に示したように、上層レジスト層（５）をマス
クとしてＣＦ４を主成分とするガスにより中間層（４）
を異方性プラズマエツチングする。
更に、（ｄ）に示したように、中間層（４）をマスクと
し、０．ガスを主成分とするガス雰囲気中で下層レジス
ト層（２）を異方性エツチングする。最後に、（ｅ）に
示したように、下層レジスト層（２）をマスクとし段差
基板（１，）に対してエツチングを行なう。
し、０．ガスを主成分とするガス雰囲気中で下層レジス
ト層（２）を異方性エツチングする。最後に、（ｅ）に
示したように、下層レジスト層（２）をマスクとし段差
基板（１，）に対してエツチングを行なう。
［発明が解決しようとする課題］
上記のような従来のパターン形成方法においては、段差
基板（１）とのエツチング選択比を大きくするため、下
層レジスト層（２）にノボラック樹脂を主成分とする材
料のみを使用していた。このため、（ｄ）に示したＯ、
ガスによる異方性エツチング工程においてエツチングレ
ートが小さくなり、従ってこの工程（ｄ）か全体のスル
ーフットを低下させる主要な原因となり、装置の実用化
を難しくするという問題点かあった。
基板（１）とのエツチング選択比を大きくするため、下
層レジスト層（２）にノボラック樹脂を主成分とする材
料のみを使用していた。このため、（ｄ）に示したＯ、
ガスによる異方性エツチング工程においてエツチングレ
ートが小さくなり、従ってこの工程（ｄ）か全体のスル
ーフットを低下させる主要な原因となり、装置の実用化
を難しくするという問題点かあった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
のであって、段差基板とのエツチング時のエツチング選
択比を損わずに下層レジスト層に対するエツチングレー
トヲ犬きくシ、スルーフットを向上させ得るパターン形
成方法を得ることを目的とする。
のであって、段差基板とのエツチング時のエツチング選
択比を損わずに下層レジスト層に対するエツチングレー
トヲ犬きくシ、スルーフットを向上させ得るパターン形
成方法を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段１
この発明に係るパターン形成方法は、被加工基板上に異
方性プラズマによるエツチングレートの大きなＰＭＭＡ
を主成分とする第ルシスト層を塗布しベーキングする工
程と、第ルンスト層上に異方性プラズマエツチング耐性
を有すると共に露光波長の吸収が大きなノボラック樹脂
を主成分とする第２レジスト層を塗布しベーキングする
工程と、前記第２レジスト層の上にＳＯＧ （スピン
オングラス）を塗布しベーキングする工程と、前記ＳＯ
Ｇの」二にノボラック樹脂を主成分とし、解像力の太き
な第３レジスト層を塗布しベーキングする工程と、第３
レジスト層を露光、現像によりパターニングする工程と
、パターニングされた第３レジスト層をマスクとしてＳ
ＯＧを異方性プラズマエツチングにより加工する工程と
、加工されたＳＯＧをマスクとして第２レジスト層およ
び第ルジスト層を異方性プラズマエツチングにより加工
する工程と、加工された第ルジスト層および第２レジス
ト層をマスクとして被加工基板を加工する工程とからな
るものである。
方性プラズマによるエツチングレートの大きなＰＭＭＡ
を主成分とする第ルシスト層を塗布しベーキングする工
程と、第ルンスト層上に異方性プラズマエツチング耐性
を有すると共に露光波長の吸収が大きなノボラック樹脂
を主成分とする第２レジスト層を塗布しベーキングする
工程と、前記第２レジスト層の上にＳＯＧ （スピン
オングラス）を塗布しベーキングする工程と、前記ＳＯ
Ｇの」二にノボラック樹脂を主成分とし、解像力の太き
な第３レジスト層を塗布しベーキングする工程と、第３
レジスト層を露光、現像によりパターニングする工程と
、パターニングされた第３レジスト層をマスクとしてＳ
ＯＧを異方性プラズマエツチングにより加工する工程と
、加工されたＳＯＧをマスクとして第２レジスト層およ
び第ルジスト層を異方性プラズマエツチングにより加工
する工程と、加工された第ルジスト層および第２レジス
ト層をマスクとして被加工基板を加工する工程とからな
るものである。
［作 用］
この発明においては、下層レジストを２層に分け、１層
目にＰＭＭＡを塗布した後ベーキングし、２層目に従来
通りの露光波長を吸収する色素を含むノボラック樹脂を
主成分とするレジストを塗布し、ベーキングする。この
とき、下層の第１層目にＰＭＭＡを使用したことにより
、平坦化およびエツチングレートを上げる。
目にＰＭＭＡを塗布した後ベーキングし、２層目に従来
通りの露光波長を吸収する色素を含むノボラック樹脂を
主成分とするレジストを塗布し、ベーキングする。この
とき、下層の第１層目にＰＭＭＡを使用したことにより
、平坦化およびエツチングレートを上げる。
［実施例］
第１図はこの発明によるパターン形成方法の一実施例を
示す側部断面図であり、（１）は前述と同様のものであ
る。（２′）は段差基板（１）上に塗布され、ベーキン
グされた異方性プラズマエツチングのエツチングレート
の大きなＰＭＭＡを主成分とする第１し／スト層である
。（３′）は第ルジスト層（２′）の上に塗布され、ベ
ーキングされた異方性プラズマエツチングのエツチング
時− トの小さな第２レンスト層であり、露光波長を吸
収する色素を含んでいる。（４′）は第２レジスト層（
３′）の」二に塗布され、ベーキングされた５ｏＧ（ス
ピンオングラス） 、（５’）はＳＯＧ （４’）ｌ冒
こ薄く塗布され、ベーキングされた高解像性を有するレ
ジストである。
示す側部断面図であり、（１）は前述と同様のものであ
る。（２′）は段差基板（１）上に塗布され、ベーキン
グされた異方性プラズマエツチングのエツチングレート
の大きなＰＭＭＡを主成分とする第１し／スト層である
。（３′）は第ルジスト層（２′）の上に塗布され、ベ
ーキングされた異方性プラズマエツチングのエツチング
時− トの小さな第２レンスト層であり、露光波長を吸
収する色素を含んでいる。（４′）は第２レジスト層（
３′）の」二に塗布され、ベーキングされた５ｏＧ（ス
ピンオングラス） 、（５’）はＳＯＧ （４’）ｌ冒
こ薄く塗布され、ベーキングされた高解像性を有するレ
ジストである。
これらのレジストの塗装方法は次のようになされる。
先ず、段差基板（１）上に異方性プラズマエツチングの
エツチングレートの大きなＰＭＭＡを主成分とする第ル
ジスト層（２′）をレジスト上面が平坦になるまで塗布
した後ベーキングを行う。次に、第ルジスト層り２′）
の上に露光波長を吸収する色素を含み、異方性プラズマ
エツチングのエッチングレートの小さな第２レジスト層
（３′）を、第１１２７８層（２′）と合わせた厚さが
段差基板（１）の工。
エツチングレートの大きなＰＭＭＡを主成分とする第ル
ジスト層（２′）をレジスト上面が平坦になるまで塗布
した後ベーキングを行う。次に、第ルジスト層り２′）
の上に露光波長を吸収する色素を含み、異方性プラズマ
エツチングのエッチングレートの小さな第２レジスト層
（３′）を、第１１２７８層（２′）と合わせた厚さが
段差基板（１）の工。
チングに対してマスク性を有するまで塗布した後、ベー
キングを行う。更に、ＳＯＣ（４’）を塗布した後、ベ
ーキングを行い、その上に高解像性を有するレジスト（
５′）を薄く塗布し、ベーキングを行う。
キングを行う。更に、ＳＯＣ（４’）を塗布した後、ベ
ーキングを行い、その上に高解像性を有するレジスト（
５′）を薄く塗布し、ベーキングを行う。
こうして、第１図（ａ）のように塗布されたレジストに
対し、先ず、（ｂ）のように、レジスト（５′）を露光
、現像し、パターンを形成する。次に、パターン化され
たレジスト（５′）をマスクとして、（Ｃ）のように、
ＣＦ、ガスを主成分とするガスにより、ＳＯＧ （４’
）に対してプラズマエツチングを行なう。
対し、先ず、（ｂ）のように、レジスト（５′）を露光
、現像し、パターンを形成する。次に、パターン化され
たレジスト（５′）をマスクとして、（Ｃ）のように、
ＣＦ、ガスを主成分とするガスにより、ＳＯＧ （４’
）に対してプラズマエツチングを行なう。
更に、エツチングされたＳＯＧ （４’）をマスクとし
て、（ｄ）のように第１および第２レジスト層（２’）
、（３’）に対して０．ガスを主成分とするガスにより
異方性エツチングを行う。最後に、エツチングされた各
レジスト層（２’ ）、 （３’ ）をマスクとして、
（ｅ）のように段差基板（１）に対してエツチングを行
う。
て、（ｄ）のように第１および第２レジスト層（２’）
、（３’）に対して０．ガスを主成分とするガスにより
異方性エツチングを行う。最後に、エツチングされた各
レジスト層（２’ ）、 （３’ ）をマスクとして、
（ｅ）のように段差基板（１）に対してエツチングを行
う。
［発明の効果］
この発明は以上説明したとおり、被加工基板上に異方性
プラズマによるエツチングレートの大きなＰＭＭＡを主
成分とする第１１２７８層を塗布ヘキングする工程と、
第２レジスト層上に、異方性プラズマエツチング耐性を
有すると共に露光波長に対する吸収が大きなノホラック
相脂を主成分とする第２レジスト層を塗布する工程とを
設けたので、第１１２７８層により平坦化およびエツチ
ングレートの増大が実現され、第２レジスト居により基
板エツチングのマスク性を得るようにでき、従って、高
スルーブツトでパターンを形成することができるという
効果がある。
プラズマによるエツチングレートの大きなＰＭＭＡを主
成分とする第１１２７８層を塗布ヘキングする工程と、
第２レジスト層上に、異方性プラズマエツチング耐性を
有すると共に露光波長に対する吸収が大きなノホラック
相脂を主成分とする第２レジスト層を塗布する工程とを
設けたので、第１１２７８層により平坦化およびエツチ
ングレートの増大が実現され、第２レジスト居により基
板エツチングのマスク性を得るようにでき、従って、高
スルーブツトでパターンを形成することができるという
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す側部断面図、第２図
は従来のパターン形成方法を示す側部断面図である。 図において、（１）は段差基板（被加工基板）、（２′
）は第１１２７８層、（３′）は第２レジスト層、（４
′）はＳＯＧ 、 （５’）はレジストである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 昂１図 ５１ しリスト
は従来のパターン形成方法を示す側部断面図である。 図において、（１）は段差基板（被加工基板）、（２′
）は第１１２７８層、（３′）は第２レジスト層、（４
′）はＳＯＧ 、 （５’）はレジストである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 昂１図 ５１ しリスト
Claims (1)
- 被加工基板上に異方性プラズマによるエッチングレー
トの大きなＰＭＭＡを主成分とする第１レジスト層を塗
布しベーキングする工程と、前記第１レジスト層上に異
方性プラズマエッチング耐性を有すると共に露光波長の
吸収が大きなノボラック樹脂を主成分とする第２レジス
ト層を塗布しベーキングする工程と、前記第２レジスト
層の上にＳＯＧ（スピンオングラス）を塗布しベーキン
グする工程と、前記ＳＯＧの上にノボラック樹脂を主成
分とし、解像力の大きな第３レジスト層を塗布しベーキ
ングする工程と、前記第３レジスト層を露光、現像によ
りパターニングする工程と、前記パターニングされた第
３レジスト層をマスクとしてＳＯＧを異方性プラズマエ
ッチングにより加工する工程と、前記加工されたＳＯＧ
をマスクとして第２レジスト層および第１レジスト層を
異方性プラズマエッチングにより加工する工程と、前記
加工された第１レジスト層および第２レジスト層をマス
クとして前記被加工基板を加工する工程とを備えたこと
を特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045588A JPH0828318B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045588A JPH0828318B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250619A true JPH03250619A (ja) | 1991-11-08 |
| JPH0828318B2 JPH0828318B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=12723507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2045588A Expired - Lifetime JPH0828318B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828318B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384877B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2003-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 도포 방법 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2045588A patent/JPH0828318B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384877B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2003-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 도포 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828318B2 (ja) | 1996-03-21 |
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